JPS5851690U - ゲ−トタ−ンオフサイリスタの制御回路 - Google Patents

ゲ−トタ−ンオフサイリスタの制御回路

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Publication number
JPS5851690U
JPS5851690U JP14841581U JP14841581U JPS5851690U JP S5851690 U JPS5851690 U JP S5851690U JP 14841581 U JP14841581 U JP 14841581U JP 14841581 U JP14841581 U JP 14841581U JP S5851690 U JPS5851690 U JP S5851690U
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JP
Japan
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thyristor
gate turn
control circuit
turn
gate
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Pending
Application number
JP14841581U
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English (en)
Inventor
末岡　徹郎
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Meidensha Corp
Original Assignee
Meidensha Corp
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Publication date
Application filed by Meidensha Corp filed Critical Meidensha Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図はサイリスクスイッチのスナバ回路を例示する回
路図、第２図はサイリスタのオン・オフ−制御電圧、電
流波形図、第３図はスナバ回路のコンデンサ電圧とサイ
リスタ電圧の関係を示す図、第４図は本考案の一実施例
を示すオフゲート制御回路図である。 ＴＨｕ・・・・・・ＧＴＯサイリスク、Ｏ２０・・・・
・・オフゲート信号源、ＧＣｕ・・・・・・ゲート回路
、Ｃ□・・・・・・過電圧吸収用コンデンサ、Ｒ３，Ｒ
４・・・・・・分圧回路用抵抗、Ｄ２・・・・・・電圧
検出用ツェナーダイオード。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 主スィッチとしてのゲートターンオフサイリスタに並列
    に該スイッチのターンオフ時の過電圧吸収用コンデンサ
    を持つスナバ回路を備えるゲートターンオフサイリスク
    において、上記ゲートターンオフサイリスタのオン状態
    における上記コンデンサの電圧が該サイリスクのターン
    オフに充分な電圧まで放電された後に該サイリスタのタ
    ーンオフ制御が許容されるオフゲート回路を備えたこと
    を特徴とするゲートターンオフサイリスタの制御回路。
JP14841581U 1981-10-06 1981-10-06 ゲ−トタ−ンオフサイリスタの制御回路 Pending JPS5851690U (ja)

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JPS5851690U true JPS5851690U (ja) 1983-04-07

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ID=29941233

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