JPS584834B2 - 半導体発光装置 - Google Patents

半導体発光装置

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JPS584834B2
JPS584834B2 JP51052615A JP5261576A JPS584834B2 JP S584834 B2 JPS584834 B2 JP S584834B2 JP 51052615 A JP51052615 A JP 51052615A JP 5261576 A JP5261576 A JP 5261576A JP S584834 B2 JPS584834 B2 JP S584834B2
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JP
Japan
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light emitting
light
emitting device
semiconductor light
epoxy resin
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Expired
Application number
JP51052615A
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English (en)
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JPS52135282A (en
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十河敏雄
新居延弘治
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPS52135282A publication Critical patent/JPS52135282A/ja
Publication of JPS584834B2 publication Critical patent/JPS584834B2/ja
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体発光装置の改良に関する。
ＧａＰのごとき発光した光に対する吸収係数の小さい半
導体発光材料を用いた発光装置の場合発光した光を取り
出そうとする主面以外の側面からも出てくる。
このことはＬＥＤランプの如き単体発光素子の場合は光
を光源として使用するため何ら支障はないが、モノリシ
ツク数字表示装置、ＬＥＤアレイ特殊なパターンを表示
する発光装置の場合には、光のにじみ、コントラストの
低下、反射などを生じ問題になっていた。
従来、数字表示素子および主面に特殊なパターンを表示
する場合は主面上の光のアイソレーションはポリシリコ
ン膜、金属膜などを選択的に形成することにより行なわ
れていた。
側面光のアイソレーションに関しては、黒色樹脂に埋め
込む方法が取られていたが、工程が複雑であり、コスト
も高くなるためモノリシツク素子に関しては殆んど行な
われていなかった。
本発明は上述した従来の欠点を解消するためなされたも
ので、発光半導体チップを導電性エポキシ樹脂内に側面
まで埋め込み側面光が出ないようにした半導体発光装置
を提供するものである。
以下、本発明にかかる実施例を図に示し説明する。
説明の便宜上プラナ拡散形ＧａＰ発光装置を例に説明す
る。
図において、１はエポキシ樹脂に銀粉末などを混入した
導電性エポキシ樹脂、２は−電極のフレーム、３は＋電
極のフレーム、４はＧａＰ発光半導体チップ、５はＰ−
Ｎ接合、６は拡散マスク用の酸化膜もしくは窒化膜、７
はＧａＰ発光半導体チツプ４に付けられたＮ側電極、８
はＧａＰ発光半導体チツプ４に付けられたＰ側電極、９
は内部リードである。
この実施例では導電注エボキシ樹脂なＧａＰ発光半導体
チツプ４が埋めこまれる程度電極２に塗布し、しかる後
チツプ４を上部より押え込むことによりチツプ４の側面
まで埋めこむ。
この場合ＰＮ接合にかからなければ主面に少し載っても
よい。
しかる後このフレーム２を１５０℃で３０分間程度キュ
ーアすることによりチツプ４は固定される。
しかるのちＰ側電極８からＡｕ線などの内部リード９で
フレームの＋側電極３にワイヤボンデイングを行なう。
次に外装用透明エポキシ樹脂でモールドする。
このような構造では側面光は導電性エポキン樹脂でしゃ
へいされるため外部へは出てこすフレームなどの反射が
なくなり、光のにじみ、コントラストの低下がなくなる
。
また側面光は導電性エポキン樹脂内の銀粒子で反射され
チツプ内で多重反射をしたのち発光主面より出てくる。
そのため発光主面から出てくる光量が増加し輝度の向上
につながる付づい効果がある。
この方式は従来の組立工程を何ら変えることなくまた、
複雑な工程を伴なわずに実施することができる。
本実施例ではＧａＰの場合を説明したが、他の■−Ｖ族
化合物半導体、■一■族化合物半導体など他の発光半導
体材料にも応用できる。
またフレームを用いた場合を例に説明したがトランジス
タステム、リード線など他の外装用電極材料を用いても
よい。
【図面の簡単な説明】
図は本発明にかかる一実施例を示す断面図である。 図に於て、１は導電性エポキシ樹脂、２はフレームの−
電極、３はフレームの＋電極，４はＧａＰ発光半導体チ
ップ、５はＰ−Ｎ接合、６は拡散マスク用の酸化膜もし
くは窒化膜、７はチップ４に付けられたＮ側電極、８は
チンプ４に付けられたＰ側電極、９は内部リードである
。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 発光半導体チップの電極付けを行なうに際し電極半
    田剤に導電性エボキシ樹脂を使用し、上記半導体チップ
    の発光主面を残し側面まで導電性エポキシ樹脂に埋め込
    むことを特徴とした半導体発光装置。
JP51052615A 1976-05-08 1976-05-08 半導体発光装置 Expired JPS584834B2 (ja)

Priority Applications (1)

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JP51052615A JPS584834B2 (ja) 1976-05-08 1976-05-08 半導体発光装置

Applications Claiming Priority (1)

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JP51052615A JPS584834B2 (ja) 1976-05-08 1976-05-08 半導体発光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS52135282A JPS52135282A (en) 1977-11-12
JPS584834B2 true JPS584834B2 (ja) 1983-01-27

Family

ID=12919693

Family Applications (1)

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JP51052615A Expired JPS584834B2 (ja) 1976-05-08 1976-05-08 半導体発光装置

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60205033A (ja) * 1984-03-29 1985-10-16 Yamaha Motor Co Ltd デイスクブレ−キのブレ−キデイスク構造
JPS62199545U (ja) * 1986-06-07 1987-12-18

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5494163U (ja) * 1977-12-15 1979-07-03
DE102015107591B4 (de) * 2015-05-13 2021-09-02 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils

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JPS62199545U (ja) * 1986-06-07 1987-12-18

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