JPS5849290B2 - 石英反応管 - Google Patents
石英反応管Info
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- JPS5849290B2 JPS5849290B2 JP55113149A JP11314980A JPS5849290B2 JP S5849290 B2 JPS5849290 B2 JP S5849290B2 JP 55113149 A JP55113149 A JP 55113149A JP 11314980 A JP11314980 A JP 11314980A JP S5849290 B2 JPS5849290 B2 JP S5849290B2
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- quartz
- transparent quartz
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- reaction tube
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B33/005—Oxydation
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/04—Other methods of shaping glass by centrifuging
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/06—Other methods of shaping glass by sintering, e.g. by cold isostatic pressing of powders and subsequent sintering, by hot pressing of powders, by sintering slurries or dispersions not undergoing a liquid phase reaction
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- C03B19/06—Other methods of shaping glass by sintering, e.g. by cold isostatic pressing of powders and subsequent sintering, by hot pressing of powders, by sintering slurries or dispersions not undergoing a liquid phase reaction
- C03B19/066—Other methods of shaping glass by sintering, e.g. by cold isostatic pressing of powders and subsequent sintering, by hot pressing of powders, by sintering slurries or dispersions not undergoing a liquid phase reaction for the production of quartz or fused silica articles
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
- C30B31/10—Reaction chambers; Selection of materials therefor
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は石英反応管の構造に関する。
半導体基板等の高温反応処理に使用される反応管(炉芯
管)′としては、高純度で且つ汚染されに(い透明石英
管が最も一般的に使用されている。
管)′としては、高純度で且つ汚染されに(い透明石英
管が最も一般的に使用されている。
しかし該透明石英管は軟化温度が1140 C℃)程度
であり、半導体装置の製造工程に於てしばしば用いられ
る1150〜1300 (’C)での高温反応処理では
該透明石英管に変形を生ずる。
であり、半導体装置の製造工程に於てしばしば用いられ
る1150〜1300 (’C)での高温反応処理では
該透明石英管に変形を生ずる。
そのため該透明石英管内に挿入された石英器具は透明石
英管にならって変形を起こし、該石英器具に支持されて
いる被処理基板は変形したり、甚だしい場合には割れを
生じたりして製造歩留まりの低下を招(。
英管にならって変形を起こし、該石英器具に支持されて
いる被処理基板は変形したり、甚だしい場合には割れを
生じたりして製造歩留まりの低下を招(。
父上記の如く変形した透明石英管を使用した場合には被
処理基板を支持した石英器具の出し入れの際に摩擦が増
えて石英粉が多(発生し、該石英粉が被処理基板を汚染
することも製造歩留まりを低下させる原因になる。
処理基板を支持した石英器具の出し入れの際に摩擦が増
えて石英粉が多(発生し、該石英粉が被処理基板を汚染
することも製造歩留まりを低下させる原因になる。
従って極度に変形した透明石英管は反応管として使用す
ることができないので、反応管の使用寿命は短か(半導
体装置の製造原価を上昇させている。
ることができないので、反応管の使用寿命は短か(半導
体装置の製造原価を上昇させている。
そして又透明石英管は製造方法の関係から外径寸法精度
が悪(、外径面が平担に形成されていないのみならず肉
厚も一様でなく、これらの点は外径寸法が大きくなる程
著しくなる。
が悪(、外径面が平担に形成されていないのみならず肉
厚も一様でなく、これらの点は外径寸法が大きくなる程
著しくなる。
そのため透明石英管を炉芯管として用いる加熱装置に於
ける均熱管や発熱体はその内径寸法に充分余裕を持たせ
て形成されるので加熱効率が悪くなるという問題や、前
記肉厚のばらつきが発熱体で発生する赤外線に対するレ
ンズ作用をして透明石英管内に異常高温部を発生せしめ
、該異常高温部に於ける異常反応により半導体装置の製
造歩留まりの低下を招くこともある。
ける均熱管や発熱体はその内径寸法に充分余裕を持たせ
て形成されるので加熱効率が悪くなるという問題や、前
記肉厚のばらつきが発熱体で発生する赤外線に対するレ
ンズ作用をして透明石英管内に異常高温部を発生せしめ
、該異常高温部に於ける異常反応により半導体装置の製
造歩留まりの低下を招くこともある。
更に又透明石英管は肉厚を厚くすることができず、3〜
4〔mw)程度が限度であるために、熱容量が小さくそ
れ自体では均熱効果に乏しいので、該透明石英管の周囲
には均熱管を別に設けねばならない場合もあり、加熱装
置が大型化して加熱電力等の製造経費が増大するという
問題があった。
4〔mw)程度が限度であるために、熱容量が小さくそ
れ自体では均熱効果に乏しいので、該透明石英管の周囲
には均熱管を別に設けねばならない場合もあり、加熱装
置が大型化して加熱電力等の製造経費が増大するという
問題があった。
そこで以上の問題点の解決方法として従来がら反応管と
してシリコン・カーバイト(SiC)管や多結晶シリコ
ン管を用いる方法がある。
してシリコン・カーバイト(SiC)管や多結晶シリコ
ン管を用いる方法がある。
しかし該シリコン・カーバイト管や多結晶シリコン管に
於ては、材質の面から反応ガスの導入管を取りつけたり
開口部にキャップ嵌着部を形成する際の形状制限を受け
るために、反応処理を行う際の操作が煩雑になる。
於ては、材質の面から反応ガスの導入管を取りつけたり
開口部にキャップ嵌着部を形成する際の形状制限を受け
るために、反応処理を行う際の操作が煩雑になる。
そして又該シリコン・カーバイト管や多結晶シリコン管
は透明石英管に比し著しく高価であり、且つ一部破損し
た際の溶接修理がきかないために、半導体装置の製造工
程に於ける反応管費用が増大し、半導体装置の製造原価
を上昇させるという問題があった。
は透明石英管に比し著しく高価であり、且つ一部破損し
た際の溶接修理がきかないために、半導体装置の製造工
程に於ける反応管費用が増大し、半導体装置の製造原価
を上昇させるという問題があった。
本発明は上記様々の問題点を除去することができ、しか
も高純度、高精度を維持したまま高温に於ける長寿命が
得られ、且つ加工が容易で加工形状の自由度の大きい石
英反応管を提供する。
も高純度、高精度を維持したまま高温に於ける長寿命が
得られ、且つ加工が容易で加工形状の自由度の大きい石
英反応管を提供する。
即ち本発明は石英反応管に於て、内面に溶融形成された
透明石英層を有する結晶質石英管の端部に、透明石英管
が溶融接合されてなることを特徴とする。
透明石英層を有する結晶質石英管の端部に、透明石英管
が溶融接合されてなることを特徴とする。
以下本発明の石英反応管を第1図aに示すその管軸方向
断面図、第1図すに示す第1図aのA −A′矢視断面
図、及び第2図に示す変形寿命曲線図を用いて詳細に説
明する。
断面図、第1図すに示す第1図aのA −A′矢視断面
図、及び第2図に示す変形寿命曲線図を用いて詳細に説
明する。
本発明の石英反応管は例えば第1図aに示すように、内
面の表層部に1〜2〔酊1程度の厚さの透明石英層1が
溶融形成された、140(7部7M)程度の内径を有し
6〜8(mm)程度の肉厚を有する高純度の結晶質石英
管2の、一端部に、試料導入領域として例えば3〜4〔
rnn〕程度の肉厚を有し前記結晶質石英管2とほぼ等
しい内径を有する所望の長さの透明石英管3が溶融接合
されており、又他の一端部に反応ガス導入領域として前
記と同種の透明石英管を溶融加工して形成したガス導入
管4を有する透明石英キャップ5が溶融接合された構造
を有している。
面の表層部に1〜2〔酊1程度の厚さの透明石英層1が
溶融形成された、140(7部7M)程度の内径を有し
6〜8(mm)程度の肉厚を有する高純度の結晶質石英
管2の、一端部に、試料導入領域として例えば3〜4〔
rnn〕程度の肉厚を有し前記結晶質石英管2とほぼ等
しい内径を有する所望の長さの透明石英管3が溶融接合
されており、又他の一端部に反応ガス導入領域として前
記と同種の透明石英管を溶融加工して形成したガス導入
管4を有する透明石英キャップ5が溶融接合された構造
を有している。
(図中6は溶融接合部を表わす。
)そして該反応管に於ける結晶質石英管2の端部は、透
明石英管3成るいは透明石英キャップ5との接合が容易
なように、所望の長さのテーパ領域7を経て透明石英管
3成るいは透明石英キャップ5の肉厚とほぼ等しく形成
されてなっている。
明石英管3成るいは透明石英キャップ5との接合が容易
なように、所望の長さのテーパ領域7を経て透明石英管
3成るいは透明石英キャップ5の肉厚とほぼ等しく形成
されてなっている。
そして上記構造を有する石英反応管は、結晶質石英管2
の端部に所望の長さに切断した透明石英管3成るいは公
知の加工方法により形成した透明石英キャップ5を、一
般に行われる方法に従って酸水素焔等を用いて溶融接合
して形成する。
の端部に所望の長さに切断した透明石英管3成るいは公
知の加工方法により形成した透明石英キャップ5を、一
般に行われる方法に従って酸水素焔等を用いて溶融接合
して形成する。
そして上記結晶質石英管2は、筒軸を中心にして高速に
回転させた所望の内径を有する内筒型の内壁に、150
〜250〔メツシュ〕程度の大きさの高純度結晶質石英
の破砕粒を所望の厚さに遠心力で被着させて後、該円筒
型を回転させながらその中心方向から抵抗加熱成るいは
アーク加熱等の方法により2000〜2500〔℃〕程
度の温度に所望の時間加熱し、前記結晶質石英破砕粒被
着層の中心に面した深さ1〜2〔朋〕程度の領域を溶融
せしめ、且つ被着層全体を焼結せしめて形成し、更にそ
の端部外径面には透明石英管3成る(・は透明石英キャ
ップ5との接合を容易にするために通常行われる研摩法
等によりテーパー領域7を形成する。
回転させた所望の内径を有する内筒型の内壁に、150
〜250〔メツシュ〕程度の大きさの高純度結晶質石英
の破砕粒を所望の厚さに遠心力で被着させて後、該円筒
型を回転させながらその中心方向から抵抗加熱成るいは
アーク加熱等の方法により2000〜2500〔℃〕程
度の温度に所望の時間加熱し、前記結晶質石英破砕粒被
着層の中心に面した深さ1〜2〔朋〕程度の領域を溶融
せしめ、且つ被着層全体を焼結せしめて形成し、更にそ
の端部外径面には透明石英管3成る(・は透明石英キャ
ップ5との接合を容易にするために通常行われる研摩法
等によりテーパー領域7を形成する。
従って上記のような方法で形成する本発明の構造を有す
る石英反応管に於ては、加熱炉内に挿入される領域にあ
たる結晶質石英管2部の外径面8は前記のように該結晶
質石英管2の製造工程に於ける円筒型の内径面により規
定されるので、寸法精度及び平坦度は極めて良く形成さ
れる。
る石英反応管に於ては、加熱炉内に挿入される領域にあ
たる結晶質石英管2部の外径面8は前記のように該結晶
質石英管2の製造工程に於ける円筒型の内径面により規
定されるので、寸法精度及び平坦度は極めて良く形成さ
れる。
そして第1図すに示すように透明石英層1を包んでいる
高純度結晶質石英層9は透明石英層1に比べて参・に高
温である1700C’C)程度の軟化点を有するので、
半導体装置の製造方法に於てしばしば用いられる115
0〜1300 (’C)の温度に於ける該結晶質石英管
の強度は透明石英管よりも遥かに太き(、例えば直径1
40(mm)の反応管に於ける1 200 (’C)に
於ての変形寿命(石英管の垂直方向内径のつぶれが所定
の比率に達するまでの時間)は、第2図に示すように透
明石英管に比べ大幅に延長される。
高純度結晶質石英層9は透明石英層1に比べて参・に高
温である1700C’C)程度の軟化点を有するので、
半導体装置の製造方法に於てしばしば用いられる115
0〜1300 (’C)の温度に於ける該結晶質石英管
の強度は透明石英管よりも遥かに太き(、例えば直径1
40(mm)の反応管に於ける1 200 (’C)に
於ての変形寿命(石英管の垂直方向内径のつぶれが所定
の比率に達するまでの時間)は、第2図に示すように透
明石英管に比べ大幅に延長される。
なお第2図に於て縦軸りは石英管の垂直方向の内径、横
軸tは使用時間、Aは本発明の石英反応管の変形寿命曲
線、Bは透明石英管の変形寿命曲線、Cは使用限界線を
表わす。
軸tは使用時間、Aは本発明の石英反応管の変形寿命曲
線、Bは透明石英管の変形寿命曲線、Cは使用限界線を
表わす。
又上記結晶質石英管は前述のような方法で形成されるの
で肉厚は充分に厚(形成することができるので、反応管
と発熱体の間に特に均熱管を設けなくても反応管内の均
熱性は充分に確保され、更に又肉厚も均一に形成するこ
とができるので従来の透明石英反応管のようなレンズ作
用も発生しないので反応管内に異常高温部を発生させる
ことがない。
で肉厚は充分に厚(形成することができるので、反応管
と発熱体の間に特に均熱管を設けなくても反応管内の均
熱性は充分に確保され、更に又肉厚も均一に形成するこ
とができるので従来の透明石英反応管のようなレンズ作
用も発生しないので反応管内に異常高温部を発生させる
ことがない。
そして本発明の石英反応管に於ては、前述のように内面
が溶融形成された透明石英層で覆われているので極めて
平滑な面を有する。
が溶融形成された透明石英層で覆われているので極めて
平滑な面を有する。
従って石英器具の出し入れに際しての石英粉の発生も少
な太又反応管内面の洗浄も完全に行えるので、高温反応
処理に於ける被処理基板の汚染が減少する。
な太又反応管内面の洗浄も完全に行えるので、高温反応
処理に於ける被処理基板の汚染が減少する。
以上説明したように本発明によれば、シリコン・カーバ
イト反応管成るいは多結晶シリコン反応管に比べて大幅
に安い値段で、形成でき高純度高精度を維持した状態で
高温に於て極めて長い寿命を有し、然かも均一な厚い肉
厚と平滑な内面を有し、且つ加工自由度の高い高純度高
温反応処理用の反応管を提供することができるので、半
導体装置等を製造する際に於ける歩留まりの向上及び製
造費用の削減等等に極めて有効である。
イト反応管成るいは多結晶シリコン反応管に比べて大幅
に安い値段で、形成でき高純度高精度を維持した状態で
高温に於て極めて長い寿命を有し、然かも均一な厚い肉
厚と平滑な内面を有し、且つ加工自由度の高い高純度高
温反応処理用の反応管を提供することができるので、半
導体装置等を製造する際に於ける歩留まりの向上及び製
造費用の削減等等に極めて有効である。
【図面の簡単な説明】
第1図aは本発明の石英反応管の管軸方向断面図、第1
図すは第1図aのA−A’矢視断面図で、第2図は変形
寿命曲線図である。 図に於て、1は透明石英層、2は結晶質石英管、3は透
明石英管、4はガス導入管、5は透明石英キャップ、6
は溶融接合部、7はテーパ領域、8は外径面、9は高純
度結晶質石英層、Dは石英管の垂直方向の内径、Aは本
発明の石英反応管の変形寿命曲線、Bは透明石英管の変
形寿命曲線、Cは使用限界線を表わす。
図すは第1図aのA−A’矢視断面図で、第2図は変形
寿命曲線図である。 図に於て、1は透明石英層、2は結晶質石英管、3は透
明石英管、4はガス導入管、5は透明石英キャップ、6
は溶融接合部、7はテーパ領域、8は外径面、9は高純
度結晶質石英層、Dは石英管の垂直方向の内径、Aは本
発明の石英反応管の変形寿命曲線、Bは透明石英管の変
形寿命曲線、Cは使用限界線を表わす。
Claims (1)
- 1 内面に溶融形成された透明石英層を有する結晶質石
英管の端部に、透明石英管が溶融接合されてなることを
特徴とする石英反応管。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55113149A JPS5849290B2 (ja) | 1980-08-18 | 1980-08-18 | 石英反応管 |
| DE8181303610T DE3175561D1 (en) | 1980-08-18 | 1981-08-06 | Quartz tube for thermal processing of semiconductor substrates |
| EP81303610A EP0046355B1 (en) | 1980-08-18 | 1981-08-06 | Quartz tube for thermal processing of semiconductor substrates |
| US06/290,975 US4382776A (en) | 1980-08-18 | 1981-08-07 | Quartz tube for thermal processing of semiconductor substrates |
| IE1879/81A IE52616B1 (en) | 1980-08-18 | 1981-08-17 | Quartz tube for thermal processing of semiconductor substrates |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55113149A JPS5849290B2 (ja) | 1980-08-18 | 1980-08-18 | 石英反応管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5745336A JPS5745336A (en) | 1982-03-15 |
| JPS5849290B2 true JPS5849290B2 (ja) | 1983-11-02 |
Family
ID=14604802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55113149A Expired JPS5849290B2 (ja) | 1980-08-18 | 1980-08-18 | 石英反応管 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4382776A (ja) |
| EP (1) | EP0046355B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5849290B2 (ja) |
| DE (1) | DE3175561D1 (ja) |
| IE (1) | IE52616B1 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61190693A (ja) * | 1985-02-20 | 1986-08-25 | 能美防災株式会社 | 火災報知機 |
| FR2606129B1 (fr) * | 1986-10-30 | 1989-08-18 | Ibm France | Tube en quartz ameliore pour le traitement thermique des tranches semiconductrices |
| US4999228A (en) * | 1988-05-06 | 1991-03-12 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Silicon carbide diffusion tube for semi-conductor |
| JP3253734B2 (ja) * | 1992-06-19 | 2002-02-04 | 富士通株式会社 | 半導体装置製造用の石英製装置 |
| US5452396A (en) * | 1994-02-07 | 1995-09-19 | Midwest Research Institute | Optical processing furnace with quartz muffle and diffuser plate |
| CN1079835C (zh) * | 1994-06-01 | 2002-02-27 | 普罗克特和甘保尔公司 | 利用空气分级作用回收聚羟基链烷酸酯的方法 |
| JPH11238728A (ja) | 1997-12-16 | 1999-08-31 | Fujitsu Ltd | 半導体デバイスの製造の際に使用される熱処理治具及びその製造法 |
| JP4374156B2 (ja) * | 2000-09-01 | 2009-12-02 | 日本碍子株式会社 | Iii−v族窒化物膜の製造装置及び製造方法 |
| US20030172870A1 (en) * | 2002-03-14 | 2003-09-18 | Axt, Inc. | Apparatus for growing monocrystalline group II-VI and III-V compounds |
| US6879777B2 (en) | 2002-10-03 | 2005-04-12 | Asm America, Inc. | Localized heating of substrates using optics |
| US6720531B1 (en) | 2002-12-11 | 2004-04-13 | Asm America, Inc. | Light scattering process chamber walls |
| JP5046753B2 (ja) * | 2006-06-26 | 2012-10-10 | 信越化学工業株式会社 | 光ファイバ母材の製造方法及びその装置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR743966A (ja) * | 1931-12-26 | 1933-04-08 | ||
| US4102666A (en) * | 1968-02-22 | 1978-07-25 | Heraeus-Schott Quarzschmelze Gmbh | Method of surface crystallizing quartz |
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