JPS5851384B2 - 荷電粒子ビ−ムの偏向方法 - Google Patents

荷電粒子ビ−ムの偏向方法

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JPS5851384B2
JPS5851384B2 JP51041726A JP4172676A JPS5851384B2 JP S5851384 B2 JPS5851384 B2 JP S5851384B2 JP 51041726 A JP51041726 A JP 51041726A JP 4172676 A JP4172676 A JP 4172676A JP S5851384 B2 JPS5851384 B2 JP S5851384B2
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lens
magnetic field
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英一 後藤
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RIKEN
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は荷電粒子ビームの偏向方法に関するものである
一般に荷電粒子ビーム偏向走査系は、ブラウン管、テレ
ビ撮像管をはじめ、電子ビーム加工機、電子ビーム露光
機、走査型電子顕微鏡、イオン注入装置などに広く利用
されている。
本発明はこれらの分野に用いられている従来の荷電粒子
ビーム偏向系の欠点である、荷電粒子ビームの斜入斜と
色収差を除去すると共に、像の歪曲、コマ収差などの収
差の少ない偏向方法を提供するものである。
第1図と第2図は従来の偏向系の説明図である。
第3図は本発明の原理説明図である。
第1,2゜3図に3いて、Gは荷電粒子ビーム源、LG
はビーム源に付属した集束用電子レンズ、LMとMOL
は主集束電子レンズ、Sは被照射面、DMとDSは荷電
粒子ビームの偏向手段である。
なお電子レンズLG、LM及びビーム偏向手段DM、D
Sとしては、静電型、電磁型のいずれを用いてもよい。
BO,B、B’、B“は荷電粒子ビームであり、ビーム
BOは説明の便宜上平行ビームとする。
ビームBOは無偏向の場合にはいずれも主集束電子レン
ズLM又はMOL を通過してビームBとなり、焦点P
に結像する。
第1図の場合には、偏向手段DMを作動させると荷電粒
子ビームはビームB′のように偏向され点P′に結像す
る。
しかしこの場合には次の3点に問題がある。
(1) ビームが点P′では被照射面に斜入射するの
で、多くの応用に不都合である(例えば電子ビーム露光
機などで照射面に凹凸があると斜入射によって位置に誤
差を生じる)。
(2)荷電粒子ビームの粒子速度に偏差がある場合には
色収差を生ずる。
すなわち速度の遅い粒子ビーム成分はビームB“のよう
に大角度に偏向され、P′とは異なる位置P“に結像す
る。
(3)偏向に伴いレンズLMと被照射面S間のビーム走
行長が増加するので、無偏向の場合には一点Pに集束し
ていたビームも、偏向するとP′では一点に結像しない
現象、すなわちコマ収差(一点に収束していたものが羞
星状に尾を引く収差)が現われる。
(4)偏向信号の強度と偏向距離(PとP′の間の距離
)が比例しない像の歪曲収差(四角が樽型又は糸巻状に
変化する収差)が現われる。
上記斜入射の問題は、第2図に示すように偏向手段DM
とは逆方向への偏向手段DSを設けることにより解決さ
れ、ビームは被照射面Sに垂直入射するようにできるが
、上記(2)の色収差と(4)の像の歪曲収差の問題は
解決されない。
本発明は上記四つの問題点を全て解決するものであり、
以下第3図によりその原理を説明する。
第3図の主集束レンズMOLは、後述する方法により、
第1図と第2図における主集束レンズ凄を電気的手段に
よって被照射面Sに平行に移動させるようにした電子レ
ンズである。
二組の偏向手段DM、!:DSによりビームをBO’の
ように平行移動させ、偏向位置P′の直上に移動した電
子レンズMOL’の中心に垂直入射するようにする。
その結果、ビームB′は被照射面S上の偏向位置P′に
垂直入射する。
粒子速度の相異によって生ずる色収差成分であるビーム
BO“は、移動したレンズMOLの中心には入射しない
が、レンズMOL’の光軸に平行に入射するので、被照
射面S上では偏向位置P′と同じ位置に結像し、結像位
置に関する色収差は除去される。
なお色収差成分であるビームB O//は、被照射面に
垂直入射しないが、色収差は通常微小「(ビーム・エネ
ルギーで数ev程度の偏動であるので、入射方向の色収
差は実際には問題にならない程度に小さい。
曾たビームが移動したMOLの光軸に平行に入射するの
で、像の歪曲も除去される。
さらに第3図において、正方向偏向手段DMと逆方向偏
向手段DSは、平行ビーム(BO,BO’、BO“はい
ずれも平行ビームである)の部位に設けられているので
、偏向によるビーム走行路長差はその平行性に影響しな
い。
したがって走行路長差による焦点でのコマ収差は除去さ
れる。
次に主集束レンズMOLの位置を移動させる方法につい
て説明する。
以下主集束レンズは説明の便宜上電磁レンズとし、無偏
向時のレンズMOLを形成する磁界ベクトル場を%とす
る。
レンズの中心軸がX方向、Y方向にそれぞれXd、yd
だけ移動したときの磁界Hは、数学的に次式で記述でき
る。
H−HO(a%/c9x)xd(θ曳/ay)yd+V
2(θ2Ho/aX2)X2d+1/2(θ2Ho/a
y2)y2d+・・・・・・・・・ こSで、移動量Xd、ydが小さいときには、このティ
ラー級数の第4項以降は小さいのでこれらを無視すると
、 H−也+HX−Xd+Hy−yd たマしHX =−δHo/θX)、Hyコニ−θHる/
θy) となる。
一方、XとY方向の偏向電流を■工、■アとすると、偏
向距離はこれらに比例し、kを偏向感度とすれば、それ
ぞれKIX、KIyであるから、レンズを偏向距離だけ
移動させるには、 H二馬+HX−KIX+Hy、KIy となり、上式の第2、第3項による磁界ベクトル場を偏
向電流■え、エアによって形成すればよい。
以上のことが、物理的に実現できることは、△H=O(
△はラプラス演算子)、故に△Hx=△H=Oであり、
HXもHy もラプラスの方程式を満足する磁界ベクト
ル場であることから明らかである。
な釦静電型レンズMOLの場合には、磁界Hの代りに電
界Eを用いて上記と全く同様にして実現することができ
る。
次に移動集束レンズ系MOLの一例を第4図と第5図に
示す。
第4図の%は集束用電極レンズとして、しばしば使用さ
れるソレノイドコイルCによって形成される磁界を示す
図中、Xは中心軸で、X軸は紙面上に、y軸は紙面に垂
直とする(右手系)。
これを斜めから見ると第5図のコイルCのようになり、
このコイルCには直流工。
を流すことにより磁界側が発生する。
この磁界ものXに関する微分Hx=aH,ヮ10Xは磁
界のX方向成分を示し、第4図に示すようにソレノイド
コイルCの両端で+X方向(又は−X方向)と−X方向
(又は+X方向)に向う磁界となり、この磁界は第5図
のようにコイルC1xとC2xに偏向電流Ixを流すこ
とによって発生させることができる。
コイルC1xとC2xは、それぞれ通常の電磁偏向用磁
界を発生させるコイルと同形である。
ただし、通常の電磁偏向では、X方向にビームを偏向さ
せるのに、それと直角のY方向の磁界を用いるが、本発
明では、集束レンズMOLの移動用の磁界は、移動方向
Xと平行(+x方向上端)又は逆平行(−x方向下端)
方向の磁界を印加する点が異っている。
第6図は、第4図と第5図の移動集束レンズMOL を
第3図の本発明に釦ける偏向系に適用した場合のX方向
偏向コイルの配置を示すものである。
y方向偏向コイルの配置も同様である。中心軸に沿って
入射する平行ビームBOを+X方向に偏向するには、1
ず偏向手段DMの+y力方向磁界によって+X方向に偏
向し、次いで偏向手段DSの−y方向磁界でビームの方
向を中心軸に平行に戻すが、ここでビームは+X方向に
平行移動している。
移動焦点レンズMOLの中心は偏向手段DM、DSに流
れる電流Ixによって、上記と同一量だけ+X方向に移
動しており、これによって垂直入射でかつ色収差と像の
歪曲やコマ収差がなく、所要の偏向位置P′にビームが
収束する。
第6図にち゛けるDSとC1xのコイルは重ね合わせて
一個のコイルにしてもよい。
その場合の複合コイルの磁界方向は第4象限の方向(+
X、−yの方向)にある。
なお実際の磁界の方向の角度は各磁界の方向成分の強度
比によって定する。
以上説明したように本発明は、偏向した荷電粒子ビーム
を、偏向位置に移動した電子光学的レンズにその光学的
中心軸に平行に入射せしめ、そのレンズの焦点位置に荷
電粒子ビームを収束せしめるものであり、ビームの斜入
射と色収差ならびにコマ収差と像の歪曲収差が解消する
顕著な効果を有する。
なお、偏向に伴う非点収差と像面の曲り(焦点面が平面
ではなく球面となる収差)は、本発明単独では除去され
ないが、これを除去するには周知の動的焦点補正(Dy
namic Focusing )と動的非点収差補正
(Dynamic Stigmation)を併用すれ
ば、偏向に伴う3次(5eidel )収差が全くな
い偏向系が得られる。
また、LSI 、超LSI など高密度集積回路の製
造に適した荷電粒子ビーム投射方法(特願昭50−12
7833号)が提案されているが、この方法に本発明の
偏向方法を適用する場合には、極めて多くの効用をもた
らす。
【図面の簡単な説明】
第1図と第2図は従来の荷電粒子ビーム偏向系の説明図
である。 第3図は本発明の原理説明図である。 第4図と第5図は本発明に用いる移動集束レンズ系の一
例を示す説明図である。 第6図は第4図と第5図に示す移動集束レンズを第3図
の本発明の偏向系に適用した場合の偏向コイルの配置を
示す図である。 図中の記号 G・・・荷電粒子ビーム源、DM。 DS・・・ビーム偏向手段、MOL・・・主集束電子レ
ンズ、BO,BO’、BO“・・・平行荷電粒子ビーム
、S・・・被照射面、P、P’、P“・・・結像点。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 偏向位置に移動した電子光学的レンズの光学的中心
    軸に平行に入射するよう荷電粒子ビームを偏向させ、そ
    のレンズの焦点位置に荷電粒子ビームを収束せしめるこ
    とを特徴とした荷電粒子ビームの偏向方法。 2 無偏向時の電子光学的レンズを形成している電磁界
    に、偏向信号により発生せ1.められそして移動方向へ
    の前記の電磁界の空間微分により決定される電磁界を重
    畳して、電子光学的レンズの偏向位置への移動を行う特
    許請求の範囲第1項に記載の荷電粒子ビームの偏向方法
JP51041726A 1976-04-13 1976-04-13 荷電粒子ビ−ムの偏向方法 Expired JPS5851384B2 (ja)

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GB2613168A (en) * 2021-11-25 2023-05-31 Aquasium Tech Limited Electron beam deflector

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