JPS5849449U - 定電圧回路を形成した半導体装置 - Google Patents

定電圧回路を形成した半導体装置

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JPS5849449U
JPS5849449U JP1981143590U JP14359081U JPS5849449U JP S5849449 U JPS5849449 U JP S5849449U JP 1981143590 U JP1981143590 U JP 1981143590U JP 14359081 U JP14359081 U JP 14359081U JP S5849449 U JPS5849449 U JP S5849449U
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JP
Japan
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constant voltage
voltage circuit
semiconductor device
forms
conductivity type
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Application number
JP1981143590U
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高橋　明憲
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は定電圧回路を示す回路図である。 Ｑ、、　Ｑ２．　Ｑ、・・・・・・ＮＰＮ　）ランジス
タ、■・・・・・・定電流源、Ｑ、、　Ｑ、、　Ｑ、・
・・・・・ＰＮＰ　）ランジスタ、Ａ・・・・・・バッ
ファ回路、Ｒ□、　Ｒ２，Ｒ３−・・・・・抵抗、ＶＣ
Ｃ・・・・・・電源電圧、Ｃ・・・・・・位相補償用コ
ンデンサ、Ｖｏｕｔ・・・・・・定電圧回路の出力電圧
。 第２図は、従来の定電圧回路の集積回路装置の１部を示
す断面図、第３図は本考案の一実施例による定電圧回路
の集積回路装置の１部を示す断面図である。 １・・・・・・Ｐ型半導体基板、２・・」・・・島状Ｎ
型領域、３・・・・・・Ｎ十領域、４，５・・・・・・
Ｐ十絶縁領域、６・・・・・・配線、７・・・・・・酸
化膜、Ｒ□、　Ｒ２，Ｒ３・・・・・・抵抗を形成する
Ｐ型頭域。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. −導電型の半導体基板上に形成した他の導電型−の半導
    体領域に定電圧回路を構成する抵抗として作用する前記
    −導電型領域を形成し、前記能の導電型の半導体領域を
    前記定電圧回路の出力定電圧でバイアスすることを特徴
    とする定電圧回路を形成した半導体装置。
JP1981143590U 1981-09-28 1981-09-28 定電圧回路を形成した半導体装置 Pending JPS5849449U (ja)

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