JPS5852859A - 絶縁型半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は絶縁型半導体装置、特に半導体基体と、半導体
基体を載置する金属支持部材との間を電気的に絶縁し、
熱的及び機械的に接続さｒた半導体装置に関する。

従来、半導体装置の支持部材は半導体装置の一電極を兼
ねる場合が多かった。近年、半導体装置の全ての電極を
金属支持部材から電気的に絶縁し、もって半導体装置の
回路適用上の自由度を増すことのできる構造が出現して
いる。例えば双方向性３端子サイリスタ（トライブック
）基体をセラミックス板上に載置し、このセラミックス
板を金属パッケージに封入してなる絶縁型トライアック
では、トライアックの全ての電極はセラミックス板によ
りパッケージと絶縁さ扛て外部へ引出される。

そのために、一対の主電極が回路上の接地電位から電気
的に浮いている使用例であっても、電極１位とは無関係
にパッケージを接地電位部に固定できるので、半導体装
置の実装が容易になる。

又、混成集積回路装置あるいは半導体モジュール装置（
以下混成ＩＣと一括して略称する）では、一般に半導体
素子を含むあるまとまった電気回路が組込まｎるため、
その回路の少なくとも一部と混成ＩＣの支持部材あるい
は放熱部材等の金属部とを電気的に絶縁する必要がある
。代表的な混成ＩＣでは、金属の支持部材上に無機質あ
るいは有機質の絶縁層を配置し、この絶縁層上に所定の
電気回路を組立てることにより、上述の絶縁を達成して
いる。このような混成ＩＣもまた、絶縁型半導体装置で
ある。

一方、半導体装置を安全かつ安定に動作させるためには
、半導体装置の動作時に生ずる熱をパッケージ外部に有
効に発散させる必要がある。この熱発散は通常、発熱源
である半導体基体からこ扛に接着さ扛た各部材を通じて
気中へ熱伝達てせることで達成さ扛る。絶縁型半導体装
置では、この熱伝導経路中に絶縁層および絶縁層と半導
体基体を接着する部分等に用いられた接着材層を含む。

父、半導体装置を含む回路の扱う電圧が高くな扛ばなる
ほど、あるいは要求さ扛る信頼性（経時的安定性、耐湿
性、耐熱性等）が高くなｎばなるほど、完全な絶縁性が
要求さ扛る。上述の耐熱性には、半導体装置の周囲′の
温度が外因により上昇した場合の他、半導体装置の扱う
電力が太きく、半導体基体で発生する熱が大きくなった
場合の耐熱性も含む。

絶縁型半導体装置内での発熱が比較的小びく、かつ耐圧
や要求さｎる信頼性が然程高くない場合には、絶縁層や
接着材層としてどのようなものを用いても問題はない。

しかし、発熱や信頼性に対する要求が高い場合には、絶
縁層や接着材層はその要求を満し得るような材料構成に
選択さｎねばならない。このような場合には、通常絶縁
層としてセラミックスのような無機質材料が選択さ扛、
又接着材層としてｐｂ−８ｎ系半田のような金属ろうが
選択される。

その場合、次のような解決すべき問題点があった。一般
に、絶縁型半導体装置では半導体基体は絶縁層上に面接
ではなく、半導体基体と外部の電源とを結ぶ導電路およ
び半導体基体での発熱を絶縁層に効果的に伝える熱伝導
路としての金属板を介して取付けらｎる。この金属板と
しては銅等の低抵抗、高熱伝導性を有するものが選ば扛
る。ところが、この金属と半導体基体および絶縁層とは
熱膨張係数が大幅に異なる。例えば半導体が７リコン、
絶縁層がアルミナである場合、熱膨張係数はそ扛ぞｎ３
．５Ｘ１０−’／Ｃ，６，３Ｘ１０−’／ＩＺ’である
のに対し、銅の熱膨張係数は１８　Ｘ　１０−’　／Ｃ
と非常に太きい。

問題点の第１は、この熱膨張係数の差によって、絶縁型
半導体装置の製造時に半導体基体および絶縁層を上述の
金属板に半田付けした時に生ずる。

即ち、絶縁層、金属板、半導体基体をそｔぞ扛半田層を
介して積層させた後、半田の融点以上まで温度上昇させ
、室温まで冷却して半田付けするのであるが、冷却工程
において半田の凝固点で各部材が互いに固定さ扛る。そ
の後は凝固した半田により固定された状態で、各部材固
有の熱膨張係数に従って収縮する。この時、上述の熱膨
張係数の差によって各部材の収縮量が異なり、各部材の
接合部にいわゆる熱歪が残留する。熱歪はそ扛が比較的
小さい時は、最も軟かい部材である半田層で吸収さ扛る
が、吸収し＠ｎない時には、接合部＼従って接着さｒた
各部材が変形するに至る。特に半導体基体の変形は半導
体装置の電気的特性を損うと共に、機械的にもろい性質
を持つ半導体基体を破損させたりアルミナ板を破損させ
る恐扛を生する。

問題点の第２は、この種半導体装置の使用時に生ずる。

即ち、半導体装置の通電、休止動作に伴って、上述の接
合部には高温状態（約１００〜１５０Ｃ）と低温状態（
周囲温度）が繰り返し訪れる。このような高温−低温の
繰り返しくその１周期をヒートサイクルと呼ぶ）毎に、
各部材はそ扛らに固有の熱膨張係数に従って膨張、収縮
を繰り返す。各部材は互に固着さ扛ているから、各部材
の熱膨張係数の違いに基づく膨張、収縮量の差は、最も
軟かい部材である半田層に加わる熱歪となって現れる。

そして、ヒートサイクル数が多くなると、半田層は引張
り歪、圧縮歪の周期的かつ変電なる印加により、次第に
もろくなり、ついには熱疲労現象を生ずるに至る。例え
ば半田層にクラックが生じ、接着力の低下、電気および
熱伝導性の低下を引き起す。このような現象は半田層の
露出端面において顕著である。

上述の第１の問題点、特に半導体基体に加わる応力を緩
和するために、半導体基体と導電、導熱のための金属板
との間に、導電、導熱には若干劣るが熱膨張係数が半導
体基体のそ扛と比較的近似した金属片、例えばモリブデ
ン片を介在させることが知ら扛ている。しかし、このよ
うな対策は半導体基体の劣化防止には役立つものの、そ
の他の部材の変形防止には効果がない。又、上述の第２
の問題点の解決に対しても無力である。更に、部品点数
の増加、ろう付は部分の増加を招き、コスト、熱放散性
の点でも問題があった。

本発明の目的は上述の問題点を解決し、製造時あるいは
運転時に生ずる熱歪を低減し、各部材の変形、変形、あ
るいは破壊の恐ｎのない絶縁型半導体装置を提供するこ
とにある。

本発明の特徴は絶縁型半導体装置において、軟化点の異
なる異種の２以上の樹脂層が互に直接接着さ扛た積層構
造を有する複合樹脂フィルムからなる絶縁部材上に複合
樹脂フィルムの少くとも１種の樹脂フィルムを用いて、
異種の２以上の金属層が互いに゛直接接着さ扛た積層構
造を有する複合金属板を接着し、この複合金属板上に直
接金属ろうを用いて半導体基体を接着した構造を有する
点にある。更に具体的に言えば、上述の絶縁部材の全体
としての熱膨張係数（αｌ　）を金属パッケージ又は支
持部材の熱膨張係数（αＰ）と略一致させ、上述の複合
金属板の全体としての熱膨張係数（αＭ）を上述の絶縁
部材の熱膨張係数αＩと上述の半導体基体の熱膨張係数
（α８）との間の値とした点にある。

本発明において、複合金属板は半導体基体に対する導電
路および半導体基体での発熱を絶縁部材およびこ扛と運
なって配置されるパッケージ又は支持部材、放熱フィン
等の放熱手段へ効果的に伝達するための熱拡散板として
働く。、この複合金属板の全体としての熱膨張係数とは
、複合金属板の見かけのそｎであり、複合金属板が一般
にｎ層から成る場合、各層の素材金属の熱膨張係数をα
１（Ｃ−’）、縦弾性係数をＥｌ　　（Ｋｇ／１０１′
）、厚さを’ｔ（ｍ）とす扛ば次式（１）で近似さ牡る
ものである。

夕Ｅ＋１＋α。

Σ　Ｅｕ＋ −１ 又、複合樹脂フィルムは上述の複合金属板とパッケージ
又は支持部材との間の電気絶縁担体および機械的に一体
化するための接着材として働く。この複合、樹脂フィル
ムの全体としての熱膨張係数とは、複合樹脂フィルムの
見かけのそ扛であり、複合樹脂フィルムが一般にｍ層か
ら成る場合、各層の素材樹脂の熱膨張係数をαｋ　　（
７１：””）、縦弾性係数をＥｈ　　（Ｋ９／ｍｍ２）
％厚さをｆｈ（ｍｍ）とすｒば次式（渇で近似されるも
のである。

ΣＥｈｌｈαｈ ΣＥｈ’ｈ −１ 本発明においては後述するように、特に上述の性 第２の問題点である耐ヒートサイクルを達成するために
αＭをα■とαＳとの間とし、α■をαＰと略一致させ
るものである。特に、大型の混成ＩＣでは半導体基体で
の発熱も多いことから大きな面積の金属板が必要なと、
又複数の半導体基体が用いら扛ることもあって、複合金
属板の面積、従って絶縁部材との接着面積そして絶縁部
材とパッケージ又は支持部材との接着面積は、通常の個
別半導体装置での半導体基体と支持電極間の接着面積と
比較して非常に犬きくなる。このような場合、接合部即
ち接着材の熱疲労を防ぐためには上述の膨張係数の関係
を満足させることが有効であることがわかった。

以下、本発明を混成ＩＣを例にとり、更に詳細に説明す
る。

第１図に本発明の一実施例の１．５　Ｋ　Ｖ　Ａ級電流
制御用混ＸＩＣの要部斜視図を示す。図において、金属
支持板１上に２枚の複合樹脂フィルム２が並んで接着さ
扛、各複合樹即フィルム２上にそｎと略同形状の複合金
属板３がそｎぞれ接着さ扛ている。なお、第１図では図
面の簡単化のために各部材間の接着材は図示さ扛ていな
い。

上述の複合金属板３上には、第２図に示す回路が組立て
られている。即ち、ダーリントン接続さ扛たトランジス
タ４０１および４０２、フライホイル用ダイオード４０
３がそれぞれ複合金属板３上に直接半田付けさｎている
。又、スナバ用チップコンデンサ４０４およびこ扛と直
列に接続さ扛たチップ抵抗４０５が載置さ扛ている。各
回路素子は配線用ワイヤあるいは条片４４０、配線用金
属片４３０によって第２図に示す回路のように接続さ扛
ている。複合金属板３の一端側（図の左端側）には外部
端子４１０１．４１０２および４１０３が設けらｎてい
る。外部端子４１０１は複合金属板３上に直接、４１０
２は配線用金属片４３０を介して、４１０３は絶縁用直
機樹脂膜４２０およびその上に接着さ扛た配線用金属片
４３０を介して、設置さ扛ている。又、複合金属板の第
１図上こ扛ら外部端子と反対側の端部には、ドライバ回
路４０６に連なる端子４１１が絶縁用有機樹脂膜４２０
上に接着さ扛た配線用金属片４３０上に設けらｎている
。

この実施例において重要なことは、複合樹脂フィルム２
を用いた点、複合金属板３を用いた点、複合金属板３の
大きさが複合樹脂フィルム２と略同じであり、その上に
全ての回路素子が載置されている点、半導体基体（トラ
ンジスタ４０１゜４０２およびダイオード４０３）が複
合金属板３に直接半田付けさ扛ている点、複合樹脂フィ
ルム２の少くとも１種の樹脂層により金属支持板１と複
合金属＆３とを絶縁しながら一体化している点である。

以下、こｎらの点について説明する。

第３図に本実施例の構造のうち、金属支持板１から複合
金属板３に至る部分のみの断面を模式的に示す。図にお
いて、金属支持板１は、厚さ２Ｗａｎ。

幅６１閣、長さ１０５簡の大きさを有するアルミニウム
板で熱膨張係数は２３．９　Ｘ　１０”’　／ｃである
。複合樹脂フィルム２は、・厚さ５０μｍのポリイミド
フィルム２１の両生表面に厚さ１２５μｍのふっ素樹脂
フィルム２２１および２２２が圧延法により他部材を介
せず直接一体化さｆ″したフィルムであり幅２８肩、長
さ３３■であ番。この複合樹脂フィルム２の見かけの熱
膨張係数は約２１Ｘ１０”’／Ｃと、金属支持板１のそ
れに近似さ扛ている。

金属支持板１の一方の主表面上には、２枚の複合樹脂フ
ィルム２がふっ素樹脂フィルム２２１により接着さ扛て
いる。

各複合樹脂フィルム２上には、複合金属板３がふっ素樹
脂フィルム２２１と同成分のふっ素樹脂フィルム２２２
により、そ扛ぞｔｌ−接着さｎている。

この複合金属板３は、厚さ２■の銅板３１の両生表向に
厚さ０．２ｍｍの鉄−３６％ニッケル合金板３２１およ
び３２２が冷間圧延法により直接一体化されたものであ
り、幅２５鴫、長さ３０闘である。この複合金属板３の
見かけの熱膨張係数は約６、ＯＸ　１０−’／Ｃでめり
積付樹脂フィルム２の熱膨張係数（２１Ｘ　１０−’／
ｌｌ：’）と半導体基体の材料であるシリコンの熱膨張
係数（３，５Ｘ　１０−’／ｌ’？）の間の値にされて
いる。

本実施例における複合樹脂フィルム２は、混成ＩＣ製造
時あるいは運転時に過大な熱歪が発生するのを防ぐため
、見かけの熱膨張係数が金属支持板１の−ｔｎと可及的
に近似するようにさｒている。

又、複合金属板３は、同じ目的のために見かけの熱膨張
係数が複合樹脂フィルム２のそ扛より小さくかつシリコ
ンのそ扛より犬きくさ扛てい°る。

複合樹脂フィルムの見かけの熱膨張係数は、素材として
用いる樹脂フィルムの種類や厚さを変えることによって
、又樹脂層にガラス繊維等を添加するなどしても調整で
きる。例えば、ポリバラパニック酸フィルムの熱膨張係
数は４２Ｘ１０−’／Ｃ１ふっ素樹脂フィルムの熱膨張
係数は５５×１０’−’／？”：であったものが、ガラ
ス繊維を５０％添加したフィルムではそｎぞｎ１５Ｘ１
０″″’／ｌ：’　。

２　ｏ　ｘ　１０−６／Ｃに変化した。

複合金属板の見かけの熱膨張係数は、素材として用いる
金属層の種類や合金材の場合にはその組成比を変えるこ
とによって、調整可能である。又、各金属層の厚さを変
えることによっても調整可能である。更に、複合金属板
を圧延法にて形成する時の圧延率を変えることによって
調整可能である。

例えば、鉄−３６％ニッケル合金板（厚さ０．１ｍｍ１
の両生表面に銅（厚さ０．１　ｙｅｎ　）を直接接着し
た複合金属板の見かけの熱膨張係数は１０．９Ｘ１０’
−６７Ｃを示し、鉄−２９％ニッケルー１７％コバルト
合金の場合、圧延し゛ないときの熱膨張係数が５．５　
Ｘ　１０”’　／ｌｌ：’であったものが圧延率６０％
（厚さが圧延前の４０％になる圧延条件）では５×１０
″”／Ｔｌｌ’、圧延率９０％では６Ｘ１０−’／Ｕに
変化した。

複合金属板３における一対の外側金属層は、電気、熱伝
導性の観点よりも、熱町張係数がシリコン半導体基体の
そ扛と近似であるという観点から選ばｎた。又、中間層
は反対に電気、熱伝導性が高いという観点を主体にして
選ば扛、複合金属板全体としての電気、熱伝導性を高め
るため、一対の外側金属層よりも厚くさ扛ている。

複合樹脂フィルム３にお′ける一対の外側樹脂フィルム
は、電気絶縁性や熱膨張係数を金属支持板に近ずけると
いう観点よりも、軟化温度が中間フィルムより低く比較
的低温で金属との接着を可能にし、外側樹脂フィルムの
伸び率が３５０％と太きいという観点で選はｆ′した。

又、中間樹脂フィルムは反対に電気絶縁性を確実に保ち
得るという観点、そして金属支持板１と熱膨張係数が近
似するという観点を主体に選ば扛た。かくして、複合樹
脂フィルムは全体として、確実な電気絶縁性、緻密な接
着性、ヒートサイクルによる耐熱疲労性を保持できるよ
うに構成さｎている。

本実施例によ扛ば、従来の構造、即ちパッケージや支持
部材上に半田付けさｔたアルミナ板上に銅の熱拡散板が
半田付けさｎｌその上にモリブデン片を介して半導体基
体が接着さ扛た構造を有する混成ＩＣと比較して、放熱
性を実質上問題となるほど低下させずに、耐ヒートサイ
クル性を向上させることができた。この効果は複合樹脂
フィルムの面積〜従って複合金属板の面積（従来例にお
ける調熱拡散板の面積）が大きくなるほど顕著であった
。

その−例を第４図により具体的に説明する。第４図は、
本実施例構造（Ａ）を有する混成ＩＣの１枚の複合樹脂
フィルムの面積又は上述の従来構造を有する混成ＩＣの
１枚のアルミナ板の面積と所定のヒートサイクル印加後
の混成ＩＣの故障発生率の関係を示すグラフである。ヒ
ートサイクルは一５５１１ｒ〜＋１５０Ｃとし、回数は
１５０回である。第４図によ扛ば、複合樹脂フィルム又
はアルミナ板の面積が約５００ｍ２まではＡ、Ｂ共に故
障発生率は０％であるが、約５００ｍｍ２を越えると、
Ｂでは加速的に故障発生率が増加するのに対、し１Ａは
依然として０％である。なお、ここで言う故障とは主と
して半田層や接着材を兼ねる樹脂フィルムのクラッタ発
生、あるいは部分的剥離を生じた場合である。

又、第４図では面積が約５００ｍｍ２ｔではＡ。

Ｂとも差が無いように見えるが、この頌域においても、
金属支持板の反りの大きさという点でＡはＢに勝ってい
た。即ち、混成ＩＣ完成後、Ａでは金属支持板ｌの長手
方向での反りは高さで表わすと約１０μｍであったが、
Ｂでは約０．３３〜１．５簡にもなった。

このような反りは、金属支持板の外周部にエボキン樹脂
製等の枠あるいは蓋を設置する時に、枠あるいは蓋と金
属支持板との間にすき間を生ずるため密封性、従って耐
湿性、耐蝕性の点で好ましくない。更に、金属支持板を
外部放熱フィン等に取付けるとき、金属支持板に反りが
あるとすき間が生じ、放熱性が低下するので好ましくな
い。本実施例によ扛ばこｎらの欠点を生じない。

なお、本実施例において、金属支持板１として熱膨張係
数が複合樹脂フィルム２と近似さｎた金属板を用いるこ
とは、混成ＩＣの信頼性を高める上で好ましい。しかし
ながら、複合金属板３上に直接接着さ扛た半導体基体の
保護、半導体基体と複合金属板３との間のろう材（半導
体基体の通電放熱特性を左右する）の劣化防止を達成す
るという観点、及び接着材としての樹脂フィルムは伸び
率が太きく金属支持板１の伸縮に良く追随するという観
点からは、金属支持板１としてアルミニウム以外の金属
、例えば銅板、ニッケル板、銅−亜鉛合金等を使用し得
る。

又、複合金属板３の半田付は面に、半田のぬｆ性を良く
するためにニッケル等の金属膜をめっき法等により形成
しておくのは好ましいことでおる。

次に、本発明の他の実施例について第５図を用いて説明
する。第５図において、複合樹脂フィルムからなる絶縁
部材２は連続して一体化さｎｆＣ単一のフィルムであり
１、同フィルムの一方の主平面側にはアルミニウムから
なる支持部材１（幅６１醪×長さ１０５■×厚さ２Ｂ）
と接着さ扛、そして他方の主平面側には複数の複合金属
板３と接着されている。複合金属板３上には、例えば第
２図に示したような半導体回路が組立てらｒるが、本実
施例ではその記載を省略する。本実施例において、絶縁
部材２は幅６０媚、長さ３３胴、複合金属板３は幅２５
闘、長さ３０ｍｍであり、いず扛も第１−図と同様の材
質、厚さを有する積層構造のものである。

本実施例によｎば、絶縁部材２は単一のフィルムから成
るため、部品点数や工数が簡単になるという効果がある
。こｔｌ−は、絶縁部材２の熱膨張係数が支持部材の熱
膨張係数に近似さびており、しかも伸び率の大きい樹脂
からなる樹脂フィルムで接着さ扛ていることによる効果
である。

次に、本発明の各種変形例について例示する。

本発明は上述した実施例の外、種々の態様にて実施する
ことが可能である。

まず、絶縁部材としての複合樹脂フィルムを構成する素
材樹脂としては、ポリイミドやふっ素樹脂の外、ポリエ
ステル樹脂、ポリバラパニック酸樹脂、シリコーン樹脂
、ビロリンポリイミド先駆体樹脂、ポリアミドイミド：
樹脂、エポキシ−ノボラック樹脂、ニトリルゴム−フェ
ノール樹脂、エポキシ−ポリアミド樹脂、エポキシ−ア
クリル樹脂等、又はこｎもの樹脂にガラス繊維やアルミ
ナ粉末等の添加剤を含む樹脂が使用できる。この際、構
台樹脂フィルムは４層以上の積層構造になっていても良
い。

複合金属板としては、例えば銅板の両側に種々の組成比
の鉄−ニッケル合金板あるいは鉄−ニッケルーコバルト
合金板が直接一体化さ扛たものが使用できる。又、上述
の構造において銅板の代りにニッケル、亜鉛、アルミニ
ウム、金、銀、パラジウム等、両側に位置する合金板よ
りも電気、熱伝導に優ｎた金属あるいはこ扛らを主成分
とする合金を用いることができる。又、上述した３層構
造の配列を変え、３層の中央に鉄−ニッケル合金板等を
用い、その両側に中央層よりも電気、熱伝導性に優れた
銅板等を直接一体化したものであっても良い。更に、３
層構造に限らｎず、２層構造あるいは４層以上の構造で
あっても良い。ただし、２層構造とした場合あるいは３
層以上の構造であっても熱膨張係数の差に伴なうバイメ
タル作用によって複合金属板が反るのを防止するため、
各層の材料の選択、厚さの選定に留意すべきである。

なお、複合金属板の製法としては上述の冷間圧延法の他
、熱間圧延法や、１の金属板の主表面に他の金属層を蒸
着法、スパッタリング法、気相成長法等により形成する
方法等を用い得る。

半田としては鉛−６０％錫の組成の他、例えば鉛５％錫
のもの、あるいはこ扛らに第３５！ｉ分として銀、ビス
マス等を含むものが使用できる。その厚さも０．１　ｍ
に限らｎず、そｎより厚くて・も薄くても良い。一般に
半田層が厚いと熱歪を良く吸収するが、半田そのものの
熱伝導率が左程高くないことから、混成ＩＣの放熱性は
低下する。、上述の実施例のように複合金属板を使用す
ることによって熱歪の発生を抑制し得るから半田層の厚
さを効果的に減少し混成ＩＣの放熱性を高め得たことも
、本発明の効果である。

一般に樹脂フィルムの熱伝導率はアルミナ等のセラミッ
クスに比べ小さいが複合樹脂フィルムの接着材を兼ねる
樹脂フィルムが比較的低温で軟化して流動性を増すため
緻密な接着を実現できること、併せて伸縮性に富むため
大面積の金属板を一体化できること、その結果複合樹脂
フィルムを薄くできしかも熱を広げて伝達できることに
より、混成ＩＣの放熱性を著しく低下させずに済む。こ
のことも本発明の効果である。

次に、複合金属板上に載置さ扛る半導体基体の種類およ
び（ロ）路構成においては、任意の半導体素子（シリコ
ン以外の半導体素子、例えばゲルマニウム、砒化ガリウ
ム、燐化ガリウム、炭化珪素等を用いたものを含む）お
よび回路について適用できることは言うまでもない。

以上説明したように、本発明によｎば熱歪に基く各部材
の変形、変性あるいは破壊の恐扛のない絶縁型半導体装
置を得るのに効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第３図は本発明の一実施例の混成ＩＣの構
成を示す図、第４図は本発明の他の実施１３’ｌＪ　（
Ａ　）の複合樹脂フィルムの接着面積又は従来例の無機
質絶縁部材の接着面積と混成ＩＣの故障発生率との関係
を示す特性図、第５図は本発明の更に他の実施例の要部
断面図を示す図である。 ■・・・金属支持部材、２・・・複合樹脂フィルム、３
・・・代理人　弁理士　高橋明帽堝坪 ９明士

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、軟化点の異なる２以上の樹脂フィルムが直接接着さ
   ｎだ積層構造を有する複合樹脂フィルムからなり、この
   複合フィルムの少くとも１種の樹脂フィルムを用いて支
   持部材上に支持された絶縁部材と、前記絶縁部材上に前
   記複合フィルムの少くとも１種の樹脂フィルムを用いて
   接着ざｎ１異種の２次上の金属層が互に直接接着さｎ＊
   積層構造を有する積層金属板と、この複合金属板の前記
   絶縁部材の反対側の表面に導電的に接着さｎた少なくと
   も１の半導体基体とを有し、前記絶縁部材の全体として
   の熱膨張係数は前記支持部材の熱膨張係数に近似し、前
   記複合金属の全体としての熱膨張係数は前記絶縁部材の
   熱膨張係数と前記半導体基体の熱膨張係数の間に選択さ
   扛たことを特徴とする絶縁型半導体装置。 ２、特許請求の範囲第１項において、前記支持部材は金
   属より成ることを特徴とする絶縁型半導体装置。 ３、特許請求の範囲第１項において、前記支持部材と前
   記複合金属板は、こ扛らより少くとも伸び率の大きい樹
   脂フィルムを用いて接着されたことを特徴とする絶縁型
   半導体装置。 ４、特許請求の範囲第１項において、前記複合金属板の
   主表面の形状は前記絶縁部材の主平面の形状と略同等か
   そｎより小さく、かつ上記複合金属板上に複数の回路素
   子が接着さｎていることを特徴とする絶縁型半導体装置
   。 ５、特許請求の範囲第４項において、２以上の前記複合
   金属板が前記絶縁部材上に接着さｎていることを特徴と
   する絶縁型半導体装置。