JPS5850486A - 放射線検出器 - Google Patents
放射線検出器Info
- Publication number
- JPS5850486A JPS5850486A JP56149861A JP14986181A JPS5850486A JP S5850486 A JPS5850486 A JP S5850486A JP 56149861 A JP56149861 A JP 56149861A JP 14986181 A JP14986181 A JP 14986181A JP S5850486 A JPS5850486 A JP S5850486A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- electrode plate
- detection
- electrode plates
- signal detection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J47/00—Tubes for determining the presence, intensity, density or energy of radiation or particles
- H01J47/02—Ionisation chambers
Landscapes
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は放射線断層撮影装置に用いる放射線検出器の改
良に関するものである。1 放射線断層撮影装置の一つとしてコンビ5.−タートモ
グラフ4 (Computerized Tomogr
aphy:以下、CT装置と略称する)と呼ばする装置
Uがある。この装置は第1図に示す如く例えば扁平なフ
ァンビームX線FXをパルス的に曝射するXk源Jと、
このX線を検出する被数の放射線検出セルを並設して成
る放射線検出器2とを被写体3を介して対峙させ、且つ
これらX&!源1及び放射線検出器2を前記被写体3を
中心に互いに同方向に同一角速度で回転移動させ、被写
体3の断面の種々の方向に対するX線吸収データを収集
する。そして、十分なデータを収集し7た後、このデー
タを電子計算機で解析し、被写体断面個々の位置に対す
るX線吸収率を舞出してその吸収率に応じた階調度で前
記被写体断面を再構成するようにしたもので、組成に応
じて2000段階にも及ぶ階調度で分析できく)ので、
軟質組織から硬質組織に至る1で明確な断層像が得られ
る。
良に関するものである。1 放射線断層撮影装置の一つとしてコンビ5.−タートモ
グラフ4 (Computerized Tomogr
aphy:以下、CT装置と略称する)と呼ばする装置
Uがある。この装置は第1図に示す如く例えば扁平なフ
ァンビームX線FXをパルス的に曝射するXk源Jと、
このX線を検出する被数の放射線検出セルを並設して成
る放射線検出器2とを被写体3を介して対峙させ、且つ
これらX&!源1及び放射線検出器2を前記被写体3を
中心に互いに同方向に同一角速度で回転移動させ、被写
体3の断面の種々の方向に対するX線吸収データを収集
する。そして、十分なデータを収集し7た後、このデー
タを電子計算機で解析し、被写体断面個々の位置に対す
るX線吸収率を舞出してその吸収率に応じた階調度で前
記被写体断面を再構成するようにしたもので、組成に応
じて2000段階にも及ぶ階調度で分析できく)ので、
軟質組織から硬質組織に至る1で明確な断層像が得られ
る。
ところで、前記放射線検出器2は被写体3の断面を透過
したX線のエネ/I/ギを電離電流とj7て検出し、こ
れをX線吸収データとして出力する。
したX線のエネ/I/ギを電離電流とj7て検出し、こ
れをX線吸収データとして出力する。
即ち、このX線吸収j′−夕の収集にあたっては電離槽
を構成する各放射線検出セルとX@源とを結ぶ線上(こ
れをX線ノクスと云う)を透過して来たX線のエネルギ
を電離′低流として検出してこれを所定の時間、積分し
、その積分値を所定の時定数の放電回路にて放電し、そ
の放電時間値をX線吸収データとするものである。
を構成する各放射線検出セルとX@源とを結ぶ線上(こ
れをX線ノクスと云う)を透過して来たX線のエネルギ
を電離′低流として検出してこれを所定の時間、積分し
、その積分値を所定の時定数の放電回路にて放電し、そ
の放電時間値をX線吸収データとするものである。
一つの方向からのX線パスに対するデータ収集が終ると
次の方向に対するX線・ぐスのデータ収集に移ってゆく
が、この間に前回のX線・9スによる電離電流や積分値
の放電等が完全に消滅。
次の方向に対するX線・ぐスのデータ収集に移ってゆく
が、この間に前回のX線・9スによる電離電流や積分値
の放電等が完全に消滅。
終了していなければ次のデータ収集に誤差となって表わ
れてくる。
れてくる。
即ち、X線ビームの曝射繰り返し周期は一般に放射線検
出器のこれら回復時間によシ制限を受けることになる。
出器のこれら回復時間によシ制限を受けることになる。
これは断層面一枚当シのデータ収集時間(即ち、撮影時
間)に大きな影響を及ばず要因であり、撮影時間の短縮
を求められる今日、出来る限シこれを短縮し7なけれt
すならない。
間)に大きな影響を及ばず要因であり、撮影時間の短縮
を求められる今日、出来る限シこれを短縮し7なけれt
すならない。
また、杓構成画像の分解能は放射1v横出器の持つ感度
、分解能で定゛二・るため、侵れたC 1’装置を傅る
ためには速い回復時間、高感度、高分解能の放射線検出
器を使用し力けれし]々らない。
、分解能で定゛二・るため、侵れたC 1’装置を傅る
ためには速い回復時間、高感度、高分解能の放射線検出
器を使用し力けれし]々らない。
優れた空間分解能を南するためには、各々の放射線検出
セルを構成する箪椿徐が於1・1線検出セル列の全長V
(=わたって互いに近接し、[1つ一様に自己設される
ことが望ましい。捷だ、CT装置に使用される放射&I
検出器はナノアンペア(nA) オーダと云う非常に
微弱な電流を信号として検出するものであるから□ti
k間の漏洩電流には十分注意する必要がlしる。
セルを構成する箪椿徐が於1・1線検出セル列の全長V
(=わたって互いに近接し、[1つ一様に自己設される
ことが望ましい。捷だ、CT装置に使用される放射&I
検出器はナノアンペア(nA) オーダと云う非常に
微弱な電流を信号として検出するものであるから□ti
k間の漏洩電流には十分注意する必要がlしる。
本発明は上記事情に鋲みてなされたもので、高圧用及び
イ=号検出用の′電極板を所定間隔をおいて多数枚、交
互に配設し、信号検出用電極板よシそれぞれ検出信号を
得ることにより、空間位置分解能を持たせた放射線検出
器において、前記電極板の端部を挿入する溝を複数本形
成1−た絶縁性のサポ゛−トを用い、この溝に前記電極
板を挿入し、保持させると共に前記信号検出用の電極板
には前記サポート側1i4i部分にプラズマ重合法(・
′こよ#)極めて薄く精度の良いミクロンオーダの絶縁
薄膜及び、その上に同様に導電性物質の薄膜を形成し、
この導体を接地して用いるようにすることによシ漏洩電
流による検出信号への影響を防ぎ、また前記加工法によ
シ極めて高い均一性の薄膜を構成できることによる高精
度で品質の良い検出素子群が形成できるため検出器特性
として重要な素子間のエネルギ特性の揃った、また感度
偏差等の小さい高感度、高分解能化を図った放射線検出
器を提供することを目的とする。
イ=号検出用の′電極板を所定間隔をおいて多数枚、交
互に配設し、信号検出用電極板よシそれぞれ検出信号を
得ることにより、空間位置分解能を持たせた放射線検出
器において、前記電極板の端部を挿入する溝を複数本形
成1−た絶縁性のサポ゛−トを用い、この溝に前記電極
板を挿入し、保持させると共に前記信号検出用の電極板
には前記サポート側1i4i部分にプラズマ重合法(・
′こよ#)極めて薄く精度の良いミクロンオーダの絶縁
薄膜及び、その上に同様に導電性物質の薄膜を形成し、
この導体を接地して用いるようにすることによシ漏洩電
流による検出信号への影響を防ぎ、また前記加工法によ
シ極めて高い均一性の薄膜を構成できることによる高精
度で品質の良い検出素子群が形成できるため検出器特性
として重要な素子間のエネルギ特性の揃った、また感度
偏差等の小さい高感度、高分解能化を図った放射線検出
器を提供することを目的とする。
以下、本発明の一実施例について第2図〜第14図を参
照しながら説明する。
照しながら説明する。
前述したように放射線検出器は被写体を介してX線源に
対峙させて配置されている。
対峙させて配置されている。
5−
この対峙されて配置されたXi源、放射線検出器は被写
体を中心にその周囲を任意時間で回転させなからX、@
ビームをパルス状に陽射させる。X線ビームは拡がシ角
θの扇形を成して拡がシながら、被写体断面を透過する
。そして、このXtj!ビームは放射線検出セル列に入
射し、そのエネルギに対応してINL離する。これによ
シxHビームの最先端における光子強度が入射した放射
線検出セルの電極板によって電離電流と云う形で検出さ
れ、且つ空間的に識別される。
体を中心にその周囲を任意時間で回転させなからX、@
ビームをパルス状に陽射させる。X線ビームは拡がシ角
θの扇形を成して拡がシながら、被写体断面を透過する
。そして、このXtj!ビームは放射線検出セル列に入
射し、そのエネルギに対応してINL離する。これによ
シxHビームの最先端における光子強度が入射した放射
線検出セルの電極板によって電離電流と云う形で検出さ
れ、且つ空間的に識別される。
前述の通シ、優れた空間分解能を得るためには各々の放
射線検出セル列を構成する電極板を互いに近接させてX
i−パス数を増大させ・ (−7:かも、このX線A’
スの幅が一様となるようピッチを一定にして配置させる
ことが望ましい。
射線検出セル列を構成する電極板を互いに近接させてX
i−パス数を増大させ・ (−7:かも、このX線A’
スの幅が一様となるようピッチを一定にして配置させる
ことが望ましい。
この状態を得るために本発明においては絶縁物質(例え
ばセラミック、がラス叫)の上に微小ピッチの溝を形成
し、その溝に沿って高圧電極板及び側部に絶縁体物質と
導電体物質の二層の重合被膜を有する信号電極板を挿入
すること=6− によシミ極板の配設ピッチ精度を出し易くしである。
ばセラミック、がラス叫)の上に微小ピッチの溝を形成
し、その溝に沿って高圧電極板及び側部に絶縁体物質と
導電体物質の二層の重合被膜を有する信号電極板を挿入
すること=6− によシミ極板の配設ピッチ精度を出し易くしである。
以下 順を追って本発明の一実施例を説明する。
第2図は本装置の構成を示す斜視図であり、図中4は電
極群その他を情う円弧状箱形のケース、5はこのケース
4の開口面側を閉塞し、電極群その他を搭載する蓋であ
る。
極群その他を情う円弧状箱形のケース、5はこのケース
4の開口面側を閉塞し、電極群その他を搭載する蓋であ
る。
これらケース4及び蓋5は内部に充填される高圧ガスに
対して十分の強度及び気密を保持するため、ボルト締め
される。この放射線検出器はファンビームX線FXの拡
がシ角θに対応してその入射面側4aの入射部4bを薄
くして十分にX線の入射が行なわれるようにしである。
対して十分の強度及び気密を保持するため、ボルト締め
される。この放射線検出器はファンビームX線FXの拡
がシ角θに対応してその入射面側4aの入射部4bを薄
くして十分にX線の入射が行なわれるようにしである。
第3図はこの放射線検出器の平面図、第4図はその正面
図であり、ファンアングル(ファンビームX線の拡がシ
角)θのX線は紙面に垂直に上側から入射することにな
る。
図であり、ファンアングル(ファンビームX線の拡がシ
角)θのX線は紙面に垂直に上側から入射することにな
る。
第5図は第3図A−A矢示断面図である。
図かられかるように本体4内は空洞となっておシ、最終
的にはここに電極素子群が配設されることになる。また
、X線の入射部4bは肉厚を薄くして透過X線量が多く
なるようにしである。
的にはここに電極素子群が配設されることになる。また
、X線の入射部4bは肉厚を薄くして透過X線量が多く
なるようにしである。
第6図はケース4内に市;枯ッ板6,7がいかに配置さ
れるかを示す図であシ、対向する一対の電極板6から7
部分にて つの放射線検出セルを構成している。
れるかを示す図であシ、対向する一対の電極板6から7
部分にて つの放射線検出セルを構成している。
実際には電極群はケース4を閉塞する蓋側に取シ付けら
tする。
tする。
第7図はほぼ方形に形成された金入などの抑型材料によ
る板状の高圧印加用(例えば!i 00〜1oooV)
の’it &板6であシ、6aは一辺に突設されたタブ
である。このタブGaFiJ際に高圧電圧を導く高圧線
に接続するためのものである。
る板状の高圧印加用(例えば!i 00〜1oooV)
の’it &板6であシ、6aは一辺に突設されたタブ
である。このタブGaFiJ際に高圧電圧を導く高圧線
に接続するためのものである。
第8図は電離′電流を検出する信号検出用の電極板7の
素板を示すものである。図に示す如く素板は金属などの
導電制料による方形板状のもので、−側辺には三つのタ
ブ7a、7b、7a’が突設されている。これらの内タ
ブ7 a 、 7 a’は両端にまた7bはその中間部
に設けられておシ、タブ7bは電離電流を抽出し、それ
をデータ処理系に送シ出すだめの配線タブ、7m、7a
’は高圧用の電極板6から信号検出用の′1し極板7に
流れ込む漏洩電流をアースに流し込むために利用するタ
ブである。尚タブ側が背面、タブのある側辺に対向する
辺が放射線の入射側即ち正面となシ、また残る二辺が溝
挿入部となる。
素板を示すものである。図に示す如く素板は金属などの
導電制料による方形板状のもので、−側辺には三つのタ
ブ7a、7b、7a’が突設されている。これらの内タ
ブ7 a 、 7 a’は両端にまた7bはその中間部
に設けられておシ、タブ7bは電離電流を抽出し、それ
をデータ処理系に送シ出すだめの配線タブ、7m、7a
’は高圧用の電極板6から信号検出用の′1し極板7に
流れ込む漏洩電流をアースに流し込むために利用するタ
ブである。尚タブ側が背面、タブのある側辺に対向する
辺が放射線の入射側即ち正面となシ、また残る二辺が溝
挿入部となる。
第9図は第8図の電極素板の両端の工ツノ(溝挿入部)
部分に所定幅でプラズマ重合法によシ絶縁性の物質によ
る絶縁薄膜7cを短冊状に生成させ、更にその上面に前
記絶縁薄膜7c狭 の幅よシやや幅fにプラズマ重合法により導電物質によ
る薄膜7dを生成させて形成した信号検出用の電極板で
ある。電極板7におけるこれら薄膜はミクロンオーダの
厚みであり、その幅は電極板を保持するためのサポート
の溝の深さよ杉やや幅広としである。
部分に所定幅でプラズマ重合法によシ絶縁性の物質によ
る絶縁薄膜7cを短冊状に生成させ、更にその上面に前
記絶縁薄膜7c狭 の幅よシやや幅fにプラズマ重合法により導電物質によ
る薄膜7dを生成させて形成した信号検出用の電極板で
ある。電極板7におけるこれら薄膜はミクロンオーダの
厚みであり、その幅は電極板を保持するためのサポート
の溝の深さよ杉やや幅広としである。
導電物質による薄膜7dは絶縁薄膜7c上に9−
あp1素板よシ絶縁されている。この薄膜7dはす、1
?−1の表面を通って高圧用の電極板6よシ流れ込む漏
洩電流の素板への流入を防止するガード電極としての役
割を果す。
?−1の表面を通って高圧用の電極板6よシ流れ込む漏
洩電流の素板への流入を防止するガード電極としての役
割を果す。
ここで、第1θ図、第11図を用いて前記ガードを極の
生成法につhて説明する。
生成法につhて説明する。
この方法は基板を電気的に浮かせておき、プラズマと基
板との相互作用により被膜を生成させる浮遊基板法と呼
ばれる方法である。この方法によると被膜を形成する基
板の材質は何でも良い。たたly 、被膜を付着させる
基板を電極として使用する場合にはその材質は導体に限
られる。
板との相互作用により被膜を生成させる浮遊基板法と呼
ばれる方法である。この方法によると被膜を形成する基
板の材質は何でも良い。たたly 、被膜を付着させる
基板を電極として使用する場合にはその材質は導体に限
られる。
以下、ゾラズマ、■膚1合法について説明する。
第10図、第11図において10は反応室であシ、この
反応室10は排気71?ン7°1ノが接続されていて、
この排気ボンダ11によシ反応室IQ内は10〜In
torr 程度まで排気され内部の不純ガスは取り除
かれる。このような反応室10内の後述するプラズマ発
生領域A内に10− 基板12が配設はれるが、基板12における被膜生成の
不要な部分には適宜な方法によりマスクし、被膜が付着
しないようにする。
反応室10は排気71?ン7°1ノが接続されていて、
この排気ボンダ11によシ反応室IQ内は10〜In
torr 程度まで排気され内部の不純ガスは取り除
かれる。このような反応室10内の後述するプラズマ発
生領域A内に10− 基板12が配設はれるが、基板12における被膜生成の
不要な部分には適宜な方法によりマスクし、被膜が付着
しないようにする。
マスクされた基板12は反応室10内に電気的に浮かせ
た状態でセツティングされる。反応室10には蒸発器1
3が接続きれており、この蒸発器13によシ付着物質(
モノマー)が蒸気化されて排気された反応室10内に送
り込まれる。また、反応室10には一対の電%14 、
15が設けられており、この電極14.15間に交流電
源16より高周波電圧(kHz = MHzオー〆)を
印加するとこれら電極14.15間で放電が開始式れる
。すると反応室10内の電極14.15間の空間Aはプ
ラズマ状態となる。プラズマ内では電子の温度がイオン
の温度よりも2〜3桁高いため、電子はイオンにくらべ
て極めて早い速度で飛び回っている。
た状態でセツティングされる。反応室10には蒸発器1
3が接続きれており、この蒸発器13によシ付着物質(
モノマー)が蒸気化されて排気された反応室10内に送
り込まれる。また、反応室10には一対の電%14 、
15が設けられており、この電極14.15間に交流電
源16より高周波電圧(kHz = MHzオー〆)を
印加するとこれら電極14.15間で放電が開始式れる
。すると反応室10内の電極14.15間の空間Aはプ
ラズマ状態となる。プラズマ内では電子の温度がイオン
の温度よりも2〜3桁高いため、電子はイオンにくらべ
て極めて早い速度で飛び回っている。
そこで、電気的に浮遊状態におる基板12がプラズマに
接すると基板12は主として電子の衝突を受けて負に帯
電し、プラズマよ9負電位になる。
接すると基板12は主として電子の衝突を受けて負に帯
電し、プラズマよ9負電位になる。
故にプラズマ中に置かれた基板12の近傍においては電
子は反発されて電子密度か下がり、イオンで包囲される
ことになる。これをイオン・シース(Ion 5eat
h)と呼ぶ。
子は反発されて電子密度か下がり、イオンで包囲される
ことになる。これをイオン・シース(Ion 5eat
h)と呼ぶ。
プラズマ内では熱拡散により運動していたイオンがイオ
ン・シースに加わり、次いで基板表面に達し、電子と再
結合して単址体にン′?シ、更に高分子(モノマー)化
する。
ン・シースに加わり、次いで基板表面に達し、電子と再
結合して単址体にン′?シ、更に高分子(モノマー)化
する。
例えば付着物質、即ちモノマーとしてI′i、誘電体絶
縁性物質では塩化アルミニ1゛ツム、スチし/ン。
縁性物質では塩化アルミニ1゛ツム、スチし/ン。
テトラートキシシラン、塩化ビニルなどがあシ、生成ポ
リマーとしては酸化アルミニウム、スチレン、酸化シリ
コンなどがある。酸化シリコン等は酸素との反応である
からO101mHg程度の酸素分圧を考慮しなければな
らない。
リマーとしては酸化アルミニウム、スチレン、酸化シリ
コンなどがある。酸化シリコン等は酸素との反応である
からO101mHg程度の酸素分圧を考慮しなければな
らない。
また、導電物質では銅、モリブデン、ニッケルなどによ
る薄膜生成が考えられる。この導電性物質の薄膜生成は
上述した方法と全く同様の手法により行なわれるが、か
かる方法のみならず、真空蒸着法によっても可能である
。
る薄膜生成が考えられる。この導電性物質の薄膜生成は
上述した方法と全く同様の手法により行なわれるが、か
かる方法のみならず、真空蒸着法によっても可能である
。
ポリマーの生成被膜速度は、種々の因子、例えば反応室
10内の圧力(真空度)、温度、交流電源周波数、電流
密度等により左右されるが、一般的には′vrn1 n
レベルでアル。
10内の圧力(真空度)、温度、交流電源周波数、電流
密度等により左右されるが、一般的には′vrn1 n
レベルでアル。
尚、第1θ図、第11図におけるノアは反応室1θ内の
真空度を測定するための真空計である。
真空度を測定するための真空計である。
第9図に示した信号検出用の電極板7はこのようにして
作られたものであり、導電性物質によ多形成された薄膜
7dに対し、前記タブ7a。
作られたものであり、導電性物質によ多形成された薄膜
7dに対し、前記タブ7a。
7 a/の位置にてリード線を接続し、これを接地する
ことで高電圧用の電極板6からの漏洩電流の電極板7に
対する流入を抑制することができる。
ことで高電圧用の電極板6からの漏洩電流の電極板7に
対する流入を抑制することができる。
尚、第10図のものが基板1個に対する生成を示すもの
であるのに対し、第11図は複数個の生成の場合を示し
ている。
であるのに対し、第11図は複数個の生成の場合を示し
ている。
このようにして形成した信号検出用の電極板7と前述の
面圧用の電極板6を複数枚用意し、第12図〜第14図
に示すように電極挿入用の13− 溝1B&を複数本設けである一対のサポート18にこの
溝18hに端部を保持させる形で電極板6.7を交互に
挿入させ、配列させる。
面圧用の電極板6を複数枚用意し、第12図〜第14図
に示すように電極挿入用の13− 溝1B&を複数本設けである一対のサポート18にこの
溝18hに端部を保持させる形で電極板6.7を交互に
挿入させ、配列させる。
即ち、第12図は放射線40−゛出器をその背面から見
た部分図でアリ、第13図はそのB−B矢示図、第14
図は斜視図を示すもので、4は前述のケース、5は前述
の蓋である。サポート18は絶縁材で形成された板状の
もので、溝18aは電極板I】、7の配設ピッチでこ〜
1−1ら電極板6,7の配列方間に向けて形成しである
。
た部分図でアリ、第13図はそのB−B矢示図、第14
図は斜視図を示すもので、4は前述のケース、5は前述
の蓋である。サポート18は絶縁材で形成された板状の
もので、溝18aは電極板I】、7の配設ピッチでこ〜
1−1ら電極板6,7の配列方間に向けて形成しである
。
このサポート18は溝18aを互いに対向させてケース
4内に設けてあり、電極板6,7はタブを背面側にして
これら溝18h間に挿入しである。信号検出用の電極板
7は溝18aの深さよりもやや大きい幅でガ゛−ド電極
即ち導電性の薄膜7dが絶縁薄膜zc上に形成されてお
シ、従って電極板7はこの薄膜7d部分が溝18aよシ
ややはみ出すような状態でこの溝18a内に挿入保持さ
れる。そして、電極板6,7のこの溝18a挿入部分は
エポキシ樹脂などのよう14− な絶縁性の接着剤19にて接着され、固定される。また
、各高圧用の電極板6はそのタブ6aをリード線20に
より互いに接続され、このリード線20を介して高圧電
圧(500パ−1 o o o v )が供給される。
4内に設けてあり、電極板6,7はタブを背面側にして
これら溝18h間に挿入しである。信号検出用の電極板
7は溝18aの深さよりもやや大きい幅でガ゛−ド電極
即ち導電性の薄膜7dが絶縁薄膜zc上に形成されてお
シ、従って電極板7はこの薄膜7d部分が溝18aよシ
ややはみ出すような状態でこの溝18a内に挿入保持さ
れる。そして、電極板6,7のこの溝18a挿入部分は
エポキシ樹脂などのよう14− な絶縁性の接着剤19にて接着され、固定される。また
、各高圧用の電極板6はそのタブ6aをリード線20に
より互いに接続され、このリード線20を介して高圧電
圧(500パ−1 o o o v )が供給される。
捷だ、各r4号検出用の電極板7はそのカード電極部即
ち導’+H性の一膜7d部分をリード線2ノにより互い
に接続され、このリード線2ノを介して接地される。
ち導’+H性の一膜7d部分をリード線2ノにより互い
に接続され、このリード線2ノを介して接地される。
また、蓋5には信号検出用の電極板7に対応する位置に
信号外部抽出用の端子22がそれぞれ設けられておシ、
これら各端子22はそれぞれ対応する電極板7のタブ7
bとリード線23によシ接続されている3゜ このような装置は接地されたガード電極が絶縁薄膜7C
を介して電極板7のサポート支持端側に形成されてしる
ため、表皮効果によ9高圧用の電極板6からサポート1
8及び接着剤19による層を通って信号検出用の電極板
7に流入する漏洩電流はこのガード電極部分により阻止
される。従って、信号検出用の電極板7には漏洩電流が
Ml−人せず、′電離により生じたイトf号成分のみが
検出される。
信号外部抽出用の端子22がそれぞれ設けられておシ、
これら各端子22はそれぞれ対応する電極板7のタブ7
bとリード線23によシ接続されている3゜ このような装置は接地されたガード電極が絶縁薄膜7C
を介して電極板7のサポート支持端側に形成されてしる
ため、表皮効果によ9高圧用の電極板6からサポート1
8及び接着剤19による層を通って信号検出用の電極板
7に流入する漏洩電流はこのガード電極部分により阻止
される。従って、信号検出用の電極板7には漏洩電流が
Ml−人せず、′電離により生じたイトf号成分のみが
検出される。
また、本装置は前記ガード電極部分を薄膜を高い均一度
でしかも薄く形成し得るプラズマ重合の浮遊基板法によ
り形成させるようにしにノとめ、高精度でしかも均一な
品質の信号検出用電極板が得られ、数値制御工作機等に
よシ高鞘度に加工可能な一!I−r15−)と相俟って
品い品質で且つ検出特性の揃った多チヤンネル型の放射
lA1検出器が伯られる。
でしかも薄く形成し得るプラズマ重合の浮遊基板法によ
り形成させるようにしにノとめ、高精度でしかも均一な
品質の信号検出用電極板が得られ、数値制御工作機等に
よシ高鞘度に加工可能な一!I−r15−)と相俟って
品い品質で且つ検出特性の揃った多チヤンネル型の放射
lA1検出器が伯られる。
以上詳述したように本発明は高電圧用及び信号検出用の
両電極板をこれら′由;憧板の端部を挿入して保持させ
る電極板保持用の溝をH「定間隔で形成して成る絶縁性
のす;j;’ −)の該篩を利用して複数枚交互に所定
間隔を存して配設すると共に前記信号検出用の電極板よ
りそれぞれ入射放射線に対応する検出信号をイ44るこ
とにより空間分解能を持たせた多チヤンネル型の放射線
検出器において、前記信号検出用の電極板には前記ツポ
ートの溝に挿入する部分に絶縁層と導電層をプラズマ重
合による浮遊基板法により生成させたものを用い、その
導電層を接地してガード電極として利用するように構成
したので、高電圧用の電極板からの漏洩電流はこのガー
ド電極にて阻止され、従って、信号検出用の電極板への
流入は防止されるので1.精度、高感度で信号検出が行
なえる他、絶縁層及び導電層は電極板を電気的に浮かし
、これをプラズマ中に配設すると共に前記各々の層を生
成する物質の蒸気を供給することによって各々の層を形
成するプラズマ重合による浮遊基板法により行なうよう
にしたので、絶縁層及び導電層は厚みが均一でしかも薄
く形成でき、従って加工精度を保つことができるから、
狭い電極配列ピッチで寸法精度の高い検出器が得られ、
従って高空間分解能で良質の検出データが得られる放射
線検出器を提供することができる。
両電極板をこれら′由;憧板の端部を挿入して保持させ
る電極板保持用の溝をH「定間隔で形成して成る絶縁性
のす;j;’ −)の該篩を利用して複数枚交互に所定
間隔を存して配設すると共に前記信号検出用の電極板よ
りそれぞれ入射放射線に対応する検出信号をイ44るこ
とにより空間分解能を持たせた多チヤンネル型の放射線
検出器において、前記信号検出用の電極板には前記ツポ
ートの溝に挿入する部分に絶縁層と導電層をプラズマ重
合による浮遊基板法により生成させたものを用い、その
導電層を接地してガード電極として利用するように構成
したので、高電圧用の電極板からの漏洩電流はこのガー
ド電極にて阻止され、従って、信号検出用の電極板への
流入は防止されるので1.精度、高感度で信号検出が行
なえる他、絶縁層及び導電層は電極板を電気的に浮かし
、これをプラズマ中に配設すると共に前記各々の層を生
成する物質の蒸気を供給することによって各々の層を形
成するプラズマ重合による浮遊基板法により行なうよう
にしたので、絶縁層及び導電層は厚みが均一でしかも薄
く形成でき、従って加工精度を保つことができるから、
狭い電極配列ピッチで寸法精度の高い検出器が得られ、
従って高空間分解能で良質の検出データが得られる放射
線検出器を提供することができる。
第1図はCT装置の原理を説明するための図、第2図は
従来の放射線検出器の一例を示す斜視17− 図、第31はその平面図、第4図は第2図の正面図、第
5図は第3図のA−A矢示断面図、第6図は放射線検出
器における検出素子群の配列状態を示す図、第7図は高
圧用の電極板を示す図、第8図は信−号検出用の電極板
の床板を示す図、第9図(a) (b)は力゛−ド電極
を形成した信号検出用の′「「極板を示す側面図及び正
(川口、第1O図、第11図は信号検出用の′電極板に
おけるガード電極部分の形成を行なうために用いるプラ
ズマ重合による浮遊基板法を説明するだめの図、第12
図、第13図、第14図VJ本発明による電極板を用い
て組み立てられた検出諒子群の状態を示す背面図及びそ
のH−11矢示断1III図及び斜視図である。 4・・・ケース、5・・・蓋、6・・・高圧用の電極板
、6a、7a、7a′、7b・・・タブ、7・・・信号
検出用の電極板、7C・・絶縁薄膜、7d・・導電物質
による薄膜、18・・・サポート、18a・・・溝、1
9・・・接着剤の層。 =18− 第3図 第4図 第6図 498− 第7図 第8図
従来の放射線検出器の一例を示す斜視17− 図、第31はその平面図、第4図は第2図の正面図、第
5図は第3図のA−A矢示断面図、第6図は放射線検出
器における検出素子群の配列状態を示す図、第7図は高
圧用の電極板を示す図、第8図は信−号検出用の電極板
の床板を示す図、第9図(a) (b)は力゛−ド電極
を形成した信号検出用の′「「極板を示す側面図及び正
(川口、第1O図、第11図は信号検出用の′電極板に
おけるガード電極部分の形成を行なうために用いるプラ
ズマ重合による浮遊基板法を説明するだめの図、第12
図、第13図、第14図VJ本発明による電極板を用い
て組み立てられた検出諒子群の状態を示す背面図及びそ
のH−11矢示断1III図及び斜視図である。 4・・・ケース、5・・・蓋、6・・・高圧用の電極板
、6a、7a、7a′、7b・・・タブ、7・・・信号
検出用の電極板、7C・・絶縁薄膜、7d・・導電物質
による薄膜、18・・・サポート、18a・・・溝、1
9・・・接着剤の層。 =18− 第3図 第4図 第6図 498− 第7図 第8図
Claims (1)
- 高電圧用及び信号検出用の両電極板をこれら電極板の端
部を挿入して保持させる電極板保持用の溝を所定間隔で
形成して成る絶縁性のサポートの該溝を利用して複数枚
交互に配設し検出素子群を形成すると共に前記各々の信
号検出用電極板よシ入射放射線に対応する検出信号を得
るようにした多チヤンネル型の放射線検出器において、
前記信号検出用電極板は少なくとも前記サポートの溝に
挿入する部分にプラズマ重合による浮遊基板法により絶
縁層及びその上にプラズマ重合による浮遊基板法またに
真空蒸着法によp導電層を生成させたものを用い、この
導電層を接地してガード電極として利用する構成とした
ことを特徴とする放射線検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56149861A JPS5850486A (ja) | 1981-09-22 | 1981-09-22 | 放射線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56149861A JPS5850486A (ja) | 1981-09-22 | 1981-09-22 | 放射線検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5850486A true JPS5850486A (ja) | 1983-03-24 |
Family
ID=15484250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56149861A Pending JPS5850486A (ja) | 1981-09-22 | 1981-09-22 | 放射線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5850486A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2585137A1 (fr) * | 1985-07-18 | 1987-01-23 | Thomson Cgr | Detecteur de rayonnements ionisants, en particulier detecteur de rayons x pour scanographe |
| CN103430049A (zh) * | 2012-03-07 | 2013-12-04 | 松下电器产业株式会社 | 放射线检测装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5267465A (en) * | 1975-12-02 | 1977-06-03 | Tadayoshi Nakayama | Apparatus for prevention of vibration pollution caused by external forces |
-
1981
- 1981-09-22 JP JP56149861A patent/JPS5850486A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5267465A (en) * | 1975-12-02 | 1977-06-03 | Tadayoshi Nakayama | Apparatus for prevention of vibration pollution caused by external forces |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2585137A1 (fr) * | 1985-07-18 | 1987-01-23 | Thomson Cgr | Detecteur de rayonnements ionisants, en particulier detecteur de rayons x pour scanographe |
| CN103430049A (zh) * | 2012-03-07 | 2013-12-04 | 松下电器产业株式会社 | 放射线检测装置 |
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