JPS584995A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
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- JPS584995A JPS584995A JP10404281A JP10404281A JPS584995A JP S584995 A JPS584995 A JP S584995A JP 10404281 A JP10404281 A JP 10404281A JP 10404281 A JP10404281 A JP 10404281A JP S584995 A JPS584995 A JP S584995A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
- H01S5/02461—Structure or details of the laser chip to manipulate the heat flow, e.g. passive layers in the chip with a low heat conductivity
-
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0421—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers
- H01S5/0422—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers with n- and p-contacts on the same side of the active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/2203—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure with a transverse junction stripe [TJS] structure
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- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体レーザ、特にＴＪ８構造の半導体レーザ
に関するものである。
に関するものである。
従来のこの種の半導体レーザの一例を第１図に示して説
明すると、第１図（ａ）はその平面図を、第１図（ロ）
は同図（旬のＡ−Ａにおける断面図をそれぞれ示してい
る。第１図において、（１）はＧａＡｓ結晶基板、（２
）はｐ形のＧａ、−ｙＡｊｙＡｉエビタキシャル層、（
３）はＧａ １ ＋ ｙ人ノｙＡｓクラッド層、（４）
はＧａ １−ｘムｌ ｘＡｓ活性層、（５）はＧａ１−
、ＡＪｙＡｓクラッド層、（６）はＧａＡｓコンタクト
層であり、符号Ｘ、７はｋｌ含有率を示し、これらはｙ
＞ｘとなっている。
明すると、第１図（ａ）はその平面図を、第１図（ロ）
は同図（旬のＡ−Ａにおける断面図をそれぞれ示してい
る。第１図において、（１）はＧａＡｓ結晶基板、（２
）はｐ形のＧａ、−ｙＡｊｙＡｉエビタキシャル層、（
３）はＧａ １ ＋ ｙ人ノｙＡｓクラッド層、（４）
はＧａ １−ｘムｌ ｘＡｓ活性層、（５）はＧａ１−
、ＡＪｙＡｓクラッド層、（６）はＧａＡｓコンタクト
層であり、符号Ｘ、７はｋｌ含有率を示し、これらはｙ
＞ｘとなっている。
なお、ｐ形Ｇａ １ ＋ ｙＡｌｙＡｓ エピタキシャ
ル層（２）を除いて前記ＧａＡｓ結晶基板（１）、クラ
ッド層（３）、活性層（４）、クラッド層（５）および
コンタクト層（６）はｎ形のエピタキシャル層からなる
。コンタクト層（６）の中央部は図示するように一部が
取り除かれている。そして、図示する左側の斜線を施し
た部分はＺｎ等のｐ形不純物を拡散して形成されたｐ形
拡散領域であって、符号（９）で示された領域は比較的
キャリア濃度の低いｐ膨拡散層、符号Ｑｌで示された領
域はｐ膨拡散層（９）に比べて濃度の高いｐ＋形拡散層
である。前記活性層（４）内でｐ膨拡散層（９）に相当
する郁夛の屈折率は両側のｐ＋形拡散層やｎ形層の屈折
率よりも大きな値を有し、この部分が光のガイドとなっ
ている。（７）、（６）は金属電極であり、（２１）は
ｐ膨拡散層（９）によって活性層（４）に形成されるｐ
−ｎ接合、Ｃ１１）および（２）はＧａＡｓ結晶基板（
１）と上記エピタキシャル層とで形成される平行な一対
の側面に形成された共振器端面である。
ル層（２）を除いて前記ＧａＡｓ結晶基板（１）、クラ
ッド層（３）、活性層（４）、クラッド層（５）および
コンタクト層（６）はｎ形のエピタキシャル層からなる
。コンタクト層（６）の中央部は図示するように一部が
取り除かれている。そして、図示する左側の斜線を施し
た部分はＺｎ等のｐ形不純物を拡散して形成されたｐ形
拡散領域であって、符号（９）で示された領域は比較的
キャリア濃度の低いｐ膨拡散層、符号Ｑｌで示された領
域はｐ膨拡散層（９）に比べて濃度の高いｐ＋形拡散層
である。前記活性層（４）内でｐ膨拡散層（９）に相当
する郁夛の屈折率は両側のｐ＋形拡散層やｎ形層の屈折
率よりも大きな値を有し、この部分が光のガイドとなっ
ている。（７）、（６）は金属電極であり、（２１）は
ｐ膨拡散層（９）によって活性層（４）に形成されるｐ
−ｎ接合、Ｃ１１）および（２）はＧａＡｓ結晶基板（
１）と上記エピタキシャル層とで形成される平行な一対
の側面に形成された共振器端面である。
ここで、電極（７）と（８）間に順方向電圧を加えたと
きはまず第１図伽）においてｐ −ｎ接合ｃ！Ｄにはそ
の全体に電圧がかかる。しかし、活性層（４）のバンド
ギャップはクラッド層（３１，クラッド−（５）のバン
ドギャップよりも狭い０で、電流は図示する矢印の実線
のように活性層（４）内を優先して流れる（実際には各
層に゛形成されるｐ −ｎ接合での拡散電圧を比較しな
ければならないが、通常拡散電位はバンドギャップにほ
ぼ等しい）。このとき、ｐ ”接合（２１）はＧａＡｓ
結晶基板（１）内に貫通しているが（Ｘこのバンドギャ
ップは活性層のバンドギャップよりも狭い）、ｐ形Ｇａ
１−、ＡＪｙＡｓ エピタキシャル層（２）が存在する
ため、ＧａＡ＠結晶基板（１）には蜜、流が流れ込まな
い。
きはまず第１図伽）においてｐ −ｎ接合ｃ！Ｄにはそ
の全体に電圧がかかる。しかし、活性層（４）のバンド
ギャップはクラッド層（３１，クラッド−（５）のバン
ドギャップよりも狭い０で、電流は図示する矢印の実線
のように活性層（４）内を優先して流れる（実際には各
層に゛形成されるｐ −ｎ接合での拡散電圧を比較しな
ければならないが、通常拡散電位はバンドギャップにほ
ぼ等しい）。このとき、ｐ ”接合（２１）はＧａＡｓ
結晶基板（１）内に貫通しているが（Ｘこのバンドギャ
ップは活性層のバンドギャップよりも狭い）、ｐ形Ｇａ
１−、ＡＪｙＡｓ エピタキシャル層（２）が存在する
ため、ＧａＡ＠結晶基板（１）には蜜、流が流れ込まな
い。
つぎに、第１図（ａ）における電流の流れについて述べ
ると、電極（７） 、 （８）間に順方向電圧が加えら
れたとき、ｐ−ｎ接合（２１）の全体に均一な電圧が印
加されるため、このｐ−ｓｓ １ｍ合Ｑ１の全体には一
方の端面Ｇ１）から他方の端面田にわたって均一な電流
が図示する矢印の実線のように流れる。ただし、実際に
は第１図の）に示したように電流は紙面よりも下にある
活性層（４３内に形成されたｐ −ｎ接合（２］）を横
切るように流れる。
ると、電極（７） 、 （８）間に順方向電圧が加えら
れたとき、ｐ−ｎ接合（２１）の全体に均一な電圧が印
加されるため、このｐ−ｓｓ １ｍ合Ｑ１の全体には一
方の端面Ｇ１）から他方の端面田にわたって均一な電流
が図示する矢印の実線のように流れる。ただし、実際に
は第１図の）に示したように電流は紙面よりも下にある
活性層（４３内に形成されたｐ −ｎ接合（２］）を横
切るように流れる。
しかし、第１図に示した従来の構造の半導体レーザでは
％Ｉ）−ｎ接合の一方の端面から他方の端面までほぼ均
一な電流が流れるため、温度分布も第３図（！１）の実
線に示すように均一になっている。
％Ｉ）−ｎ接合の一方の端面から他方の端面までほぼ均
一な電流が流れるため、温度分布も第３図（！１）の実
線に示すように均一になっている。
一方、バンドギャップは温度に依存し、温度が高ければ
狭くなり、逆に低くなれば広くなる。したがって、この
バンドギャップも第３図（ｂ）の実線に示したようにほ
ぼ一定となっている。ところで、ｐ−ａｍ！ｍ通合で発
生した光は端面で反射を繰り返しながらガイド内を往復
するが、最終的には端面から外部に放出されるか、ある
いはガイド内で吸収される。仁のとき、吸収される場合
にはバンドギャップの狭いところでその確率が高くなる
。
狭くなり、逆に低くなれば広くなる。したがって、この
バンドギャップも第３図（ｂ）の実線に示したようにほ
ぼ一定となっている。ところで、ｐ−ａｍ！ｍ通合で発
生した光は端面で反射を繰り返しながらガイド内を往復
するが、最終的には端面から外部に放出されるか、ある
いはガイド内で吸収される。仁のとき、吸収される場合
にはバンドギャップの狭いところでその確率が高くなる
。
したがって、上記した従来の構造では、第３図（ａ）お
よび争）に示したように、温度が一方の端面から他方の
端面までほぼ一定であり、バンドギャップもそれに対応
してゆぼ一定であるから、光の吸収は中央部でも端面付
近でも同じ割合で起ると考えられる。しかし、実際には
、結晶表面に存在する深い再結合中心（ｑ＃に酸素など
は結晶表面に侵入し深い再結合中心を形成すると考えら
れている）が端面付近での光の吸収の割合を増加させて
いる。
よび争）に示したように、温度が一方の端面から他方の
端面までほぼ一定であり、バンドギャップもそれに対応
してゆぼ一定であるから、光の吸収は中央部でも端面付
近でも同じ割合で起ると考えられる。しかし、実際には
、結晶表面に存在する深い再結合中心（ｑ＃に酸素など
は結晶表面に侵入し深い再結合中心を形成すると考えら
れている）が端面付近での光の吸収の割合を増加させて
いる。
このため、第１図に示した従来構造では実際にはこの光
の吸収により端面付近の温度を上昇させている。第３図
（ａ）にはこの現象による温度上昇分を破線で示してい
る。端面付近で温度が上昇すれば、これにより端面付近
のバンドギャップが第３図・（ロ）の破Ｃ示すように狭
くなる。すると、この部分がまた光を吸収しやすくなる
。したがって、光の吸収→温度上昇→バンドギャップの
減少→光の吸収という叶イクルを繰り返すことにより、
実際には端面付近の温度は非常に高くなっている。特に
電流を増やして大きな出力を出そうとする際にはこの温
度上昇が端間の結晶性を破壊してしまうことになり、大
きな出力を取り出すことが困難であつた。また、一般に
発光効率は温度が高くなると減少することから、上記し
た従来のもの分ように端面付近で温度が高くなると、端
面付近の発光効率が悪くなり、全体としての発光効率が
低下するという欠点があった。
の吸収により端面付近の温度を上昇させている。第３図
（ａ）にはこの現象による温度上昇分を破線で示してい
る。端面付近で温度が上昇すれば、これにより端面付近
のバンドギャップが第３図・（ロ）の破Ｃ示すように狭
くなる。すると、この部分がまた光を吸収しやすくなる
。したがって、光の吸収→温度上昇→バンドギャップの
減少→光の吸収という叶イクルを繰り返すことにより、
実際には端面付近の温度は非常に高くなっている。特に
電流を増やして大きな出力を出そうとする際にはこの温
度上昇が端間の結晶性を破壊してしまうことになり、大
きな出力を取り出すことが困難であつた。また、一般に
発光効率は温度が高くなると減少することから、上記し
た従来のもの分ように端面付近で温度が高くなると、端
面付近の発光効率が悪くなり、全体としての発光効率が
低下するという欠点があった。
本発明はこのような従来の欠点に鑑みなされたもので、
その目的は半導体レーザの高出力化、しきい値電流の低
減化を可能にした半導体レーザを提供することにある。
その目的は半導体レーザの高出力化、しきい値電流の低
減化を可能にした半導体レーザを提供することにある。
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第２図は本発明による半導体レーザの一実施例を示すも
のであり、＄２図（ａ）はその平面図、第２図伽）は同
図（ａ）のＢ−Ｂにおける断面図、第２図（Ｃ）は同図
（ａ）のＣ−Ｃにおける断面図をそれぞれ示し、第２図
において第１図と同一符号は同一部分を示している。こ
の実施例の半導体レーザは、ｐ膨拡散層（９）内に第１
のｐ＋形拡散層翰を形成している点は第１図に示した従
来の半導体レーザと同様であるが、電極（７）からｐ
−ｎ接合Ｑ１）にいたるまでの付加抵抗を低減させるた
めに前記第１のｐ＋形拡濃度の高い第２のｐ＋形拡散層
伍υを形成している。
のであり、＄２図（ａ）はその平面図、第２図伽）は同
図（ａ）のＢ−Ｂにおける断面図、第２図（Ｃ）は同図
（ａ）のＣ−Ｃにおける断面図をそれぞれ示し、第２図
において第１図と同一符号は同一部分を示している。こ
の実施例の半導体レーザは、ｐ膨拡散層（９）内に第１
のｐ＋形拡散層翰を形成している点は第１図に示した従
来の半導体レーザと同様であるが、電極（７）からｐ
−ｎ接合Ｑ１）にいたるまでの付加抵抗を低減させるた
めに前記第１のｐ＋形拡濃度の高い第２のｐ＋形拡散層
伍υを形成している。
この場合、第２のｐ＋形拡散層αυは、一方の端面Ｃ１
１）よりも内部に入り込んだ位置よりはじまり、他方の
端面（至）よりも内部に入り込んだ位置で終わるように
なっている。
１）よりも内部に入り込んだ位置よりはじまり、他方の
端面（至）よりも内部に入り込んだ位置で終わるように
なっている。
このように上記実施例の構造によると、第２のｐ＋形拡
散層ａυが第２図（１）に示すように、一方の端面Ｃ３
１）より′も少し内部に入り込んだ位置からはじまり他
方の端面（至）よりも少し内部に入り込んだ位置で終っ
ており、これら端面６υ＃（至）の付近では第２のｐ＋
形拡散層ａυが存在しない。したがって、この部分では
電極（７）からｐ−ｎ接合（２１）にいたるまでの電流
経路の付加抵抗が第２のｐ＋形拡散層住υの存在する領
域よりも大きくなっている。そのため、上記実施例の構
造では、両端面Ｇυ、（２）付近における電流が中央部
よりも減少し、中央部に電流が集中することになる。こ
の様子を第２図（ａ）に示す矢印の実線で示している。
散層ａυが第２図（１）に示すように、一方の端面Ｃ３
１）より′も少し内部に入り込んだ位置からはじまり他
方の端面（至）よりも少し内部に入り込んだ位置で終っ
ており、これら端面６υ＃（至）の付近では第２のｐ＋
形拡散層ａυが存在しない。したがって、この部分では
電極（７）からｐ−ｎ接合（２１）にいたるまでの電流
経路の付加抵抗が第２のｐ＋形拡散層住υの存在する領
域よりも大きくなっている。そのため、上記実施例の構
造では、両端面Ｇυ、（２）付近における電流が中央部
よりも減少し、中央部に電流が集中することになる。こ
の様子を第２図（ａ）に示す矢印の実線で示している。
ただし、実際には第１図の場合と同様に電流は紙面より
も下にある活性層（４）内に形成されるｐ −ｎ接合（
２１）を横切るように流れる。
も下にある活性層（４）内に形成されるｐ −ｎ接合（
２１）を横切るように流れる。
すなわち、第１図に示した従来構造の半導体レーザでは
、温度が一方の端面から他方の端面までほぼ一定であり
、バンドギャップもそれに対応してほぼ一定であるから
、光の吸収は中央部でも端面付゛近でも同じ割合で起る
が、実際には上述したように結晶表面に存在する深い再
結合中心が端面付近での光の吸収の割合を増加させてい
る。このため、光の吸収により端面付近の温度が上昇し
、この温度上昇分は第３図（ａ）の破線で示すようにな
り、端面付近で温度が上昇すれば端面付近のバンドギャ
ップが第３図〜）の破線で示すように狭くなる。すると
、この部分が光を吸収しやすくなるため、光の吸収→温
度上昇→バンドギャップの減少→光の吸収というサイク
ルを繰り返すことにより、実際には端面近くの温度は非
常に高くなり、特に電流を増やして大きな出力を取り出
す場合にはこの温度上昇が板間の結晶性を破壊してしま
う原因となっていた。
、温度が一方の端面から他方の端面までほぼ一定であり
、バンドギャップもそれに対応してほぼ一定であるから
、光の吸収は中央部でも端面付゛近でも同じ割合で起る
が、実際には上述したように結晶表面に存在する深い再
結合中心が端面付近での光の吸収の割合を増加させてい
る。このため、光の吸収により端面付近の温度が上昇し
、この温度上昇分は第３図（ａ）の破線で示すようにな
り、端面付近で温度が上昇すれば端面付近のバンドギャ
ップが第３図〜）の破線で示すように狭くなる。すると
、この部分が光を吸収しやすくなるため、光の吸収→温
度上昇→バンドギャップの減少→光の吸収というサイク
ルを繰り返すことにより、実際には端面近くの温度は非
常に高くなり、特に電流を増やして大きな出力を取り出
す場合にはこの温度上昇が板間の結晶性を破壊してしま
う原因となっていた。
これに対し、上記実施例の半導体レーザでは、電流が中
央部に集中しているため、第４図（１）の実線に示すよ
うに中央部の温度が端面付近に比べて高くなり、またこ
の部分のバンドギャップが第４図（ロ）の実線に示すよ
うに狭くなるとともに、両端面付近のバンドギャップが
中央部に比べて広くなる、したがって、光は主に中央部
で吸収され、端面付近では吸収されにくくなる。しかし
、実際には上述したように、表面に形成される再結合中
心によって端面付近の温度上昇およびバンドギャップの
減少が起る。この表面にふける影響を第４図（ａ）およ
び（ロ）に破線で示している。この図から明らかなよう
に、本発明による半導体レーザでは、光の吸収および温
度上昇が中央部と両端とに分散され、従来構造のような
局所的な破壊（端面破壊）が起きにくくなるので、大き
な出力を取り出すことができる。
央部に集中しているため、第４図（１）の実線に示すよ
うに中央部の温度が端面付近に比べて高くなり、またこ
の部分のバンドギャップが第４図（ロ）の実線に示すよ
うに狭くなるとともに、両端面付近のバンドギャップが
中央部に比べて広くなる、したがって、光は主に中央部
で吸収され、端面付近では吸収されにくくなる。しかし
、実際には上述したように、表面に形成される再結合中
心によって端面付近の温度上昇およびバンドギャップの
減少が起る。この表面にふける影響を第４図（ａ）およ
び（ロ）に破線で示している。この図から明らかなよう
に、本発明による半導体レーザでは、光の吸収および温
度上昇が中央部と両端とに分散され、従来構造のような
局所的な破壊（端面破壊）が起きにくくなるので、大き
な出力を取り出すことができる。
さらに、第１図に示した従来のものでは、端面付近の温
度が高くなるため、端面付近における発光効率が悪くな
るとともに、温度の高いところに余計に電流が集中しや
すくなり、したがって、発光効率の悪くなっている端面
付近に多くの電流が流れ込むことになる。これに対し、
本発明では、従来のものに比べて温度分布が平均化され
ているため、局所的に発光効率の悪い部分がなくなり、
全体として発光効率が良好でしかもしきい値電流の小さ
い半導体レーザな得ることができる。
度が高くなるため、端面付近における発光効率が悪くな
るとともに、温度の高いところに余計に電流が集中しや
すくなり、したがって、発光効率の悪くなっている端面
付近に多くの電流が流れ込むことになる。これに対し、
本発明では、従来のものに比べて温度分布が平均化され
ているため、局所的に発光効率の悪い部分がなくなり、
全体として発光効率が良好でしかもしきい値電流の小さ
い半導体レーザな得ることができる。
以上説明したように本発明によれば、ＴＪＳ構造の半導
体レーザにおいて電流が端面よりも中央部に集中するよ
うに中央部にｐ＋形拡散層を設けることにより、温度分
布が平均化されるため、大きな出力を取り出すことがで
きるとともに、しきいｆＬ電流の低減をはかることがで
きる効果がある。
体レーザにおいて電流が端面よりも中央部に集中するよ
うに中央部にｐ＋形拡散層を設けることにより、温度分
布が平均化されるため、大きな出力を取り出すことがで
きるとともに、しきいｆＬ電流の低減をはかることがで
きる効果がある。
第１図（ａ）およびΦ）は従来の半導体レーザの一例を
示す平面図および同図（！１）のＡ−Ａにおける断面図
、第２図は本発明による半導体レーザの一実施例を示す
ものであって、第２図（ａ）はその平面図、第２図（ｂ
）は同図（ａ）のＢ−Ｂにおける断面図、第２図（Ｃ）
は同図（ａ）Ｑ） Ｃ−Ｃにおける断面図である。第３
図（ａ）およびΦ）は第１図に示す半導体レーザのガイ
ドに泊っての温度分布およびそれに伴なうバンドギ“ヤ
ツプの変化を示す図、第４図（ａ）および伽）は第２図
に示す半導体レーザのガイドに沿っての温度分布および
それに伴なうバンドギャップの変化を示す図である。 ＋１） ＠ １１１１ ＊ ＧａＡｓ ｉｈ晶基板、（
２）−” ” ” Ｉ）’形−Ｇａｌ−ｙＡＡｙＡｓエ
ピタキシャル層、’（３１−−−−Ｇａ □−ｙＡｌ
ｙＡａクラッド層、（４） ＠ ＠ ＠ １１ Ｇａｌ
−１ＡｊＸＡｓ活性層、（５１＠ １１ ＠ ＠ Ｇａ
、−ｙＡＡ！ｙＡｓクラッド層、（６ｉ拳ａｓｓＧａＡ
＠コｙタクト層％ （７１，（８１−−、。 金属電極、（９）・・・・ｐ形拡散領域、翰・・・・第
１のｐ＋形拡散領域、αυ・・・・第２のｐ＋形拡拡散
域、１２１Ｊ・・・・ｐ −ｎ接合、ＣＩ旬、（２）・
・・・端面。 代理人 葛野信 −（外１名） 第１ＩＩ 第２図
示す平面図および同図（！１）のＡ−Ａにおける断面図
、第２図は本発明による半導体レーザの一実施例を示す
ものであって、第２図（ａ）はその平面図、第２図（ｂ
）は同図（ａ）のＢ−Ｂにおける断面図、第２図（Ｃ）
は同図（ａ）Ｑ） Ｃ−Ｃにおける断面図である。第３
図（ａ）およびΦ）は第１図に示す半導体レーザのガイ
ドに泊っての温度分布およびそれに伴なうバンドギ“ヤ
ツプの変化を示す図、第４図（ａ）および伽）は第２図
に示す半導体レーザのガイドに沿っての温度分布および
それに伴なうバンドギャップの変化を示す図である。 ＋１） ＠ １１１１ ＊ ＧａＡｓ ｉｈ晶基板、（
２）−” ” ” Ｉ）’形−Ｇａｌ−ｙＡＡｙＡｓエ
ピタキシャル層、’（３１−−−−Ｇａ □−ｙＡｌ
ｙＡａクラッド層、（４） ＠ ＠ ＠ １１ Ｇａｌ
−１ＡｊＸＡｓ活性層、（５１＠ １１ ＠ ＠ Ｇａ
、−ｙＡＡ！ｙＡｓクラッド層、（６ｉ拳ａｓｓＧａＡ
＠コｙタクト層％ （７１，（８１−−、。 金属電極、（９）・・・・ｐ形拡散領域、翰・・・・第
１のｐ＋形拡散領域、αυ・・・・第２のｐ＋形拡拡散
域、１２１Ｊ・・・・ｐ −ｎ接合、ＣＩ旬、（２）・
・・・端面。 代理人 葛野信 −（外１名） 第１ＩＩ 第２図
Claims (1)
- ＧａＡｓ結晶基板と、該ＧａＡｓ結晶基板の一方の主面
上に形成された少なくとも第１のｎ形りラッド層、ｎ形
活性層、第２のｎ形りラッド層の３層を含むＧａ、−ｘ
ＡｊｘＡｓ系（０≦Ｘ＜１）の多層エピタキシャル層と
からなり、前記多層エピタキシャル層と前記ＧａＡｓ結
晶基板とで形成される平行な一対の側面を共振器端面と
なし、前記多層エピタキシャル層表面側より骸多層エピ
タキシャル層の一部にはｐ形の不純物を少な（とも前記
活性層よりも深く拡散して形成された第１のｐ形拡散領
域を設け、該第１のｐ形拡散領域が前記活性層内に形成
するｐ −ｎ接合は前記共振器端面に直交してその一方
の共振器端面から他方の共振器端面まで達してなり、さ
らに前記第１のｐ形拡散領域内には該第１のｐ形拡散領
域より高いキャリア濃度を有しかつ少なくとも前記活性
層よりも深い位置まで達して形成された第２のｐ形拡散
領域を設け、該第２のｐ形拡散領域と前記第１のｐ形拡
散領域が前記活性層内で形成する境界面は前記共振器端
面に直交してその一方の共振器端面から他方の共振器端
面まで達してなる構造を有する半導体レーザにおいて、
前記第２のｐ形拡散領域内に該第２のｐ形拡散領域より
も高いキャリア濃度を有して形成された第３のｐ形拡散
領域を設け、該第３のｐ形拡散領域は一方の共振器端面
よりも内部に入り込んだ位置よりはじまって他方の共振
器端面よりも内部に入り込んだ位置で終わってなること
を特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10404281A JPS584995A (ja) | 1981-07-01 | 1981-07-01 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10404281A JPS584995A (ja) | 1981-07-01 | 1981-07-01 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS584995A true JPS584995A (ja) | 1983-01-12 |
Family
ID=14370158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10404281A Pending JPS584995A (ja) | 1981-07-01 | 1981-07-01 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS584995A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6411391A (en) * | 1987-07-06 | 1989-01-13 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd | Optical semiconductor element |
-
1981
- 1981-07-01 JP JP10404281A patent/JPS584995A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6411391A (en) * | 1987-07-06 | 1989-01-13 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd | Optical semiconductor element |
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