JPS5846643A - ウエハ処理法 - Google Patents
ウエハ処理法Info
- Publication number
- JPS5846643A JPS5846643A JP56144294A JP14429481A JPS5846643A JP S5846643 A JPS5846643 A JP S5846643A JP 56144294 A JP56144294 A JP 56144294A JP 14429481 A JP14429481 A JP 14429481A JP S5846643 A JPS5846643 A JP S5846643A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- processing
- uniformity
- section
- conditions
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体装置などの製造工程におけるウェハ
処理法の改良に関するものである。
処理法の改良に関するものである。
集積回路は、ますます高集積化の請求が厳しく、パター
７の微細化が進んでいる。従来、広く量産技術として使
われて色た４真製版技術では、フォトレジストまたは電
子線レジストなどに霧光を行つた後に現像して、第１図
の断面図に示すように、例えば半導体のウェハ（１）上
に所定のパターンを有するレジスト膜（２）を形成し、
このレジスト膜（２）をマスクにして化学薬品またはガ
スプラズマを使ってウェハ（１１の表面部をエツチング
して、第２図の断面図に示すように、ウェハ（１）に機
軸パターンを形成していた。現像工程およびエツチング
工程では、ウェハ２５枚程度を１バツチとして一括に理
していたが、この方法でＬウェハ間の加工精度が愁いた
め、最近ではウェハ１枚ずつ処理し、その処理終点検出
も、赤外光線、可視光線、紫外光線などの発光スペクト
ル、透過率、反射率などの変化により自動的に行う方法
に変わりつつある。このような方法をとればウェハ間の
均一性は確かに向上するが、ウェハ内の均一性は従来の
方法に比べてそれ程改善されない。
７の微細化が進んでいる。従来、広く量産技術として使
われて色た４真製版技術では、フォトレジストまたは電
子線レジストなどに霧光を行つた後に現像して、第１図
の断面図に示すように、例えば半導体のウェハ（１）上
に所定のパターンを有するレジスト膜（２）を形成し、
このレジスト膜（２）をマスクにして化学薬品またはガ
スプラズマを使ってウェハ（１１の表面部をエツチング
して、第２図の断面図に示すように、ウェハ（１）に機
軸パターンを形成していた。現像工程およびエツチング
工程では、ウェハ２５枚程度を１バツチとして一括に理
していたが、この方法でＬウェハ間の加工精度が愁いた
め、最近ではウェハ１枚ずつ処理し、その処理終点検出
も、赤外光線、可視光線、紫外光線などの発光スペクト
ル、透過率、反射率などの変化により自動的に行う方法
に変わりつつある。このような方法をとればウェハ間の
均一性は確かに向上するが、ウェハ内の均一性は従来の
方法に比べてそれ程改善されない。
この発明Ｌ１ウェハを複数領域に分けそれらのそれぞれ
に対する処理条件を独立に制御することによって、ウェ
ハ内の加工精度の均一性を向上させることができるウェ
ハ処理法を提供することを目的としたもである。
に対する処理条件を独立に制御することによって、ウェ
ハ内の加工精度の均一性を向上させることができるウェ
ハ処理法を提供することを目的としたもである。
以下、実施例に基づいてこの発明を説明する。
通常、ウェハ全面を同一条件で処理すると、ウェハの周
辺部と中心部とでは加工の進み具合が異なるため加工精
度のウェハ内の均一性が低下する。
辺部と中心部とでは加工の進み具合が異なるため加工精
度のウェハ内の均一性が低下する。
そこで、実施例の方法では、第３図の断面図に示すよう
に、現像液またはエツチング液をスプレーするノズルと
してウェハ１１＋の中央部に対するノズル（３）のみな
らずウェハ０）の周辺部に対するノズル（４１１に設け
、ウェハ１１）を回転するウェハチャック（））で回転
させながらそれぞれの処理条件を独立に制御することに
より、ウェハ内の加工精度の均一性を格段に向上させる
ことができた。さらに、発光部（５１）と受光部（５２
）とからなり被処理部の反射率の変化を測定する自動終
点検出器＋ａ＋をウェハｉｌ＋の中央部に対して設ける
と共に、発光部（６１）と受光部（６２）とからなる同
様の自動終点検出器（６）をウェハ［１１の周辺部に対
して設け、それぞれに対応するノズルの処理条件を自動
的に制御するようにしたところ、ウェハ内の加工精度の
均一性をさらに一増向上させることが可能になった。
に、現像液またはエツチング液をスプレーするノズルと
してウェハ１１＋の中央部に対するノズル（３）のみな
らずウェハ０）の周辺部に対するノズル（４１１に設け
、ウェハ１１）を回転するウェハチャック（））で回転
させながらそれぞれの処理条件を独立に制御することに
より、ウェハ内の加工精度の均一性を格段に向上させる
ことができた。さらに、発光部（５１）と受光部（５２
）とからなり被処理部の反射率の変化を測定する自動終
点検出器＋ａ＋をウェハｉｌ＋の中央部に対して設ける
と共に、発光部（６１）と受光部（６２）とからなる同
様の自動終点検出器（６）をウェハ［１１の周辺部に対
して設け、それぞれに対応するノズルの処理条件を自動
的に制御するようにしたところ、ウェハ内の加工精度の
均一性をさらに一増向上させることが可能になった。
上記の実施例においては、ウェハの処理としてレジスト
膜の現像または半導体ウェハのエツチングを取りあげ、
現像液またはエツチング液をスプレーするノズルを１枚
のウェハに対して複数個設けそれらのノズルによる処理
条件を独立に制御して、ウェハ内の加工精度の均一性を
向上させる場合について述べたが、処理手段としては、
ノズルによるスプレーに限られるわけではなく、ウェハ
内の複数領域に対してそれぞれ別個の処理条件によって
処理で色るものであればよい。例えば成膜工程において
、ウェハ全面にわたり同一条件にて成膜する代りにウェ
ハを複数の領域に分け、各領域の膜厚を成膜処理中に膜
厚測定器によって検出しなから成膜条件を制御すること
によって、ウェハ内の膜厚の均一性を向上させることが
できるらまた、プラズマ′エツチングの場合、例えは、
ウェハの複数の領域に対してそれぞれ対向する複数のガ
ス導入口を設けれることによってこれらの複数の領域に
対するガス流量を独立に制御するとか、複数の領域に対
してそれぞれ対応する複数の電極を設けることによって
これらの複数の領域に対するＲＦ’印加を力または放電
時間を独立に制御するとかすることによってウェハ内の
加工精度の均一性を向上させることができる。
膜の現像または半導体ウェハのエツチングを取りあげ、
現像液またはエツチング液をスプレーするノズルを１枚
のウェハに対して複数個設けそれらのノズルによる処理
条件を独立に制御して、ウェハ内の加工精度の均一性を
向上させる場合について述べたが、処理手段としては、
ノズルによるスプレーに限られるわけではなく、ウェハ
内の複数領域に対してそれぞれ別個の処理条件によって
処理で色るものであればよい。例えば成膜工程において
、ウェハ全面にわたり同一条件にて成膜する代りにウェ
ハを複数の領域に分け、各領域の膜厚を成膜処理中に膜
厚測定器によって検出しなから成膜条件を制御すること
によって、ウェハ内の膜厚の均一性を向上させることが
できるらまた、プラズマ′エツチングの場合、例えは、
ウェハの複数の領域に対してそれぞれ対向する複数のガ
ス導入口を設けれることによってこれらの複数の領域に
対するガス流量を独立に制御するとか、複数の領域に対
してそれぞれ対応する複数の電極を設けることによって
これらの複数の領域に対するＲＦ’印加を力または放電
時間を独立に制御するとかすることによってウェハ内の
加工精度の均一性を向上させることができる。
また、終点検出器も、反射率の変化を検出する検出器に
限られるわけでなく、処理により変化する状ａを−ａ数
の処理箇所において別個に検出できるものであれはよく
、例えばレーザビーム干渉法による検出器であってもよ
い。
限られるわけでなく、処理により変化する状ａを−ａ数
の処理箇所において別個に検出できるものであれはよく
、例えばレーザビーム干渉法による検出器であってもよ
い。
以上？述したように、この発明によるウェハ処理法にお
いては、ウェハを複数領域に分けそれらのそれぞれに対
する処理条件を独立圧制御するのテ、ウェハ内の処理の
均一性を向上させることがで龜る。 、
いては、ウェハを複数領域に分けそれらのそれぞれに対
する処理条件を独立圧制御するのテ、ウェハ内の処理の
均一性を向上させることがで龜る。 、
第１図および第２図は従来の写真制版技術による微細パ
ターン形成法を説明するための断面図、第３図はこの発
明にょるウェハ処理法の一実施例を説明するための断面
図である。 図において、＋１１はウニノ１、（２）はレジ１ト膜、
（３）。 （４）はノズル、（５）、（６）は自動終点検出（（７
）はウェハチャックである。 なお、図中同一符号はそれぞれ同一または相当部分を示
す。 代理人 葛 野 侶 −（外１名） 第１図 第２図 第３図
ターン形成法を説明するための断面図、第３図はこの発
明にょるウェハ処理法の一実施例を説明するための断面
図である。 図において、＋１１はウニノ１、（２）はレジ１ト膜、
（３）。 （４）はノズル、（５）、（６）は自動終点検出（（７
）はウェハチャックである。 なお、図中同一符号はそれぞれ同一または相当部分を示
す。 代理人 葛 野 侶 −（外１名） 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｉｌｌ ウェハを複数領域に分けそれらのそれぞれに
対する処理条件を独立に制御することによってウェハ内
の処理の均一性を向上させること′ｆｒ％徴とするウェ
ハ処理法。 （２） ウェハの複数領域のそれぞれの処理状態全処
理中に独立に検出することによって上記複数領域のそれ
ぞれに対する処理条件を独立に制御することを特徴とす
る特許請求の範囲ｉ１１記載のウェハ処理法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56144294A JPS5846643A (ja) | 1981-09-12 | 1981-09-12 | ウエハ処理法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56144294A JPS5846643A (ja) | 1981-09-12 | 1981-09-12 | ウエハ処理法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5846643A true JPS5846643A (ja) | 1983-03-18 |
Family
ID=15358718
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56144294A Pending JPS5846643A (ja) | 1981-09-12 | 1981-09-12 | ウエハ処理法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5846643A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60103830U (ja) * | 1983-12-20 | 1985-07-15 | 株式会社東芝 | 回転現像装置 |
| US4559722A (en) * | 1983-10-14 | 1985-12-24 | New Balance Athletic Shoe, Inc. | Construction of upper for athletic shoe |
| JP2002520850A (ja) * | 1998-07-09 | 2002-07-09 | エーシーエム リサーチ，インコーポレイティド | 半導体デバイス上の金属相互接続を電解研磨する方法及び装置 |
| WO2007088755A1 (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-09 | Sumco Corporation | ウェーハの枚葉式エッチング方法 |
| JP2010056405A (ja) * | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP2016515300A (ja) * | 2013-02-28 | 2016-05-26 | ビーコ プリジション サーフェイス プロセシング エルエルシー | ウェットエッチングプロセスを実行するためのシステムおよび方法 |
| CN109560012A (zh) * | 2017-09-25 | 2019-04-02 | 株式会社斯库林集团 | 衬底处理装置及衬底处理方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5448170A (en) * | 1977-09-26 | 1979-04-16 | Hitachi Ltd | End-point deciding device for etching |
-
1981
- 1981-09-12 JP JP56144294A patent/JPS5846643A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5448170A (en) * | 1977-09-26 | 1979-04-16 | Hitachi Ltd | End-point deciding device for etching |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US4559722A (en) * | 1983-10-14 | 1985-12-24 | New Balance Athletic Shoe, Inc. | Construction of upper for athletic shoe |
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| WO2007088755A1 (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-09 | Sumco Corporation | ウェーハの枚葉式エッチング方法 |
| JP4974904B2 (ja) * | 2006-01-31 | 2012-07-11 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | ウェーハの枚葉式エッチング方法 |
| US8466071B2 (en) | 2006-01-31 | 2013-06-18 | Sumco Corporation | Method for etching single wafer |
| JP2010056405A (ja) * | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP2016515300A (ja) * | 2013-02-28 | 2016-05-26 | ビーコ プリジション サーフェイス プロセシング エルエルシー | ウェットエッチングプロセスを実行するためのシステムおよび方法 |
| JP2019153803A (ja) * | 2013-02-28 | 2019-09-12 | ビーコ プリジション サーフェイス プロセシング エルエルシー | ウェットエッチングプロセスを実行するためのシステムおよび方法 |
| CN109560012A (zh) * | 2017-09-25 | 2019-04-02 | 株式会社斯库林集团 | 衬底处理装置及衬底处理方法 |
| JP2019062007A (ja) * | 2017-09-25 | 2019-04-18 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
| CN109560012B (zh) * | 2017-09-25 | 2023-06-09 | 株式会社斯库林集团 | 衬底处理装置及衬底处理方法 |
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