JPS5852294B2 - 高密度固体物質イオン生成装置 - Google Patents
高密度固体物質イオン生成装置Info
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- JPS5852294B2 JPS5852294B2 JP51024129A JP2412976A JPS5852294B2 JP S5852294 B2 JPS5852294 B2 JP S5852294B2 JP 51024129 A JP51024129 A JP 51024129A JP 2412976 A JP2412976 A JP 2412976A JP S5852294 B2 JPS5852294 B2 JP S5852294B2
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- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高密度固体物質イオン生成装置に関する。
従来から知られている固体蒸気をイオン化する方式とし
てはクヌーセン・セル(KmdsenCell)を用い
て発生した固体蒸気をイオン化する方式またはスパッタ
リングにより発生させた原子をイオン化する方式等が代
表的なものである。
てはクヌーセン・セル(KmdsenCell)を用い
て発生した固体蒸気をイオン化する方式またはスパッタ
リングにより発生させた原子をイオン化する方式等が代
表的なものである。
しかし乍ら、例えば高融点活性金属であるモリブデン等
について1.充分な強度のビーム状イオン束を発生させ
ることについて成功していない現状である。
について1.充分な強度のビーム状イオン束を発生させ
ることについて成功していない現状である。
本発明は、連続的なフ2ツシュ蒸発法と高効率放電例え
ばペイヤード・アルパー) (B ayard −Al
pert )電離真空計型またはペニング放電型の高効
率放電方式とを組合せて、高強度即ち高エネルギーを有
し高イオン密度のイオン流を得る、前記特許請求の範囲
各項に記載の高密度固体物質イオン生成装置を提供する
ものである。
ばペイヤード・アルパー) (B ayard −Al
pert )電離真空計型またはペニング放電型の高効
率放電方式とを組合せて、高強度即ち高エネルギーを有
し高イオン密度のイオン流を得る、前記特許請求の範囲
各項に記載の高密度固体物質イオン生成装置を提供する
ものである。
本発明装置の実施態様の数例を示す添附図面べ基づいて
更に詳述する。
更に詳述する。
第1図は本発明装置の各部材の配置関係を示す略図であ
って、1はレーザ光束源または高密度電子ビーム源、1
′はレーザ用気密窓、2は蒸発原子供給用固体物質、3
はレーザ光束又は電子ビーム、4は格子状又は網状の電
子加速電極(グリッド)、5は蒸発原子イオン化装置で
そのライラメントから出た熱電子を引きよせビームの通
過する空間へ導入する作用をする。
って、1はレーザ光束源または高密度電子ビーム源、1
′はレーザ用気密窓、2は蒸発原子供給用固体物質、3
はレーザ光束又は電子ビーム、4は格子状又は網状の電
子加速電極(グリッド)、5は蒸発原子イオン化装置で
そのライラメントから出た熱電子を引きよせビームの通
過する空間へ導入する作用をする。
6はシールド電極、7はイオン引出電極、8はイオンビ
ーム束を示す。
ーム束を示す。
上記装置によるイオンビーム束生成方法を説明する。
レーザ光束源または高密度電子ビーム源1よりレーザ光
束又は電子ビーム3を蒸発原子供給用固体物質2に向け
て照射する。
束又は電子ビーム3を蒸発原子供給用固体物質2に向け
て照射する。
この場合レーザ光束を用いる場合はレーザ用気密窓1′
を用いる。
を用いる。
蒸発原子供給用物質例へばモリブデン棒(4mzφ×6
mvt長さ)2へのレーザ光束又は電子ビームの照射に
より、該モリブデン棒に管状の通路が形成され、モリブ
デン原子が蒸発される。
mvt長さ)2へのレーザ光束又は電子ビームの照射に
より、該モリブデン棒に管状の通路が形成され、モリブ
デン原子が蒸発される。
この蒸発M。原子はレーザ光束又は電子ビームの照射を
続行することによシ、レーザ光束又は電子ビームの照射
方向の空間にクヌーセンの余弦の法則によって拡散され
ることなく高密度で前進しかつ押出作用をうけながら、
電子加速電極4内を通過時に蒸発原子イオン化装置、例
えば熱電子発生フィラメント(タングステン製)5から
の電子の作用によりイオン化テれ、シールド電極6.イ
オン引出電極7によって高密度の固体イオンビーム束8
が得られる。
続行することによシ、レーザ光束又は電子ビームの照射
方向の空間にクヌーセンの余弦の法則によって拡散され
ることなく高密度で前進しかつ押出作用をうけながら、
電子加速電極4内を通過時に蒸発原子イオン化装置、例
えば熱電子発生フィラメント(タングステン製)5から
の電子の作用によりイオン化テれ、シールド電極6.イ
オン引出電極7によって高密度の固体イオンビーム束8
が得られる。
なお、固体物質2は一体のものでなく更に融点の高い管
状物質の内壁全面に蒸発原子供給用固体物質を内装して
もよい。
状物質の内壁全面に蒸発原子供給用固体物質を内装して
もよい。
第2図に示す具体例は前記例の蒸発原子イオン化装置と
して、ペニング放電計型の電極構造を用いた場合を示し
、軸方向磁場を形成するために永久磁石(または電磁コ
イル)9を用いた生成装置を示す。
して、ペニング放電計型の電極構造を用いた場合を示し
、軸方向磁場を形成するために永久磁石(または電磁コ
イル)9を用いた生成装置を示す。
第3図は、蒸発原子供給用固体物質を連続的に供給し得
る機構を備えた本発明装置の一例を示す。
る機構を備えた本発明装置の一例を示す。
図面において2′は前記固体物質の薄い円板であり軸1
0を中心として回転しかつ軸10と共に上下動する。
0を中心として回転しかつ軸10と共に上下動する。
この場合、2は前記薄い円板1と同一材料の中空体であ
り、その中空部をレーザ光束源又は電子ビーム3が通過
し、従って前記薄い円板2はレーザ・ビーム3をその外
周よシ順次中心に向って、即ち渦巻状に横切りながら回
転し、固体物質はレーザビーム3により順次蒸発される
。
り、その中空部をレーザ光束源又は電子ビーム3が通過
し、従って前記薄い円板2はレーザ・ビーム3をその外
周よシ順次中心に向って、即ち渦巻状に横切りながら回
転し、固体物質はレーザビーム3により順次蒸発される
。
中空体2はその長手方向において2分してあり、前記円
板2′がその間で回転する。
板2′がその間で回転する。
該中空体2の中空部はレーザ・ビームの通路を形成し、
この中空部内壁に付着した蒸着物は連続して照射堺れる
レーザビームによって再び蒸発される。
この中空部内壁に付着した蒸着物は連続して照射堺れる
レーザビームによって再び蒸発される。
上記の各具体的装置の場合における主たる実施条件はほ
ぼ次の通りである: 真空度 :<2X10 )−ル ミ子加速電極に印加する電圧:150〜250V蒸発原
子イオン化装置の熱電:0.1−1−1O子流 磁束密度 :200〜30000e シールド電極に印加する電圧:の〜−50Vイオン引出
電極に印加する電圧二 〇V 本発明の方法で生成される高密度かつ高エネルギー固体
イオンを従来法(クヌーセン法)に比較すれば次のよう
に説明することができる。
ぼ次の通りである: 真空度 :<2X10 )−ル ミ子加速電極に印加する電圧:150〜250V蒸発原
子イオン化装置の熱電:0.1−1−1O子流 磁束密度 :200〜30000e シールド電極に印加する電圧:の〜−50Vイオン引出
電極に印加する電圧二 〇V 本発明の方法で生成される高密度かつ高エネルギー固体
イオンを従来法(クヌーセン法)に比較すれば次のよう
に説明することができる。
金属蒸発原子の温度は、その金属の融点に近い(実験に
よれば融点より200℃程度高い)ものであるから、蒸
気圧従って蒸気密度は金属蒸気の発生源で測定してP(
Tm+200)以下である(但しTmUその金属の融点
である)。
よれば融点より200℃程度高い)ものであるから、蒸
気圧従って蒸気密度は金属蒸気の発生源で測定してP(
Tm+200)以下である(但しTmUその金属の融点
である)。
例えば蒸発源がモリブデンであると、その蒸気圧は最大
lトールである。
lトールである。
これらの蒸発金属原子はクヌーセンの余弦の法則に従っ
て放射されるので、イオン化領域では最大10−2 ト
ール程度である。
て放射されるので、イオン化領域では最大10−2 ト
ール程度である。
本発明方法の場合、蒸気発生源の蒸気温度は計算上では
容易に20000°Kを超えるが、重要なことは蒸気の
角度分布がCo5nθ(=(Cosθ)〕(n>4)で
あることで、このために蒸気はイオン化領域でも細いビ
ーム状となり、動圧であられして1ト一ル以上のビーム
内蒸気密度が得られる。
容易に20000°Kを超えるが、重要なことは蒸気の
角度分布がCo5nθ(=(Cosθ)〕(n>4)で
あることで、このために蒸気はイオン化領域でも細いビ
ーム状となり、動圧であられして1ト一ル以上のビーム
内蒸気密度が得られる。
更に本発明の方法は、得られるイオンビーム従って原子
ビームの密度が犬である。
ビームの密度が犬である。
この理由は前記具体例で示したように中央の管状通路(
事実上の蒸発原子供給源)の管壁温度を該通路を構成す
る金属の融点近くまで上昇させることによって達成され
る。
事実上の蒸発原子供給源)の管壁温度を該通路を構成す
る金属の融点近くまで上昇させることによって達成され
る。
更にレーザ・ビーム又は電子ビームの照射(進行)方向
への押出作用によってあたかもジェット気流における動
圧と静圧の関係の如く、進行方向について特に密度が高
めら゛れる効果がある。
への押出作用によってあたかもジェット気流における動
圧と静圧の関係の如く、進行方向について特に密度が高
めら゛れる効果がある。
第1図は本発明装置の一例を示す分解斜視図、第2図は
本発明装置の他の一例を示す分解斜視図、第3図は本発
明装置の別の一例を示す分解斜視図であり、図中1はレ
ーザ光束源または高密度電子ビーム源、1′はレーザ用
気密窓、2は蒸発原子供給用固体物質、2′は薄板状の
蒸発原子供給用固体物質、3はレーザ光束又は電子ビー
ム、4は格子状又は網状電子加速電極、5は蒸発原子イ
オン化装置、6はシールド電極、7はイオン引出電極、
8はイオンビーム束、9は永久磁石又は電磁コイル、1
0は薄板状固体物質1の回転軸を夫々示す。
本発明装置の他の一例を示す分解斜視図、第3図は本発
明装置の別の一例を示す分解斜視図であり、図中1はレ
ーザ光束源または高密度電子ビーム源、1′はレーザ用
気密窓、2は蒸発原子供給用固体物質、2′は薄板状の
蒸発原子供給用固体物質、3はレーザ光束又は電子ビー
ム、4は格子状又は網状電子加速電極、5は蒸発原子イ
オン化装置、6はシールド電極、7はイオン引出電極、
8はイオンビーム束、9は永久磁石又は電磁コイル、1
0は薄板状固体物質1の回転軸を夫々示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 蒸発原子供給用固体物質に対し一側にレーザ光束源
または高密度電子ビーム源を配設し、他側に電子加速電
極、シールド電極およびイオン引出電極を順次配置し、
前記電子加速電極には蒸発原子イオン化装置を附設して
なる高密度固体物質イオン生成装置。 2 レーザ光束源を用いる場合、該光束源と蒸発原子供
給用固体物質との間に、レーザ用気密窓を設ける特許請
求の範囲第1項記載の装置。 3 蒸発原子用固体物質よシ融点の高い管状物質の内壁
全面に、蒸発原子供給用固体物質を内装することからな
る特許請求の範囲第1項記載の装置。 4 レーザ光束または高密度電子ビームの軸線上を、渦
巻状に横切シかつ回転する板状蒸発原子供給用固体物質
を用いる特許請求の範囲第1項記載の装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51024129A JPS5852294B2 (ja) | 1976-03-08 | 1976-03-08 | 高密度固体物質イオン生成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51024129A JPS5852294B2 (ja) | 1976-03-08 | 1976-03-08 | 高密度固体物質イオン生成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS52107887A JPS52107887A (en) | 1977-09-09 |
| JPS5852294B2 true JPS5852294B2 (ja) | 1983-11-21 |
Family
ID=12129687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51024129A Expired JPS5852294B2 (ja) | 1976-03-08 | 1976-03-08 | 高密度固体物質イオン生成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5852294B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61159564U (ja) * | 1985-03-25 | 1986-10-03 | ||
| JPS6314618U (ja) * | 1986-06-25 | 1988-01-30 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5946748A (ja) * | 1982-09-10 | 1984-03-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | イオンシヤワ装置 |
-
1976
- 1976-03-08 JP JP51024129A patent/JPS5852294B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61159564U (ja) * | 1985-03-25 | 1986-10-03 | ||
| JPS6314618U (ja) * | 1986-06-25 | 1988-01-30 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS52107887A (en) | 1977-09-09 |
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