JPS5845681B2 - ホウシヤエネルギ−ノ デンパモ−ドオヘンカンスルソウチ - Google Patents
ホウシヤエネルギ−ノ デンパモ−ドオヘンカンスルソウチInfo
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- JPS5845681B2 JPS5845681B2 JP50097122A JP9712275A JPS5845681B2 JP S5845681 B2 JPS5845681 B2 JP S5845681B2 JP 50097122 A JP50097122 A JP 50097122A JP 9712275 A JP9712275 A JP 9712275A JP S5845681 B2 JPS5845681 B2 JP S5845681B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/09—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on magneto-optical elements, e.g. exhibiting Faraday effect
- G02F1/095—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on magneto-optical elements, e.g. exhibiting Faraday effect in an optical waveguide structure
- G02F1/0955—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on magneto-optical elements, e.g. exhibiting Faraday effect in an optical waveguide structure used as non-reciprocal devices, e.g. optical isolators, circulators
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は集積光学装置の放射エネルギー案内に関し、更
に詳しくいえば案内されたエネルギー伝播モードを変換
し、その目的のために磁気光学効果を利用する装置に関
する。
に詳しくいえば案内されたエネルギー伝播モードを変換
し、その目的のために磁気光学効果を利用する装置に関
する。
集積電子回路に類似するために集積光学装置と呼ばれて
いる装置においては、放射されたエネルギーは、基板上
に付着されている高屈折率薄膜により構成される導波管
の壁における全反射により案内される。
いる装置においては、放射されたエネルギーは、基板上
に付着されている高屈折率薄膜により構成される導波管
の壁における全反射により案内される。
放射されたエネルギーはいくつかのモードに従うて、そ
のような導波管内を伝播する。
のような導波管内を伝播する。
たとえばファラデー効果のような磁気光学効果を用いて
モード変換器を設計することが可能である。
モード変換器を設計することが可能である。
放射されたエネルギーを案内するために、伝播方向に磁
化された磁気薄膜が使用される。
化された磁気薄膜が使用される。
たとえば、この装置の入力端子において、案内されるモ
ードがTE型とすると、伝播中にTMモード型のエネル
ギーが生ずる。
ードがTE型とすると、伝播中にTMモード型のエネル
ギーが生ずる。
このようにしてTEモードからTEモードへの変換器を
作ることができる。
作ることができる。
しかし、この種の変換器は大きな欠点を有する。
一方、このような変換器の変換比は低く、他方では、最
初のモードと最後のモードにおけるエネルギーの伝播速
度が異なるために、位相差が生じて変換の平衡が周期的
に打ち消される。
初のモードと最後のモードにおけるエネルギーの伝播速
度が異なるために、位相差が生じて変換の平衡が周期的
に打ち消される。
このような欠点を解消するために各種の提案が行われて
いる。
いる。
その中には、変換効果が付加されるように磁化の向きを
周期的に反転させる技術や、前記した伝播速度の違いを
複屈折効果により補償するために、導波管に異方性膜を
付加する技術などがある。
周期的に反転させる技術や、前記した伝播速度の違いを
複屈折効果により補償するために、導波管に異方性膜を
付加する技術などがある。
しかし、これら2つの技術の具体化にはかなりの困難が
伴う。
伴う。
本発明の目的は、伝播速度の違いを零にする構造を利用
することにより、前記した欠点を解消することである。
することにより、前記した欠点を解消することである。
そのために、本発明はコツトン・ムートン(Colon
−Mouton)効果として知られている他の磁気光学
効果を用いる。
−Mouton)効果として知られている他の磁気光学
効果を用いる。
このコツトン・ムートン効果はガーネット形のフェリ磁
性物質に特に顕著な現象である。
性物質に特に顕著な現象である。
本発明によれば、第1モードに従って放射エネルギーが
その中を案内されるようなフェリ磁性材料の層を備え、
この層の磁化は前記放射エネルギーの伝播方向に垂直な
方向における少くとも1つの成分を示し、前記層の厚み
は2つのモードにおける第1モードにおける放射エネル
ギーの伝播速度がほぼ等しいような厚さである。
その中を案内されるようなフェリ磁性材料の層を備え、
この層の磁化は前記放射エネルギーの伝播方向に垂直な
方向における少くとも1つの成分を示し、前記層の厚み
は2つのモードにおける第1モードにおける放射エネル
ギーの伝播速度がほぼ等しいような厚さである。
磁気光学効果を利用して、放射エネルギーの伝播モード
を第1モードから第2モードへ変換する装置が得られる
。
を第1モードから第2モードへ変換する装置が得られる
。
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第1図はファラデー効果として知られている磁気光学効
果に基づく、従来のモード変換器内を伝播するエネルギ
ーの分散のグラフである。
果に基づく、従来のモード変換器内を伝播するエネルギ
ーの分散のグラフである。
エネルギーの伝播方向に平行な磁化を有する。
または少くともその方向の成分を有する磁性物質中を光
が透過した時に、上記ファラデー効果が起ることを当業
者は知っているであろう。
が透過した時に、上記ファラデー効果が起ることを当業
者は知っているであろう。
この効果は光の偏向面を相互作用する長さに比例する角
度だけ回転させる。
度だけ回転させる。
この回転の向きは磁化の向きのみに依存し、伝播方向に
は依存しない向きであり、この効果は非可逆効果である
。
は依存しない向きであり、この効果は非可逆効果である
。
この種の構造を用いて変換器を設計するために、相互作
用の長さは、たとえば最初のモードがTEモードで最後
の希望するモードがTEモードだとすると、得られた回
転角度はπ/2であるように選択される。
用の長さは、たとえば最初のモードがTEモードで最後
の希望するモードがTEモードだとすると、得られた回
転角度はπ/2であるように選択される。
先に説明したように、この種の装置の大きな欠点は、各
モードにおけるエネルギーの伝播速度が、第1図に示す
ように同じではないということから生ずる。
モードにおけるエネルギーの伝播速度が、第1図に示す
ように同じではないということから生ずる。
第1図で横軸には導波管の実効屈折率として知られてお
り、β/kに等しい量Nがとられ、縦軸にはkWがとら
れる。
り、β/kに等しい量Nがとられ、縦軸にはkWがとら
れる。
ここに、βは導かれる波の伝播定数、kは波の数(k=
2π/λ、λは波長)であり、Wは導管波の厚みである
。
2π/λ、λは波長)であり、Wは導管波の厚みである
。
第1図には2つのグラフが示されている。
1つのグラフは最初のTEモードに対応し、他のグラフ
は希望のTMモードに対応する。
は希望のTMモードに対応する。
たとえば基本モードはTEoとTMoである。
グラフTEとTMは低い値では横座標値Nsをを通る縦
軸に平行な直線Nsにより制限され、高い値は横座標値
Ncを通って縦軸に平行な直線により制限される。
軸に平行な直線Nsにより制限され、高い値は横座標値
Ncを通って縦軸に平行な直線により制限される。
横座標値Ncを通る直線は2つのグラフTE、TMの漸
近線である。
近線である。
Nsは基板の屈折率であり、Ncは導波管の屈折率であ
る。
る。
このグラフが示すように、導波管のある与えられた厚み
(たとえばWl)において、各モードTE、TMに対し
て異なった実効屈折率N1.N2が得られる。
(たとえばWl)において、各モードTE、TMに対し
て異なった実効屈折率N1.N2が得られる。
すなわち、異った伝播係数(、N=β/k)が得られる
。
。
この違いの影響は、先に述べたように、変換の平衡を周
期的に打ち消すことである。
期的に打ち消すことである。
第2図は第3図に示す本発明の一実施例の装置内を伝播
するエネルギーの分散のグラフである。
するエネルギーの分散のグラフである。
第3図において、本発明の装置1はたとえば非磁性体で
あるガドリニウム−ガリウム・ガーネットで作られ、こ
の基板1の上にはへテロ・エピタキシにより作られたフ
ェリ磁性ガーネットにより構成される膜2が付着される
。
あるガドリニウム−ガリウム・ガーネットで作られ、こ
の基板1の上にはへテロ・エピタキシにより作られたフ
ェリ磁性ガーネットにより構成される膜2が付着される
。
このために、イツトリウムと酸化鉄およびフラックス(
たとえば酸化鉛と酸化ホウ素)とにより構成されるエピ
タキシャル浴を含むるつぼを炉の中に入れる。
たとえば酸化鉛と酸化ホウ素)とにより構成されるエピ
タキシャル浴を含むるつぼを炉の中に入れる。
基板1を過冷却した浴の中に浸し、ある回転軸を中心に
して100 rpmのオーダーの速さで回転させる。
して100 rpmのオーダーの速さで回転させる。
その結果ウェハーが浴から除去されると、エビクキシャ
ル成長層からフラックスをなくすために、1500 r
pmのオーダーの高速で回転させる。
ル成長層からフラックスをなくすために、1500 r
pmのオーダーの高速で回転させる。
第1実施例においては、磁化の向きは膜2の面内に含ま
れる。
れる。
この面を第3図ではYOZで示しである。
OZはエネルギーの伝播の向きである。それから磁化の
向きをOY軸に平行にする。
向きをOY軸に平行にする。
このように磁化させるのに必要な電磁装置は通常よく知
られているものであるから、図示と説明は省略する。
られているものであるから、図示と説明は省略する。
第3図には放射エネルギ用の入力装置3と出力装置4も
示されている。
示されている。
第3図に示す装置では、磁化の向きは伝播の向きOZに
垂直であるからファラデ効果はもはや起らず、その代り
にコツトン・ムートン効果と呼ばれる別の磁気光学効果
が起る。
垂直であるからファラデ効果はもはや起らず、その代り
にコツトン・ムートン効果と呼ばれる別の磁気光学効果
が起る。
この現象の効果はファラデー効果と同程度の大きさでは
あるが、イツトリウム−鉄、またはテルビウム−鉄・ガ
ーネット形、あるいはより一般的には希土類と鉄・ガー
ネット形のフェリ磁性物質のようなある種の物質では少
し弱い。
あるが、イツトリウム−鉄、またはテルビウム−鉄・ガ
ーネット形、あるいはより一般的には希土類と鉄・ガー
ネット形のフェリ磁性物質のようなある種の物質では少
し弱い。
この現象により、エネルギーの伝播がある好適な結晶方
向に行われた場合に、エネルギーの伝播が1つのモード
かう他のモードへ移ることになる。
向に行われた場合に、エネルギーの伝播が1つのモード
かう他のモードへ移ることになる。
これは複屈折媒質中で起るのに類似の可逆効果である。
コツトン・ムートン効果について考えると、物質はもは
や等方性的には振る舞わない。
や等方性的には振る舞わない。
すなわち、導波管では全ての方向に対して単一の実効屈
折率(第1図のNc )がもはや存在しない。
折率(第1図のNc )がもはや存在しない。
これは第2図に示す分散のグラフにおいては、2本の漸
近線の存在により説明される。
近線の存在により説明される。
1本の漸近線Nc1ははTEモードでOY方向に対する
屈折率を示し、他の漸近線Nc2はTMモードでOX方
向に対する屈折率を示す。
屈折率を示し、他の漸近線Nc2はTMモードでOX方
向に対する屈折率を示す。
このような異方性の結果、座標が(Nd、Wd)である
D点で2枚の膜が交わることになる。
D点で2枚の膜が交わることになる。
この点には単一の伝播速度βd、(Nd=βd/k )
が対応し、それにより導波層2の厚みを決定する。
が対応し、それにより導波層2の厚みを決定する。
たとえば、7ミクロンのオーダーの厚さWdに対応する
点りで動作するイツトリウム−鉄・ガーネットにより導
波層2で構成されるような換換器が製作されている。
点りで動作するイツトリウム−鉄・ガーネットにより導
波層2で構成されるような換換器が製作されている。
エネルギーの入力部と出力部は従来どおりプリズム3,
4で構成されている。
4で構成されている。
いいかえれば、導波層2と空気との間のジオプトルの界
面に起る全反射現象のために(これはエネルギーを導波
層2を通じて伝播させるために必要である)、簡単な屈
折によりエネルギーを導入することは不可能である。
面に起る全反射現象のために(これはエネルギーを導波
層2を通じて伝播させるために必要である)、簡単な屈
折によりエネルギーを導入することは不可能である。
第3図に示す実施例ではプリズム3が利用されている。
このプリズム3の底部は、ある距離を隔てて導波層2の
上面に向い合う。
上面に向い合う。
この距離はたかだかエネルギーの波長程度である。
たとえばレーザから放射されたコヒーレントな単色光ビ
ーム10が、プリズムめ底面内側で全反射されるような
入射角度で、プリズムの一方の面番ζ人射する。
ーム10が、プリズムめ底面内側で全反射されるような
入射角度で、プリズムの一方の面番ζ人射する。
このような条件の下ではプリズム3から、プリズム3と
導波層2との間に生ずる減衰波を介しで、導波層2への
エネルギー移動が生ずる。
導波層2との間に生ずる減衰波を介しで、導波層2への
エネルギー移動が生ずる。
導波層2からのエネルギーの取り出しは、プリズム3と
同様にして導波層2の上に配置されている第2プリズム
4と導波層2との間の結合により、プリズム3′!″″
#42.::(7)M(7)”7′!、ヂ、9社順゛′
1て、行われる。
同様にして導波層2の上に配置されている第2プリズム
4と導波層2との間の結合により、プリズム3′!″″
#42.::(7)M(7)”7′!、ヂ、9社順゛′
1て、行われる。
この場合には、導波層2と空気との間の界面に生ずる全
反射で生ずる減衰波により、結合が行われる。
反射で生ずる減衰波により、結合が行われる。
第2の実施例では、フェリ磁性体層すなわち導波層2の
磁化MはなおOZ方向に垂直であるが、平面XOY内に
含まれ、OY軸に対して45度のオーダーの角度をなす
。
磁化MはなおOZ方向に垂直であるが、平面XOY内に
含まれ、OY軸に対して45度のオーダーの角度をなす
。
この向きはOX方向とOY方向の外部磁界(図示せず)
により得られる。
により得られる。
OY方向の磁界は磁化Mを平面XOY内に維持するため
に必要である。
に必要である。
いいかえれば、フェリ磁性体の膜2をエピタキシャル法
により作る方法により、その膜は固有の異方性を有する
ことになる。
により作る方法により、その膜は固有の異方性を有する
ことになる。
すなわち、この膜の構造IIシ立方体構造ではなくて単
軸構造である。
軸構造である。
この構造は、経験から判明しているように、2つのモー
ドに対して単一の伝播速度を達成することが可能であり
、変換効率を最大にできる。
ドに対して単一の伝播速度を達成することが可能であり
、変換効率を最大にできる。
計算によれば、変換効率はSm2αの関数であることが
示されている。
示されている。
すなわち、変換効率は磁化Mが平面XOY内でOY軸に
対して45度の角度をなす時に最大である。
対して45度の角度をなす時に最大である。
本発明の変換器はサーキュレータに用いると特に有効で
ある。
ある。
第1図は先行技術の装置に関連する説明図、第2図は本
発明の装置に関連する説明図、第3図は本発明の装置の
一実施例を示す概略斜視図である。 1・・・基板、2・・・導波層、3,4・・・プリズム
、20・・・モードセレクタ1.21・・・非可逆要素
、22・・・可逆要素。
発明の装置に関連する説明図、第3図は本発明の装置の
一実施例を示す概略斜視図である。 1・・・基板、2・・・導波層、3,4・・・プリズム
、20・・・モードセレクタ1.21・・・非可逆要素
、22・・・可逆要素。
Claims (1)
- 1 フェリ磁性材料層を備え、このフェリ磁性材料層の
中では放射エネルギーは第1モードに従って案内され、
前記フェリ磁性材料層の磁化は前記放射エネルギーの伝
播方向に垂直な方向に少くとも1つの成分を示し、前記
フェリ磁性材料層の厚みは放射エネルギーの第2のモー
ドの第1のモードにおける伝播速度がほぼ等しいような
厚さであることを特徴とする、磁気光学効果を用いて放
射エネルギーの伝播モードを第1モードから第2モード
へ変換する装置。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR7427764A FR2281585A1 (fr) | 1974-08-09 | 1974-08-09 | Dispositif de conversion du mode de propagation de l'energie rayonnee utilisant des effets magneto-optiques et son application aux jonctions non reciproques |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5143949A JPS5143949A (en) | 1976-04-15 |
| JPS5845681B2 true JPS5845681B2 (ja) | 1983-10-12 |
Family
ID=9142310
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50097122A Expired JPS5845681B2 (ja) | 1974-08-09 | 1975-08-09 | ホウシヤエネルギ−ノ デンパモ−ドオヘンカンスルソウチ |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3995936A (ja) |
| JP (1) | JPS5845681B2 (ja) |
| DE (1) | DE2535564A1 (ja) |
| FR (1) | FR2281585A1 (ja) |
| GB (1) | GB1518119A (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4101707A (en) * | 1977-04-04 | 1978-07-18 | Rockwell International Corporation | Homogeneous multilayer dielectric mirror and method of making same |
| FR2396985A1 (fr) | 1977-07-08 | 1979-02-02 | Thomson Csf | Dispositif de modulation, par un champ magnetique variable, de rayonnements optiques, realise en couche mince |
| DE2842520A1 (de) * | 1978-09-29 | 1980-04-10 | Siemens Ag | Optischer wellenleiter mit einem aufgesetzten prisma |
| JPS5685728A (en) * | 1979-12-15 | 1981-07-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Waveguide type mode converter |
| JPS58129372A (ja) * | 1982-01-29 | 1983-08-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 磁界−光変換器 |
| DE3341265A1 (de) * | 1983-11-15 | 1985-05-23 | Phönix Armaturen-Werke Bregel GmbH, 6000 Frankfurt | Messgeraet |
| DE3434631A1 (de) * | 1984-09-21 | 1986-04-03 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Planarer optischer wellenleiter und verfahren zu seiner herstellung |
| DE3520991A1 (de) * | 1985-06-12 | 1986-12-18 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Magneto-optische wellenleiterstruktur zur konversion von in der struktur gefuehrten moden |
| DE3630741A1 (de) * | 1986-09-10 | 1988-03-17 | Philips Patentverwaltung | Optischer polarisationsregler mit einer wellenleiterstruktur |
| JP2671391B2 (ja) * | 1988-06-21 | 1997-10-29 | ブラザー工業株式会社 | 光アイソレータ |
| US4865406A (en) * | 1988-11-09 | 1989-09-12 | Hoechst Celanese Corp. | Frequency doubling polymeric waveguide |
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