JPS5846773A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPS5846773A JPS5846773A JP56145273A JP14527381A JPS5846773A JP S5846773 A JPS5846773 A JP S5846773A JP 56145273 A JP56145273 A JP 56145273A JP 14527381 A JP14527381 A JP 14527381A JP S5846773 A JPS5846773 A JP S5846773A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solid
- state imaging
- electrode
- imaging device
- conductor
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/191—Photoconductor image sensors
- H10F39/194—Photoconductor image sensors having arrangements for blooming suppression
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は固体撮像装置の改良に関する。
従来、光電変換を半導体基板上の光導電膜で行なり％眩
光導電膜にて発生した信号電荷を半導体基板の表面に形
成した読出し部によって読み出す固体撮像装置が知られ
ている。そして、かかる固体撮像装置に色分離フィルタ
を形成したカラー撮像用の固体撮像装置としては第１図
に示す亀のが知られでいる。。図中ＪはｐＨの半導体基
板である・この基板１０表面には誼基板１と後記する導
体電極とを電気的に接続すするための第１のｖ＝”＠不
純物層２１ｅ２鵞”’が所定間隔をおいて設けられてい
る。これら＄１のｎ“１不純物層ｊ １ ＠ １鵞”
は読出し回路として用いられるＣＣＤ Ｋお゛ける信号
電荷転送部である′０前記基板ＪＫは、光電変換された
信号電荷を読み出すための第２のｎ％純物層３１．Ｊ、
、、・が所定長さのｆ−）領域４・・・を介して前記第
１のｎ＋ＢＩ！不純物層ｊｍｍ２ｇ・・・と隣接して夫
々設けられている・ｔた、前記基板Ｉには前記第１．第
２の一型不純物層ｊｌ＊Ｊｌを１単位として、これら単
位間を分離する・ためのｐ゛１のチャネルスト、パ層５
・・・が設けられている・。更に、前記・チャネルスト
、・帯層゛５・・・、第２の一型不純物層 “Ｊｌｅｊ
ｌ・・・及び？−）領域４・・・が位置゛する基板ｌ王
には、ダート絶縁［１１＃ε１−・を介して転送電極で
あるｆ−）電極ｙｌ、ｙ、・・・が設けられている。こ
れらデート電極７１ｙＦ露”・を含む基板１上には絶縁
膜８が被覆され、かつ前記第１のｎ憧不純物層２１，２
．・・・の一部に対応する前記゛絶縁膜８にはコンタク
トホール９１＋９Ｂ・・・が開口されている。そして、
前記絶縁膜８上には互に所定間隔をおいて独立した複数
の導体電極１０％ 、Ｊａｇ ９１０８”−が設け
られていると共に、各導体電極１．Ｊ１．１ｊ、＠。
光導電膜にて発生した信号電荷を半導体基板の表面に形
成した読出し部によって読み出す固体撮像装置が知られ
ている。そして、かかる固体撮像装置に色分離フィルタ
を形成したカラー撮像用の固体撮像装置としては第１図
に示す亀のが知られでいる。。図中ＪはｐＨの半導体基
板である・この基板１０表面には誼基板１と後記する導
体電極とを電気的に接続すするための第１のｖ＝”＠不
純物層２１ｅ２鵞”’が所定間隔をおいて設けられてい
る。これら＄１のｎ“１不純物層ｊ １ ＠ １鵞”
は読出し回路として用いられるＣＣＤ Ｋお゛ける信号
電荷転送部である′０前記基板ＪＫは、光電変換された
信号電荷を読み出すための第２のｎ％純物層３１．Ｊ、
、、・が所定長さのｆ−）領域４・・・を介して前記第
１のｎ＋ＢＩ！不純物層ｊｍｍ２ｇ・・・と隣接して夫
々設けられている・ｔた、前記基板Ｉには前記第１．第
２の一型不純物層ｊｌ＊Ｊｌを１単位として、これら単
位間を分離する・ためのｐ゛１のチャネルスト、パ層５
・・・が設けられている・。更に、前記・チャネルスト
、・帯層゛５・・・、第２の一型不純物層 “Ｊｌｅｊ
ｌ・・・及び？−）領域４・・・が位置゛する基板ｌ王
には、ダート絶縁［１１＃ε１−・を介して転送電極で
あるｆ−）電極ｙｌ、ｙ、・・・が設けられている。こ
れらデート電極７１ｙＦ露”・を含む基板１上には絶縁
膜８が被覆され、かつ前記第１のｎ憧不純物層２１，２
．・・・の一部に対応する前記゛絶縁膜８にはコンタク
トホール９１＋９Ｂ・・・が開口されている。そして、
前記絶縁膜８上には互に所定間隔をおいて独立した複数
の導体電極１０％ 、Ｊａｇ ９１０８”−が設け
られていると共に、各導体電極１．Ｊ１．１ｊ、＠。
１０３・・・は夫々前記コンタクトホール９１ 。
９１・・・を介して第１のｎ＋振下純物層２１．２茸・
・・に接続されている０また、これら導体電極１０Ｂ
、 １０＠ ＊ １ ｏ＠−・を含む絶縁膜８全面
には、光電変換を行なう光導電膜１１が被覆されている
・こ′の光導電膜１１上忙は透明電極１２が被覆され、
かつ該電極１２には所望の電圧が印加される。なお、該
透明電極１２下では１セルの特性は導体電極７０１ ．
１０＠ ＊１０ｓ・・・の形状で定義される・さらに
透明電極１２上には有機樹脂製の赤フィルタ１３１ 、
緑フイルタ１３自 、青フィルタ１３ｍからなる色分離
フィルタ１３が形成されている。なお前記フィルタ１ｓ
１〜７３１の各画素は各フィルタＪｕｌ〜ＩＳｓの形状
によって定義される・このような！造の固体撮像装置に
おいて、透明電極１２に所望の電圧を印加させると、光
導電膜ＪＩＫ電界が生じ、こうした状態で例えば導体電
極１０愈上の光導電膜１１に光が照射されると、光導電
膜１１で光電変換されて信号電荷が発生すると共に、そ
の信号電荷は導体電極Ｚ６．に蓄積される０そして蓄積
された信号電荷は？ −ト電極１１にノタルス電圧を印
加することにより、基板１のｒ−）領域４を通って第１
のｎ”１不純物層ｚ１よりＷｃ２の一型不純物層３１へ
転送される１、との′転送さ介た信号電荷はｒ−）電極
１重に所望のりミツークノタルスを印加せしめて出力部
より読み出される。
・・に接続されている０また、これら導体電極１０Ｂ
、 １０＠ ＊ １ ｏ＠−・を含む絶縁膜８全面
には、光電変換を行なう光導電膜１１が被覆されている
・こ′の光導電膜１１上忙は透明電極１２が被覆され、
かつ該電極１２には所望の電圧が印加される。なお、該
透明電極１２下では１セルの特性は導体電極７０１ ．
１０＠ ＊１０ｓ・・・の形状で定義される・さらに
透明電極１２上には有機樹脂製の赤フィルタ１３１ 、
緑フイルタ１３自 、青フィルタ１３ｍからなる色分離
フィルタ１３が形成されている。なお前記フィルタ１ｓ
１〜７３１の各画素は各フィルタＪｕｌ〜ＩＳｓの形状
によって定義される・このような！造の固体撮像装置に
おいて、透明電極１２に所望の電圧を印加させると、光
導電膜ＪＩＫ電界が生じ、こうした状態で例えば導体電
極１０愈上の光導電膜１１に光が照射されると、光導電
膜１１で光電変換されて信号電荷が発生すると共に、そ
の信号電荷は導体電極Ｚ６．に蓄積される０そして蓄積
された信号電荷は？ −ト電極１１にノタルス電圧を印
加することにより、基板１のｒ−）領域４を通って第１
のｎ”１不純物層ｚ１よりＷｃ２の一型不純物層３１へ
転送される１、との′転送さ介た信号電荷はｒ−）電極
１重に所望のりミツークノタルスを印加せしめて出力部
より読み出される。
ところで、上記固体撮像装置では、高電界が垂直方向、
即ち透明電極１２と導体電極１０１゜１０、．１０＠−
間に形成されており、各導体電極１０１ ＊１０曹
ｍｌＤ＠−上の光導電膜１１内で発生した信号電荷は、
その発生した場所の真下に対応する導体電極ＩＪ 、
１０．。
即ち透明電極１２と導体電極１０１゜１０、．１０＠−
間に形成されており、各導体電極１０１ ＊１０曹
ｍｌＤ＠−上の光導電膜１１内で発生した信号電荷は、
その発生した場所の真下に対応する導体電極ＩＪ 、
１０．。
１０ｍ・・・に蓄積される。また各導体電極１０１゜１
０１ 、・１０Ｉ・軸間のギヤ、デＭｈ１４−・上の光
導電膜１１．内で発生した信号電荷も、その場所の電位
傾斜Ｋ・より導体電極１ｏ！ 、１ｏｓ 。
０１ 、・１０Ｉ・軸間のギヤ、デＭｈ１４−・上の光
導電膜１１．内で発生した信号電荷も、その場所の電位
傾斜Ｋ・より導体電極１ｏ！ 、１ｏｓ 。
ＪＯｍ−・・に蓄積される。このように光導電膜１１は
装置内に入射された光に対して全ての場所で有効に働い
ている。しかしながら、前記固体撮像装置では、高輝度
スＩットが装置に入射され九場合、ギヤ、デ部１４’−
・・よりｐ型半導体基４Ｌ１内へ光が入射され、周辺セ
ルへキャリアが拡散されることにより装置の機能に悪影
響を及ぼす、いわゆるプルーミングという問題があった
〇このプルーミングの発生防止の対策としては５、ｆｆ
−）電極７１ｓＦｍ””上の絶縁膜８内に光シールド膜
を形成する方法、が考えられるが、構造的に複雑にな、
るのを避けられなかった。
装置内に入射された光に対して全ての場所で有効に働い
ている。しかしながら、前記固体撮像装置では、高輝度
スＩットが装置に入射され九場合、ギヤ、デ部１４’−
・・よりｐ型半導体基４Ｌ１内へ光が入射され、周辺セ
ルへキャリアが拡散されることにより装置の機能に悪影
響を及ぼす、いわゆるプルーミングという問題があった
〇このプルーミングの発生防止の対策としては５、ｆｆ
−）電極７１ｓＦｍ””上の絶縁膜８内に光シールド膜
を形成する方法、が考えられるが、構造的に複雑にな、
るのを避けられなかった。
また、光導電膜１１の１セル社導体電極１０１゜１０、
．１０ｇの形状によって決定されるため、各フィルタ１
３１ 、ＩＩＩ嘗 、１１３−が導体電極ＺＯ１ｍ１ｍ
３．１０−・−に対してずれて形成された場合、混色が
発生すると込う問題があった〇この混色防止の対策とし
ては、各導体電極２０１＋１０雪、１０畠−間のゼヤ、
デ１４−に対応するフ４に夕１３１ ＃ １１１
＃ １３１・・・間に光を透過しにくい黒フィルタを形
成する方法が考えられるが、この黒フィル−をフィルタ
’１１ ａｌｌ嘗 、１１ｓ・−と同様に有機樹讃を材
料として形成する場合、該黒フィルタの透過率を０．１
＄以下にするのは難しい拳なお、この０．１−という
数字は信号成分に対して６０ ｄＢＫあたるが、例えば
信号の多い赤画素から信号の少ない青画素への混色等を
考えると特に問題となる。
．１０ｇの形状によって決定されるため、各フィルタ１
３１ 、ＩＩＩ嘗 、１１３−が導体電極ＺＯ１ｍ１ｍ
３．１０−・−に対してずれて形成された場合、混色が
発生すると込う問題があった〇この混色防止の対策とし
ては、各導体電極２０１＋１０雪、１０畠−間のゼヤ、
デ１４−に対応するフ４に夕１３１ ＃ １１１
＃ １３１・・・間に光を透過しにくい黒フィルタを形
成する方法が考えられるが、この黒フィル−をフィルタ
’１１ ａｌｌ嘗 、１１ｓ・−と同様に有機樹讃を材
料として形成する場合、該黒フィルタの透過率を０．１
＄以下にするのは難しい拳なお、この０．１−という
数字は信号成分に対して６０ ｄＢＫあたるが、例えば
信号の多い赤画素から信号の少ない青画素への混色等を
考えると特に問題となる。
又、透明電極１２は通常酸化スズ（８ｎＯｚ） 。
酸化イゾジウム（Ｉｎ２０Ｂ ）等は形成せしめるが従
来のＩ Ｃ、Ｌ８Ｉ製造（ははとんど使われていない材
料であり、加工性、信頼性に問題がある・本発明は上記
事情に鑑みてな声れたもので、簡単な構造でプルーミン
グの発生を防止し得る固体撮像装置を提供することを目
的とするものである◎ 以下、本発明を実施例に基づいて説明すゐ。
来のＩ Ｃ、Ｌ８Ｉ製造（ははとんど使われていない材
料であり、加工性、信頼性に問題がある・本発明は上記
事情に鑑みてな声れたもので、簡単な構造でプルーミン
グの発生を防止し得る固体撮像装置を提供することを目
的とするものである◎ 以下、本発明を実施例に基づいて説明すゐ。
第２図は本発明のカラー用固体撮像装置を示す断面図で
ある０図中２１はＰ型の単結晶シリコン基板であり、こ
の基板２１０表面に誼基板２１と後記する第１導体電極
とを電気的に接続するための第１の♂型不純物層２２１
．２２゜・・・が所定間隔を！−いて級映られている
。これら第１のｎ４１１！不純物層：１１２１．２１ｇ
−・・は、読み出し回路として用いられるＣＣＤ Ｋお
ける信号電荷転送部である。前記基板２１上には、光電
変換された信号電荷を読み出すための第２の、＋ｍ不純
物層ｘｓ１．ｚｓ、−・が所定長方の？−）領舅Ｚ４−
・・を介して前記第１のｎ″Ｍ不純物層２２、．２１．
・・・とＳ播して設けられている。
ある０図中２１はＰ型の単結晶シリコン基板であり、こ
の基板２１０表面に誼基板２１と後記する第１導体電極
とを電気的に接続するための第１の♂型不純物層２２１
．２２゜・・・が所定間隔を！−いて級映られている
。これら第１のｎ４１１！不純物層：１１２１．２１ｇ
−・・は、読み出し回路として用いられるＣＣＤ Ｋお
ける信号電荷転送部である。前記基板２１上には、光電
変換された信号電荷を読み出すための第２の、＋ｍ不純
物層ｘｓ１．ｚｓ、−・が所定長方の？−）領舅Ｚ４−
・・を介して前記第１のｎ″Ｍ不純物層２２、．２１．
・・・とＳ播して設けられている。
また、前記基板２１には第１．第２のｎ゛１不純物層ｘ
Ｂ、ｘｓｌを１単位として、単位間を分離するためのｐ
”ｌｓｉのチャネルストｖ□’層２１が設けられている
。更に、前記チャネルスト。
Ｂ、ｘｓｌを１単位として、単位間を分離するためのｐ
”ｌｓｉのチャネルストｖ□’層２１が設けられている
。更に、前記チャネルスト。
７９層２５・・・、第２のｎ＋ｐ不純物層２１１％、２
３！・・・及びｒ−）領竣２４−が位置する基板２１上
には、ｒ−）絶縁膜２６１ｍ２ｆ’＊”を介して転送電
極であるダート電極ｘｖ１ 、ｓｒ＠・・・が設けられ
ている。これら？−）電極２７１ 。
３！・・・及びｒ−）領竣２４−が位置する基板２１上
には、ｒ−）絶縁膜２６１ｍ２ｆ’＊”を介して転送電
極であるダート電極ｘｖ１ 、ｓｒ＠・・・が設けられ
ている。これら？−）電極２７１ 。
ＸＶｓ・・・を含む基板２１上には絶縁膜２８が被覆さ
れ、かつ前記第１の♂型不純物層２２１ 。
れ、かつ前記第１の♂型不純物層２２１ 。
２２３・・・の一部に対応する前記絶縁膜２ａにはコン
タクトホール１１１．１！９．が開口されている。、そ
して前記絶縁膜２８上には互に所定間隔をおいて独立し
た複数の第１導体電極３０１゜Ｊ＃ｌ、ＪＯｓ−・・が
設けられていると共に、各第１導体電極１ρｌ 、３
０！ 、ＪＯＩ−・・は夫々前記コンタクトホール２１
１１ ＃ ｊ ｊ？ｌ・・・を介して第１のｎ“１不
純物層２２ト、２２ｓ・・・に接続されている・ま走、
これら第１導体電極３ｏ１゜”１＋３１）１・−を含む
絶縁膜２８全面には、光電変換を行なう光導電膜３１が
被覆されている。この光導電膜３１上には、前記各第１
導体電極３０％ 、３０．．３０９・・・間のギヤダ
ブ部３２・・・に対応する部分に開口部３３・・・を有
した絶縁膜３４が被覆されていゐ・そして、開口部３３
・・・には前記光導電膜３１と電気的に接続せしめた第
２導体電極３５・・・が形成され、かつ該第２導体電極
Ｊ５・・・に信号電荷を蓄積せしめる電圧が印加される
。前記第２導体電極３５−を含む絶縁膜１４上には、有
機樹脂製の赤フィルタ５ｔｔ１ ＊緑フィルタ３６３
ｍ’ｆｔフィルタ３６３からなる色分離フィルタリが形
成されている。
タクトホール１１１．１！９．が開口されている。、そ
して前記絶縁膜２８上には互に所定間隔をおいて独立し
た複数の第１導体電極３０１゜Ｊ＃ｌ、ＪＯｓ−・・が
設けられていると共に、各第１導体電極１ρｌ 、３
０！ 、ＪＯＩ−・・は夫々前記コンタクトホール２１
１１ ＃ ｊ ｊ？ｌ・・・を介して第１のｎ“１不
純物層２２ト、２２ｓ・・・に接続されている・ま走、
これら第１導体電極３ｏ１゜”１＋３１）１・−を含む
絶縁膜２８全面には、光電変換を行なう光導電膜３１が
被覆されている。この光導電膜３１上には、前記各第１
導体電極３０％ 、３０．．３０９・・・間のギヤダ
ブ部３２・・・に対応する部分に開口部３３・・・を有
した絶縁膜３４が被覆されていゐ・そして、開口部３３
・・・には前記光導電膜３１と電気的に接続せしめた第
２導体電極３５・・・が形成され、かつ該第２導体電極
Ｊ５・・・に信号電荷を蓄積せしめる電圧が印加される
。前記第２導体電極３５−を含む絶縁膜１４上には、有
機樹脂製の赤フィルタ５ｔｔ１ ＊緑フィルタ３６３
ｍ’ｆｔフィルタ３６３からなる色分離フィルタリが形
成されている。
なお、第２導体電極３５・・・に電圧を印加した後の固
体撮像装置における信号電荷の挙動は従来装置と同様で
ある。
体撮像装置における信号電荷の挙動は従来装置と同様で
ある。
しかして、上記構造からなる固体撮像装置では、各第１
導体電極、ｖＯ１、ＪＯｇ 、３０＠−間のギヤ、デ部
３２・・・に対応する光導電膜３１上に第２導体電極３
５・・・が形成されているため、この第２導体電極３５
−・は光導電膜３ノの光入射に対する光シールドとして
作用し、ギヤダブ内への光漏れが生じるのを阻止でき、
その結果ブルーミングの発生を防止することができゐ。
導体電極、ｖＯ１、ＪＯｇ 、３０＠−間のギヤ、デ部
３２・・・に対応する光導電膜３１上に第２導体電極３
５・・・が形成されているため、この第２導体電極３５
−・は光導電膜３ノの光入射に対する光シールドとして
作用し、ギヤダブ内への光漏れが生じるのを阻止でき、
その結果ブルーミングの発生を防止することができゐ。
また、各フィルタ３６１ ．３ｇ＝ ＋１６Ｂ・・・
とこれらに対応するＩ！１．導体電極、１ｔｌ＠、３０
ｇ。
とこれらに対応するＩ！１．導体電極、１ｔｌ＠、３０
ｇ。
３０ｓ・・・との位置が多少ずれても、各フィルタ３６
１ｅ ！ｌｊｓ ｓ ｌ１１Ｂ・・・間の一境界の下
部に位置する−ところに第２導体電極、３５・−が形成
されているため、第２導体電極３５・・・下の光導電膜
１１内では信号電荷の発生が阻止できｂと共和、第２導
体電極ｊ５・・・下管除く光導電膜Ｊ１内では、第１導
体電極１１０．ｌ 、、ｙａ、、１０＠ −三と第２導
体電極３５・・・間の電位勾配に従って斜め方向の電界
が生じ、これにより、各フイ、ルタ３０１゜Ｊ Ｏ＠
ａ Ｊ ’ｌ ”に入射した光は夫々各フィルター０
１ 、ｓｏｎ 、ｓｏ、・・・下の光導電膜３１に入
射して光電変換され、所定の°第１導体電極ｓｏ１ 、
ｓｏ雪 、３０３−・に信号電荷が蓄積される。したが
って、従来装置の如く混色が生じｂのを阻止できる。、
・ ・ ・ 。
１ｅ ！ｌｊｓ ｓ ｌ１１Ｂ・・・間の一境界の下
部に位置する−ところに第２導体電極、３５・−が形成
されているため、第２導体電極３５・・・下の光導電膜
１１内では信号電荷の発生が阻止できｂと共和、第２導
体電極ｊ５・・・下管除く光導電膜Ｊ１内では、第１導
体電極１１０．ｌ 、、ｙａ、、１０＠ −三と第２導
体電極３５・・・間の電位勾配に従って斜め方向の電界
が生じ、これにより、各フイ、ルタ３０１゜Ｊ Ｏ＠
ａ Ｊ ’ｌ ”に入射した光は夫々各フィルター０
１ 、ｓｏｎ 、ｓｏ、・・・下の光導電膜３１に入
射して光電変換され、所定の°第１導体電極ｓｏ１ 、
ｓｏ雪 、３０３−・に信号電荷が蓄積される。したが
って、従来装置の如く混色が生じｂのを阻止できる。、
・ ・ ・ 。
したがって、従来装置の如く信号電荷発生に起因する混
色が生ぜず、もってイヤツブ部３２・・・に対応する色
分離フィルタ３６形成予定部に光シールド用の黒フィル
タを形成する必要がない。
色が生ぜず、もってイヤツブ部３２・・・に対応する色
分離フィルタ３６形成予定部に光シールド用の黒フィル
タを形成する必要がない。
なお、本発明に係る固体撮像装置は、上記実施例に示す
構造のものに限らず、例えば第３図に示す構造和しても
よい。
構造のものに限らず、例えば第３図に示す構造和しても
よい。
第３図は本発明の他の実施例である固体撮像装置の断面
図である。かかる固体撮像装置は、第２図に示す装置の
光導電膜ｊ１と開口部３３を有した絶縁膜１４との間に
第２導体電極３５・・・からの電子の注入を防止する、
例えば光導電膜３１が日型とすればｐ型であるバリア層
Ｓ１が形成された構造をもうている・このような構造の
固体撮像装置によれば、第２図に示す装置と同様な効果
が期待できる。なおミ第３図に示す固体撮像装置におい
て、バリア層３１を低抵抗にすると、光導電膜３１内で
の電位分布は、−１図に示す固体撮像装置における光導
電膜１１内での電位分布と同様になる。
図である。かかる固体撮像装置は、第２図に示す装置の
光導電膜ｊ１と開口部３３を有した絶縁膜１４との間に
第２導体電極３５・・・からの電子の注入を防止する、
例えば光導電膜３１が日型とすればｐ型であるバリア層
Ｓ１が形成された構造をもうている・このような構造の
固体撮像装置によれば、第２図に示す装置と同様な効果
が期待できる。なおミ第３図に示す固体撮像装置におい
て、バリア層３１を低抵抗にすると、光導電膜３１内で
の電位分布は、−１図に示す固体撮像装置における光導
電膜１１内での電位分布と同様になる。
なお、上記実施例では、固体撮像装置の基板としてｐ型
単結晶シリコン基板について述べたが、と・れに限らず
、真型単結晶シリコン基板、あるいは’ｌ”ｋ’ｌニウ
五等他の単結晶基板でもよい。
単結晶シリコン基板について述べたが、と・れに限らず
、真型単結晶シリコン基板、あるいは’ｌ”ｋ’ｌニウ
五等他の単結晶基板でもよい。
また、本発明忙係る固体撮像装置において、上記実施例
では、読出し部としてＣＯＤを用いたもので行なったが
、これに限らず、単結晶シリコン基ＭＫ光電変換及び読
出しを行うモノリシ、り型固体撮倫装置＃Ｃおける信号
電荷読出し回路に用いられている。もの等は第１導体電
極に蓄積された信号電荷を取り出せるものにも適用で會
る〇 更に１上記実施例では、固体撮像装置の基板としてｐ型
単結晶シリコン基板を用いたが、これに限らず、ｎ型単
結晶シリコン基板、あるいはｒルマエウム尋の他の単結
晶基板でもよい・以上詳述した如く、本発明によれば、
簡単な構造でブルー建ングの発生を防止できると共に、
特にカラー撮僚用の場合混色の発生を防止し得る固体撮
像装置を提供できるものである。
では、読出し部としてＣＯＤを用いたもので行なったが
、これに限らず、単結晶シリコン基ＭＫ光電変換及び読
出しを行うモノリシ、り型固体撮倫装置＃Ｃおける信号
電荷読出し回路に用いられている。もの等は第１導体電
極に蓄積された信号電荷を取り出せるものにも適用で會
る〇 更に１上記実施例では、固体撮像装置の基板としてｐ型
単結晶シリコン基板を用いたが、これに限らず、ｎ型単
結晶シリコン基板、あるいはｒルマエウム尋の他の単結
晶基板でもよい・以上詳述した如く、本発明によれば、
簡単な構造でブルー建ングの発生を防止できると共に、
特にカラー撮僚用の場合混色の発生を防止し得る固体撮
像装置を提供できるものである。
第１図は従来の固体撮像装置の断面図、＠２図は本発明
の一実施例である固体撮像装置の断面図、第３図は本発
明の他の実施例を示す固体撮像装置の断面図である。 ２１・・・ｐｍ単結晶シリコン基板、ｚｚｌ。 ２２１・・・第１のｎ”１不純物層、ｚｓｌ、ｚｘ。 ・・・第２のｎ゛噛不純物層、２４・−ｒ−）領域、２
５・・・チャネダトスト、ノ帯層％ ２６１ ．２６冨
・・・ダート絶縁膜、２７１ ＋ Ｉ Ｗ怠−４”−
）電極、ｘａ、ｓ４・−絶縁膜、３０１＃ ！Ｉ ＯＢ
Ｔ ｊ ＯＢ・・・第１導体電極、３１・・・光導電
膜、３２・・・ギヤ、デ一部、３５・・・第２導体電極
、３６１ ・・・赤フィルタ、Ｊ６ｉｌ−・・緑フィル
タ、３６ｓ＝１フイルタ、Ｊｔ−ＱＢ、分離フィルタ、
３７−・バリア層。 出願人代理人 弁理士 鈴 圧式 彦
の一実施例である固体撮像装置の断面図、第３図は本発
明の他の実施例を示す固体撮像装置の断面図である。 ２１・・・ｐｍ単結晶シリコン基板、ｚｚｌ。 ２２１・・・第１のｎ”１不純物層、ｚｓｌ、ｚｘ。 ・・・第２のｎ゛噛不純物層、２４・−ｒ−）領域、２
５・・・チャネダトスト、ノ帯層％ ２６１ ．２６冨
・・・ダート絶縁膜、２７１ ＋ Ｉ Ｗ怠−４”−
）電極、ｘａ、ｓ４・−絶縁膜、３０１＃ ！Ｉ ＯＢ
Ｔ ｊ ＯＢ・・・第１導体電極、３１・・・光導電
膜、３２・・・ギヤ、デ一部、３５・・・第２導体電極
、３６１ ・・・赤フィルタ、Ｊ６ｉｌ−・・緑フィル
タ、３６ｓ＝１フイルタ、Ｊｔ−ＱＢ、分離フィルタ、
３７−・バリア層。 出願人代理人 弁理士 鈴 圧式 彦
Claims (1)
- 第１導電型の半導体基板と、と・の半導体基・板表面に
設けられた複数の第２導電型の不純物層と、前記基板上
に絶縁膜を介して互いに所定の間隔をおいて設けられた
一端が前記各不純物層と接続する複数の第・１導体電極
と、これら第１導体電極を含む絶縁膜上に設けられ、入
射光により信号電荷を発生せしめる光導電膜と、この光
導電膜上の前記第１導体電極間の間隙に対応する部分に
設けられた複数の第２導体電極とを具備したことを特徴
とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56145273A JPS5846773A (ja) | 1981-09-14 | 1981-09-14 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56145273A JPS5846773A (ja) | 1981-09-14 | 1981-09-14 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5846773A true JPS5846773A (ja) | 1983-03-18 |
| JPH0237746B2 JPH0237746B2 (ja) | 1990-08-27 |
Family
ID=15381317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56145273A Granted JPS5846773A (ja) | 1981-09-14 | 1981-09-14 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5846773A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4688098A (en) * | 1984-12-24 | 1987-08-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid state image sensor with means for removing excess photocharges |
| US4740824A (en) * | 1985-07-18 | 1988-04-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state image sensor |
| JP2016072389A (ja) * | 2014-09-29 | 2016-05-09 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、及び撮像システム |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55104176A (en) * | 1979-02-06 | 1980-08-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solidstate pick up unit |
| JPS57211770A (en) * | 1981-06-24 | 1982-12-25 | Hitachi Ltd | Solid state image pickup device |
-
1981
- 1981-09-14 JP JP56145273A patent/JPS5846773A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55104176A (en) * | 1979-02-06 | 1980-08-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solidstate pick up unit |
| JPS57211770A (en) * | 1981-06-24 | 1982-12-25 | Hitachi Ltd | Solid state image pickup device |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4688098A (en) * | 1984-12-24 | 1987-08-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid state image sensor with means for removing excess photocharges |
| US4740824A (en) * | 1985-07-18 | 1988-04-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state image sensor |
| JP2016072389A (ja) * | 2014-09-29 | 2016-05-09 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、及び撮像システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0237746B2 (ja) | 1990-08-27 |
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