JPS5845523A

JPS5845523A - 測光回路

Info

Publication number: JPS5845523A
Application number: JP56144118A
Authority: JP
Inventors: Kazunori Mizogami; 溝上　和紀
Original assignee: Olympus Corp; Olympus Optical Co Ltd
Current assignee: Olympus Corp
Priority date: 1981-09-11
Filing date: 1981-09-11
Publication date: 1983-03-16
Also published as: US4492858A; DE3233633C2; DE3233633A1

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】本発明は、測光回路、更に詳しくは、複数の測光用受光
素子から１つの演算増幅器を通じて選択的に測光出力を
とり出すようにした測光回路に関する。

周知のように、異なった受光分布特性を有する複数の受
光素子（例えば、カメラのスポット測光用受光素子と平
均測光用受光素子）、または、異なった測光光学系に配
置された複数の受光素子（例えば、カメラのＴＴＬ開放
測光用受光素子とＴＴＬフィルム面反射測光用受光素子
）のうち、いずれか１つの受光素子を選択的に増幅回路
に接続し、この受光素子の測光に基づく測光出力を得た
い場合には、従来は、（１）受光素子を切り換える手段
、または、（２）出力を切り換える手段のいずれか一方
の手段が採られていた。上記（１）の受光素子を切り換
える手段は、第１図に示すように、複数（図においては
２個）の受光素子８ＰＤ、　、　８ＰＤ、と、１つの増
幅回路ハ伊、とを切換スイッチＳＷ、を介して接続し、
この切換スイッチ歴、の切換操作に応じて、受光素子Ｓ
ＰＤ、または８ＰＤ、から選択的に測光出力をとり出す
ようにしたものである。また、上記（２）の出力を切り
換える手段は、第２図に示すよ５に、各受光素子８ＰＤ
＋　、　５ＰＤｔに対してそれぞれ増幅回路ＡＭＰ、　
。

ＡＭＰ３を接続し、各増幅回路ＡＭＰ、　、ＡＭＰ、の
出力端に切換スイッチＳＷ、を接続して、この切換スイ
ッチＳＷ２の切換操作に応じて、いずれが１つの増幅回
路ＡＭＰ、またはＡＭＰ３からの測光出力を選択的に用
いるようにしたものである。

しかし、上記（１）の手段は、非常にインピーダンスの
高い増幅回路ＡＭＰ　、の入力端がわでスイッチングを
行なうことになるので、切換スイッチｓｗ１そのものに
高い信頼性と接触効率が求められてコストが高くなると
共に、切換スイッチｓｗ、へのノイズの乱入、リーク電
流の影響、接触不良等の困難な種々の問題が発生すると
いう欠点があった。また、上記（２）ノ手段は、各受光
素子ＳＰＤ、　、　ＳＰＤ、　Ｋ対してそれぞれ増幅回
路ＡＭＰ２　、　ＡＭＰｓを必要とするので、測光回路
が大型かつ複雑化すると共に、各増幅回路ＡＭＰｚ　、
　ＡＭＰｓの特性を合わせるのが困難であり、各増幅回
路ＡＭＰ、、ＡＭＰＳの特性のバラツキが受光特性のバ
ラツキとして影響してくるという不都合があった。

本発明の目的は、上述の点に鑑み、複数の差動増幅回路
を有する測光用演算増幅器の定電流バイアス回路を、外
部信号で切り換えられるようにし、これに応じてそれぞ
れの受光素子の測光に基づく測光出力を選択的に得るこ
とができるようにした測光回路を提供するにある。

本発明によれば、演算増幅器の定電流バイアス回路を外
部信号で切り換えて測光する受光素子を選択するように
したので、比較的低インピーダンスの点でスイッチング
を行なうことになり、ノイズ、リーク電流、接触不良等
の問題が生ずるおそれが少ない。

また、演算増幅器はモノリシックに製造されるので各差
動増幅回路の特性のマツチングがきわめて容易に、かつ
高精度に行なえる。

以下、本発明を図示の実施例に基づいて説明する。

第３図は、本発明に係る測光回路を示しており、この測
光回路は、シリコンフォトダイオードでなる２つの測光
用受光素子ＳＰＤ、　、　５ＰＤ２を、モノリシックＩ
Ｃチップで形成された演算増幅器０Ｐ１（図において、
測光用受光素子ＳＰＤ、　、　ＳＰＤ、以外の部分）に
それぞれ接続して構成されている。上記両受光素子ＳＰ
Ｄ、　、　ＳＰＤ、は、カソードを演算増幅器ＯＰ１の
非反転入力端となる、基準電圧Ｖｎｙを印加された第３
のＭＯ８型電界効果トランジスターＱ。

のベースにそれぞれ接続されており、一方の受光素子Ｓ
ＰＤ、のアノードは、演算増幅器ＯＰ、の一方の反転入
力端となる第１のＭＯ８型電界効果トランジスターＱ、
のベースに、また、他方の受光素子ＳＰＤ、のアノード
は、演算増幅器ＯＰ、の他方の反転入力端となる第２の
ＭＯ８型電界効果トランジスターＱ、のベースに、それ
ぞれ接続されている。

上記第１ないし第３の電界効果トランジスターＱ１〜Ｑ
３は、ソースを抵抗Ｒ１〜Ｒ８をそれぞれ通じて接地電
位ＧＮＤにある動作電圧供給ラインＬ、に接続されてお
り、また、ドレインを動作電圧ＶＤＤを供給する動作電
圧供給ラインドにそれぞれ接続されている。そして、第
１の電界効果トランジスターＱ１のソース・は、演算増
幅器ｏＰｌの一方の差動増幅回路を形成するトランジス
ターＱａ　、　Ｑ、の、他方のトランジスターＱ７のベ
ースに接続されている。

また、第２の電界効果トランジスターＱ２のソースは、
演算増幅器ＯＰ、の他方の差動増幅回路を形成するトラ
ンジスターＱ、　、　Ｑ、の、他方のトランジスターＱ
、のベースに接続されている。さらに、第３の電界効果
トランジスターＱ３のソースは、一方の差動増幅回路を
形成するトランジスターＱ、　、　Ｑ、の、一方のトラ
ンジスターＱ、のベース、および他方の差動増幅回路を
形成するトランジスターＱｓ　、　Ｑ、の、一方のトラ
ンジスターＱ８のベースに、それぞれ接続されている。

上記トランジスターＱａ　、　Ｑ７は、それぞれＮＰＮ
型トランジスターで形成されていて、一方のトランジス
ターＱ６のコレクタは、トランジスターＱ２０と共にカ
レントミラー回路を形成するトランジスター　Ｑ、のコ
レクタおよびベースに接続され、他方のトランジスター
Ｑ７のコレクタは、トランジスターＱｚ＋と共にカレン
トミラー回路を形成するトランジスターＱ、のコレクタ
およびベースに接続されている。そして、両トランジス
ターＱｅ　、　Ｑ、のエミッタは互いに接続されて、ト
ランジスターＱｕのコレクタに接続されている。また、
トランジスターＱ、　、　Ｑ、は、それぞれＮＰＮ型ト
ランジスターで形成されていて、一方のトランジスター
Ｑ８のコレクタは、上記トランジスターＱ４のコレクタ
およびベースに、他方のトランジスターＱ、のコレクタ
は、上記トランジスターｑのコレクタおよびベースに、
それぞれ接続されている。そして、両トランジスターＱ
、、Ｑ、のエミッタは互いに接続されて、トランジスタ
ーＱ＋ｏのコレクタに接続されている。

上記トランジスターＱ＋ｏ　＋　Ｑ＋＋は、それぞれＮ
ＰＮ型トランジスターで形成されており、トランジスタ
ーＱＩＯのエミッタは動作電圧供給ラインＬ、に接続さ
れていて、ベースは同トランジスターＱｓｏと共にカレ
ントミラー回路を形成するトランジスタ”−Ｑ、＜のベ
ースおよびコレクタに接続されている。

また、トランジスターＱ＋ｏのベースは、ＮＰＮ型のバ
イアス制御用スイッチングトランジスターＱＣｓのコレ
クタにも接続されている。このスイッチングトランジス
ターＱ＋ｓは、エミッタがラインＬ１に、ベースが抵抗
Ｒ４を通じてインバーターＩＮ、の出力端に接続されて
おり、インバータ＝ＩＮ１の入力端には、演算増幅器Ｏ
Ｐ、の制御信号入力端（図示せず）を通じて、バイアス
切換制御信号Ｓｃが印加されている。一方、トランジス
ターＱｕは、そのエミッタを動作電圧供給ラインＬ１に
接続され、ベースを同トランジスターＱ１１と共にカレ
ントミラー回路を形成するトランジスターＱ＋ｏのベー
スおよびコレクタに接続されている。また、トランジス
ターＱ＋＋のベースは、ＮＰＮ型のバイアス制御用スイ
ッチングトランジスターＱ、ｔのコレクタにも接続され
ている。このスイッチングトランジスターＱ、２は、エ
ミッタがラインＬ、に接続されており、ベースには抵抗
Ｒ６を通じてバイアス切換制御信号Ｓｃが印加されるよ
うになりている。

上記トランジスターＱ１４およびＱｌｌｌは、共にＮＰ
Ｎ型トランジスターで形成されていて、エミッタをライ
ンＬ、にそれぞれ接続されると共に、コレクタをトラン
ジスターＱ０およびＱｌｌｌのコレクタにそれぞれ接続
されている。トランジスターＱ＋ｓ　＋　Ｑ＋ｅは、共
にＰＮＰ型トランジス・ターで形成されていて、エミッ
タをラインＬ、にそれぞれ接続され、ベースな抵抗Ｒ６
と共に定電流回路を形成するラテラルＰＮＰ型トランジ
スターＱｌ？のベースにそれぞれ接続されている。この
トランジスターＱ＋７は、そのエミッタをラインＬ２に
接続され、コレクタを抵抗Ｒ０を通じてラインＬ１に接
続されている。また、トランジスターＱ＋７のベースお
よびコレクタには、同トランジスターＱｌ？の電流増幅
率ｈＦ’Ｅを補償するためのサブストレートＰＮＰ型ト
ランジスターＱｔａのエミッタおよびべ−スが接続され
ており、トランジスターＱｓａのコレクタはラインＬ、
に接続されている。このトランジスターＱｗｓは、トラ
ンジスター　ＱＩＳ　＋　Ｑ＋ａ　ｐ　Ｑ＋ｙ　のベー
ス電流をエミッタ電流で供給するように構成されており
、精度の高いカレントミラー回路を実現する役目をして
いる。

他方、上記トランジスターＱ、　、　Ｑ、は、共にＰＮ
Ｐ型のトランジスターで形成されており、エミッタはラ
インＬ、にそれぞれ接続されている。また、ベースは、
トランジスターＱｚｏおよびＱ２１のベースにそれぞれ
接続されている。トランジスターＱ２゜、Ｑ□は、ＰＮ
Ｐ２１）ランシスターで形成されていて、エミッタはラ
インＬ２にそれぞれ接続されており、トランジスターＱ
、。のコレクタは、トランジスターＱｚｔのコレクタお
よびベースに、トランジスターＱｚｔのコレクタは、ト
ランジスターＱｔｓのコレクタおよびトランジスターＱ
！４のベースに、それぞれ接続されている。ＮＰＮ型の
トランジスターＱ２□とＱｚｓとは、互いにベースを接
続されてカレントミラー回路を形成しており、両トラン
ジスターＱ２．。

Ｑｔｓのエミッタはそれぞれう゛インＬ、に接続されて
いる。また、ＮＰＮ型のトランジスターＱｔａのコレク
タは、抵抗Ｒ１を通じてラインＬ、に接続されていると
共に、発振防止用の位相補償コンデンサーＣ１を介して
ベースに接続されており、エミッタはラインＬ１に接続
されている。

上記トランジスターＱ、４のコレク、りがわは、演算増
幅器ＯＰ、の出力端となりてホ゛す、対数圧縮トランジ
スターＱ□、Ｑ、６のエミッタがそれぞれ接続されてい
る。対数圧縮トランジスターＱｔ＊　ｔ　Ｑｔａは、Ｎ
ＰＮ　型トランジスターで形成されていて、互いのベー
スを接続されていると共に、コレクタを上記受光素子Ｓ
Ｐ、Ｄ、　、　５ＰＤ２のアノードにそれぞれ接続され
ている。また、両トランジスターＱ２５　＋　Ｑ２．６
の互いに接続されたベースは、上記第３の電界効果トラ
ンジスターＱ３のベースに接続されていて、基準電圧Ｖ
ＲＥＦの印加を受けている。

以上のように、本発明の測光回路は構成されている。

次に、この測光回路の動作について説明する。

本測光回路は、演算増幅器ＯＰ、の制御信号入力端に印
加されるバイアス切換制御信号Ｓｃの高低に応じて、測
光状態となる受光素子ＳＰＤ、　、　５ＰＤ２が切り換
えられるので、上記バイアス切換制御信号Ｓｃがロウレ
ベル（以下、゛Ｌルベルと記す。）の場合と、ハイレベ
ル（以下、°Ｉ］ルベルと記す。）の場合とに別けて動
作を説明する。

（ａ）　　バイアス切換制御信号Ｓｃが゛Ｌルベルの場
合。

この場合には、信号Ｓｃを受けてトランジスターＱ＋２
がオフとなり、また、インバーターＩＮ、からの信号Ｓ
ｃの反転出力を受けてトランジスターＱ１ｓがオンする
。トランジスターＱ＋３がオンすることにより、トラン
ジスターＱＩ４　＋　Ｑ＋。が零バイアスされてオフと
なり、トランジスターＱ、　、　Ｑ、でなる第２の差動
増幅回路が定電流バイアスされなくなって、不作動状態
となる。このため、トランジスターＱ。

のベースがソースに接続された電界効果トランジスター
Ｑ２は、次段以降に接続されていない状態となって、こ
のトランジスターＱ２のベースにアノードが接続された
他方の受光素子５ＰＤ２が、演算増幅器ＯＰ　ｔから切
り離されたのと同等の状態となり、受光素子５ＰＤ２は
演算増幅器ＯＰ、の増幅動作に関与しなくなる。一方、
トランジスターＱ１２がオフすることにより、トランジ
スターＱ、。、Ｑｌ、がオンし、トランジスターＱ＋？
とＱ１６．およびトランジスターＱ１ｏとＱ、ｔ　との
間のカレントミラー効果によってトランジスターＱ１１
には、トランジスターＱｌ？と抵抗Ｒ６とでなる定電流
回路に流れる電流Ｉｊと等しい定電流Ｉｊが流れる。よ
って、トランジスターＱａ　＋Ｑ、でなる第１の差動増
幅回路が定電流バイアスされて作動状態となり、両トラ
ンジスターＱａ　、　Ｑ７のベースがそれぞれソースに
接続された電界効果トランジスターＱａ　、　Ｑ、が次
段以降に接続された状態となって、このトランジスター
Ｑ、　、　Ｑ、のゲート間に接続された受光素子ＳＰＤ
、・が演算増幅器ｏＰ。

の増幅動作に関与するようになる。即ち、受光素子８Ｐ
Ｄ、が測光状態となる。

受光素子ＳＰＤ、が測光状態になると、電界効果トラン
ジスターＱ、　、　Ｑ、は、そのゲート電圧に応じたド
レイン電流を流し、抵抗Ｒ＋　、　Ｒｓによって作られ
るソース電位が変化して、この電位がトランジスターＱ
６．Ｑｙのベースにそれぞれ印加される。よって、トラ
ンジスターＱ、、Ｑ、は、それぞれのペース電位に対応
したコレクタ電流Ｔ、、Ｔ、を発生させる。このコレク
タ電流１．　、　Ｉ２の和は、トランジスターＱｕに流
れる電流がＩｊとなるので、これと等しくなる。即ち、
Ｉｊ　＝　Ｉ、＋Ｉ２なる関係を満足する。なお、トラ
ンジスターＱ、　、　Ｑ、の特性が一致しているので、
両トランジスターＱａ　、　Ｑ７０ベース電位が等しい
ときには、Ｉ、　＝　Ｉ、　＝　Ｉｊ／２となる。

上記コレクタ電流１１．　Ｉ、はトランジスター負荷Ｑ
４　＋Ｑ、を通じて流れ、トランジスターＱ４　ｅ　Ｑ
２０およびＱｓｔＱ２　＋のカレントミラー効果で、ト
ランジスターＱ２０　ｅＱ２１のコレクタには、それぞ
れ電流Ｔ、　、　Ｉ２が発生する。トランジスターＱ、
。のコレクタ電流■、は、トランジスター負荷Ｑ２！を
通じて流れ、トランジスターＱ２□とＱ２３との間のカ
レントミラー効果により、トランジスターＱｚｓのコレ
クタには電流Ｉ。

が流れることになる。従って、トランジスターＱ２１の
コレクタ電流Ｉ、とトランジスターＱｔｓのコレクタ電
流Ｉ、との差電流Ｉｔ　　Ｌは、トランジスターＱ２４
　’）ベースに流れ込み、差電流Ｉ、　−Ｉ、　Ｋ応シ
たコレクタ電流を発生する。

一方、受光素子８ＰＤ、に発生する光電流Ｉｐ、は、対
数圧縮トランジスターＱｚｓを通じて、演算増幅器ＯＰ
、の出力端であるトランジスターＱ！４のコレクタがわ
に流れ込む。今、演算増幅器ＯＰ、の非反転入力端であ
る第３の電界効果トランジスターＱ、のベースには基準
電圧ＶＲＥＦが印加されているので、演算増幅器ＯＰ、
は、対数圧縮トランジスターＱ２５でなる負帰還ループ
を通じて、作動状態である一方の反転入力端としての第
１の電界効果トランジスターＱ、のベース電位を、上記
基準電圧ＶＲＥＦとするような出力電圧Ｖａをトランジ
スターＱ２４のコレクタがわに発生する。即ち、演算増
幅器ＯＰ、は、負帰還ループを通じて非反転入力端を反
転入力端とイマジナルショート状態とするような出力電
圧Ｖａを発生する。この出力型ＥＥＶａが上記差電流１
２−１゜で制御されて平衡状態に落ち着くことは言うま
でもない。

上記出力電圧Ｖａは、トランジスターＱ２５０ベース・
エミッタ間のＰＮ接合における順方向電圧ＶＦが、周知
の如く、ＩＰ：■５（ｅｑｖＦ／ｋＴ−１）０００００．（１）
なる関係式を満足するので、Ｖａ＝ＶＲＥＦ　　ｖＦ＝■ＲＥＦ一旦ｌ。（ＩＰ乃、＋□’）−（２）となる
。ただし、上記式（１）　、　（２）において、Ｉｓは
逆方向飽和電流、ｑは単位電荷、ｋはポルツマン定数、
Ｔは絶対温度を、それぞれ表わしている。

な特、他方の受光素子８ＰＤ２にも、その受光光量に応
じた光電流ＩＰ２が発生し、これが対数圧縮トランジス
ターＱ２６を通じてトランジスターＱ２４のコレクタが
わに流れ込んでいるが、演算増幅器ＯＰ。

は出力インピーダンスがほぼ零に近いので、上記光電流
■、２は、他の外部流入電流と同様に、演算増幅器ＯＰ
、の出力電圧Ｖａになんらの影響も与えない。

（ｂ）　　バイアス切換制御信号ＳＣが゛Ｈルベルの場
合、この場合には、信号ＳＣを受けてトランジスターＱ
１２がオンとなり、またインバーターＩＮ、からの信号
ＳＣの反転出力を受けてトランジスターＱ＋ｓがオフす
る。トランジスターＱ＋２がオンすることにより、トラ
ンジスターＱ１ｏ　＋　Ｑ＋　ｔがオフとなり、トラン
ジスターＱ、、Ｑ７でなる第１の差動増幅回路が定電流
バイアスされなくなって、不作動状態となる。

このため、トランジスターＱ７のベースがソースに接続
された電界効果トランジスターＱ１は、次段以降に接続
されていない状態となって、このトランジスターＱ１の
ベースにアノードが接続された一方の受光素子８ＰＤ、
が演算増幅器ＯＰ、から切り離さ算増幅器ＯＰ、の増幅
動作に関与しなくなる。一方、トランジスターＱ＋３が
オフすることにより、トランジスターＱ１４　＋　Ｑ＋
ｏがオンし、トランジスターＱ１フ、Ｑ１．およびトラ
ンジスターＱ１４　＋　Ｑ＋。との間のカレントミラー
効果によって、トランジスターＱ１゜には、定電流Ｉｊ
が流れる。従って、トランジスター　Ｑ、　、　Ｑ、で
なる第２の差動増幅回路が定電流バイアスされて作動状
態となり、両トランジスターＱａ＋Ｑ９のベースがそれ
ぞれソースに接続された電界効果トランジスターＱ３．
　Ｑ、が次段以降に接続された状態となって、このトラ
ンジスターＱ３．　Ｑ２のゲート間に接続された受光素
子５ＰＤ２が演算増幅器ＯＰ１の増幅動作に関与するこ
とになる。即ち、受光素子５ＰＤ２が測光状態となる。

このように、バイアス切換制御信号Ｓｃが゛Ｈ’レベル
となると、定電流バイアスされる差動増幅回路が第１の
差動増幅回路から第２の差動増幅回路に切り換えられ、
測光状態の受光素子が第１の受光素子５ＰＤ１から第２
の受光素子５ＰＤ２に切り換えられる。従って、以降は
、上記（ａ）の場合と同様に、演算増幅器ＯＰ、が対数
圧縮トランジスターＱ２６の負帰還ループを通じて、他
方の反転入力端である電界効果トランジスターＱ２のベ
ースと非反転入力端である電界効果トランジスターＱ３
のベースとをイマジナルショート状態とするような出力
電圧ｖｂを、出力端であるトランジスターＱ！４のコレ
クタがわに発生させる。この出力電圧ｖｂは、上記式（
２）と同様にして、となる。

第４図は、本発明の他の実施例を示している。

本実施例の測光回路は、上記第３図に示した実施例の回
路が、対数圧縮トランジスターＱ２５　＊　Ｑ２６を含
めた形で演算増幅器ＯＰ１を１チツプのモノリシックＩ
ｃで形成するようにしていたのに対して、通常のように
対数圧縮トランジスターを含まない形で演算増幅器ＯＰ
２をＩｃ化した上で、対数圧縮ダイオードＤ、　、　Ｄ
２でなる帰還回路を外付けするようにしたものである。

このようにしても、上記第３図に示した実施例の場合と
同様の作用、効果が得られることは言うまでもない。

第５図は、本発明の更に他の実施例を示している。本実
施例の測光回路は、２つの差動増幅回路を内蔵し、これ
に対応する２つの非反転入力端を設けた演算増幅器ＯＰ
３と、通常の演算増幅器ＯＰ４とを用いたもので、各差
動入力端に受光素子ＳＰＤ、。

ＳＰＤ、をそれぞれ接続された上記演算増幅器ＯＰ。

をボルテージフォロア接続し、この出力端を、非反転入
力端に基準電圧ＶＲＥＦに印加された上記演算増幅器Ｏ
Ｐ、の反転入力端に接続し、更に、演算増幅器ＯＰ４の
出力端と演算増幅器ＯＰ３の各非反転入力端との間に対
数圧縮ダイオードＤ、　、　Ｄ２を接続して帰還回路を
形成するようにしたものである。

このように構成した本実施例の測光回路においても、バ
イアス切換制御信号ＳＣを切り換えることによって、測
光状態となる受光素子ＳＰＤ’、、５ＰＤ２□ が選択的に切り換えられ、前記式（２）および（３）で
示す出力電圧Ｖａまたはｖｂが、演算増幅器ＯＰ４の出
力端に測光出力として得られることは言うまでもない。

なお、上記各実施例においては、差動増幅回路および受
光素子の数をそれぞれ２個としたが、これらが２個以上
であってもよいことは勿論である。

以上述べたように、本発明によれば、演算増幅器に複数
の差動増幅回路を設け、これを外部信号によって選択的
に定電流バイアスするようにしたので、明細書冒頭に述
べた従来の欠点を解消する、使用上甚だ便利な測光回路
を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は、従来の測光回路における出力の
切換手段をそれぞれ示す電気回路図、第３図は、本発明
の一実施例を示す測光回路の詳細な電気回路図、第４図は、本発明の他の実施例を示す測光回路の電気回
路図、第５図は、本発明の更に他の実施例を示す測光回路の電
気回路図である。

Claims

【特許請求の範囲】複数の差動増幅回路と、との差動増幅回路を定電流バイ
アスするための定電流バイアス回路と、この定電流バイ
アス回路を外部信号に応じて上記複数の差動増幅回路に
選択的に接続するバイアス制御用スイッチング回路とを
含んで形成された演算増幅器と、この演算増幅器の、上記複数の差動増幅回路に対応する
差動入力端にそれぞれ接続された複数の測光用受光素子
と、を具備することを特徴とする測光回路。