JPS5853165U - ホ−ルｉｃの静電気破壊防止構造 - Google Patents

ホ−ルｉｃの静電気破壊防止構造

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JPS5853165U
JPS5853165U JP1981148467U JP14846781U JPS5853165U JP S5853165 U JPS5853165 U JP S5853165U JP 1981148467 U JP1981148467 U JP 1981148467U JP 14846781 U JP14846781 U JP 14846781U JP S5853165 U JPS5853165 U JP S5853165U
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JP
Japan
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hall
prevention structure
electrostatic breakdown
soldering
breakdown prevention
Prior art date
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JP1981148467U
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Inventor
浜田　弘司
新庄　和夫
英男 渡辺
Original Assignee
株式会社田村電機製作所
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Publication date
Application filed by 株式会社田村電機製作所 filed Critical 株式会社田村電機製作所
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案に係る静電破壊防止構造を採用したテー
プカウンタの正面図、第２図は基板の正面図、第３図は
同一部切欠側面図である。 １０・・・・・・テープカウンタ、１５・・・・・・フ
レーム、２０・・・・・・パルス発生装置、２１・・・
・・・マグネット、２２・・・・・・パルス発生部、２
５・・・・・・基板、２６・・・・・・ホールＩＣ，２
７・・・・・・銅箔、２８・・・・・・電源供給パター
ン、２９・・・・・・信号送出パターン、３０・・・・
・・グランドパターン、３１・・・・・・半田付パター
ン。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 基板上に搭載したホールＩＣのグランド端子パターンか
    ら分岐してホールＩＣ本体に近接して延在する半田付パ
    タニンを基板に設け、この半田付パターンに、ホールＩ
    Ｃ本体を包込んで静電スパークがホールＩＣ本体に直接
    飛ぶこ左を防止する〜銅箔等の非磁性金属箔を、半田付
    は固定するように構成したことを特徴としたホールＩＣ
    の静電気破壊防止構部。
JP1981148467U 1981-10-05 1981-10-05 ホ−ルｉｃの静電気破壊防止構造 Granted JPS5853165U (ja)

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JP1981148467U JPS5853165U (ja) 1981-10-05 1981-10-05 ホ−ルｉｃの静電気破壊防止構造

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Publication Number Publication Date
JPS5853165U true JPS5853165U (ja) 1983-04-11
JPH0129799Y2 JPH0129799Y2 (ja) 1989-09-11

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04125050U (ja) * 1991-04-26 1992-11-13 宇部興産株式会社 射出成形装置の製品押出装置
JP2013029352A (ja) * 2011-07-27 2013-02-07 Denso Corp 物理量検出装置
WO2019038964A1 (ja) * 2017-08-21 2019-02-28 株式会社村田製作所 電流センサ

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WO2019038964A1 (ja) * 2017-08-21 2019-02-28 株式会社村田製作所 電流センサ
CN111033276A (zh) * 2017-08-21 2020-04-17 株式会社村田制作所 电流传感器
CN111033276B (zh) * 2017-08-21 2022-02-22 株式会社村田制作所 电流传感器

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JPH0129799Y2 (ja) 1989-09-11

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