JPS5853830A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS5853830A JPS5853830A JP56152381A JP15238181A JPS5853830A JP S5853830 A JPS5853830 A JP S5853830A JP 56152381 A JP56152381 A JP 56152381A JP 15238181 A JP15238181 A JP 15238181A JP S5853830 A JPS5853830 A JP S5853830A
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- Japan
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- semiconductor wafer
- needle
- objective lens
- back surface
- groove
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-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体装置の製造方法に関し、特に半導体ウ
ェーハの表面側のパターンに応じて裏面側から加工を施
す簡便な方法に関する。
ェーハの表面側のパターンに応じて裏面側から加工を施
す簡便な方法に関する。
半導体装置の種類によっては、その表面側からのみなら
ず、裏面側から表面側のパターンに応じて加工しなけれ
ばならない場合がある。例えば、第１図は高耐圧メサ型
または逆メ勺型と称されるトランジスタベレ、ソト１の
断面図を示し、Ｎ＋型領箋と、Ｎ−型コレクタ領域８と
、Ｐ型ベース領域′４と、Ｎ型エミッタ領域５と、ＰＮ
接合６，７とべ一ヌ・エミッタ間のＰＮ接合７の終端を
保護する酸化膜等の絶縁膜８と、コレクタ電極９と、ベ
ース電ＦＭ１０と、エミッタ電極１１とを有し、その端
面１２がコレクタ・ベース間のＰＮ接合６に対して逆耐
電圧が増大する方向の傾斜面、すなわち、Ｐ型ベース領
域４に比し不純物濃度が低い（もしくは比抵抗が大きい
）Ｎ−型のコレクタ領域８が端面１２に近づくにつれて
その厚さが減少するような傾斜面、いわゆる正ベベルに
形成されている。
ず、裏面側から表面側のパターンに応じて加工しなけれ
ばならない場合がある。例えば、第１図は高耐圧メサ型
または逆メ勺型と称されるトランジスタベレ、ソト１の
断面図を示し、Ｎ＋型領箋と、Ｎ−型コレクタ領域８と
、Ｐ型ベース領域′４と、Ｎ型エミッタ領域５と、ＰＮ
接合６，７とべ一ヌ・エミッタ間のＰＮ接合７の終端を
保護する酸化膜等の絶縁膜８と、コレクタ電極９と、ベ
ース電ＦＭ１０と、エミッタ電極１１とを有し、その端
面１２がコレクタ・ベース間のＰＮ接合６に対して逆耐
電圧が増大する方向の傾斜面、すなわち、Ｐ型ベース領
域４に比し不純物濃度が低い（もしくは比抵抗が大きい
）Ｎ−型のコレクタ領域８が端面１２に近づくにつれて
その厚さが減少するような傾斜面、いわゆる正ベベルに
形成されている。
そして、この傾斜面１２に露出するＰＮ接合６がシリコ
ンゴム等の絶縁保護物質１８が被着されて、不働態化さ
れている。
ンゴム等の絶縁保護物質１８が被着されて、不働態化さ
れている。
また、第２図は、両面メサ型と称される構造の逆阻止８
端子サイリスタ（ＳＣＲ）のペレット１５の断面図を示
す。このペレット１５は、Ｐ型頭域１６と、Ｎ型領域１
７と、Ｐ型頭域１８と、Ｎ型領域１９と、ＰＮ接合２０
，２１．２２と、ＰＮ接合２２の主面における終端部を
保護するガラス等よりなる絶縁膜２８と、アノード電極
２４と、ゲート電ＦＭ２６と、カソード電極２６とを有
し、さらにＰＮ接合２０．２１の露出する端面２７゜２
８を傾斜面とし、これら傾斜面２７．２８にガラス等の
絶縁保護物質２９，１１０が被着されて不働態化されて
いる。
端子サイリスタ（ＳＣＲ）のペレット１５の断面図を示
す。このペレット１５は、Ｐ型頭域１６と、Ｎ型領域１
７と、Ｐ型頭域１８と、Ｎ型領域１９と、ＰＮ接合２０
，２１．２２と、ＰＮ接合２２の主面における終端部を
保護するガラス等よりなる絶縁膜２８と、アノード電極
２４と、ゲート電ＦＭ２６と、カソード電極２６とを有
し、さらにＰＮ接合２０．２１の露出する端面２７゜２
８を傾斜面とし、これら傾斜面２７．２８にガラス等の
絶縁保護物質２９，１１０が被着されて不働態化されて
いる。
上記第１図に示す逆メサ型のトランジスタペレット１や
第２図に示す両面メサ型のサイリスタペレット１５を製
造するためには、いずれも表面側からのみでなく、裏面
側からも表面側のパターンに応じて傾斜面１２，２７．
２８を形成しなければならない。例えば第１図のペレッ
ト１を製造する場合について説明すると、第８図に示す
ように、多数のトランジスタ１′を形成した半導体ウェ
ーハ１００の表面１０１側を接着テープまたはガラス等
の基材４０に接着固定し、その裏面１０２側からスクラ
イプライン、すなわち各トランジスタ１′。
第２図に示す両面メサ型のサイリスタペレット１５を製
造するためには、いずれも表面側からのみでなく、裏面
側からも表面側のパターンに応じて傾斜面１２，２７．
２８を形成しなければならない。例えば第１図のペレッ
ト１を製造する場合について説明すると、第８図に示す
ように、多数のトランジスタ１′を形成した半導体ウェ
ーハ１００の表面１０１側を接着テープまたはガラス等
の基材４０に接着固定し、その裏面１０２側からスクラ
イプライン、すなわち各トランジスタ１′。
１′間の中心線４１に沿ってダイシングブレード４２に
よって切削加工して、端面１２が正ベベルとなるＶ字溝
４８を形成する工程を経て製造されている。ところが、
半導体ウェーハ１００は不透明であり、裏面１０２側か
ら表面１０１のパターン。
よって切削加工して、端面１２が正ベベルとなるＶ字溝
４８を形成する工程を経て製造されている。ところが、
半導体ウェーハ１００は不透明であり、裏面１０２側か
ら表面１０１のパターン。
換言すれば各トランジスタ１′、１’間の中心線４１を
見ることはできない。
見ることはできない。
そこで、従来は例えば半導体ウェーハ１００（７）・表
面１０１および裏面１０２にフォトレジスト膜を形成し
、両面目金せ露光機を利用して、フォトエツチング方式
で裏面１０２のコレクタ電極２４を中心線４１に沿って
除去しておいて、上記のようなダイシングブレード４２
による切削加工を施す方法が採用されているが、この方
法はフォトレジスト膜の塗布、露光、現像、フォトレジ
スト膜の除去等に多大の工数および資材を要し、原価高
となる難点がある。また、半導体ウェーハ１００の表面
１０１側からそのパターンを観察して、スクライブライ
ンに沿って断続的にレーザービームを照射して、半導体
ウェーハ１００（７）裏１ｉ１０２に達する貫通孔を形
成して、この貫通孔を基準にして裏面１０２側から、ダ
イシンググレード４２による加工を施す方法もある。こ
の方法は−、レーザービームにより貫通孔を形成する際
に、溶融【７たシリコンの微細粒が、表面１０１のベー
ス電極１０やエミッタ電極１１上に付着すると、後工程
で除去困難であるため、あらかじめ表面１０１に透明ワ
ックス等を塗布しておいて貫通孔を形成し、貫通孔の形
成後にこの透明ワックス等を除去しなければならず、や
はり多大の工数および資材を必要とし、原価高となる難
点がある。
面１０１および裏面１０２にフォトレジスト膜を形成し
、両面目金せ露光機を利用して、フォトエツチング方式
で裏面１０２のコレクタ電極２４を中心線４１に沿って
除去しておいて、上記のようなダイシングブレード４２
による切削加工を施す方法が採用されているが、この方
法はフォトレジスト膜の塗布、露光、現像、フォトレジ
スト膜の除去等に多大の工数および資材を要し、原価高
となる難点がある。また、半導体ウェーハ１００の表面
１０１側からそのパターンを観察して、スクライブライ
ンに沿って断続的にレーザービームを照射して、半導体
ウェーハ１００（７）裏１ｉ１０２に達する貫通孔を形
成して、この貫通孔を基準にして裏面１０２側から、ダ
イシンググレード４２による加工を施す方法もある。こ
の方法は−、レーザービームにより貫通孔を形成する際
に、溶融【７たシリコンの微細粒が、表面１０１のベー
ス電極１０やエミッタ電極１１上に付着すると、後工程
で除去困難であるため、あらかじめ表面１０１に透明ワ
ックス等を塗布しておいて貫通孔を形成し、貫通孔の形
成後にこの透明ワックス等を除去しなければならず、や
はり多大の工数および資材を必要とし、原価高となる難
点がある。
それゆえに、この発明の主たる目的は、上述のように半
導体ウェーハの裏面側から表面側のパターンに応じて加
工を施す簡便な方法を提供することである。この発明は
要約すると、対物レンズと罫書針と半導体ウェーハを吸
着し得る透明板とを用いて、対物レンズのクロスライン
と罫書針トラ同一軸上に位置調整したのち、透明板の罫
書針側面に半導体ウェーハの表面をそのスクライブライ
ンを対物レンズのクロスラインと一致せしめて吸着保持
し、次いで半導体ウェーハの裏面に罫書針を当接させて
から、半導体ウェーハと罫書針とを相対的に水牛移動さ
せて、半導体ウェーハの裏面に表面のスクライプライン
と一致する少なくとも一本の溝を刻設し、この裏面に刻
設された溝を基準にして裏面側から加工を施すことを特
徴とするものである。
導体ウェーハの裏面側から表面側のパターンに応じて加
工を施す簡便な方法を提供することである。この発明は
要約すると、対物レンズと罫書針と半導体ウェーハを吸
着し得る透明板とを用いて、対物レンズのクロスライン
と罫書針トラ同一軸上に位置調整したのち、透明板の罫
書針側面に半導体ウェーハの表面をそのスクライブライ
ンを対物レンズのクロスラインと一致せしめて吸着保持
し、次いで半導体ウェーハの裏面に罫書針を当接させて
から、半導体ウェーハと罫書針とを相対的に水牛移動さ
せて、半導体ウェーハの裏面に表面のスクライプライン
と一致する少なくとも一本の溝を刻設し、この裏面に刻
設された溝を基準にして裏面側から加工を施すことを特
徴とするものである。
以下、この発明の実施例を図面により説明する。
第４図はこの発明の詳細な説明するだめの概略構成図を
示し、図において５１は視野内にクロスライン（図示せ
ず）を有する対物レンズで、その下方に所定の間隙で罫
書針５２が配置されている。
示し、図において５１は視野内にクロスライン（図示せ
ず）を有する対物レンズで、その下方に所定の間隙で罫
書針５２が配置されている。
５８は前記対物レンズ５１と罫書針５２との間に配置さ
れたガラス等よりなる透明板で、その周辺に下面と側面
に開口する孔５４を有し、この孔５４は真空系に接続さ
れている。この状態で、前記対物レンズ５１のクロスラ
インと罫書針５２の先端とを、同一軸心５５上に一致せ
しめる。なお、対物レンズ５１のクロスラインと罫書針
５２とをあらかじめ同一軸心５５上に一致せしめておい
てから、両者間に透明板５８を配置してもよいが、透光
板５８を繰り返えし使用する場合は、上述のように透明
板５８を配置した状態で、対物レンズ５１のクロスライ
ンと罫書針５２とを一致せしめる方が良い。次に、第５
図に詳細に示すように、透明板５８の下面、すなわち罫
書針５２側の面に、半導体ウェーハ１００をその表面１
０１側をもって、しかも半導体ウェーハ１００の表面１
０１の各トランジスタ１’、 １’の中心線４１が、
対物レンズ５１のクロスラインの軸心５５に一致するよ
うに、位置調整した上で吸着保持する。こののち、罫書
針５２を半導体ウェーハ１００の裏面１０２に当接し、
半導体ウェーハ１００と罫書針５２とを相対的に水平移
動させて、半導体ウェーハ１００の裏面１０２にＸ方向
の溝５６を刻設する。こののち、半導体ウェーハ１００
または罫書針５２を、水平面内で９０°回転して、再び
半導体ウェーハ１００と罫書針５２を相対的に水平移動
させて、Ｙ方向の溝５７を刻設する。次に、半導体ウェ
ーハ１００を透明板５４から外して、第６図に示すよう
に、その表面１０１に接着テープまたはガラス等の基材
４０を固着し、裏面１０２を上側にして、ダイシングマ
シン（図示せず）の吸着台に載置し、半導体ウェーハ１
００の裏面１０１に刻設された溝５６．５７を基準とし
て、半導体ウェーハ１００のスクライプライン、すなわ
ちトランジスタ１′。
れたガラス等よりなる透明板で、その周辺に下面と側面
に開口する孔５４を有し、この孔５４は真空系に接続さ
れている。この状態で、前記対物レンズ５１のクロスラ
インと罫書針５２の先端とを、同一軸心５５上に一致せ
しめる。なお、対物レンズ５１のクロスラインと罫書針
５２とをあらかじめ同一軸心５５上に一致せしめておい
てから、両者間に透明板５８を配置してもよいが、透光
板５８を繰り返えし使用する場合は、上述のように透明
板５８を配置した状態で、対物レンズ５１のクロスライ
ンと罫書針５２とを一致せしめる方が良い。次に、第５
図に詳細に示すように、透明板５８の下面、すなわち罫
書針５２側の面に、半導体ウェーハ１００をその表面１
０１側をもって、しかも半導体ウェーハ１００の表面１
０１の各トランジスタ１’、 １’の中心線４１が、
対物レンズ５１のクロスラインの軸心５５に一致するよ
うに、位置調整した上で吸着保持する。こののち、罫書
針５２を半導体ウェーハ１００の裏面１０２に当接し、
半導体ウェーハ１００と罫書針５２とを相対的に水平移
動させて、半導体ウェーハ１００の裏面１０２にＸ方向
の溝５６を刻設する。こののち、半導体ウェーハ１００
または罫書針５２を、水平面内で９０°回転して、再び
半導体ウェーハ１００と罫書針５２を相対的に水平移動
させて、Ｙ方向の溝５７を刻設する。次に、半導体ウェ
ーハ１００を透明板５４から外して、第６図に示すよう
に、その表面１０１に接着テープまたはガラス等の基材
４０を固着し、裏面１０２を上側にして、ダイシングマ
シン（図示せず）の吸着台に載置し、半導体ウェーハ１
００の裏面１０１に刻設された溝５６．５７を基準とし
て、半導体ウェーハ１００のスクライプライン、すなわ
ちトランジスタ１′。
１′間の中心線４１をダイシンググレード４２と一致せ
しめて、ダイシングブレード４２と半導体ウェーハ１０
０とをＸ方向に相対的に水平移動させて、第７図に示す
ように、端面１２が正ベベルの傾斜面となったＶ字溝４
Ｂを形成する。次に、半導体ウェーハ１００を吸着保持
した吸着台がトランジスタ１′の１個分の寸法りだけＹ
方向に間欠送りして、再びＸ方向の溝４８を形成する。
しめて、ダイシングブレード４２と半導体ウェーハ１０
０とをＸ方向に相対的に水平移動させて、第７図に示す
ように、端面１２が正ベベルの傾斜面となったＶ字溝４
Ｂを形成する。次に、半導体ウェーハ１００を吸着保持
した吸着台がトランジスタ１′の１個分の寸法りだけＹ
方向に間欠送りして、再びＸ方向の溝４８を形成する。
以下、同様にしてＸ方向の溝４８を形成し終ったら、半
導体ウェーハ１００を水平面内で９０°回転して、Ｙ方
向についても同様の溝４８を形成する。
導体ウェーハ１００を水平面内で９０°回転して、Ｙ方
向についても同様の溝４８を形成する。
上述の方法によれば、従来の両面目金せ露光機を利用し
たり、レーザービームの照射により貫通孔を設けたりす
る方法に比較して、フォトレジストや透明ワックスある
いはそれらの除去用の有機溶剤等の資材を何ら使用しな
いので、工数が著しく減少できるのみならず、原価が低
減できる。
たり、レーザービームの照射により貫通孔を設けたりす
る方法に比較して、フォトレジストや透明ワックスある
いはそれらの除去用の有機溶剤等の資材を何ら使用しな
いので、工数が著しく減少できるのみならず、原価が低
減できる。
なお、上記説明においては、罫書針５２によってＸ方向
およびＹ方向にそれぞれ１本ずつの溝５６゜５７を形成
する場合について説明したが、このようにしても最初に
溝５６．５７を利用して目合せ作業を行なえば、後はダ
イシングマシンの自動ピ１．チ送り動作および９０°回
転動作によってＶ字溝４８が形成されるので何ら問題は
ない。もし必要ならば、第６図における溝５６．５７の
刻設時にも自動ピッチ送り機構および９０°回転機構を
導入して溝５６．５７をすべてのスクライプラインに沿
って刻設しておいてもよい。
およびＹ方向にそれぞれ１本ずつの溝５６゜５７を形成
する場合について説明したが、このようにしても最初に
溝５６．５７を利用して目合せ作業を行なえば、後はダ
イシングマシンの自動ピ１．チ送り動作および９０°回
転動作によってＶ字溝４８が形成されるので何ら問題は
ない。もし必要ならば、第６図における溝５６．５７の
刻設時にも自動ピッチ送り機構および９０°回転機構を
導入して溝５６．５７をすべてのスクライプラインに沿
って刻設しておいてもよい。
また、第４図では対物レンズ５１が上方で罫書針５２が
下方に位置する場合について説明したが、両者の上下関
係を逆転させてもよい。すなわち、従来周知のダイヤモ
ンドポイント方式のヌクライパー〇半導体ウェーハ吸着
台を、第４図に示す透明板５８に置換し、その下方に対
物レンズ５１を配置し、透明板５８の上に半導体ウェー
ハ１００をその表面１０１を下側に向けて載置吸着し、
半導体ウェーハ１００の裏面１０２に罫書針５２で溝５
６．５７を刻設するようにしてもよい。
下方に位置する場合について説明したが、両者の上下関
係を逆転させてもよい。すなわち、従来周知のダイヤモ
ンドポイント方式のヌクライパー〇半導体ウェーハ吸着
台を、第４図に示す透明板５８に置換し、その下方に対
物レンズ５１を配置し、透明板５８の上に半導体ウェー
ハ１００をその表面１０１を下側に向けて載置吸着し、
半導体ウェーハ１００の裏面１０２に罫書針５２で溝５
６．５７を刻設するようにしてもよい。
さらに、上記実施例は逆メサ型トランジスタを製造する
場合において、半導体ウェーハの裏面側からダイシング
加工する場合について説明したが、第２図に示すような
両面メサ型のサイリスタを製造する場合にも適用するこ
とができる。この場合この種サイリスタは、従来すべて
両面目金せ露光機を利用して、フォトエツチング方式で
傾斜面２７゜２８を形成していたが、この発明を実施す
れば、フォトレジスト剤に代えてワックスをスクリーン
印刷等で塗布形成して工・ンチング処理することにより
傾斜面２７．２８を形成することもでき、エツチング工
程における工数減少および省資材を図ることができる利
点がある。
場合において、半導体ウェーハの裏面側からダイシング
加工する場合について説明したが、第２図に示すような
両面メサ型のサイリスタを製造する場合にも適用するこ
とができる。この場合この種サイリスタは、従来すべて
両面目金せ露光機を利用して、フォトエツチング方式で
傾斜面２７゜２８を形成していたが、この発明を実施す
れば、フォトレジスト剤に代えてワックスをスクリーン
印刷等で塗布形成して工・ンチング処理することにより
傾斜面２７．２８を形成することもでき、エツチング工
程における工数減少および省資材を図ることができる利
点がある。
この発明は以上のように、半導体ウェーハの裏面側から
表面側のパターンに応じて加工を施す場合に、従来のよ
うにフォトレジストやワックス等の資材や、それらの塗
布、露光、現像、除去等の工数を一切省略することがで
き、原価低減を図り得るという効果を奏する。
表面側のパターンに応じて加工を施す場合に、従来のよ
うにフォトレジストやワックス等の資材や、それらの塗
布、露光、現像、除去等の工数を一切省略することがで
き、原価低減を図り得るという効果を奏する。
第１図および第２図は半導体ウェーハの裏面からの加工
が必要な半導体装置の代表的な例としてポス逆メサ型ト
ランジスタベレットおよび両メサ型サイリスタベレット
の断面図、第３図は第１図のトランジスタペレットをダ
イシンク加工によって製造する場合の半導体ウェーハの
断面図、第４図ないし第７図はこの発明の一実施例方法
について説明するだめのもので、第４図は概略構成図を
示し、第５図ないし第７図は各段階における半導体ウェ
ーハの断面図を示す。 １′・・・・ トランジスタ、 １２．２７．２８・・・・・端面（傾斜面）、４０・・
・・・ 基材、 ４１・・・ スクライプライン（中心線）、４２・・・
・・・ダイシンググレード、４３・・・・・・Ｖ字溝、 ５１・・・・対物レンズ、 ５２・・・・ 罫書針、 ５３・・・・透明板、 ５５・・・・・軸心、 ５６．５７ ・・・溝、 １００・・・・半導体ウェーハ、 １０１・・・・・・表面、 １０２・・・・・裏面。 ２ ］ 図 第２間 第３図 ′］○１ 第４図
が必要な半導体装置の代表的な例としてポス逆メサ型ト
ランジスタベレットおよび両メサ型サイリスタベレット
の断面図、第３図は第１図のトランジスタペレットをダ
イシンク加工によって製造する場合の半導体ウェーハの
断面図、第４図ないし第７図はこの発明の一実施例方法
について説明するだめのもので、第４図は概略構成図を
示し、第５図ないし第７図は各段階における半導体ウェ
ーハの断面図を示す。 １′・・・・ トランジスタ、 １２．２７．２８・・・・・端面（傾斜面）、４０・・
・・・ 基材、 ４１・・・ スクライプライン（中心線）、４２・・・
・・・ダイシンググレード、４３・・・・・・Ｖ字溝、 ５１・・・・対物レンズ、 ５２・・・・ 罫書針、 ５３・・・・透明板、 ５５・・・・・軸心、 ５６．５７ ・・・溝、 １００・・・・半導体ウェーハ、 １０１・・・・・・表面、 １０２・・・・・裏面。 ２ ］ 図 第２間 第３図 ′］○１ 第４図
Claims (1)
- 対物レンズと罫書針とを所定の間隙で対向配置するとと
もに両者の間に吸着部を有する透明板を配置し、前記対
物レンズのクロスラインと罫書針とを同一軸心上に位置
調整する工程と、前記透明板の罫書針側面に半導体ウェ
ーハの表面側を前記対物レンズのクロスラインと半導体
ウェーハのスクライブラインが一致するように吸着保持
する工程と、前記半導体ウェーハに罫書針を当接せしめ
て半導体ウェーハと罫書針とを相対的に水平移動させて
半導体ウェーハの裏面に表面のスクライプラインと一致
する少なくとも一本の溝を刻設する工程と、前記裏面に
刻設された溝を基準にして半導体ウェーハに裏面側から
加工を施す工程とを含むことを特徴とする半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56152381A JPS5853830A (ja) | 1981-09-25 | 1981-09-25 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56152381A JPS5853830A (ja) | 1981-09-25 | 1981-09-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5853830A true JPS5853830A (ja) | 1983-03-30 |
Family
ID=15539278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56152381A Pending JPS5853830A (ja) | 1981-09-25 | 1981-09-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5853830A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60125090A (ja) * | 1983-12-12 | 1985-07-04 | Sony Corp | カラ−固体撮像装置 |
| US5904548A (en) * | 1996-11-21 | 1999-05-18 | Texas Instruments Incorporated | Trench scribe line for decreased chip spacing |
-
1981
- 1981-09-25 JP JP56152381A patent/JPS5853830A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60125090A (ja) * | 1983-12-12 | 1985-07-04 | Sony Corp | カラ−固体撮像装置 |
| US5904548A (en) * | 1996-11-21 | 1999-05-18 | Texas Instruments Incorporated | Trench scribe line for decreased chip spacing |
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