JPS5853831A - 電子ビ−ム露光装置 - Google Patents
電子ビ−ム露光装置Info
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- JPS5853831A JPS5853831A JP56152661A JP15266181A JPS5853831A JP S5853831 A JPS5853831 A JP S5853831A JP 56152661 A JP56152661 A JP 56152661A JP 15266181 A JP15266181 A JP 15266181A JP S5853831 A JPS5853831 A JP S5853831A
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- holder
- chamber
- valve
- electron beam
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- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/18—Vacuum locks ; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/18—Vacuum control means
- H01J2237/184—Vacuum locks
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/204—Means for introducing and/or outputting objects
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31761—Patterning strategy
- H01J2237/31766—Continuous moving of wafer
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発#4は牛導体装置等の製造工程において使用する電
子ビーム露光装置の改爽に関す・電子ビーム露JJt、
lI[置が、牛導体装置等の製造工程において、光では
不可能なサブミクロン領域のパターン形成に先立つて、
2〜3μ爲穐度のパターンをもつマスクの製作あるいは
ウェハへの直接描画が実用化されている@ この最小パターン2〜3μmS*のパターン形成に電子
ビーム露光装置が使用される理由としては、従来の光学
的方法に比較して、マスクの製作時間の大幅な短縮が可
能であること、低コストにできること及び品質が向上す
ることが挙げられている。
子ビーム露光装置の改爽に関す・電子ビーム露JJt、
lI[置が、牛導体装置等の製造工程において、光では
不可能なサブミクロン領域のパターン形成に先立つて、
2〜3μ爲穐度のパターンをもつマスクの製作あるいは
ウェハへの直接描画が実用化されている@ この最小パターン2〜3μmS*のパターン形成に電子
ビーム露光装置が使用される理由としては、従来の光学
的方法に比較して、マスクの製作時間の大幅な短縮が可
能であること、低コストにできること及び品質が向上す
ることが挙げられている。
従来の光学的方法に比較して電子ビーム露光技術が有利
である第一の点は、光学的方法においては先ずチップパ
ターンの通常は10倍のレチクlしを製作し、次いでこ
れを原寸大に縮少投影し、1枚のマスク上に同じチップ
パターンを多数m!付けてマスタマスクを製作Tるのに
対して、電子ビーム露光技術による場合には、10倍レ
チクルを製作せずマスタマスクあるいはウニへ上に直接
描確 画し、かつ、その描画に要する時間が109レチクヤの
描画時間より後述Tる如(ずっと短いことlこよる。
である第一の点は、光学的方法においては先ずチップパ
ターンの通常は10倍のレチクlしを製作し、次いでこ
れを原寸大に縮少投影し、1枚のマスク上に同じチップ
パターンを多数m!付けてマスタマスクを製作Tるのに
対して、電子ビーム露光技術による場合には、10倍レ
チクルを製作せずマスタマスクあるいはウニへ上に直接
描確 画し、かつ、その描画に要する時間が109レチクヤの
描画時間より後述Tる如(ずっと短いことlこよる。
ウェハやフォトマスクの面積に比較して、七装置の電子
ビームを正確に偏向できる面積が小さいために、ウェハ
やマスク・テープlしを移動させて大きな面積を露光し
ている。現在実用化されてがある。
ビームを正確に偏向できる面積が小さいために、ウェハ
やマスク・テープlしを移動させて大きな面積を露光し
ている。現在実用化されてがある。
連続移動方式では電子ビームはX軸方向だけ、1次元の
走査を行ない、Y軸゛方向はテープをが一足速度で連続
的に移動してマスク走査方法をとる・光学的レチクIし
の描画では処理時間がパターンが複雑であるときに長く
なるのに対して、マスク走査方法で框処理時間がパター
ンの複雑さの影響を受けないために、パターンが複雑で
あるほど効果が大となる〇 ステップ・アンド・レピート方式では1チップ単位で露
光とテーブル移動を繰り返丁。1チツプが長くなるが、
余分な部分を走査しないためにマスク走査に比較して高
速にできる可能性をもっている。
走査を行ない、Y軸゛方向はテープをが一足速度で連続
的に移動してマスク走査方法をとる・光学的レチクIし
の描画では処理時間がパターンが複雑であるときに長く
なるのに対して、マスク走査方法で框処理時間がパター
ンの複雑さの影響を受けないために、パターンが複雑で
あるほど効果が大となる〇 ステップ・アンド・レピート方式では1チップ単位で露
光とテーブル移動を繰り返丁。1チツプが長くなるが、
余分な部分を走査しないためにマスク走査に比較して高
速にできる可能性をもっている。
電子ビーム露光装置の描画能力は、前記の各方式ヲ通シ
て、7.6ffi用マスクについて20分乃至40分程
度とされ、光学的方法によるlO倍レし)!lνの描画
が数万パターンの露光で5乃至6時間、を!する四こ比
較して大幅に所要時間が短縮されるO 前記の轡<描画時間が短縮され量産化が推進されるに伴
なって描画の前後に必要とされる被露光物の供給、取出
し、真空引き及びリーク等の時間短縮或いは被露光物の
自動交換供給機能を付加してこれらの準備動作を露光処
理と並列に行なわせることが試みられている。しかしな
がら、真空パーレブの開閉或いは材料ホIレダーの移動
等により機械振動或いは衝撃、電気的或いは磁気的ノイ
ズが発生ずることにより、描画に悪影響を及丁ことは完
全に排除されなければならない。
て、7.6ffi用マスクについて20分乃至40分程
度とされ、光学的方法によるlO倍レし)!lνの描画
が数万パターンの露光で5乃至6時間、を!する四こ比
較して大幅に所要時間が短縮されるO 前記の轡<描画時間が短縮され量産化が推進されるに伴
なって描画の前後に必要とされる被露光物の供給、取出
し、真空引き及びリーク等の時間短縮或いは被露光物の
自動交換供給機能を付加してこれらの準備動作を露光処
理と並列に行なわせることが試みられている。しかしな
がら、真空パーレブの開閉或いは材料ホIレダーの移動
等により機械振動或いは衝撃、電気的或いは磁気的ノイ
ズが発生ずることにより、描画に悪影響を及丁ことは完
全に排除されなければならない。
本発明は、電子ビーム露光装置において、被露光−の供
給、取出し、等の準備動作を露光処理と並列に行なわせ
、かつ描画に対するこれらの準備動作等に起因する妨害
を排除することを目的とするO 不発明の前記目的は、露光部で露光を行なうことなく交
換供給部を動作させ、交換供給部の動作終了後、所足の
タイミング経過後に露光部での露光を行ない、露光終了
後に再び交換供給部を動作させることにより達成される
。
給、取出し、等の準備動作を露光処理と並列に行なわせ
、かつ描画に対するこれらの準備動作等に起因する妨害
を排除することを目的とするO 不発明の前記目的は、露光部で露光を行なうことなく交
換供給部を動作させ、交換供給部の動作終了後、所足の
タイミング経過後に露光部での露光を行ない、露光終了
後に再び交換供給部を動作させることにより達成される
。
以下不発明を実施例により図面を参照して具体的に説明
する。 、 −61!1図は
実施例の電子ビーム露光装置の本発明に関連する機構の
概要を示す模式図である。図においてlはメインチャン
バー、2はメインチャンバー用排気系、3は移動テープ
Iし、4はホIレダー、5はエレベータ、6はサブチャ
ンバー、7はゲートバルブ、8はゲートバルブ、9はリ
ークバルブ、1.0は低真空ポンプ、11は高真空ポン
プ、12はバIレブ、13はバルブ、l・4はホルダー
誘導機構、15はエレベータに設けられたホIレダー誘
導機構、16はメインチャンバーに設けられたホIレダ
ー誘導機構を示し、又、A乃至Fはホーレダー4の位置
を示す〇 本実施例のエレベータ5は第1図中実−で示す如く上下
2段のホルダー誘導機構15を設けた棚を有し、上中下
3階の移tJを行なうもので、図中の実線は9階にある
状態を示す。
する。 、 −61!1図は
実施例の電子ビーム露光装置の本発明に関連する機構の
概要を示す模式図である。図においてlはメインチャン
バー、2はメインチャンバー用排気系、3は移動テープ
Iし、4はホIレダー、5はエレベータ、6はサブチャ
ンバー、7はゲートバルブ、8はゲートバルブ、9はリ
ークバルブ、1.0は低真空ポンプ、11は高真空ポン
プ、12はバIレブ、13はバルブ、l・4はホルダー
誘導機構、15はエレベータに設けられたホIレダー誘
導機構、16はメインチャンバーに設けられたホIレダ
ー誘導機構を示し、又、A乃至Fはホーレダー4の位置
を示す〇 本実施例のエレベータ5は第1図中実−で示す如く上下
2段のホルダー誘導機構15を設けた棚を有し、上中下
3階の移tJを行なうもので、図中の実線は9階にある
状態を示す。
電子ビーム露光そ利子したマスク或いはウェハを保持す
るt−のホIレター4はメインチャンバーより位置Bi
C移送ざわ、5エレベータ5の上段の棚に乗る。エレツ
、−1夕5が下階より上階に上昇してホルダー4は位置
1)に移動する。、ゲートバルブ7が開かれ、未露光り
)マスク或いはウェハを保持fIし る第二のホルダー4′がコンベアベルト等つホIダー輸
送機構14及びメインチャンバーl内のホJトダー送り
機構により位ltEより位ICに移送されて工、レベー
タ5の下段の棚に乗る。エレベータ5が9階に下降して
第一のホルダー4は位?tCへ、第二のホルダー4′は
位置Bに移動する。次いで第二のホlレダー4′は位I
ILA即ち移動テーブル3上に移送され、’i!+こ纂
−のホルダー4は1iZitg即ちサブチャンバー6に
移送ざrL6゜ 以上の如く移動テーブル3上Gこ配fILされた第二の
ホIレダー4′に保持されたマスク或いはウェハに対し
て電子ビーム露光が準備される。
るt−のホIレター4はメインチャンバーより位置Bi
C移送ざわ、5エレベータ5の上段の棚に乗る。エレツ
、−1夕5が下階より上階に上昇してホルダー4は位置
1)に移動する。、ゲートバルブ7が開かれ、未露光り
)マスク或いはウェハを保持fIし る第二のホルダー4′がコンベアベルト等つホIダー輸
送機構14及びメインチャンバーl内のホJトダー送り
機構により位ltEより位ICに移送されて工、レベー
タ5の下段の棚に乗る。エレベータ5が9階に下降して
第一のホルダー4は位?tCへ、第二のホルダー4′は
位置Bに移動する。次いで第二のホlレダー4′は位I
ILA即ち移動テーブル3上に移送され、’i!+こ纂
−のホルダー4は1iZitg即ちサブチャンバー6に
移送ざrL6゜ 以上の如く移動テーブル3上Gこ配fILされた第二の
ホIレダー4′に保持されたマスク或いはウェハに対し
て電子ビーム露光が準備される。
他方、サブチャンバー6側においては前記第一のホーレ
ダー4を受入れた後、ゲートバIレブ7を閉じ、リーク
バルブ9を開き圧力上昇後、ゲートバルブ8を開き、第
一のホIレダー4を位置Fへ移送即ちサブチキンバー6
外へ送出し、未露光の第三のホIレダ4y(図中に表示
されていない)を位置Fより位置Bへ移送即ちサブチャ
ンバー6に収容し、ゲートバIレブ8を閉じ、リークバ
ルブ9を閉じ、パIレブ12i開いてサブチャンバー6
内の排気を開始し、次いでパIレブ12を閉じ、バルブ
13を開いてサブチャンバー6を所足の高真空状態とし
、メインチャンバー1との次のホIレダー交換を待つ。
ダー4を受入れた後、ゲートバIレブ7を閉じ、リーク
バルブ9を開き圧力上昇後、ゲートバルブ8を開き、第
一のホIレダー4を位置Fへ移送即ちサブチキンバー6
外へ送出し、未露光の第三のホIレダ4y(図中に表示
されていない)を位置Fより位置Bへ移送即ちサブチャ
ンバー6に収容し、ゲートバIレブ8を閉じ、リークバ
ルブ9を閉じ、パIレブ12i開いてサブチャンバー6
内の排気を開始し、次いでパIレブ12を閉じ、バルブ
13を開いてサブチャンバー6を所足の高真空状態とし
、メインチャンバー1との次のホIレダー交換を待つ。
以上述べた第二のホIレダー4/に保持されたマスク等
に対する電子ビーム露光闘始後のサブチャンバー611
の各バルブの開閉、ホルダーの輸送等の機械的電磁気的
動作を充分な保護手段を加えずに行った場合には、機械
的振動の伝播、電磁界のノイズ等により、電子ビーム露
光により拙mされた画像に波状の変形その他の乱れを生
ずる。
に対する電子ビーム露光闘始後のサブチャンバー611
の各バルブの開閉、ホルダーの輸送等の機械的電磁気的
動作を充分な保護手段を加えずに行った場合には、機械
的振動の伝播、電磁界のノイズ等により、電子ビーム露
光により拙mされた画像に波状の変形その他の乱れを生
ずる。
本実施例の電子ビーム露光装置は纂2図に示す如く、制
御部21は露光部22より送られる露光終了情報ex、
テーブヤ移動終了情報tr、時には描画妨害情報si及
び被露光物の交換供給部23より送らnる各部分の動作
終了情報、07,08等サブチャンバー内の気圧情報s
l等を受けて、露゛光部22憂こ露光開始命令Ex、テ
ープ少移動命令Tr。
御部21は露光部22より送られる露光終了情報ex、
テーブヤ移動終了情報tr、時には描画妨害情報si及
び被露光物の交換供給部23より送らnる各部分の動作
終了情報、07,08等サブチャンバー内の気圧情報s
l等を受けて、露゛光部22憂こ露光開始命令Ex、テ
ープ少移動命令Tr。
交換供給部23の各部分の動作命令08,09等を与え
て、露光処理と交換供給部の゛動作とを組合わせ、前記
の如き描画に対丁雇妨害を避けつつ、時間の無駄なく露
光処理を進行する。
て、露光処理と交換供給部の゛動作とを組合わせ、前記
の如き描画に対丁雇妨害を避けつつ、時間の無駄なく露
光処理を進行する。
その制御の一例として、前記の゛第二のホIレダー4′
に保持されたマスク或いはウェハに対する露光準備以降
を第3図を用いて説明する。
に保持されたマスク或いはウェハに対する露光準備以降
を第3図を用いて説明する。
第二のホIレダー4′を搭載した移動テープIし3の露
光開始位置への移動と同時に、第一のホlレダー4の位
置Cより位置Eへの移譲が行なわれているが、ホルダー
4′の位置Eへの到NをセンサーS1で検品して、交換
供給部より制御部lこホルダー4′の移送終了情報81
を送り、制御部より交換供給部にゲートバルブプ7を閉
じる命令C7f−与える。ゲートバルブ7を閉じる動作
(第3図中矩形内に一斜鱒を加えた動作の表示はパIレ
ブを閉じる動作を示す。)が完了すると、その情報C7
が交換供給部より制御部に送られ、制御部はリークバル
ブ9を開(命令09を交換供給部に与えるoIJ−クバ
ルブ9を開(動作により、先に述べた如き描画に対する
妨害が成る時間持続する($I3図中矩形内に多数の斜
線を加えた表示は妨害持続時間を示To)ときは、リー
クバルブ9な−(動作終了の情報09を受けた制御部は
、予めその動作について設定ざ$iの終止を待つて、露
光Sに対して露光開始命令Bxを与え、露光が開始され
る。
光開始位置への移動と同時に、第一のホlレダー4の位
置Cより位置Eへの移譲が行なわれているが、ホルダー
4′の位置Eへの到NをセンサーS1で検品して、交換
供給部より制御部lこホルダー4′の移送終了情報81
を送り、制御部より交換供給部にゲートバルブプ7を閉
じる命令C7f−与える。ゲートバルブ7を閉じる動作
(第3図中矩形内に一斜鱒を加えた動作の表示はパIレ
ブを閉じる動作を示す。)が完了すると、その情報C7
が交換供給部より制御部に送られ、制御部はリークバル
ブ9を開(命令09を交換供給部に与えるoIJ−クバ
ルブ9を開(動作により、先に述べた如き描画に対する
妨害が成る時間持続する($I3図中矩形内に多数の斜
線を加えた表示は妨害持続時間を示To)ときは、リー
クバルブ9な−(動作終了の情報09を受けた制御部は
、予めその動作について設定ざ$iの終止を待つて、露
光Sに対して露光開始命令Bxを与え、露光が開始され
る。
なお、制御部は、交換供給部に動作開始命令を与えた後
は露光部に露光開始命令gxを与えることを後に具体的
に説明する如く保留し、交換供給部の該命令による動作
、或いは先に述べた如き予め設定された一連の動作が終
了し、又は該動作による妨害の終止を待つて、露光開始
命令Exを与える。 。
は露光部に露光開始命令gxを与えることを後に具体的
に説明する如く保留し、交換供給部の該命令による動作
、或いは先に述べた如き予め設定された一連の動作が終
了し、又は該動作による妨害の終止を待つて、露光開始
命令Exを与える。 。
本冥施例においては、Is元方式として、#記ステ、ブ
・アンド・レピート方式を採用しており、−チップの露
光処理が終了丁れば、露光部より制御部に露光終了情報
exを送り、制御部は移動テープlしが次のチップ°の
露光位置に移動することを命令するテープ少移動命令T
rを露f、部に与える。
・アンド・レピート方式を採用しており、−チップの露
光処理が終了丁れば、露光部より制御部に露光終了情報
exを送り、制御部は移動テープlしが次のチップ°の
露光位置に移動することを命令するテープ少移動命令T
rを露f、部に与える。
テーブル移動終了情報trを露光部より得た制御部は露
光開始命令Bxを再び4元部に与え4元が繰返えされる
。
光開始命令Bxを再び4元部に与え4元が繰返えされる
。
さて、先に開かれたリークバルブ9から流入した空気に
より、サブチャンパー6内の圧力が外気圧に達したこと
をセンサーS2で送出して交換供給部より制御部に情報
S2が送られ、続いて露光部より露光終了情報exが制
御部に与えられると、制御部は露光部にはテープ−し移
動館令T r、交換供給部にはゲートバIレブ8を開く
動作命令08を与えるが、テープIし移動終了情報tr
8得ても麹光部に対して露光開始命令gzを与えること
を保留する。即ち、露光部は情報S2が制御部に送、ら
れたときに描画中であった千ツブの露光処理を終了後、
次のチップの露光位置まで移動テープtしを移動して、
交換供給部の動作終了を待機する。
より、サブチャンパー6内の圧力が外気圧に達したこと
をセンサーS2で送出して交換供給部より制御部に情報
S2が送られ、続いて露光部より露光終了情報exが制
御部に与えられると、制御部は露光部にはテープ−し移
動館令T r、交換供給部にはゲートバIレブ8を開く
動作命令08を与えるが、テープIし移動終了情報tr
8得ても麹光部に対して露光開始命令gzを与えること
を保留する。即ち、露光部は情報S2が制御部に送、ら
れたときに描画中であった千ツブの露光処理を終了後、
次のチップの露光位置まで移動テープtしを移動して、
交換供給部の動作終了を待機する。
その陵の制御部より与えられる命令、交換供給部及び露
光部からの情報及びその動作の制御は第3図に示す如く
、前記説明と同様に実施されて、ナブ千ヤンパー6の高
^空到這以前にも交換供給部の動作に伴う画像への妨害
を避けつつ、多数のチップの露光処理が終了する。
光部からの情報及びその動作の制御は第3図に示す如く
、前記説明と同様に実施されて、ナブ千ヤンパー6の高
^空到這以前にも交換供給部の動作に伴う画像への妨害
を避けつつ、多数のチップの露光処理が終了する。
前記実施例はステップ゛・アンドΦレピート方式を採用
したが、前記連続移動露光方式の場合には前記−干、ブ
の露光を一走査線の露光とすることにより同様の動作が
行なわれる。
したが、前記連続移動露光方式の場合には前記−干、ブ
の露光を一走査線の露光とすることにより同様の動作が
行なわれる。
前記の如き制御を実施することにより11IIIJ交挾
供給部の動作による妨害を排除しつつ、電子ビーム露光
を少い時間損失で冥施することが可能となるO 本発明は以上説明した如(、電子ビーム露光装置にマス
ク或いはウェハのlI#交換供給機能を付加して、露光
処理とJ11ml交換供給部の動作とを並列に行なわせ
るに際して、Jlra交換供給部のバIレブの開閉等に
よる振動、衝撃或いはノイズ岬による描画への悪影響を
排除する制御を行なうことにより、高品質でかつ高速の
露光処理を行うものであって、電子ビーム露光装置の実
用化に大きい効果を有する。
供給部の動作による妨害を排除しつつ、電子ビーム露光
を少い時間損失で冥施することが可能となるO 本発明は以上説明した如(、電子ビーム露光装置にマス
ク或いはウェハのlI#交換供給機能を付加して、露光
処理とJ11ml交換供給部の動作とを並列に行なわせ
るに際して、Jlra交換供給部のバIレブの開閉等に
よる振動、衝撃或いはノイズ岬による描画への悪影響を
排除する制御を行なうことにより、高品質でかつ高速の
露光処理を行うものであって、電子ビーム露光装置の実
用化に大きい効果を有する。
第1図は実施例について本発明に関連する機構の概要を
示す模式図、第2図はそのブロックダイヤグラム、第3
図は動作の制御の例を示すタイミングチャートである。 図において、lはメインチャンバー、2はメインチャン
バー用排気系、3は移動テーブヤ、4はホIレダー、5
はエレベータ、6はサブチャンバー、7はゲートバlレ
ブ、8はゲートパlレブ、9はり−クパ少プ、10は低
真空ポンプ、11は高真空ポンプ、12はバ少ブ、13
はバヤブ、14はホルダー誘導機構、1Bはホルダー誘
導機構、16はホルダー誘導機構を示す。 肩 1 図 υ2図 手続補正書(自発) 昭和 年 月 11 5’/、1025 特許庁長官殿 1、事件の表示 昭和66年特許願第152661号 2°発1’J] ′)名称 電子ビーム露光装置3
、補正をする者 事件との関係 特許出願人 任f斤 神奈川県用崎市中原区I:/1・H1中101
5番地(522)名称富士通株式会社 4 代 理 人 住所メ1奈川県川崎市中
原区上小IB中1015番地J十通株式会社内 昭和 年 月 1.な し 6、補正により増加する発明の数 な しL 本願
明細11F@4真下から1行目乃至第6頁4fTElの
[j1元部で・・・・・させることにより遜成さAる。 J ffi r$、圧Fで試料に鴫子ビームを照射する
旙光郁と、瞑嬉光部に対する該試料の出し入れ全行なう
几めにパルプを介して#酸部およびリーク部とfjIc
枕さj′した予備室とを備え、該予備室の排気又はリー
ク全行なってしる間に練旙光部に配置された試料に電子
ビームを照射し、かつ該パルプの開閉4点から、該パル
プの開閉時に生じ之ノイズが実質的に消滅するまで、試
料に対する亀子ビームの照射上停止するようにし友こと
により遜成−ム繕元装置。」
示す模式図、第2図はそのブロックダイヤグラム、第3
図は動作の制御の例を示すタイミングチャートである。 図において、lはメインチャンバー、2はメインチャン
バー用排気系、3は移動テーブヤ、4はホIレダー、5
はエレベータ、6はサブチャンバー、7はゲートバlレ
ブ、8はゲートパlレブ、9はり−クパ少プ、10は低
真空ポンプ、11は高真空ポンプ、12はバ少ブ、13
はバヤブ、14はホルダー誘導機構、1Bはホルダー誘
導機構、16はホルダー誘導機構を示す。 肩 1 図 υ2図 手続補正書(自発) 昭和 年 月 11 5’/、1025 特許庁長官殿 1、事件の表示 昭和66年特許願第152661号 2°発1’J] ′)名称 電子ビーム露光装置3
、補正をする者 事件との関係 特許出願人 任f斤 神奈川県用崎市中原区I:/1・H1中101
5番地(522)名称富士通株式会社 4 代 理 人 住所メ1奈川県川崎市中
原区上小IB中1015番地J十通株式会社内 昭和 年 月 1.な し 6、補正により増加する発明の数 な しL 本願
明細11F@4真下から1行目乃至第6頁4fTElの
[j1元部で・・・・・させることにより遜成さAる。 J ffi r$、圧Fで試料に鴫子ビームを照射する
旙光郁と、瞑嬉光部に対する該試料の出し入れ全行なう
几めにパルプを介して#酸部およびリーク部とfjIc
枕さj′した予備室とを備え、該予備室の排気又はリー
ク全行なってしる間に練旙光部に配置された試料に電子
ビームを照射し、かつ該パルプの開閉4点から、該パル
プの開閉時に生じ之ノイズが実質的に消滅するまで、試
料に対する亀子ビームの照射上停止するようにし友こと
により遜成−ム繕元装置。」
Claims (1)
- 被露光物を露光Tるための露光部と、鍍露光部に鋏被露
光物を供給するための交換供給部とを具備する電子ビー
ム露光装置において、骸露−yt、11Iで露光を行な
うことな(鋏交換供給部を動作させ、該交換供給部の動
作終了後、所定のタイミング経過後に鋏露光部での露光
を行ない、露光終了後に再び鋏交換供給liを動作させ
るようにしたことを特徴とTる電子ビーム露光装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15266181A JPH0652700B2 (ja) | 1981-09-26 | 1981-09-26 | 電子ビーム露光装置における電子ビーム露光方法 |
| EP82305030A EP0076107B1 (en) | 1981-09-26 | 1982-09-23 | Scanning electron beam exposure system |
| DE8282305030T DE3278056D1 (en) | 1981-09-26 | 1982-09-23 | Scanning electron beam exposure system |
| US06/423,644 US4516030A (en) | 1981-09-26 | 1982-09-27 | Scanning electron beam exposure system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15266181A JPH0652700B2 (ja) | 1981-09-26 | 1981-09-26 | 電子ビーム露光装置における電子ビーム露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5853831A true JPS5853831A (ja) | 1983-03-30 |
| JPH0652700B2 JPH0652700B2 (ja) | 1994-07-06 |
Family
ID=15545315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15266181A Expired - Lifetime JPH0652700B2 (ja) | 1981-09-26 | 1981-09-26 | 電子ビーム露光装置における電子ビーム露光方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4516030A (ja) |
| EP (1) | EP0076107B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0652700B2 (ja) |
| DE (1) | DE3278056D1 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02137312A (ja) * | 1988-11-18 | 1990-05-25 | Fujitsu Ltd | 電子ビーム露光装置 |
| WO2005015615A1 (ja) * | 2003-08-07 | 2005-02-17 | Nikon Corporation | 露光方法及び露光装置、ステージ装置、並びにデバイス製造方法 |
| JP2009010076A (ja) * | 2007-06-27 | 2009-01-15 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画方法 |
| JP2012069668A (ja) * | 2010-09-22 | 2012-04-05 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
| JP2016207755A (ja) * | 2015-04-17 | 2016-12-08 | 株式会社ニコン | 露光システム及び交換方法 |
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| DE2449265A1 (de) * | 1974-10-16 | 1976-04-22 | Steigerwald Strahltech | Vorrichtung zum herstellen von mittels elektronenstrahlen fein perforierten folien-zuschnitten, insbesondere schuh-oberteilen |
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-
1981
- 1981-09-26 JP JP15266181A patent/JPH0652700B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1982
- 1982-09-23 EP EP82305030A patent/EP0076107B1/en not_active Expired
- 1982-09-23 DE DE8282305030T patent/DE3278056D1/de not_active Expired
- 1982-09-27 US US06/423,644 patent/US4516030A/en not_active Expired - Lifetime
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| JP4552146B2 (ja) * | 2003-08-07 | 2010-09-29 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置、ステージ装置、並びにデバイス製造方法 |
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| JP2016207755A (ja) * | 2015-04-17 | 2016-12-08 | 株式会社ニコン | 露光システム及び交換方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3278056D1 (en) | 1988-03-03 |
| JPH0652700B2 (ja) | 1994-07-06 |
| EP0076107A2 (en) | 1983-04-06 |
| EP0076107B1 (en) | 1988-01-27 |
| US4516030A (en) | 1985-05-07 |
| EP0076107A3 (en) | 1985-04-24 |
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