JPS5856489A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- JPS5856489A JPS5856489A JP15498781A JP15498781A JPS5856489A JP S5856489 A JPS5856489 A JP S5856489A JP 15498781 A JP15498781 A JP 15498781A JP 15498781 A JP15498781 A JP 15498781A JP S5856489 A JPS5856489 A JP S5856489A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06209—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in single-section lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06233—Controlling other output parameters than intensity or frequency
- H01S5/06243—Controlling other output parameters than intensity or frequency controlling the position or direction of the emitted beam
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は牛導体発光装置に係り、特に、光偏向機能を有
する複合装置に関するＯ 近年、半導体レーザと他の能動素子を組み合わせたり、
或いは、半導体レーザに発光装置以外の新たな機能を持
たせて複合装置を構成する試みがなされている。特番こ
、半導体レーザの様な発光装置と駆動回路、例えばトラ
ンジスタ、ＦＥＴ等の組み会わせによる複合装置では、
光強度の変調は可能であるが、光偏向機能を有していな
かった。
する複合装置に関するＯ 近年、半導体レーザと他の能動素子を組み合わせたり、
或いは、半導体レーザに発光装置以外の新たな機能を持
たせて複合装置を構成する試みがなされている。特番こ
、半導体レーザの様な発光装置と駆動回路、例えばトラ
ンジスタ、ＦＥＴ等の組み会わせによる複合装置では、
光強度の変調は可能であるが、光偏向機能を有していな
かった。
光強匿変調のみならず偏向ができる半導体発光装置では
、光信号を空間的に異なる場所に光検出器を配列し、°
゛ 光１−ムを入射させるようにＴれ
ば、光の多段スイッチ或いは光変調器を構成できる。
、光信号を空間的に異なる場所に光検出器を配列し、°
゛ 光１−ムを入射させるようにＴれ
ば、光の多段スイッチ或いは光変調器を構成できる。
本発明の目的は、光偏向を起こさせるための駆動回路を
、半導体レーザが形成されている同一基板上に作成した
複合装置を提供するζこある。
、半導体レーザが形成されている同一基板上に作成した
複合装置を提供するζこある。
本発明は、レーザ発振を起こす活性層と該活性層より大
きい禁制帯幅を有し、且つ該活性層を挾んだ第１及び第
２のクラッド層とを有するダブルへテロ構造の半導体層
上に半絶縁性層及びＦＥＴ動作層を順次配置し、前記Ｆ
ＥＴ動作層にドレイン及びソースを設けてＦＥＴを構成
し、レーザ発光領域に電流を流す第１の電流路を画定す
るストライプ形状の不純物領域と該第１の不純物領域に
近接して第２の電流路を画定するストライプ形状の不純
物領域を設け、該第２の不純物領域をＦＥＴのソースま
たはドレインと接続した光偏向機能を備えた半導体発光
装置である。
きい禁制帯幅を有し、且つ該活性層を挾んだ第１及び第
２のクラッド層とを有するダブルへテロ構造の半導体層
上に半絶縁性層及びＦＥＴ動作層を順次配置し、前記Ｆ
ＥＴ動作層にドレイン及びソースを設けてＦＥＴを構成
し、レーザ発光領域に電流を流す第１の電流路を画定す
るストライプ形状の不純物領域と該第１の不純物領域に
近接して第２の電流路を画定するストライプ形状の不純
物領域を設け、該第２の不純物領域をＦＥＴのソースま
たはドレインと接続した光偏向機能を備えた半導体発光
装置である。
一般壷こ、半導体レーザでは、作り付けの導波路或いは
電流注入領域をストライプ状に形成してあり、動作とし
ては、このストライプ状領域に沿う固定された方向に放
射ビームが存在し、一定の光強度分布を得るようにして
いるものである。
電流注入領域をストライプ状に形成してあり、動作とし
ては、このストライプ状領域に沿う固定された方向に放
射ビームが存在し、一定の光強度分布を得るようにして
いるものである。
本発明では、光偏向を起こさせる駆動回路としてＦＢＴ
を設け、該ＦＥＴのゲート電圧を制御する、即ち、ＦＥ
Ｔ動作層中に空乏層を広げるととｌこより、活性層内の
キャリア分布を変化させ、ストライプｆこ沿った光ビー
ムを偏向させるものである。
を設け、該ＦＥＴのゲート電圧を制御する、即ち、ＦＥ
Ｔ動作層中に空乏層を広げるととｌこより、活性層内の
キャリア分布を変化させ、ストライプｆこ沿った光ビー
ムを偏向させるものである。
このような偏向を実現するには一１活性層のストライプ
幅付近に非対称なキャリア分布を作り出せば、その放射
ビームの方向はストライプに沿う方向からずれる旨の現
象を利用している。物理的には、非対称キャリア分布に
よって生じる非対称光強度分布と放射ビームの空間的な
フーリエ変換によって結ばれることから説明される。
幅付近に非対称なキャリア分布を作り出せば、その放射
ビームの方向はストライプに沿う方向からずれる旨の現
象を利用している。物理的には、非対称キャリア分布に
よって生じる非対称光強度分布と放射ビームの空間的な
フーリエ変換によって結ばれることから説明される。
光偏向の動作原理を簡単に説明すると次の通りである。
通常のストライプ形半導体レーザでは、例えば不純物拡
散、プロトン照射、Ｉ）ｎ接合など何らかの技術１こ依
ってストライプ領域内に注入電流を絞り、このストライ
プ幅内ζこ於いてレーザ発振を起こさせるようにしてい
る。
散、プロトン照射、Ｉ）ｎ接合など何らかの技術１こ依
ってストライプ領域内に注入電流を絞り、このストライ
プ幅内ζこ於いてレーザ発振を起こさせるようにしてい
る。
第１図はその様子を説明する為の模式的説明図であり、
レーザ発振を起こす活性層である第１の半導体層１は、
それより禁制帯幅が広い第２及び第３の半導体層２及び
３で挾才れて二重へテロ接合が構成されている。岡、４
はストライプ電極、５は電極、Ｓ！はストライプ領域を
それぞれ指示している。
レーザ発振を起こす活性層である第１の半導体層１は、
それより禁制帯幅が広い第２及び第３の半導体層２及び
３で挾才れて二重へテロ接合が構成されている。岡、４
はストライプ電極、５は電極、Ｓ！はストライプ領域を
それぞれ指示している。
このような構成になっているので半導体層１内に注入さ
れたキャリアは厚み方向に有効に閉じ込められ、その結
果、キャリア濃度の横方向（ストライプ幅方向）の分布
は第２図に見られるようになる。即ち、キャリアはスト
ライプ中央部から対称形ｌこ分布する。
れたキャリアは厚み方向に有効に閉じ込められ、その結
果、キャリア濃度の横方向（ストライプ幅方向）の分布
は第２図に見られるようになる。即ち、キャリアはスト
ライプ中央部から対称形ｌこ分布する。
前記のような状態ｌこ於いて、半導体層１は横方向に於
ける屈折率分布を持っていないので、第３図に見られる
ような対称形の近視野像、頗ち、発光面ｆこ於ける光強
朋分布が得られ、また、同じく対称形の遠視野像、即ち
、光の放射方向の分布が得られている。
ける屈折率分布を持っていないので、第３図に見られる
ような対称形の近視野像、頗ち、発光面ｆこ於ける光強
朋分布が得られ、また、同じく対称形の遠視野像、即ち
、光の放射方向の分布が得られている。
ところで、何らかの方法で、半、導体層ｌ＃こ於いて横
方向に屈折率差を持たせ、左右非対称にすることができ
れば光の偏向を行なうことができる。
方向に屈折率差を持たせ、左右非対称にすることができ
れば光の偏向を行なうことができる。
例えば第４図或いは第５図に見られるようｌこストライ
プ端近傍に屈折率変化を持たせると近視野像及び遠視野
像は同図ζこ見られるように非対称性を持つようにする
ことができ、特に遠視野像は偏向させることができる。
プ端近傍に屈折率変化を持たせると近視野像及び遠視野
像は同図ζこ見られるように非対称性を持つようにする
ことができ、特に遠視野像は偏向させることができる。
本発明では同一基板上に半導体レーザとＦＥＴを組み合
わせること憂こより、活性層のストライプ幅付近に非対
称なキャリア分布を作り出し、非対称屈折率分布を笑現
させるものである。尚、第４図及び第５図（こ見られる
θは偏向角を表わし、また島屈折率差Δｎはストライプ
幅等に依存するものである。
わせること憂こより、活性層のストライプ幅付近に非対
称なキャリア分布を作り出し、非対称屈折率分布を笑現
させるものである。尚、第４図及び第５図（こ見られる
θは偏向角を表わし、また島屈折率差Δｎはストライプ
幅等に依存するものである。
以下、本発明の詳細な説明の実施例を用いて説明するこ
とにする。第６図は本実施例の半導体発光装置の斜視図
である。
とにする。第６図は本実施例の半導体発光装置の斜視図
である。
図に於いて、６はｎ形ガリウム・ヒ素（ＧａＡｓ ）基
板、７は厚さ５〜１０μｍのｎ形ガリウム・アルミニウ
ムΦヒ素（Ｇａ０．７ＡｔＯ，３Ａｓ） クラｙ ドＮ
、８は厚さ０．１〜０．３μｍのＧａ Ｏ，９７Ａｔｏ
、０３Ａｓ活性層、９は厚さ１〜２μｍのｐ形Ｇａ Ｏ
，７Ａｔｏ、３Ａｓクラッド層、１０は厚さ０．５〜１
μｍのｎ′″形ＧａＡｓ半絶縁層、１１は厚さ０．２〜
１μｍ不純物濃度１０１１〜１０ ” ｃｍ−”のｎ形
ＧａＡｓ Ｆ Ｅ Ｔの動作層、１２はＦＥＴのソース
電極、１３はＦｇＴのゲート電接、１４はＦＥＴのドレ
イン電極、１５はｐ側電極、１６はｎ９１ｔｌｔ極、１
７は例えばカドミウム（Ｃｄ ）又は亜鉛（Ｚｎ）を拡
散して形成したｐ形ストライブ生成用領域をそれぞれ示
している。本実施例では、ｐ形ストライプ生成用ノン１
７に近接して第２のｐ形ストライプ生成用領域１７’が
形成され、電極として、レーザ発振用の電流を流す為の
主電極、即ちｐ＠電極１５とキャリア分布を変化させる
為の電流を流す制御電極、即ち、ＦＥＴのドレインを極
１４が形成されていて、制御電極１４に電流を流して光
偏向を行っている。尚、ｐ形ストライプ生成用領域１７
と１７′の間をエツチングｌこよって分離しているが、
活性層８のストライプ幅のキャリア分布の変化を大きく
シ、光偏向を有効に行なうためである。
板、７は厚さ５〜１０μｍのｎ形ガリウム・アルミニウ
ムΦヒ素（Ｇａ０．７ＡｔＯ，３Ａｓ） クラｙ ドＮ
、８は厚さ０．１〜０．３μｍのＧａ Ｏ，９７Ａｔｏ
、０３Ａｓ活性層、９は厚さ１〜２μｍのｐ形Ｇａ Ｏ
，７Ａｔｏ、３Ａｓクラッド層、１０は厚さ０．５〜１
μｍのｎ′″形ＧａＡｓ半絶縁層、１１は厚さ０．２〜
１μｍ不純物濃度１０１１〜１０ ” ｃｍ−”のｎ形
ＧａＡｓ Ｆ Ｅ Ｔの動作層、１２はＦＥＴのソース
電極、１３はＦｇＴのゲート電接、１４はＦＥＴのドレ
イン電極、１５はｐ側電極、１６はｎ９１ｔｌｔ極、１
７は例えばカドミウム（Ｃｄ ）又は亜鉛（Ｚｎ）を拡
散して形成したｐ形ストライブ生成用領域をそれぞれ示
している。本実施例では、ｐ形ストライプ生成用ノン１
７に近接して第２のｐ形ストライプ生成用領域１７’が
形成され、電極として、レーザ発振用の電流を流す為の
主電極、即ちｐ＠電極１５とキャリア分布を変化させる
為の電流を流す制御電極、即ち、ＦＥＴのドレインを極
１４が形成されていて、制御電極１４に電流を流して光
偏向を行っている。尚、ｐ形ストライプ生成用領域１７
と１７′の間をエツチングｌこよって分離しているが、
活性層８のストライプ幅のキャリア分布の変化を大きく
シ、光偏向を有効に行なうためである。
第６図の装置の断面図である第７図に於いて、Ｓ、を領
域１７のストライプ幅、Ｓ、を領域１７′のストライプ
幅、領域１７及Ｑ１７′と活性層８との距離をｔ１領域
１７と領域１７′との間の距離をｋとすると、 Ｓｌ −３〜２０〔μｍ〕 Ｓ、−１〜１０〔μｍ〕 ｔ −０，２〜０．５〔μｍ〕 ｋ −０，２〜２〔４ｍ） が適当な範囲である。領域１７と１７′間距離にとして
は注入された活性層内のキャリアの拡散長より短力）〈
採り、ストライプ幅Ｓ、は大きくＴると制御電流が増加
するので好ましくない。
域１７のストライプ幅、Ｓ、を領域１７′のストライプ
幅、領域１７及Ｑ１７′と活性層８との距離をｔ１領域
１７と領域１７′との間の距離をｋとすると、 Ｓｌ −３〜２０〔μｍ〕 Ｓ、−１〜１０〔μｍ〕 ｔ −０，２〜０．５〔μｍ〕 ｋ −０，２〜２〔４ｍ） が適当な範囲である。領域１７と１７′間距離にとして
は注入された活性層内のキャリアの拡散長より短力）〈
採り、ストライプ幅Ｓ、は大きくＴると制御電流が増加
するので好ましくない。
尚、第６図からもわかるようＩこ、本実施例の牛導体発
光装置では図面の右側に光偏向を起こさせる駆動回路、
即ち、ＦＥＴが形成されている。
光装置では図面の右側に光偏向を起こさせる駆動回路、
即ち、ＦＥＴが形成されている。
次に、本実施例に於ける動作を観明する。今、ＦＢＴを
動作させずに、ｐ側電極１５及びｎ１１ｇ電極１６間に
電圧を印加して通常のレーザ発振を行なわせている状態
に於いては、光ビームがストライプと同方向、即ち、労
開面に垂直な方向に放射されている。この状態に於ける
活性層８内のキャリア分布は第８因に実線で示す通りで
ある。即ち、ｐ側電極１５から注入される電流に依り、
ストライプ幅Ｓ、付近に対称形にキャリアの分布を生じ
るものである。しかし、ＦｇＴのソース１２・ドレイン
１４間の電圧を１〜３Ｖ、ゲート１３、ドレイン１４間
の電圧を−０，５〜０５ｖに印加すると、該領域１７内
へ電流が流れ、第８図に破線で示しである通り、電流が
注入された方向に向ってすそを引くような分布をとる〇 これを屈折率分布で見た場合が第９図に示されている。
動作させずに、ｐ側電極１５及びｎ１１ｇ電極１６間に
電圧を印加して通常のレーザ発振を行なわせている状態
に於いては、光ビームがストライプと同方向、即ち、労
開面に垂直な方向に放射されている。この状態に於ける
活性層８内のキャリア分布は第８因に実線で示す通りで
ある。即ち、ｐ側電極１５から注入される電流に依り、
ストライプ幅Ｓ、付近に対称形にキャリアの分布を生じ
るものである。しかし、ＦｇＴのソース１２・ドレイン
１４間の電圧を１〜３Ｖ、ゲート１３、ドレイン１４間
の電圧を−０，５〜０５ｖに印加すると、該領域１７内
へ電流が流れ、第８図に破線で示しである通り、電流が
注入された方向に向ってすそを引くような分布をとる〇 これを屈折率分布で見た場合が第９図に示されている。
即ち、電流が注入されない場合は実線で示されている分
布になる＠これは、活性層３が第８図に見られるように
中ヤリア濃度が２ Ｘ １０１＠Ｃｃｍ−” ）である
場合゛であって、一般にキャリア濃度が零であわば１点
鎖線で示すように平担であるが、前記した程度のキャリ
アが入りていると、１０−”〜１０−３程度低下し、そ
のときの屈折率ｎ０は約３．５２である。このように屈
折率がマイナスになっても、キャリアの利得があるので
光は通常の如く放射される。しかしながら、ＦＥＴを動
作させることによってキャリアが注入された場合には屈
折率分布が破線に見らｎるよう奢こ変化する。即ち、洩
れモードも非対称になる。
布になる＠これは、活性層３が第８図に見られるように
中ヤリア濃度が２ Ｘ １０１＠Ｃｃｍ−” ）である
場合゛であって、一般にキャリア濃度が零であわば１点
鎖線で示すように平担であるが、前記した程度のキャリ
アが入りていると、１０−”〜１０−３程度低下し、そ
のときの屈折率ｎ０は約３．５２である。このように屈
折率がマイナスになっても、キャリアの利得があるので
光は通常の如く放射される。しかしながら、ＦＥＴを動
作させることによってキャリアが注入された場合には屈
折率分布が破線に見らｎるよう奢こ変化する。即ち、洩
れモードも非対称になる。
従って、ＦＥＴからのキャリアの注入がある状態では、
ストライプの右側に於いて伝播する光の波面が進められ
ることになり、光の進行方向は曲げられる。この様子が
第１０図に模式的な平面説明図として表わされている。
ストライプの右側に於いて伝播する光の波面が進められ
ることになり、光の進行方向は曲げられる。この様子が
第１０図に模式的な平面説明図として表わされている。
この結果、第１１図に見られるようζこ、光強度分布は
、キャリアの注入がない実線の状態からキャリア注入の
ある破線の状態になり、方向のずれに対して非対称な分
布となる。
、キャリアの注入がない実線の状態からキャリア注入の
ある破線の状態になり、方向のずれに対して非対称な分
布となる。
光が偏向される角度θは３°〜１０’程度が可能であっ
て、電流注入量、即ち、ＦＥＴゲート電圧に依存してい
る。
て、電流注入量、即ち、ＦＥＴゲート電圧に依存してい
る。
本実側例によれば、ＰＥＴを動作させることにより、活
性層内のストライプ幅右端のキャリアが増加するため、
キャリア分布は非対称形となり、光ビームを右側に偏向
することができる。また、ＦＥＴから注入される電流量
をＦＥＴのゲート電光を所望の角就に偏向することがで
きる。
性層内のストライプ幅右端のキャリアが増加するため、
キャリア分布は非対称形となり、光ビームを右側に偏向
することができる。また、ＦＥＴから注入される電流量
をＦＥＴのゲート電光を所望の角就に偏向することがで
きる。
前記冥雄側の変形例を２つ紹介することにする。
第６図番こ関して観明した部分と同部分を同記号で指示
しである。
しである。
第１２図は、第６図の半導体レーザ装置のり２ラド層７
＃こ段差を設けたことを特徴とする半導体レーザ装置の
斜視図である。クラッド層７の段差部曇こ電流が注入さ
れると、厚み方向に導波される光の伝播定数の変化に依
り活性層８内に笑効的に屈折率差を設けたことになり第
４図及び第５図に見られるような動作を実現できる。
＃こ段差を設けたことを特徴とする半導体レーザ装置の
斜視図である。クラッド層７の段差部曇こ電流が注入さ
れると、厚み方向に導波される光の伝播定数の変化に依
り活性層８内に笑効的に屈折率差を設けたことになり第
４図及び第５図に見られるような動作を実現できる。
第１３図は、第１２図の半導体レーザ装置の断面図であ
る。クラッド層７の薄くしである部分での厚さをｍとす
るとｍ −０，２〜０．５（μｍ〕が適当更にでき、光
ビームの偏向を容易にできるという効果がある。
る。クラッド層７の薄くしである部分での厚さをｍとす
るとｍ −０，２〜０．５（μｍ〕が適当更にでき、光
ビームの偏向を容易にできるという効果がある。
第１４図は、光出力を制御Ｔる機能を設けた半導体レー
ザ装置の斜視図である。図に於いて、１８は光出力制御
用のＦＢＴンーソー極、１９は光出力制御用ＦＥＴゲー
ト電極、２０は光出力制御用ＦＩＴドレイン電極を示し
ている。図面では、左側に光出力制御用のＰＥＴ、右側
に光偏向用のＦｇＴを設けている。光出力制御用のＦＥ
Ｔのゲート電圧を制御することにより、ｐ形ストライプ
生成用領域１７に訛れる電流量を変化することができる
為、光出力を制御できる。同、レーザを発振させる為に
は閾値以上の電流をＮさなければならない。
ザ装置の斜視図である。図に於いて、１８は光出力制御
用のＦＢＴンーソー極、１９は光出力制御用ＦＥＴゲー
ト電極、２０は光出力制御用ＦＩＴドレイン電極を示し
ている。図面では、左側に光出力制御用のＰＥＴ、右側
に光偏向用のＦｇＴを設けている。光出力制御用のＦＥ
Ｔのゲート電圧を制御することにより、ｐ形ストライプ
生成用領域１７に訛れる電流量を変化することができる
為、光出力を制御できる。同、レーザを発振させる為に
は閾値以上の電流をＮさなければならない。
本変形例によれば、光偏向を可能にするばかりです＜、
光出力をも制御できるという効果かある。
光出力をも制御できるという効果かある。
本発明によｎは、光偏向を起こさせるための駆動回路を
、半導体レーザが形成されている同一基板上着こ作成で
きる。
、半導体レーザが形成されている同一基板上着こ作成で
きる。
第１図は本発明のＩｊＡ埋を説明する為の半導体レーザ
装置の断面図、第２図はキャリア濃度分布を表わす函、
第３−乃至第５図は屈折率分布と近視野像及び遠視野像
の関係を表ねＴｌｓ図、第６＠及。 び第７図は本実施例を表わす斜視図及び断面図１第８図
は活性層に於けるキャリア分布を表わす線図、第９図は
活性層ｌこ於ける屈折率分布を異わＴ線図、第１０図は
光の進行方向を説明する為の装置の平面図、第１１図は
光強度の分布を表わす線図、第１２乃至第１４図は本実
施例の変形例を表わす斜視図及び断面図である。 １．８ 活性層 ２．３，７．９ クラッド層 １０ 半絶縁性層 １１ ＦＨＴａ作層 １２ＦＢ’ｌ’ソース電極 １３ ＦＥＴゲート電極 １４ ｐｗＴドレイン電極 １５ Ｐ側電極 １６ １１側電極 １７ Ｐ形ストライプ生成用領域 １７’ 第２のｐ形ストライプ生成用領域第１図 １↓１↓↓ｉ 〜３ 一一一一一−−−−−−−−−−−−−−−フｒ１／２ 第２１￥］ 第 ６ 図 ｆ６ 第 ｑ 図 第８図 第 ｑ 図 痢 １０ 図 第 １２ 図 稟！３図
装置の断面図、第２図はキャリア濃度分布を表わす函、
第３−乃至第５図は屈折率分布と近視野像及び遠視野像
の関係を表ねＴｌｓ図、第６＠及。 び第７図は本実施例を表わす斜視図及び断面図１第８図
は活性層に於けるキャリア分布を表わす線図、第９図は
活性層ｌこ於ける屈折率分布を異わＴ線図、第１０図は
光の進行方向を説明する為の装置の平面図、第１１図は
光強度の分布を表わす線図、第１２乃至第１４図は本実
施例の変形例を表わす斜視図及び断面図である。 １．８ 活性層 ２．３，７．９ クラッド層 １０ 半絶縁性層 １１ ＦＨＴａ作層 １２ＦＢ’ｌ’ソース電極 １３ ＦＥＴゲート電極 １４ ｐｗＴドレイン電極 １５ Ｐ側電極 １６ １１側電極 １７ Ｐ形ストライプ生成用領域 １７’ 第２のｐ形ストライプ生成用領域第１図 １↓１↓↓ｉ 〜３ 一一一一一−−−−−−−−−−−−−−−フｒ１／２ 第２１￥］ 第 ６ 図 ｆ６ 第 ｑ 図 第８図 第 ｑ 図 痢 １０ 図 第 １２ 図 稟！３図
Claims (1)
- レーザ発振を起こす活性層と、″該活性層より大きい禁
制帯幅を有し、且つ該活性層を挾んだ第１及び第２のク
ラッド層とを有するダブルへテロ構造の半導体層上に半
絶縁性層及びＦＥＴ動作層を順次配置し、前記ＦＥＴ動
作層にドレイン及びソースを設けてＦＥＴを構成し、レ
ーザ発光領域に電流を流す第１の電流路を画定するスト
ライプ形状の不純物領域と該第１の不純物領域に近接し
て第２の電流路を画定するストライプ形状の不純物領域
を設け、該第２の不純物領域をＦＩＴのソースまたはド
レインと接続したことを特徴とする半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15498781A JPS5856489A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15498781A JPS5856489A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5856489A true JPS5856489A (ja) | 1983-04-04 |
Family
ID=15596234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15498781A Pending JPS5856489A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5856489A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61236190A (ja) * | 1985-04-12 | 1986-10-21 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体レ−ザ |
| US5202896A (en) * | 1991-07-16 | 1993-04-13 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Bipolar inversion channel field effect transistor laser |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50154081A (ja) * | 1974-05-31 | 1975-12-11 | ||
| JPS5339142A (en) * | 1976-09-22 | 1978-04-10 | Hitachi Ltd | Photo deflecting element |
| JPS5670681A (en) * | 1979-11-14 | 1981-06-12 | Hitachi Ltd | Semiconductor luminous element |
-
1981
- 1981-09-30 JP JP15498781A patent/JPS5856489A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50154081A (ja) * | 1974-05-31 | 1975-12-11 | ||
| JPS5339142A (en) * | 1976-09-22 | 1978-04-10 | Hitachi Ltd | Photo deflecting element |
| JPS5670681A (en) * | 1979-11-14 | 1981-06-12 | Hitachi Ltd | Semiconductor luminous element |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61236190A (ja) * | 1985-04-12 | 1986-10-21 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体レ−ザ |
| US5202896A (en) * | 1991-07-16 | 1993-04-13 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Bipolar inversion channel field effect transistor laser |
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