JPS5852819A - レジストパタン処理方法 - Google Patents
レジストパタン処理方法Info
- Publication number
- JPS5852819A JPS5852819A JP56150734A JP15073481A JPS5852819A JP S5852819 A JPS5852819 A JP S5852819A JP 56150734 A JP56150734 A JP 56150734A JP 15073481 A JP15073481 A JP 15073481A JP S5852819 A JPS5852819 A JP S5852819A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist pattern
- gas
- resist
- plasma
- dry etching
- Prior art date
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- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体素子製造技術におけるレジストバタン
処理に係り、耐ドライエツチング性の高いレジストパタ
ンを形成する処理方法に関するものである。
処理に係り、耐ドライエツチング性の高いレジストパタ
ンを形成する処理方法に関するものである。
従来の耐ドライエツチング性を高めることを目的とした
レジストバタン処理方法について具体的に例をあげ、従
来技術の方法と問題点を説明する。
レジストバタン処理方法について具体的に例をあげ、従
来技術の方法と問題点を説明する。
基板上に形成されたレジストパタンに、現像後２０−レ
ジスト中に残存するエポキシ基の反応性を利用して耐イ
オンエツチング性がレジストよりも高い芳香族アミンを
含浸させる方法がある。このように、レジスト以外の高
分子物質を適当な溶媒を介してレジスト中に含浸させる
場合、レジストが含浸により膨張する。微細なレジスト
パタンでは、隣り合ったバタンかくっつくなど、バタン
形状の劣化を伴なう。このため、適用可能なレジストバ
タンサイズに制限があった。また、現像後にレジスト中
に残存する反応性を利用して、耐ドライエツチング性の
高い物質を含浸させるため、適用可能なレジストが制限
されるという欠点があった。４本発明は、これらの問題
点を解決するため、不活性力ｘ （Ａｒ、 Ｎｅ、 Ｈ
ｅ、 Ｋｒ、 Ｘｅ、 Ｒｎ、 Ｎ２等）、炭化水素系
ガｘ （ＣＨ４，Ｃ２Ｈ４，Ｃ５Ｈｓ、Ｃ２Ｈ６等）、
弗化炭素系ガス（ＣＦ４． （、Ｆ６等）の内の１種ま
たは２種以上の混合ガスプラズマを用いて、レジストパ
タンの表層部にイオン衝撃を与えることを特徴とし、そ
の目的は、下地基板の高精度加工に必要な耐ドライエツ
チング性の高いレジストパタンを形成することである。
ジスト中に残存するエポキシ基の反応性を利用して耐イ
オンエツチング性がレジストよりも高い芳香族アミンを
含浸させる方法がある。このように、レジスト以外の高
分子物質を適当な溶媒を介してレジスト中に含浸させる
場合、レジストが含浸により膨張する。微細なレジスト
パタンでは、隣り合ったバタンかくっつくなど、バタン
形状の劣化を伴なう。このため、適用可能なレジストバ
タンサイズに制限があった。また、現像後にレジスト中
に残存する反応性を利用して、耐ドライエツチング性の
高い物質を含浸させるため、適用可能なレジストが制限
されるという欠点があった。４本発明は、これらの問題
点を解決するため、不活性力ｘ （Ａｒ、 Ｎｅ、 Ｈ
ｅ、 Ｋｒ、 Ｘｅ、 Ｒｎ、 Ｎ２等）、炭化水素系
ガｘ （ＣＨ４，Ｃ２Ｈ４，Ｃ５Ｈｓ、Ｃ２Ｈ６等）、
弗化炭素系ガス（ＣＦ４． （、Ｆ６等）の内の１種ま
たは２種以上の混合ガスプラズマを用いて、レジストパ
タンの表層部にイオン衝撃を与えることを特徴とし、そ
の目的は、下地基板の高精度加工に必要な耐ドライエツ
チング性の高いレジストパタンを形成することである。
以下図面に即して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の方法を実施するための装置と試料の配
置を示す模式図である。図において、１は表面にレジス
トパタンを形成した下地基板、２は高周波を印加する電
極（試料台を兼ねる）、３は石英製の真空容器、４は高
周波電源、５は接地された電極である。
置を示す模式図である。図において、１は表面にレジス
トパタンを形成した下地基板、２は高周波を印加する電
極（試料台を兼ねる）、３は石英製の真空容器、４は高
周波電源、５は接地された電極である。
不活性ガスとしてＡｒを使用し、炭化水素系ガスとして
ＣＨ４を使用するプラズマ処理に例をとり、本発明のレ
ジストパタンのドライエツチング耐性向上方法を実施例
によって説明する。
ＣＨ４を使用するプラズマ処理に例をとり、本発明のレ
ジストパタンのドライエツチング耐性向上方法を実施例
によって説明する。
真空容器３（管径２１５ｍｍ５長さ３０６＋＋＋ｍ）内
のガスを真空ポンプ（ロータリーポンプ）で排気しなが
ら、ＡｒとＣＨ４をそれぞれバルブで制御して容器３内
に流入（混合ガスの流量５０ ｃｃ／ｍｉ ｎ ）させ
、ガスの混合比（混合ガス中のＣ電量０〜２ ｖａｔ％
）。
のガスを真空ポンプ（ロータリーポンプ）で排気しなが
ら、ＡｒとＣＨ４をそれぞれバルブで制御して容器３内
に流入（混合ガスの流量５０ ｃｃ／ｍｉ ｎ ）させ
、ガスの混合比（混合ガス中のＣ電量０〜２ ｖａｔ％
）。
真空度（０，２Ｔｏｒｒ ）を設定した。周波数１３．
５６ ＭＨｚ。
５６ ＭＨｚ。
電力１２５Ｗの高周波を投入してプラズマを発生させ、
レジストパタンを２０分間プラズマ処理した。
レジストパタンを２０分間プラズマ処理した。
電極２近傍に発生する急勾配の電界によりプラズマ中の
イオンが加速されレジストパタンに衝突する。イオンの
衝突によりレジスト表面が改良され、また、ＣＨ４を混
入した場合プラズマにより重合膜が形成されるなど、耐
ドライエツチング性の高い層が形成される。
イオンが加速されレジストパタンに衝突する。イオンの
衝突によりレジスト表面が改良され、また、ＣＨ４を混
入した場合プラズマにより重合膜が形成されるなど、耐
ドライエツチング性の高い層が形成される。
第２図は、上記レジストドライエツチング耐性向上処理
の効果を示すものである。グラフのＡ及びＢはそれぞれ
レジストとしてＦＢＭ（ポリへキサフロロブチルメタク
リレート）を用いた場合と、ＰＭＭＡ （ポリメチルメ
タクリレート）を用いた場合を示している。
の効果を示すものである。グラフのＡ及びＢはそれぞれ
レジストとしてＦＢＭ（ポリへキサフロロブチルメタク
リレート）を用いた場合と、ＰＭＭＡ （ポリメチルメ
タクリレート）を用いた場合を示している。
プラズマ処理済みのレジスト及び未処理のレジストを、
第１図で説明したと同様の装置を用いて、ＣＢｒＦ３エ
ツチングガス、ガス圧０．Ｉ Ｔｏｒｒ、高周波電力１
００Ｗで６分間エツチングし、上記処理済みのレジスト
のエツチング量を未処理のレジストのエツチング量で割
り、両者の比を求めた。レジストのドライエツチング耐
性向上処理に用いたＡｒとＣＨ４の混合ガス中のＣＨ４
量（ｖｏ／ｑ６）を横軸とした。ドライエツチング耐性
の向上は、混合ガス中のＣＨ４混合量に伴なって増加し
ている。
第１図で説明したと同様の装置を用いて、ＣＢｒＦ３エ
ツチングガス、ガス圧０．Ｉ Ｔｏｒｒ、高周波電力１
００Ｗで６分間エツチングし、上記処理済みのレジスト
のエツチング量を未処理のレジストのエツチング量で割
り、両者の比を求めた。レジストのドライエツチング耐
性向上処理に用いたＡｒとＣＨ４の混合ガス中のＣＨ４
量（ｖｏ／ｑ６）を横軸とした。ドライエツチング耐性
の向上は、混合ガス中のＣＨ４混合量に伴なって増加し
ている。
第３図は、本発明の処理に用いたＡｒとＣＨ４の混合比
とＣｚＦ６エツチングガスに対するＰＭＭＡレジストの
ドライエツチング耐性の向上の関係を第２図の場合と同
じようにエツチング速度比を求めて示したものである。
とＣｚＦ６エツチングガスに対するＰＭＭＡレジストの
ドライエツチング耐性の向上の関係を第２図の場合と同
じようにエツチング速度比を求めて示したものである。
Ｃ２Ｆ、ガスによるＰＭｉｖｆＡのドライエツチングは
、第１図で説明したと同様の装置を用いて、ガス圧３
Ｘ １Ｏ−２Ｔｏｒｒ、高周波電力２００ Ｗで４分間
行なった。
、第１図で説明したと同様の装置を用いて、ガス圧３
Ｘ １Ｏ−２Ｔｏｒｒ、高周波電力２００ Ｗで４分間
行なった。
本発明の処理を混合ガス中のＣＨ４量２．ＯＶＯ／ ％
で施こされたＰＭＭＡのエツチング量は３０００ Ａで
あり、未処理のＰＭＭＡのエツチング量は４０００ Ａ
であった。このことから本発明の有効性が示された。
で施こされたＰＭＭＡのエツチング量は３０００ Ａで
あり、未処理のＰＭＭＡのエツチング量は４０００ Ａ
であった。このことから本発明の有効性が示された。
以上の説明から明らかなように、本発明のレジスト耐ド
ライエツチング性向上プラズマ処理により、レジストの
耐ドライエツチング性が向上するので、以下のような利
点がある。
ライエツチング性向上プラズマ処理により、レジストの
耐ドライエツチング性が向上するので、以下のような利
点がある。
（１）下地基板のドライエツチング加工に際して必要な
レジスト膜厚を薄（できる。
レジスト膜厚を薄（できる。
（２） レジストパタンに対する下地基板の加工精度
を上げることができる。
を上げることができる。
第１図は本発明の実施例で使用した装置の模式図、第２
図及び第３図はいずれも本発明の詳細な説明するための
グラフである。 ■・・・表面にレジストパタンを形成した下地基板２・
！・電極（試料台を兼ねる） ３・・・真空容器 ４・・・高周波電源 ５・・・電極 特許出願人 日本電信電話公社 代理人弁理士 中 村 純 之 助
図及び第３図はいずれも本発明の詳細な説明するための
グラフである。 ■・・・表面にレジストパタンを形成した下地基板２・
！・電極（試料台を兼ねる） ３・・・真空容器 ４・・・高周波電源 ５・・・電極 特許出願人 日本電信電話公社 代理人弁理士 中 村 純 之 助
Claims (1)
- 基板上に形成されたレジストバタンに不活性ガス、炭化
水素系ガス、弗化炭素系ガスの内の１種または２種以上
の混合ガスを用いるプラズマ処理を施し、該レジストパ
タンの耐ドライエツチング性を向上させることを特徴と
するレジストバタン処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56150734A JPS5852819A (ja) | 1981-09-25 | 1981-09-25 | レジストパタン処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56150734A JPS5852819A (ja) | 1981-09-25 | 1981-09-25 | レジストパタン処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5852819A true JPS5852819A (ja) | 1983-03-29 |
Family
ID=15503241
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56150734A Pending JPS5852819A (ja) | 1981-09-25 | 1981-09-25 | レジストパタン処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5852819A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5884430A (ja) * | 1981-11-14 | 1983-05-20 | Daikin Ind Ltd | レジスト膜の耐エツチング性増大方法 |
| JPH0734937U (ja) * | 1993-11-29 | 1995-06-27 | 株式会社前川工業所 | ロールブレーカー |
-
1981
- 1981-09-25 JP JP56150734A patent/JPS5852819A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5884430A (ja) * | 1981-11-14 | 1983-05-20 | Daikin Ind Ltd | レジスト膜の耐エツチング性増大方法 |
| JPH0734937U (ja) * | 1993-11-29 | 1995-06-27 | 株式会社前川工業所 | ロールブレーカー |
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