JPS5851932Y2 - ガス吸収装置用ガス流路の規制装置 - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 この考案はガス吸収装置用ガス流路の規制装置に関する
ものである。

油槽船の荷油タンクなどを防爆する目的で該タンクの気
相部に炭酸ガスなどのイナートガスを送気するようなイ
ナートガス防爆システムにおいて、このイナートガ又は
油槽船の機関室に据付けられているボイラから排出され
る燃焼ガスを脱硫、除塵、冷却して利用するのが有利で
ある。

ところで前記ボイラ燃焼ガス中には硫黄酸化物、粉塵な
どの不純物が含まれているのが普通であり、これら不純
物を除去するために、通常、ガス送気管系中に例えばス
クラバー等のガス吸収装置が設けられている。

このガス吸収装置は燃焼ガスを加速して放出するベンチ
ュリと、ベンチュリがら吹き出したガスが気化あるいは
霧化させる液溜を有する下段区画室と、この下段区画室
がら通孔を介して流入するガスの渦巻状通路と、渦巻状
通路から出たガスの気液分離室からなり、ベンチュリ上
端の燃焼ガス入口部及び下段区画室のガス通路と、中段
区画室の渦巻状通路と、上段の気液分離室にそれぞれ多
段状に複数のスプレーノズルを配置し、このスプレーノ
ズルから噴霧される微細液滴をガス流れに対向して飛散
させ、この液滴とガスの接触により燃焼ガス中の不純物
を除去しうるように構成されている。

しかしながら、前記ベンチュリから放出されたガスは下
段区画室より通孔を介して渦巻状通路に流入する際に、
通孔面積の全域を一様に流入せずに流入方向へ片寄る傾
向が強く、通孔の上部に設けた複数個のスプレーノズル
はその一部しか吸収に寄与しない。

すなわち通孔に流入する高速のガスが偏流を起すため、
スプレーノズルがら噴出する液滴とガスの接触効率が低
下する。

またスプレー後の液滴がガス流に同伴して渦巻状通路に
設けたスプレーノズル群まで流れるため多段並流の効果
が発揮できない。

この考案は上記問題点を解消すべくなされたもので、下
段区画室のベンチュリ下部のガス放出端部から液溜を介
して中段区画室の渦巻状通路に流入するガス流路を規制
するため、液溜の外側に半円弧状の仕切板を設け、この
仕切板と外筒の間にガス通路を形成し、このガス通路の
周方向ガス流れに対向して複数の水平型スプレーノズル
を配列することにより、複数個の水平型スプレーノズル
から噴霧される液滴がガス流れの全域に接触して吸収効
率を向上し得るガス吸収装置用ガス流路の規制装置を提
供するものである。

以下この考案の実施例を図面に基づいで説明する。

第１図はガス吸収装置の縦断側面図、第２図は第１図の
Ａ−Ａ線矢視図を示すもので、１は上下の仕切板２，３
によって上下方向三段の室に区画されたガス吸収装置の
外筒であり、この外筒１と同心状にベンチュリ４を設け
ている。

ベンチュリ４の上端部は外筒天板１Ａ上に突出し、その
頂部に燃焼ガス入口部５を形成すると共に、周壁に水平
型スプレーノズル６を取付けている。

外筒１の中段区画室７は中間仕切板８によって上下に２
分されており、それぞれの区画室９，１０には渦巻型の
帯状板１１．１２を設けて渦巻状通路１３゜１４を形成
している。

下部仕切板３及び沖間仕切板８の外周部には、その外周
に沿うように通孔１５Ａ、１５Ｂ、１６を形成し、これ
ら通孔１５ Ａ、１５ Ｂ、１６により、渦巻状通路１
３．１４の始部１３Ａ、１４Ａと最外側路１４Ｂを下段
区画室１７に連通せしめている。

そして前記渦巻状通路１３．１４の最外側路１３Ｂ、１
４Ｂ中に複数の衝突型スプレーノズル１８．１９を設け
、この衝突型スプレーノズル１８．１９から噴霧する微
粒液滴とガスの接触により、ガス中の不純物を吸収除去
し得るようになっている。

また下段区画室１７に液溜２０を配備し、該液溜２０を
ベンチュリ４のガス放出端部２１に対向させている。

前記下段区画室１７のベンチュリ４のガス放出端部２１
から液溜２０を介して中段区画室７の渦巻状通路１３．
１４に流入するガス流路を規制するため、第３図に示す
ように、液溜２０の外側にガス流れに沿って半円弧状の
仕切板２２を設け、この仕切板２２と外筒１の間にガス
通路２３を形威し、該ガス通路２３は前記通孔１５ Ａ
、１５ Ｂ、１６を介してそれぞれ渦巻状通路１３．１
４に連通し、前記ガス通路２３の円周方向にガス流れに
対向して複数の水平型スプレーノズル２４が適宜間隔を
おいて配列されている。

そしてこの多数の水平型スプレーノズル２４から噴霧さ
れる液滴がガス流れの全域に接触してガス中の不純物を
効率よく吸収しうるように構成している。

さらに外筒１の上段区画室２５にはベンチュリ４を取り
囲むように円筒壁２６の周方向に多数のスリット２７を
有する気液分離室２８を形成し、この気液分離室２８上
部の外筒天板１Ａの周方向に複数の下向きスプレーノズ
ル２９を設けている。

そしてこの気液分離室２８は上部仕切板２及び沖間仕切
板８の中心部に形成した通孔３０を介して渦巻状通路終
部１３Ｃ，１４Ｃと連通し、気液分離室２８の外方は環
状通路３１となっており、外筒１に固着した処理ガス排
出管３２を連通連設している。

この考案は上記のような構成であって、ガス吸収装置の
外筒１中央部のベンチユリ４下端部から放出されるガス
は、下段区画室１７に配備された液溜２０の貯留液に衝
突してこれを気化あるいは霧化させる。

前記ガスはこの衝突で流れ方向が反転せしめられ、気化
あるいは霧化した液と接触し、未だ除去されていないす
す及び亜硫酸ガスが吸収除去される。

次に液溜２０から放出されるガスは、その流れ方向に沿
って設けられた半円弧状の仕切板２２により、ガス流れ
方向を規制されながらガス通路２３へ導入され、このガ
ス通路２３に配列された複数の水平型スプレーノズル２
４より噴霧される液滴と接触して不純物が吸収除去され
る。

そして中段区画室７の通孔１５ Ａ、１５ Ｂ、１６を
介して渦巻状通路１３．１４に流入したガスは、その渦
巻状通路１３．１４中に設けられた衝突型スプレーノズ
ル１８゜１９から噴出する微細な液滴と接触して亜硫酸
ガスが吸収除去される。

以上実施例で説明した本考案によると、ガス吸収装置の
外筒中央部のベンチュリから下段区画室の液溜に放出さ
れる高速ガスは液溜外側に設けた仕切板により、その流
れ方向を規制されながらガス通路へ導入され、このガス
通路内にガス流れに対向して配列された複数の水平型ス
プレーノズルから噴霧される液滴と接触し、燃焼ガス中
に含まれている不純物を吸収除去しうるように構成しで
あるため、液溜を介して中段区画室の渦巻状通路へ流入
される高速ガスは従来のように偏流を起すことがなくな
り、水平型スプレーノズルの全数と有効に接触してその
吸収効率を向上することができる。

【図面の簡単な説明】

図面はこの考案の実施例を示すもので、第１図はガス吸
収装置の縦断側面図、第２図は第１図のＡ−Ａ線に於け
る断面図、第３図は第１図のＢＢ線に於ける断面図であ
る。 １・・・・・・外筒、４・・・・・・ベンチュリ、５・
・・・・・燃焼ガス入口部、６，２４・・・・・・水平
型スプレーノズル、７・・・・・・中段区画室、１３．
１４・・・・・・渦巻状通路、１５ Ａ、１５ Ｂ、１
６゜３０・・・・・・通孔、１７・・・・・・下段区画
室、１８．１９・・・・・・衝突型スプレーノズル、２
０・・・・・・液溜、２２・・・・・・仕切板、２３・
・・・・・ガス通路、２５・・・・・・上段区画室、２
８・・・・・・気液分離室、２９・・・・・・下向きス
プレーノズル、３２・・・・・・処理ガス排出管。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 燃焼ガスを加速して下段区画室に放出するベンチュリと
   、ベンチュリから放出されたガスの渦巻状通路と、渦巻
   状通路から出たガスの気液分離室からなるガス吸収装置
   において、下段区画室のベンチュリ下端部と対向する液
   溜の外側にガス流れに沿って半円弧状の仕切板を設け、
   この仕切板と外筒の間にガス通路を形成してなるガス吸
   収装置用ガス流路の規制装置。