JPS5846451U - 圧接型半導体装置 - Google Patents

圧接型半導体装置

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JPS5846451U
JPS5846451U JP14126281U JP14126281U JPS5846451U JP S5846451 U JPS5846451 U JP S5846451U JP 14126281 U JP14126281 U JP 14126281U JP 14126281 U JP14126281 U JP 14126281U JP S5846451 U JPS5846451 U JP S5846451U
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JP
Japan
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semiconductor device
type semiconductor
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pressure contact
recess
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JP14126281U
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畠山　幹男
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NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来の圧接型半導体装置の断面部、第２図は第
１図の銅フランジの位置決め用凹部の詳細を示す部分断
面図、第３図は本考案の一実施例の位置決め用凹部を示
す部分断面図である。 １・・・サイリスタ基体、２・・・支持板、３．４・・
・銅ブロック、６．７・・・金属フランジ、８・・・筒
状絶縁体、９・・・外部ゲート端子、１０・・・位置決
め用凹部、１１・・・キャップ状円筒、１２・・・ろう
材、１６・・・ろう材流れ止め用役付き金属フランジ、
１７．１８・・・ろう材流れ止め用段部。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 一対の銅ブロツク電極の間に半導体基体がはさまれ、さ
    らに前記銅ブロツク電極の外側に、中央部に位置決め用
    の凹部を有する金属フランジがかふせられて、この一対
    の金属フランジと筒型絶縁体とにより密封容器を形成し
    てなる圧接型半導体装置において、前記金属フランジは
    前記凹部の外周を囲んで設けられたろう材流れ止め用段
    部を有し、かつ、前記凹部は予じめあけられた穴の周辺
    にキャップ状筒の開口部が接着されて形成されて赴るも
    のであることを特徴とする圧接型半導体装置。　　　、
JP14126281U 1981-09-22 1981-09-22 圧接型半導体装置 Granted JPS5846451U (ja)

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JP14126281U JPS5846451U (ja) 1981-09-22 1981-09-22 圧接型半導体装置

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JPS5846451U true JPS5846451U (ja) 1983-03-29
JPS626692Y2 JPS626692Y2 (ja) 1987-02-16

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4727471B2 (ja) * 2006-03-22 2011-07-20 株式会社豊田中央研究所 半導体装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4718971U (ja) * 1971-04-01 1972-11-02

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS4718971U (ja) * 1971-04-01 1972-11-02

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JPS626692Y2 (ja) 1987-02-16

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