JPS5852818A - フオトレジスト自動露光装置 - Google Patents
フオトレジスト自動露光装置Info
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- JPS5852818A JPS5852818A JP56150558A JP15055881A JPS5852818A JP S5852818 A JPS5852818 A JP S5852818A JP 56150558 A JP56150558 A JP 56150558A JP 15055881 A JP15055881 A JP 15055881A JP S5852818 A JPS5852818 A JP S5852818A
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- Japan
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体製造工程において用いられるフォトレ
ジスト自動露光装置に係り、さらに詳しくは紫外線領域
の光を対象とし、主に集積化半導体ツバターンをフォト
レジストに焼付けるのに適したフォトレジスト自動露光
装置に関する。
ジスト自動露光装置に係り、さらに詳しくは紫外線領域
の光を対象とし、主に集積化半導体ツバターンをフォト
レジストに焼付けるのに適したフォトレジスト自動露光
装置に関する。
従来より、このようなフォトレジスト自動露光装置は、
光量フィードバック回路又は光積分方式シャッタ制御回
路を有してい友。しかし、前者は照明ランプ却命を考え
ると限界があり、完全な照度の一定化は不可能であった
。
光量フィードバック回路又は光積分方式シャッタ制御回
路を有してい友。しかし、前者は照明ランプ却命を考え
ると限界があり、完全な照度の一定化は不可能であった
。
を九後者では、時間的に変化する照度の時間積分を行な
い、制御は、照度の１乗に比例して行なわれてい友丸め
、露光条件を満足させる事ができなかつた。
い、制御は、照度の１乗に比例して行なわれてい友丸め
、露光条件を満足させる事ができなかつた。
１８１図は、従来の７オトレジスト照明装置における、
前記後者の自動露光装置の機能構成図でめる。図におい
て、１社露光光線、２紘受光素子、３は増幅器、５は積
分ｓ、ａｔｉ電圧比較器、７は露光時間設定器である。
前記後者の自動露光装置の機能構成図でめる。図におい
て、１社露光光線、２紘受光素子、３は増幅器、５は積
分ｓ、ａｔｉ電圧比較器、７は露光時間設定器である。
フォトレジストの露光時には、露光光線１を受光する受
光素子２の出力を増幅器３で増幅し、その出力を積分器
５で時間積分を行なう。そして、露光時間設定器７の出
力電圧Ｙと、積分１６５の出力（電圧Ｖ）とを電圧比較
ＩＩ６で比較する。比較の結果、積分器５の出力電圧Ｖ
が、設定された電圧ｒと一致した時点で、電圧比較器６
から出力１４を発生し、シャッタを閉じる制御を行なり
ている。
光素子２の出力を増幅器３で増幅し、その出力を積分器
５で時間積分を行なう。そして、露光時間設定器７の出
力電圧Ｙと、積分１６５の出力（電圧Ｖ）とを電圧比較
ＩＩ６で比較する。比較の結果、積分器５の出力電圧Ｖ
が、設定された電圧ｒと一致した時点で、電圧比較器６
から出力１４を発生し、シャッタを閉じる制御を行なり
ている。
しかるにこの方法では、フォトレジストの感光特性上０
ＩＩＩ変に対する非直線性、すなわち相反則不軌４＆に
封部で自なかつ九。すなわち、設定された露光時間を照
度変化に応じて伸縮制御していても、実効エネルギの変
化には追従できず、フォトレジスト潜像パメーンに大き
な寸法誤差をもえもしていた。
ＩＩＩ変に対する非直線性、すなわち相反則不軌４＆に
封部で自なかつ九。すなわち、設定された露光時間を照
度変化に応じて伸縮制御していても、実効エネルギの変
化には追従できず、フォトレジスト潜像パメーンに大き
な寸法誤差をもえもしていた。
前述の相反則不軌性は、例えば２倍の照度で露光し丸場
舎は、露光時間が１／２よシ短かくても同じ露光効果を
与え得るということである。
舎は、露光時間が１／２よシ短かくても同じ露光効果を
与え得るということである。
こ−で、シエグアルツシルトの定款をｐとすれば、実効
エネルギＩａ（１）式で真わされる。
エネルギＩａ（１）式で真わされる。
たソし。
ｔ ：時刻
Ｉ（ｔ） ：時刻ｔＫ訃ける照度
Ｔ ：露光時間
本発明は上記の相反則不軌性を勘案してなされたもので
ある。
ある。
したがって、本発明の目的は、従来の光積分方式の露光
制御が、時間的に変化する照度の時間積分を用いていた
のに対し、相反則不軌性を考慮して、露光の実効エネル
ギを自動計算し、被照明フォトレジストに最適な露光量
を、高精度に供給できるようなフォトレジスト自動露光
装置を提供することにある。
制御が、時間的に変化する照度の時間積分を用いていた
のに対し、相反則不軌性を考慮して、露光の実効エネル
ギを自動計算し、被照明フォトレジストに最適な露光量
を、高精度に供給できるようなフォトレジスト自動露光
装置を提供することにある。
本発明の特徴は、相反則不軌性を表わす定数ｐを用いて
、時間変化する照度の１／ｐ乗を時間積分し、この値が
予め設定されている実効エネルギに到達し九時点で、露
光を終了する様にした点にある。
、時間変化する照度の１／ｐ乗を時間積分し、この値が
予め設定されている実効エネルギに到達し九時点で、露
光を終了する様にした点にある。
そしてそＯ制御には、マイクロコンビエータなどの演算
記憶装置が有効に使用される。これによシ、照明ランプ
の経時照度低下を前提として、正確なフォトレジスト照
＠（露光）を実現することができる。
記憶装置が有効に使用される。これによシ、照明ランプ
の経時照度低下を前提として、正確なフォトレジスト照
＠（露光）を実現することができる。
１４２図は本発明の一実施例の機能構成図で、第１１３
！！ｌと同じ構成要素に対しては同一の記号を付してい
る。
！！ｌと同じ構成要素に対しては同一の記号を付してい
る。
′ｓ２図において、４はべき演算器、８紘シエグアルツ
シルトの定数設定器、９はシャッタ駆動回路、９′はシ
ャッタである。
シルトの定数設定器、９はシャッタ駆動回路、９′はシ
ャッタである。
露光光−１を受光する受光素子２の出力を増幅器３で増
幅し、その出力をべ自演算ＩＩ４のｌ（べ＊＞＊入力と
する。一方、前記ぺ自演算器４への乗数入力は、シエグ
アルツシルトの定数ｐを設定する設定ｌｌ１ｌＫ接続さ
れている。
幅し、その出力をべ自演算ＩＩ４のｌ（べ＊＞＊入力と
する。一方、前記ぺ自演算器４への乗数入力は、シエグ
アルツシルトの定数ｐを設定する設定ｌｌ１ｌＫ接続さ
れている。
べき演算出力線積分１１５に入力され、ここで入力信号
の時間積分が行なわれる。積分器５の出力は、比較器６
で実効エネルギ値設定器、すなわち露光時間設定器７の
出力脂と比軟される。そして、積分ｌｓ５の出力が前記
励と一致し九時点で、シャッタ制御信号を比ＩＩＲＩＩ
ｉ６から発生して、シャッタ駆動回路９に接続されたシ
ャッタ９′を自動的に閉ざすことができる。
の時間積分が行なわれる。積分器５の出力は、比較器６
で実効エネルギ値設定器、すなわち露光時間設定器７の
出力脂と比軟される。そして、積分ｌｓ５の出力が前記
励と一致し九時点で、シャッタ制御信号を比ＩＩＲＩＩ
ｉ６から発生して、シャッタ駆動回路９に接続されたシ
ャッタ９′を自動的に閉ざすことができる。
なお、前記シエヴアルツシルトの定数ｐは、フォトレジ
ストの化学的性質（品種）が定まれば、一般に一定値を
有すると考えられるが、フォトレジスジの塗布条件など
でも変わるかも知れない。
ストの化学的性質（品種）が定まれば、一般に一定値を
有すると考えられるが、フォトレジスジの塗布条件など
でも変わるかも知れない。
第４図は、Ｊ１１度が規定の０．８俺の時の露光時間Ｔ
と実効エネルギＥを、それぞれ横軸と縦軸に表わし、定
数ｐｔ−パラメータとしたグラブである。
と実効エネルギＥを、それぞれ横軸と縦軸に表わし、定
数ｐｔ−パラメータとしたグラブである。
この場合、明らかなように、ＪＩ光に必要とする実効エ
ネルギ脂は、横軸 に平行な直Ｉａ９４で示される。
ネルギ脂は、横軸 に平行な直Ｉａ９４で示される。
いま、実効エネルギ脂を、例え瓜Ｊ５（＆１１ｉ盛）に
設定すると、定数ｐが０．６の場合は露光時間Ｔを１６
％嬌長する必要がある事をこの図は示している。同様に
、定数ｐが１．６０場合に杜、露光時間Ｔ ｔ−６，３
％短縮しなければならないことがわかる。
設定すると、定数ｐが０．６の場合は露光時間Ｔを１６
％嬌長する必要がある事をこの図は示している。同様に
、定数ｐが１．６０場合に杜、露光時間Ｔ ｔ−６，３
％短縮しなければならないことがわかる。
この様にして、露光工場におけるフォトレジスト条件か
ら与えられる最適の実効エネルギ量ｎを、予め設定して
置けば、露光における（１）式の積分計算値Ｅと一部し
た時点で終了する露光を行なうことができる。
ら与えられる最適の実効エネルギ量ｎを、予め設定して
置けば、露光における（１）式の積分計算値Ｅと一部し
た時点で終了する露光を行なうことができる。
第３図は、受光素子２としてフォトダイオード２０を用
い、疼光照Ｉｌ！に比例した光電流ｔを演算増幅ｌ！３
１に入力し、電圧出力として取如出すものである。なお
、平衡調節囲路２１は増幅器３のオフセットを取ｐ除く
作用をする。
い、疼光照Ｉｌ！に比例した光電流ｔを演算増幅ｌ！３
１に入力し、電圧出力として取如出すものである。なお
、平衡調節囲路２１は増幅器３のオフセットを取ｐ除く
作用をする。
第５図は、本発明のフォトレジスト自動露光装置を縮小
投影露光装置に実施した例である。
投影露光装置に実施した例である。
高圧水銀灯５０からの光は、集光光学系５１によ）シャ
ッタ興５３に向い、光学フィルタ５４を経て平面鏡５５
で反射され、コンデンサレンズ５７に入射する。このと
１、露光光線１は、原画５８の有効エリアの外縁部に置
かれた受光素子支持体５６にも入射するようにされてい
る。
ッタ興５３に向い、光学フィルタ５４を経て平面鏡５５
で反射され、コンデンサレンズ５７に入射する。このと
１、露光光線１は、原画５８の有効エリアの外縁部に置
かれた受光素子支持体５６にも入射するようにされてい
る。
原−５８を通過し＊、光線、縮小レンズ５９により、半
導体ウェーハ６０ｏ真ＩｉＩに塗布され九フォトＶシス
ト膜６１上に結像する。したがって、支持体５６上の受
光素子２から７オトレジスト膜６１上の照度に比例した
光電流を取り出すことができる。
導体ウェーハ６０ｏ真ＩｉＩに塗布され九フォトＶシス
ト膜６１上に結像する。したがって、支持体５６上の受
光素子２から７オトレジスト膜６１上の照度に比例した
光電流を取り出すことができる。
第６図は、第５図のＡ −Ａ’断面図であり、光線ＩＫ
：ｆｆ１１１５ｇが照明されておシ、原画の有効エリア
の外に、受光索子２およびその支持体５６が配置されて
いる様子を示している。明らか人ように、受光素子支持
体５６は、第５図のコンデンサレンズ５７の下側に配置
されても良い。
：ｆｆ１１１５ｇが照明されておシ、原画の有効エリア
の外に、受光索子２およびその支持体５６が配置されて
いる様子を示している。明らか人ように、受光素子支持
体５６は、第５図のコンデンサレンズ５７の下側に配置
されても良い。
ま九、第７図に示す様に、ｊＩｓ図の平面鏡５５を半透
鏡５５人に置き換え、照明光の一部を集光レンズ６５で
受光素子２に入射させることもできる。
鏡５５人に置き換え、照明光の一部を集光レンズ６５で
受光素子２に入射させることもできる。
第７図の構成によれば主照＠大６６は、着干その＋３！
１ｌｒＩＬが低下するが、第５図の方式で紘利用でもな
い中心軸光を、光量測定に用いるので、照明光の周辺に
照度の局所的なむらがあったとしても、その影響を最小
に抑えて、より正確な測定を行なうことができる。
１ｌｒＩＬが低下するが、第５図の方式で紘利用でもな
い中心軸光を、光量測定に用いるので、照明光の周辺に
照度の局所的なむらがあったとしても、その影響を最小
に抑えて、より正確な測定を行なうことができる。
第８図は、纂２図における計算処理手段であるぺ自演算
器４、積分器５をよび比ＩＩ！４１６などを、１個の演
算配憶装置４０にて置換し、露光制御をディジタル的に
行なうようにし九例である。
器４、積分器５をよび比ＩＩ！４１６などを、１個の演
算配憶装置４０にて置換し、露光制御をディジタル的に
行なうようにし九例である。
第８図の例では、受光素子２の出力は、増幅器３を経て
Ａ−Ｄ変換器３８の電圧入力となる０ム−Ｄ変換器３５
のディジタル出力３８は、演算記憶装置４０の共通母線
４４に接続されている。共通母線４４は、演算記憶装置
４１、記憶装置４２およびデコーダ回路４３を相互に連
結する。演算処理装置４１にシいては、（２）式９よび
（３）式の演算が行なわれる。
Ａ−Ｄ変換器３８の電圧入力となる０ム−Ｄ変換器３５
のディジタル出力３８は、演算記憶装置４０の共通母線
４４に接続されている。共通母線４４は、演算記憶装置
４１、記憶装置４２およびデコーダ回路４３を相互に連
結する。演算処理装置４１にシいては、（２）式９よび
（３）式の演算が行なわれる。
λ ”Ｄｔ−１＋Ｃｔ ・・・・・・・・・・・
・・・・（３）ただし、 ム〜Ｄ：記憶装置４２中の変数 ■ｔ：時刻ｔ４ｃｊｉＰける照度Ｉ （ｔ）のディジタ
ル値 Ｃｔ：時ｍｔＫ＆ける夷効ａｇｏ値 Ｄｔ二時刻ｔにおける積分値 つぎに、前記演算によって得られた実効エネルギ斑が、
予め設定されてい九設定値脂に対して、（４）式を満足
するかどうかの比較判定を行なう。
・・・・（３）ただし、 ム〜Ｄ：記憶装置４２中の変数 ■ｔ：時刻ｔ４ｃｊｉＰける照度Ｉ （ｔ）のディジタ
ル値 Ｃｔ：時ｍｔＫ＆ける夷効ａｇｏ値 Ｄｔ二時刻ｔにおける積分値 つぎに、前記演算によって得られた実効エネルギ斑が、
予め設定されてい九設定値脂に対して、（４）式を満足
するかどうかの比較判定を行なう。
Ｄｔ ≧ 励 ・・・・・・・・・・・・・・・（４
）前記（４）式の条件が成立した時に、デコーダ回路４
３により制御信号を出力し、シャッタ駆動回路９を作動
させる。すなわち、シャッタ駆動用回転ソレノイド５２
の抑止全解除して、シャッタ翼５３を閉じさせる。その
結果、露光光−１が遮断され、第５図に示したフオトレ
ジス）６１ならびに受光素子２への照射を経了する。
）前記（４）式の条件が成立した時に、デコーダ回路４
３により制御信号を出力し、シャッタ駆動回路９を作動
させる。すなわち、シャッタ駆動用回転ソレノイド５２
の抑止全解除して、シャッタ翼５３を閉じさせる。その
結果、露光光−１が遮断され、第５図に示したフオトレ
ジス）６１ならびに受光素子２への照射を経了する。
なお、以上において、（２）式の演算は常用対数を用い
友ものであるが、２を底とする対数を用いても良いこと
はもちろんである。ま九、一般に、対数計算を行なうに
は、記憶装置４２に対数表を記憶して置くのが、演算時
間を短縮する上で有利である。
友ものであるが、２を底とする対数を用いても良いこと
はもちろんである。ま九、一般に、対数計算を行なうに
は、記憶装置４２に対数表を記憶して置くのが、演算時
間を短縮する上で有利である。
また、前記（１）〜（４）式の演算処理時間を１ミＵ秒
以下にする事は現在の技術でも容易であり、露光時間の
制御は１１９秒刻みで行えれば充分である。
以下にする事は現在の技術でも容易であり、露光時間の
制御は１１９秒刻みで行えれば充分である。
さらに、第８図のシャッタ駆動部５２としては、回転ソ
レノイドの代りに、両方向又は一方向に回転するモータ
を用いてもよく、これによっても容易にシャッタ５３を
開閉することができる。
レノイドの代りに、両方向又は一方向に回転するモータ
を用いてもよく、これによっても容易にシャッタ５３を
開閉することができる。
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、半導
体の光蝕刻工１に使用されるフォトレジストの相反則不
軌性を簡単な手段で補償することができ、且つ任意の値
のシエヴアルツシルトの定数ｐに対処することができる
。
体の光蝕刻工１に使用されるフォトレジストの相反則不
軌性を簡単な手段で補償することができ、且つ任意の値
のシエヴアルツシルトの定数ｐに対処することができる
。
したがって、特性中品種を異にする種々のフォトレジス
ト、及びプロセス条件に最適の露光を行なう事ができる
。その結果、光蝕刻パターンの寸法誤差を最小にし、半
導体チップの歩留りを向上させる事ができる。
ト、及びプロセス条件に最適の露光を行なう事ができる
。その結果、光蝕刻パターンの寸法誤差を最小にし、半
導体チップの歩留りを向上させる事ができる。
特に、プロセス条件の変ｊ！により、露光時間等を変化
させなければならない場合、従来はその丸めの条件出し
や精度確認に長時間を資していたが、本発明によれば、
シ晶ヴアルツシルトの定数ｐ又は実効エネルギ励の設定
変更が害鳥にて自ゐ。このため、生産を行なわない準備
時間を短縮し、生産効率を向上することができる。
させなければならない場合、従来はその丸めの条件出し
や精度確認に長時間を資していたが、本発明によれば、
シ晶ヴアルツシルトの定数ｐ又は実効エネルギ励の設定
変更が害鳥にて自ゐ。このため、生産を行なわない準備
時間を短縮し、生産効率を向上することができる。
半導体光蝕刻法における最大の悩みは、比較的短寿命の
光源用高圧水銀灯の輝度が、時間の経過とともに連続的
に低下して行く事である。これを補償するために、従来
は自動輝度調整回路を用いて輝度を一定に保持していた
。し九がって、時間の経過とともに、高圧水銀灯の入力
電力が増加し、寿命短縮を加速していた。
光源用高圧水銀灯の輝度が、時間の経過とともに連続的
に低下して行く事である。これを補償するために、従来
は自動輝度調整回路を用いて輝度を一定に保持していた
。し九がって、時間の経過とともに、高圧水銀灯の入力
電力が増加し、寿命短縮を加速していた。
しかし、本発明によれば、低照度にても適正な露光を与
えることができるので、入力電力を増加させる必要がな
く、従って寿命も長くする事ができる。
えることができるので、入力電力を増加させる必要がな
く、従って寿命も長くする事ができる。
高圧水銀灯の様な、交換調整に厳畔性を要する消耗部品
の寿命が延び、その交換時間間隔が延蚤されることは、
稼動率の向上をもたらし、その効果は極めて大きい。
の寿命が延び、その交換時間間隔が延蚤されることは、
稼動率の向上をもたらし、その効果は極めて大きい。
第１図は従来の７オトレジスト自動露光装置の機能構成
図、第２図は本発明の一実施例の機能構成図、第３図社
受光素子出力回路の一例を示すブロック図、第４図は照
度が基準値から低下した場合の実効エネルギと所要露光
時間との関係例を示すグラフ、第Ｓ図社本弗−を投影縮
小露光装置に適用した場合の概略構成図、第６図はＪＩ
ＩＩｓ図のＡ−Ａ′−からみ丸干面図、第７図は第５図
の変形例を示す置部の概略構成図、第８１！ｌｌは計算
感層手段として演算記憶鉄量を用いえ場合の本発明の他
の実施例の機能構成図である。 ２・・・受光素子、３・・・増幅器、４・・・べ自演算
鏝、５・・・積分器、６・・・比較器、７・・・侭光岡
−？’１１級も器、 ８・・・定数ｐＯ設定器、
９−・シイツタ駆動回路、５０・・・高圧水銀灯、５３
・・・シャッタ賃。 ５６・・・受光素子支持体、５８・・・原画。 ５９・・・縮小レンズ、６０・・・ウェーハ、６１・・
・７オトレジスト膜 代理人弁理士 平 木 道 人 ２５図 オ ６ｖａ ２７図 才８図
図、第２図は本発明の一実施例の機能構成図、第３図社
受光素子出力回路の一例を示すブロック図、第４図は照
度が基準値から低下した場合の実効エネルギと所要露光
時間との関係例を示すグラフ、第Ｓ図社本弗−を投影縮
小露光装置に適用した場合の概略構成図、第６図はＪＩ
ＩＩｓ図のＡ−Ａ′−からみ丸干面図、第７図は第５図
の変形例を示す置部の概略構成図、第８１！ｌｌは計算
感層手段として演算記憶鉄量を用いえ場合の本発明の他
の実施例の機能構成図である。 ２・・・受光素子、３・・・増幅器、４・・・べ自演算
鏝、５・・・積分器、６・・・比較器、７・・・侭光岡
−？’１１級も器、 ８・・・定数ｐＯ設定器、
９−・シイツタ駆動回路、５０・・・高圧水銀灯、５３
・・・シャッタ賃。 ５６・・・受光素子支持体、５８・・・原画。 ５９・・・縮小レンズ、６０・・・ウェーハ、６１・・
・７オトレジスト膜 代理人弁理士 平 木 道 人 ２５図 オ ６ｖａ ２７図 才８図
Claims (3)
- （１） ＨＩｉ ｔｏ光！＃儂を７オトレジスト膜上に
紬曽させて露光するフォトレジスト自動露光装置Ｋ）い
て、フォトレジストの相反則不軌性をシエヴアルッシル
トの定ｌＩｋνで表わすとき、フォトレジストの露光照
度を調定する受光素子と、上記受光素子出力を１／ｐ乗
するべ自演算手段と、該べ自演算手ＭＩの出力を、露光
８０時点から時間積分する手段と、皺積分手段の出力が
規定値に達した時点で、上記フォトレジストに対する露
光を終了させゐ手段とを具備し九ことをｅｌｌとするフ
ォトレジスト自動露光装置。 - （２）受光素子出力を１７ｐ乗するべ自演算手段と、該
ぺ自演算手段の出力を時間積分する手段とが、アナログ
−ディジタル変換器と、鋏変換器の出力が共通母線によ
って接続された演算記憶装置とで構成されたことを特徴
とする特許請求ｃｎｉｉｍ第１１ｉｉ記載のフォトレジ
スト自動露光装置。 - （３）照度の時間変化に対して、 九だし、 ｔ ：時刻 １（ｔ） ：時刻ｔＫおけるｍ＊ Ｔ ：露光時間 ｐ ニジ為グアルツＶルトの定数 ｇ ：＊効エネルギ によって示される実効エネルギを計算する手段を有し、
露光せんとする７オトレジス）に対する定数Ｐの値と、
該露光条件における最適の実効エネルギの値とをグリ竜
ット又は入力し得る如くし九ことを特徴とする特許請求
０ｆａ１１第２項記載の７オトレジスト自動露光装置・
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56150558A JPS5852818A (ja) | 1981-09-25 | 1981-09-25 | フオトレジスト自動露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56150558A JPS5852818A (ja) | 1981-09-25 | 1981-09-25 | フオトレジスト自動露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5852818A true JPS5852818A (ja) | 1983-03-29 |
Family
ID=15499500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56150558A Pending JPS5852818A (ja) | 1981-09-25 | 1981-09-25 | フオトレジスト自動露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5852818A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60162258A (ja) * | 1984-02-01 | 1985-08-24 | Canon Inc | 露光装置 |
-
1981
- 1981-09-25 JP JP56150558A patent/JPS5852818A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60162258A (ja) * | 1984-02-01 | 1985-08-24 | Canon Inc | 露光装置 |
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