JPS5856535Y2 - 空気調和機 - Google Patents

空気調和機

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JPS5856535Y2
JPS5856535Y2 JP11995478U JP11995478U JPS5856535Y2 JP S5856535 Y2 JPS5856535 Y2 JP S5856535Y2 JP 11995478 U JP11995478 U JP 11995478U JP 11995478 U JP11995478 U JP 11995478U JP S5856535 Y2 JPS5856535 Y2 JP S5856535Y2
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JP
Japan
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refrigerant
air conditioner
container
semiconductor element
circulating
Prior art date
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JP11995478U
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JPS5537260U (ja
Inventor
昭一 種谷
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Daikin Industries Ltd
Original Assignee
Daikin Industries Ltd
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Description

【考案の詳細な説明】 空気調和機には、圧縮機の容量制御などにサイノスタ等
の半導体素子が広く使用されている。
本考案は、これらの半導体素子を空気調和機内を循環す
る冷媒を利用して効率よく冷却する空気調和機に関する
圧縮機の回転数を変えて容量制御する場合、圧縮機を駆
動する交流電動機の電源周波数を変換するためにサイリ
スクイン、バークが使用されるが、周知のようにサイリ
スク等の半導体素子は、その内部に発生する損失電力に
より温度が上昇し許容電流が低下するから、これらの半
導体素子を効率よく冷却して、使用する素子の容量低下
を防ぐことが部品コストの節約につながる。
空気調和機の容量制御に従来使用されているサイリスク
の場合、一般に空冷フィンを設けて周囲の空気に放熱さ
せているが、放熱効果が悪い、サイリスタが大型化する
、砂埃や雨等に直接晒され絶縁特性の劣化を招く虞れが
ある等、問題が多く、空気調和機用サイリスタの冷却手
段として満足すべきものではない。
このため最近、空気調和機内を循環する冷媒を利用して
サイリスタ等の半導体素子を積極的に冷却することが行
なわれるようになった。
しかし半導体素子を循環冷媒の配管の表面に絶縁材を介
して間接的に取付けているものは、効率が優れず、また
素子を冷媒配管の中に入れてしまうものでは、電極端子
を外部に引出すための密封端子を多数使用する必要があ
り、構造が複雑で、コストが高い等の問題点を残してい
る。
本考案は、サイリスク等の半導体素子の取付は方法を工
夫し、素子が冷媒と直接接触するけれども電極端子は配
管外に露出するようにしたことによって、斜上の問題点
を全て解消することに成功したものである。
本考案において、半導体素子は空気調和機内を循環する
冷媒に直接接触させてもよく、また後記するように前記
循環冷媒によって冷却される二次冷媒を使用してこれに
接触させるようにしてもよい。
第1図は半導体素子に循環冷媒を接触させて冷却する場
合の素子取付部の構造を例示した縦断面図で、空気調和
機の冷媒配管1の途中に素子取付用の肉厚管2を接続し
、これに貫通せしめたねし穴に絶縁型半導体素子3(ス
タッド型サイリスク)本体4のスタンド5を気密にねじ
込んだ例である。
これによりスタッド5の先端部分が管2内に突出し、管
内を流れる循環冷媒によって半導体素子3のこの部分が
直接冷却されるとともに、素子本体4の背後の電極端子
6は管2外に突出するから、この電極端子を利用してき
わめて容易に電気結線が行なえる。
なお、半導体素子3を取付ける個所は、冷媒回路の中の
素子の冷却に適した温度の冷媒が流れる部分を選ぶよう
にする。
例えば分離型のヒートパイプ式空気調和機の場合、第2
図に示す室内コイル■、受液器■、高圧側から低圧側へ
渡したバイパス回路O1圧縮機17の吸入配管■、アキ
ュムレータ0等が適当である。
20は室外ユニット、21は室内ユニットであり、実線
矢示は冷房時、無線矢示は暖房時の冷媒の流通方向を示
す。
この場合、■、0.@の各個所を選択すれば、素子取付
部の配管を室外ユニツ) 20の電装品箱(図示せず)
の中に容易に導入できるから、半導体素子の連絡配線を
省略できる利点がある。
半導体素子の発熱温度は一般に110〜125℃であり
、他方、冷媒温度は高圧側で40〜50℃、低圧側で5
〜10℃であるから、半導体素子にこれら冷媒を接触さ
せると、素子は最終的に冷媒温度+10℃(高圧側50
〜60℃、低圧側15〜20℃)程度の温度にまで冷却
される。
また半導体素子を第2図のバイパス回路◎に取付けた場
合は冷却温度を上記冷却温度(高圧側50〜60℃、低
圧側15〜20℃)の範囲内で自由に調整することがで
きる。
第3図および第4図は本考案の他の取付構造例を示した
もので、半導体素子に二次冷媒を接触させて冷却する場
合である。
両図において、7は二次冷媒8の封入容器で、空気調和
機内の冷媒配管1の適当部分の周囲を囲むよう形成され
、容器内を貫通する前記配管1との接合部がろう付等に
よってシールされる。
冷媒配管1には第1図例の場合と同様、例えば第2図の
■、■、■等の部分を選択する。
第3図例では容器内を貫通する配管の周囲にフィン18
が植設しである。
容器内に封入する二次冷媒8には例えば飽和圧力が比較
的低く、伝熱性の良い電気絶縁性のフロン冷媒R−11
.R−■13等を使用する。
第3図例では容器7内にこの二次冷却8をその液面が冷
媒配管1の下に位置するように封入しである。
また二次冷媒8を容器7の上面まで充填する第4図例で
は、液膨張による内圧上昇を防ぐために容器7の上部に
ガス溜り9が設けである。
封入容器7の底には透孔10が設けられ、この透孔10
に半導体素子3(冷却板付トランジスタ型サイリスタ)
本体4の冷却板部11が電極端子6を下にして下方から
気密に当接せられる。
12は容器7との間をシールするパツキン、13は素子
本体の冷却板部11を容器7に取付けるポルI・で、素
子3を絶縁するために二次冷媒と同様、電気絶縁性の例
えば樹脂製ボルト等が用いられる。
これらの構成によれば二次冷媒8が透孔10を通って素
子本体4の冷却板部11に直接接触するから、半導体素
子3は二次冷媒8を介して配管1内の循環冷媒により効
率的に冷却される。
特に第3図例のように二次冷媒8の液面を冷媒配管1の
下方に位置せしめた場合は、半導体素子3の熱を奪って
蒸発する二次冷媒8が冷媒配管1およびフィン18に接
触して循環冷媒により冷却されて凝固し、いわゆる潜熱
による熱伝達が利用できるからきわめて効率のよい冷却
が行なわれる。
また第4図例のように冷媒配管1を二次冷媒8で取囲む
ようにした場合は、二次冷媒8の顕熱および対流を利用
して冷却でき、容器7の全周囲に半導体素子3を取付け
ることができる利点がある。
また、半導体素子3を第5図に示すように冷却板部11
が容器7の内側になる如く取付ければその冷却板部11
と二次冷媒8との接触面積が広がり、さらに二次冷媒8
との接触面に溝や突条等を設ければ冷却効果は一層向上
する。
19は容器7との間の透孔10周囲に介在せしめたOリ
ングである。
さらにまた半導体素子3を第6図に示すようにその金属
ケース14に透孔15を設けるか、あるいは金属ケース
14を取外して素子内部のペレット16に二次冷媒8が
直接接触するようにして取付ければ、冷却効果をさらに
引上げることができる。
以上の説明から明らかなように、本考案は、空気調和機
の圧縮機の容量制御に使用するサイリスク等の半導体素
子3をその本体4の1部または全部が空気調和機内の循
環冷媒または前記循環冷媒によって冷却される二次冷媒
と直接接触し、その電極端子6付近が外部に露出するよ
う取付けたから、半導体素子3の積極的冷却が行なわれ
、従来よりも容量の小さい素子の使用が可能となるばか
りでなく、半導体素子3の電極端子6が外部に露出する
ように取付けているから通常の電気結線が行なえ、前記
容量小型化と相まって空気調和機のコストダウンに大き
な効果を発揮する。
さらに第3図実施例の如く二次冷媒8の液面を循環冷媒
の配管1の下方に位置せしめた場合は、二次冷媒の潜熱
による熱伝達が行なわれるので半導体素子3を効率よく
冷却できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案を実施し循環冷媒を使用して半導体素子
を冷却する場合の素子取付部の構造例を示した縦断面図
、第2図は同半導体素子の取付は個所を例示した冷媒回
路図、第3図乃至第6図は本考案の他の実施例であって
循環冷媒と熱交換する二次冷媒を使用して半導体素子を
冷却する場合の素子取付部の構造例を示した縦断面図で
ある。 図面の簡単な説明 1:冷媒配管、3:半導体素子、4
:本体、5:スタッド、6:電極端子、7:容器、8:
二次冷媒、10:透孔、11:冷却板部、12:パツキ
ン、13:取付はボルト、19:Oリング。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1’)空気調和機の圧縮機を容量制御するサイリスク
    等の半導体素子3をその本体4の1部または全部が空気
    調和機の循環冷媒または循環冷媒によって冷却される二
    次冷媒と直接接触し、その電極端子6付近が外部に露出
    するように取付けたことを特徴とする空気調和機。 (2)空気調和機の冷媒配管1の1部にその周囲を囲む
    容器7を設け、該容器7内に二次冷媒8をその液面が前
    記冷媒配管1よりも下に位置するよう封入し、サイリス
    タ等の半導体素子3をその本体4の1部または全部が前
    記液面下で二次冷媒8に直接接触しその電極端子6付近
    が前記容器7外に露出するよう取付けたことを特徴とす
    る実用新案登録請求の範囲第1項記載の空気調和機。
JP11995478U 1978-08-31 1978-08-31 空気調和機 Expired JPS5856535Y2 (ja)

Priority Applications (1)

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JP11995478U JPS5856535Y2 (ja) 1978-08-31 1978-08-31 空気調和機

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JP11995478U JPS5856535Y2 (ja) 1978-08-31 1978-08-31 空気調和機

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Publication Number Publication Date
JPS5537260U JPS5537260U (ja) 1980-03-10
JPS5856535Y2 true JPS5856535Y2 (ja) 1983-12-27

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