JPS5853731B2 - 反射率透過率測定装置 - Google Patents
反射率透過率測定装置Info
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- JPS5853731B2 JPS5853731B2 JP50143757A JP14375775A JPS5853731B2 JP S5853731 B2 JPS5853731 B2 JP S5853731B2 JP 50143757 A JP50143757 A JP 50143757A JP 14375775 A JP14375775 A JP 14375775A JP S5853731 B2 JPS5853731 B2 JP S5853731B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/55—Specular reflectivity
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- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はガラスその他の物質における光学的特性である
反射率及び透過率の測定法に関するものである。
反射率及び透過率の測定法に関するものである。
従来の技術を第１図に示す透過率測定の例によって説明
すると、安定な光源１により発せられる光を測定光学系
２を介して被検物３に導き、これより反射又は透過せる
光を光電変換器４の光電流に変換し、電流計５によって
読みとっていた。
すると、安定な光源１により発せられる光を測定光学系
２を介して被検物３に導き、これより反射又は透過せる
光を光電変換器４の光電流に変換し、電流計５によって
読みとっていた。
このような測定法では、測定しつる反射率、透過率が光
電変換器４の直線性と信号対雑音比に依存するために光
電変換器４及び電流計５に入射する光の弱い領域の測定
が困難であった。
電変換器４の直線性と信号対雑音比に依存するために光
電変換器４及び電流計５に入射する光の弱い領域の測定
が困難であった。
そこで本発明においては光源１にレーザ装置を用い、レ
ーザ光をパルス幅変調することによってみかけ上の強さ
を変えた光を被検物３に導き、光電変換装置４に入る光
量を常に一定にすることによって、低反射率、低透過率
の測定範囲を広めようとするものである。
ーザ光をパルス幅変調することによってみかけ上の強さ
を変えた光を被検物３に導き、光電変換装置４に入る光
量を常に一定にすることによって、低反射率、低透過率
の測定範囲を広めようとするものである。
以下図面に基づき本発明を説明する。
第２図において、１１はレーザ発振装置であり、レーザ
光１２はビームスプリッタ−１３によって２分され、一
方は光電変換器１４に入り、他方は変調器１５によりパ
ルス幅変調された後光学系１６を介して被検物１７に入
射する。
光１２はビームスプリッタ−１３によって２分され、一
方は光電変換器１４に入り、他方は変調器１５によりパ
ルス幅変調された後光学系１６を介して被検物１７に入
射する。
被検物１７を反射又は透過した光は光電変換器１８によ
って検出される。
って検出される。
コンパレーター１９は光電変換器１４によって検出され
たレーザ光１２の強さと、光電変換器１８によって検出
された被検物１７の反射光又は透過光の強さ及びあらか
じめ設定された基準量の３者を比較し照明光２０を囚強
める、（Ｂ）そのままでよい、（Ｃ）弱める、等の判断
をし、その指令をパルス発生器２１に送る。
たレーザ光１２の強さと、光電変換器１８によって検出
された被検物１７の反射光又は透過光の強さ及びあらか
じめ設定された基準量の３者を比較し照明光２０を囚強
める、（Ｂ）そのままでよい、（Ｃ）弱める、等の判断
をし、その指令をパルス発生器２１に送る。
ビームスプリッタ−１３と光電変換器１４は測定値がレ
ーザ光出力の変動の影響を受けないように保障するため
に設置されている。
ーザ光出力の変動の影響を受けないように保障するため
に設置されている。
パルス発生器２１は所定のくり返し周波数のパルスを発
生し、そのパルス幅はコンパレーター１９の指令で変わ
る。
生し、そのパルス幅はコンパレーター１９の指令で変わ
る。
例えば（４）強めるの信号が入るとパルス幅は徐々に増
し、（Ｃ）弱める、の入力によってパルス幅は徐々に減
少する。
し、（Ｃ）弱める、の入力によってパルス幅は徐々に減
少する。
２２は変調器駆動制御回路であり変調器１５にパルス発
生器２１の発する信号に従って電力を供給する。
生器２１の発する信号に従って電力を供給する。
本発明の装置において一例としてビームスプリッタ１３
によりレーザ光１２が２等分されるものとし、パルス発
生器２１の繰り返し周波数をＩＫＨｚとし、被検物１７
を取り除いた状態においてパルス幅１マイクロ秒すなわ
ちデユーティ−１／１０００でコンパレーク１９が平衡
するように設定すれば、この状態において変換器１８で
検出される出射光量と、変換器１４で検出される参照光
量との比は１／１０００となる。
によりレーザ光１２が２等分されるものとし、パルス発
生器２１の繰り返し周波数をＩＫＨｚとし、被検物１７
を取り除いた状態においてパルス幅１マイクロ秒すなわ
ちデユーティ−１／１０００でコンパレーク１９が平衡
するように設定すれば、この状態において変換器１８で
検出される出射光量と、変換器１４で検出される参照光
量との比は１／１０００となる。
すなわち定数１７１０００を設定したことになる。
次に被検物を装着すれば、出射光量は減少し参照光量と
の比は定数１／１０００より小さくなるが、この値が定
数ｌこ等しい平衡状態に達するまで照明光２０のパルス
幅が拡大変調され、光電変換器１８には常に一定量の光
が入るように制御される。
の比は定数１／１０００より小さくなるが、この値が定
数ｌこ等しい平衡状態に達するまで照明光２０のパルス
幅が拡大変調され、光電変換器１８には常に一定量の光
が入るように制御される。
この平衡状態における照明光のデユーティ−を前記定数
で除した値は、被検物の反射あるいは透過率の逆数とな
る。
で除した値は、被検物の反射あるいは透過率の逆数とな
る。
上記の設定では１／１０００の反射あるいは透過率の測
定まで可能である。
定まで可能である。
実際の装置ｔとおいては、ビームスプリッタ１３のスプ
リット比、２つの光電変換器１４．１８の変換効率の比
を加味して定数が設定される。
リット比、２つの光電変換器１４．１８の変換効率の比
を加味して定数が設定される。
またレーザ発信装置の両端から等光量のレーザ光が放射
される場合にはビームスプリッタが不要であることは明
らかである。
される場合にはビームスプリッタが不要であることは明
らかである。
以上述べたように、本発明の装置によれば光電変換器に
入射する光量が常に一定値となる状態で測定が行なわれ
るため変換器の直線性に左右されることなく、極めて低
い反射あるいは透過率に至るまで高精度の測定が可能と
なる。
入射する光量が常に一定値となる状態で測定が行なわれ
るため変換器の直線性に左右されることなく、極めて低
い反射あるいは透過率に至るまで高精度の測定が可能と
なる。
第１図は従来の技術を示す説明図。
第２図は本発明の実施例を示す説明図。
１・・・・・・光源、３・・・・・・被検物、４・・・
・・・光電変換器、５・・・・・・電流計、１１・・・
・・・レーザ装置、１５・・・・・・変調器、１７・・
・・・・被検物、１８・・・・・・光電変換器、１９・
・・・・・コンパレーター、２１・・・・・・パルス発
生器、２２・・・・・・変調器駆動制御回路、２３・・
・・・・表示器。
・・・光電変換器、５・・・・・・電流計、１１・・・
・・・レーザ装置、１５・・・・・・変調器、１７・・
・・・・被検物、１８・・・・・・光電変換器、１９・
・・・・・コンパレーター、２１・・・・・・パルス発
生器、２２・・・・・・変調器駆動制御回路、２３・・
・・・・表示器。
Claims (1)
- １ レーザ発振装置から発振され２分されたレーザ光の
一方を変調器により所定の周波数にもとづいてパルス幅
変調し、被検物に入射光として入射する手段と、前記被
検物から反射あるいは透過した出射光量と前記２分され
たレーザ光の他方の光量との比をあらかじめ設定された
定数と比較し、その値が等しい平衡状態となるように前
記変調器を制御して前記入射光のパルス幅を変動させる
手段と、前記平衡状態における入射光パルスのデユーテ
ィ−を前記定数値で除した値の逆数として反射あるいは
透過率を演算し表示する手段とを有する反射率透過率測
定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50143757A JPS5853731B2 (ja) | 1975-12-01 | 1975-12-01 | 反射率透過率測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50143757A JPS5853731B2 (ja) | 1975-12-01 | 1975-12-01 | 反射率透過率測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5267384A JPS5267384A (en) | 1977-06-03 |
| JPS5853731B2 true JPS5853731B2 (ja) | 1983-12-01 |
Family
ID=15346301
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50143757A Expired JPS5853731B2 (ja) | 1975-12-01 | 1975-12-01 | 反射率透過率測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5853731B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20120077330A (ko) | 2010-12-30 | 2012-07-10 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | 패턴드 유리기판 투과율 측정장치 |
| JP6111534B2 (ja) * | 2012-05-25 | 2017-04-12 | セイコーエプソン株式会社 | 光計測装置及び制御方法 |
| CN105699336A (zh) * | 2016-03-24 | 2016-06-22 | 深圳怡化电脑股份有限公司 | 一种检测可透光介质透光率的方法、系统及装置 |
-
1975
- 1975-12-01 JP JP50143757A patent/JPS5853731B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5267384A (en) | 1977-06-03 |
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