JPS5850582A - 発光ダイオ−ドを用いたデイスプレイ装置 - Google Patents
発光ダイオ−ドを用いたデイスプレイ装置Info
- Publication number
- JPS5850582A JPS5850582A JP56148846A JP14884681A JPS5850582A JP S5850582 A JPS5850582 A JP S5850582A JP 56148846 A JP56148846 A JP 56148846A JP 14884681 A JP14884681 A JP 14884681A JP S5850582 A JPS5850582 A JP S5850582A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- wiring body
- display device
- light emitting
- tape
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/0198—Manufacture or treatment batch processes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
- H10W72/07302—Connecting or disconnecting of die-attach connectors using an auxiliary member
- H10W72/07304—Connecting or disconnecting of die-attach connectors using an auxiliary member the auxiliary member being temporary, e.g. a sacrificial coating
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は発光ダイオード（ＬＥＤ）を用いたディスプ
レイ装置に関する。
レイ装置に関する。
ＬＭＤを用いたディスプレイ装置で英数字や図形を表示
するためには、ＩＪＩ）を縦横に複数個配列し、各々の
Ｌｌにアノード及びカソード配線を接続して個々のＬＥ
Ｄに選択的に電気１６号を送って発光させることが必要
である。この際アノード及びカソード配線をマトリクス
状に配設することが駆動方法を考慮した場合最も一般的
且つ有効である。
するためには、ＩＪＩ）を縦横に複数個配列し、各々の
Ｌｌにアノード及びカソード配線を接続して個々のＬＥ
Ｄに選択的に電気１６号を送って発光させることが必要
である。この際アノード及びカソード配線をマトリクス
状に配設することが駆動方法を考慮した場合最も一般的
且つ有効である。
従来のディスプレイ装置におけるマトリクス配線の構成
方法には、あらかじめマトリクス配線を形成した基板を
用いるものと、二種類の配線を組み合わせてマトリクス
配線を形成するものがあるが、ここでは本発明に関係す
る二種類の配線を組み合わせる方法を・以下に説明する
。談ず基体上に第１の配一体を形成し、この！＠１の配
線体上にＬｌを固層する。第１の配線体はマトリクス配
線の付記−でありカソード配線となる。ＩＪＤは銀ペー
ストでカソード電極とカソード配線とが電気的に・導通
されるように固着する。次にＬＥＤと同等の高さに絶縁
性樹脂を形成する。そして樹脂及びＬＥＤ上Ｊこ＃ｓ２
の配線体となる金属を蒸着した後、この金属を選択的に
エツチングして第２の配線体を形成する。第２の配線体
は列配線であり、アノード配線となる。このように構成
したディスプレイ装置は４１の配線体と第２の配線体間
に約２．５ｖの電圧を印加することによって発光表示が
できるものである。
方法には、あらかじめマトリクス配線を形成した基板を
用いるものと、二種類の配線を組み合わせてマトリクス
配線を形成するものがあるが、ここでは本発明に関係す
る二種類の配線を組み合わせる方法を・以下に説明する
。談ず基体上に第１の配一体を形成し、この！＠１の配
線体上にＬｌを固層する。第１の配線体はマトリクス配
線の付記−でありカソード配線となる。ＩＪＤは銀ペー
ストでカソード電極とカソード配線とが電気的に・導通
されるように固着する。次にＬＥＤと同等の高さに絶縁
性樹脂を形成する。そして樹脂及びＬＥＤ上Ｊこ＃ｓ２
の配線体となる金属を蒸着した後、この金属を選択的に
エツチングして第２の配線体を形成する。第２の配線体
は列配線であり、アノード配線となる。このように構成
したディスプレイ装置は４１の配線体と第２の配線体間
に約２．５ｖの電圧を印加することによって発光表示が
できるものである。
ところでこのような５東のディスプレイ装置には以下に
述べる欠点があり、改善か望まれていた。
述べる欠点があり、改善か望まれていた。
（１） 蒸着で形成したＪ２の配線体は絶縁性樹脂と
の接着力の乏しく＃櫃し娼い。
の接着力の乏しく＃櫃し娼い。
（２１第２の配線体のパターン形成時にパターン不良が
１部で発生する。
１部で発生する。
（３） ＬＥＤと絶縁性樹脂との境界で断線事故が多
発する。
発する。
本発明は上記の欠点に対処しなされたもので、二種類の
配線を組み合わせてマトリクス配線を形成してなるディ
スプレイ装置において、簡便性っ正確に製造できるＬＥ
Ｄを用いたディスプレイ装置を提供するものである。
配線を組み合わせてマトリクス配線を形成してなるディ
スプレイ装置において、簡便性っ正確に製造できるＬＥ
Ｄを用いたディスプレイ装置を提供するものである。
次にこの発明の一実施例をＩｓ１図ａ〜ｄ及び第２図を
参照して説明する。第１図１〜ｄは本発明−実施例のデ
ィスプレイ装置をＡｌ１造する方法を説明するための断
面図である。第２図は本発明を説明するための一部斜視
図である。ます粘着テープ２１に等間隔で縦横に配列さ
れたＩＪＤ ２２を準備する。
参照して説明する。第１図１〜ｄは本発明−実施例のデ
ィスプレイ装置をＡｌ１造する方法を説明するための断
面図である。第２図は本発明を説明するための一部斜視
図である。ます粘着テープ２１に等間隔で縦横に配列さ
れたＩＪＤ ２２を準備する。
一方アルミナ製絶縁基体ｎ上に金ペーストを所望ＱＪ
ハｆｉ、、−ンに印刷し、約１０００ ”Ｃの温度で焼
成処理を施こして第１の配線体囚を形成した基体に選択
的に導電性ペースト５を塗布したものを用意する。そし
てＬＢＤ２２と導電性ペーストとを位置合わせする（Ｍ
ｌ図（ａ））。次にこれらを接触押圧させこの状態でｉ
５０’０２０分間の熱処理を行ない、導電性ペーストを
硬化させてＬｇｏ２２を第１の配線体為に固着さ斌、る
。次に粘−テープ２１を剥離する（第１図（ｂ）。以上
の工程においてＬＥＩ） ２２は燐化ガリウム２カ）ら
なる緑色ＬＥＤを用い、粘着テープ２１は耐熱性） のカプトンを母材としたものを用いた。次に透明なポリ
エステル製粘着テープかに＠２の配線体ｎ及び低融点金
属路が形成されたものを準備する。
ハｆｉ、、−ンに印刷し、約１０００ ”Ｃの温度で焼
成処理を施こして第１の配線体囚を形成した基体に選択
的に導電性ペースト５を塗布したものを用意する。そし
てＬＢＤ２２と導電性ペーストとを位置合わせする（Ｍ
ｌ図（ａ））。次にこれらを接触押圧させこの状態でｉ
５０’０２０分間の熱処理を行ない、導電性ペーストを
硬化させてＬｇｏ２２を第１の配線体為に固着さ斌、る
。次に粘−テープ２１を剥離する（第１図（ｂ）。以上
の工程においてＬＥＩ） ２２は燐化ガリウム２カ）ら
なる緑色ＬＥＤを用い、粘着テープ２１は耐熱性） のカプトンを母材としたものを用いた。次に透明なポリ
エステル製粘着テープかに＠２の配線体ｎ及び低融点金
属路が形成されたものを準備する。
これはポリエステルテープの粘着面に鋼箔を張り合わせ
た後、選択的に半田をメッキし、続いて配−パターン状
にカロエしたものである。次に第１図（Ｃ）のように低
融点金属と基体に固着されたＬＥＤとｔｆｆｉｌｆ合わ
ｆＬ、ｒ、１５０ ”Ｏ〜３００ ”Ｏ（ＤｍＫ、４０
〜１５０にｙ／ｃｒｄの圧力で３〜３０秒間の熱圧着を
行なう。
た後、選択的に半田をメッキし、続いて配−パターン状
にカロエしたものである。次に第１図（Ｃ）のように低
融点金属と基体に固着されたＬＥＤとｔｆｆｉｌｆ合わ
ｆＬ、ｒ、１５０ ”Ｏ〜３００ ”Ｏ（ＤｍＫ、４０
〜１５０にｙ／ｃｒｄの圧力で３〜３０秒間の熱圧着を
行なう。
しかる後ボー１エステルテープと基体の間に透明エポキ
シ樹脂四を充填し硬化させる（第１図（ｄ））。
シ樹脂四を充填し硬化させる（第１図（ｄ））。
このようにしてディスプレイ装置を完成するものである
。
。
第２図に本発明のディスプレイ装置９一画素分の斜視図
を示した。第２図は第１図１〜ｄを用いてｌ１１２明し
た製造方法で構成した多色表示５Ｔ能なディスプレイ装
置である。ｌｓ２図Ｊこおいて、ＬＥＤ）３１は燐化ガ
リウムを材料として作られた赤色、緑色。
を示した。第２図は第１図１〜ｄを用いてｌ１１２明し
た製造方法で構成した多色表示５Ｔ能なディスプレイ装
置である。ｌｓ２図Ｊこおいて、ＬＥＤ）３１は燐化ガ
リウムを材料として作られた赤色、緑色。
橙色発光のＬＷＩ）で第１の配線体心と、第２の配線体
オ、３４とに選択的電気信号を送ることによって多色表
示ができるものである。なお第２図において、あはセラ
ミクス基板、あは銀ペースト、３７はＬＥＤの電極、：
３８はハンダ、篤は透明テープ、４０１ｊ・エポキシ樹
脂で構成されている。
オ、３４とに選択的電気信号を送ることによって多色表
示ができるものである。なお第２図において、あはセラ
ミクス基板、あは銀ペースト、３７はＬＥＤの電極、：
３８はハンダ、篤は透明テープ、４０１ｊ・エポキシ樹
脂で構成されている。
以上の実施例で説明したディスプレイ装置では第２の配
線体を基体と別個に加工できるので不良発生率も少なく
、多数のＩＪＤと第２の配線体との接続も容易に短時間
で成しつるものである。又、製造手順もあらかじめ第２
の配線体と、ＬＥＤとの熱圧着を行ない、次Ｋ ＬＢＤ
と第１の配一体との接続を行なうこともｇＴ能である。
線体を基体と別個に加工できるので不良発生率も少なく
、多数のＩＪＤと第２の配線体との接続も容易に短時間
で成しつるものである。又、製造手順もあらかじめ第２
の配線体と、ＬＥＤとの熱圧着を行ない、次Ｋ ＬＢＤ
と第１の配一体との接続を行なうこともｇＴ能である。
次にこの発明の第２の実施例を第３図を参照して説明す
る。第３図はディスプレイ装置の断面図で、Ｓ １図ａ
〜ｄと同様に製造する。しかし第１の実施例と異なるの
は第２の配線体を形成する絶縁テープとして、例えば耐
熱性のより浸れたポリイミドを母材としたカプトンテー
プを用いた点である。カプトンテープのようにＬＥＩＪ
乃λら発光した光を吸収してしまうような不透明のテー
プではエポキシ樹賭充填後にテープを剥離して第３図に
示した構造とすればディスプレイ装置の輝度を低下させ
るものではない。第３図に示したディスプレイ装置にお
いて、４２はＬ）；Ｌ）、４３はセラミツ９’、４４は
第１の配線体、４５は一ペースト、４７は第２の配線体
、・出は低融点金属、４９はエポキシ樹脂である。
る。第３図はディスプレイ装置の断面図で、Ｓ １図ａ
〜ｄと同様に製造する。しかし第１の実施例と異なるの
は第２の配線体を形成する絶縁テープとして、例えば耐
熱性のより浸れたポリイミドを母材としたカプトンテー
プを用いた点である。カプトンテープのようにＬＥＩＪ
乃λら発光した光を吸収してしまうような不透明のテー
プではエポキシ樹賭充填後にテープを剥離して第３図に
示した構造とすればディスプレイ装置の輝度を低下させ
るものではない。第３図に示したディスプレイ装置にお
いて、４２はＬ）；Ｌ）、４３はセラミツ９’、４４は
第１の配線体、４５は一ペースト、４７は第２の配線体
、・出は低融点金属、４９はエポキシ樹脂である。
ディスプレイ装置を以上のような構造にすることによっ
てＭｌの実施例に比べてさらに安定した製置がロエ能と
なり、第２の配線体を保持するテープに＝Ｔ視不透明な
材料も利用できるものである。
てＭｌの実施例に比べてさらに安定した製置がロエ能と
なり、第２の配線体を保持するテープに＝Ｔ視不透明な
材料も利用できるものである。
以上述べた第１及び第２の実施−において、第２の配線
体とＬＥＤとの接続をなすために用いた低融点金属は半
田に限られるものでなく、例えばインジウム、スズ、金
シリコン合金、金スズ合金。
体とＬＥＤとの接続をなすために用いた低融点金属は半
田に限られるものでなく、例えばインジウム、スズ、金
シリコン合金、金スズ合金。
等各種あるが、納本的１こは、！！２の配線体とＬＥＩ
’）とを熱圧着する際に第２の開機体を保持するテープ
を変質変形させない温度で接続可能な材料であればよい
。
’）とを熱圧着する際に第２の開機体を保持するテープ
を変質変形させない温度で接続可能な材料であればよい
。
窮１図（ａ）〜ｆｄ）は本発明一実施例のディスプレイ
装置を製造する工程を説明するための断面図、第２図は
本発明の第１の実施例を説明するための斜視図、第３図
は本発明の第２の実施例を説明するための断面図である
。 ２２、、（１，１２０，ＩＪＤ 、？、３，３５
．１３ ・・・絶ｄ 性−ｆｉ板２４．３２，４４・・
・＠ｌの配線体 ２５，３６．４５・・・導磁性ペース
ト２６．３９・・・透明絶縁テープ ２７，３３．：Ｓ
ｌ、４７・・・第２の配一体２８、認、４８・・・低融
点金属四、４０．＄９・・・樹脂代理人 弁理士 則
近憲佑 はか１多筒 １ 図
装置を製造する工程を説明するための断面図、第２図は
本発明の第１の実施例を説明するための斜視図、第３図
は本発明の第２の実施例を説明するための断面図である
。 ２２、、（１，１２０，ＩＪＤ 、？、３，３５
．１３ ・・・絶ｄ 性−ｆｉ板２４．３２，４４・・
・＠ｌの配線体 ２５，３６．４５・・・導磁性ペース
ト２６．３９・・・透明絶縁テープ ２７，３３．：Ｓ
ｌ、４７・・・第２の配一体２８、認、４８・・・低融
点金属四、４０．＄９・・・樹脂代理人 弁理士 則
近憲佑 はか１多筒 １ 図
Claims (1)
- 絶縁性基板の一生向に形成した第１の配一体上に発光ダ
イオードが配列固着され、該絶縁性基板の主面に対向し
て耐熱性の絶縁性テープに形成された第２の配線体と前
に２ＬｋｊＤの各々に形成された電極とが低融点金属を
介して熱圧着され、前記絶縁性基板の主面と前記耐熱性
絶縁テープとの間隔領域に絶縁性樹脂か充填硬化された
ことを特徴とする発光ダイオードを用いたディスプレイ
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56148846A JPS5850582A (ja) | 1981-09-22 | 1981-09-22 | 発光ダイオ−ドを用いたデイスプレイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56148846A JPS5850582A (ja) | 1981-09-22 | 1981-09-22 | 発光ダイオ−ドを用いたデイスプレイ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5850582A true JPS5850582A (ja) | 1983-03-25 |
Family
ID=15462039
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56148846A Pending JPS5850582A (ja) | 1981-09-22 | 1981-09-22 | 発光ダイオ−ドを用いたデイスプレイ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5850582A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5878433A (ja) * | 1981-11-04 | 1983-05-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の樹脂封止成形装置 |
| JPS61167514A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-29 | Fujitsu Ltd | トランスフア成形金型 |
| JPH0317656U (ja) * | 1989-06-30 | 1991-02-21 | ||
| JP2009182091A (ja) * | 2008-01-30 | 2009-08-13 | C I Kasei Co Ltd | 発光装置 |
| JP2015500562A (ja) * | 2011-11-18 | 2015-01-05 | ルクスビュー テクノロジー コーポレイション | マイクロ発光ダイオード |
| US9463613B2 (en) | 2011-11-18 | 2016-10-11 | Apple Inc. | Micro device transfer head heater assembly and method of transferring a micro device |
| US9620478B2 (en) | 2011-11-18 | 2017-04-11 | Apple Inc. | Method of fabricating a micro device transfer head |
| US9831383B2 (en) | 2011-11-18 | 2017-11-28 | Apple Inc. | LED array |
-
1981
- 1981-09-22 JP JP56148846A patent/JPS5850582A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5878433A (ja) * | 1981-11-04 | 1983-05-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の樹脂封止成形装置 |
| JPS61167514A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-29 | Fujitsu Ltd | トランスフア成形金型 |
| JPH0317656U (ja) * | 1989-06-30 | 1991-02-21 | ||
| JP2009182091A (ja) * | 2008-01-30 | 2009-08-13 | C I Kasei Co Ltd | 発光装置 |
| JP2015500562A (ja) * | 2011-11-18 | 2015-01-05 | ルクスビュー テクノロジー コーポレイション | マイクロ発光ダイオード |
| US9463613B2 (en) | 2011-11-18 | 2016-10-11 | Apple Inc. | Micro device transfer head heater assembly and method of transferring a micro device |
| US9620478B2 (en) | 2011-11-18 | 2017-04-11 | Apple Inc. | Method of fabricating a micro device transfer head |
| US9831383B2 (en) | 2011-11-18 | 2017-11-28 | Apple Inc. | LED array |
| US10121864B2 (en) | 2011-11-18 | 2018-11-06 | Apple Inc. | Micro device transfer head heater assembly and method of transferring a micro device |
| US10297712B2 (en) | 2011-11-18 | 2019-05-21 | Apple Inc. | Micro LED display |
| US10607961B2 (en) | 2011-11-18 | 2020-03-31 | Apple Inc. | Micro device transfer head heater assembly and method of transferring a micro device |
| US11552046B2 (en) | 2011-11-18 | 2023-01-10 | Apple Inc. | Micro device transfer head assembly |
| US12243955B2 (en) | 2011-11-18 | 2025-03-04 | Apple Inc. | Display and micro device array for transfer to a display substrate |
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