JPS5857574A - 制御電流ソレノイド・ドライバ回路 - Google Patents
制御電流ソレノイド・ドライバ回路Info
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
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- H01F7/06—Electromagnets; Actuators including electromagnets
- H01F7/08—Electromagnets; Actuators including electromagnets with armatures
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- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C5/00—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
- B05C5/02—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work
- B05C5/0225—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work characterised by flow controlling means, e.g. valves, located proximate the outlet
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、広くは、流体の分配のためのソレノイド制御
式弁を有する分配システム、一層詳しくは、このような
システムにおいてソレノイドを付勢するためのソレノイ
ド・ドライバ回路に関する。
式弁を有する分配システム、一層詳しくは、このような
システムにおいてソレノイドを付勢するためのソレノイ
ド・ドライバ回路に関する。
流体分配用のソレノイド制御式弁は種々の流体分配シス
テムで広く用いられている。たとえば、このようなシス
テムでは、流体分配弁を制御するためにソレノイドを付
勢または消勢しようとする場合、タイマまたはセンサの
ような外部源から制御信号が送られる。これらの制御信
号を受けてそれに応じて電力をソレノイドに与え、それ
を付勢するドライバ回路が設けられる。
テムで広く用いられている。たとえば、このようなシス
テムでは、流体分配弁を制御するためにソレノイドを付
勢または消勢しようとする場合、タイマまたはセンサの
ような外部源から制御信号が送られる。これらの制御信
号を受けてそれに応じて電力をソレノイドに与え、それ
を付勢するドライバ回路が設けられる。
実施例に関連して後述するように、本発明はソレノイド
制御式ホットメルト接着剤アプリケータで実施するのに
適している。このような装置において、ソレノイドが付
勢されると、接着剤ガンの弁が開き、このガンを通過し
ている物品にホットメルト接着剤を分配する。この装置
のための制御信号はタイマに接続したセンサで発生し、
各物品がガンに対(−て正しく位置決めされて所望の如
く接着剤を塗布されるようにしている。
制御式ホットメルト接着剤アプリケータで実施するのに
適している。このような装置において、ソレノイドが付
勢されると、接着剤ガンの弁が開き、このガンを通過し
ている物品にホットメルト接着剤を分配する。この装置
のための制御信号はタイマに接続したセンサで発生し、
各物品がガンに対(−て正しく位置決めされて所望の如
く接着剤を塗布されるようにしている。
このような装置の最も簡単な形態では、ソレノイドは管
状の孔を構成する中空コイル形態の銅線コイルであり、
ソレノイドが付勢きれたときに弁電機子、すなわちプラ
ンジャが片寄り位置からこの孔内に引き込まれる。ソレ
ノイドコイルそのものは、それぞれソレノイド抵抗、イ
ンダクタンスと見なせる直列に接続した抵抗器、誘導子
として考えることができる。休止状態において、直流電
圧がソレノイドに印加されたとき、印加電圧がソレノイ
ド抵抗で分圧されることによって、ソレノイド内の電流
が決定される。
状の孔を構成する中空コイル形態の銅線コイルであり、
ソレノイドが付勢きれたときに弁電機子、すなわちプラ
ンジャが片寄り位置からこの孔内に引き込まれる。ソレ
ノイドコイルそのものは、それぞれソレノイド抵抗、イ
ンダクタンスと見なせる直列に接続した抵抗器、誘導子
として考えることができる。休止状態において、直流電
圧がソレノイドに印加されたとき、印加電圧がソレノイ
ド抵抗で分圧されることによって、ソレノイド内の電流
が決定される。
ソレノイドコイル銅巻線の抵抗値は温度の一ヒ昇につれ
て増大する。このコイルが電源に接続されたとき、コイ
ル抵抗で電力が消散して発生した熱により、コイル温度
が上昇する。
て増大する。このコイルが電源に接続されたとき、コイ
ル抵抗で電力が消散して発生した熱により、コイル温度
が上昇する。
ソレノイド内の電流は、安定した状態では、ソレノイド
抵抗で分圧きれた印加電圧に等しいので、ソレノイド電
流は、ソレノイドに印加された電圧の変動と、ソレノイ
ド温度変化によって生じるようなソレノイド抵抗値の変
化の両方の影響を受ける。
抵抗で分圧きれた印加電圧に等しいので、ソレノイド電
流は、ソレノイドに印加された電圧の変動と、ソレノイ
ド温度変化によって生じるようなソレノイド抵抗値の変
化の両方の影響を受ける。
ソレノイドが可動電機子に力を加えてそれを動かし、弁
を開放する゛という、ホットメルト接着剤塗布システム
のようなシステムでは、ソレノイドコイルおよび磁石の
構造によって電機子に加えられる力はソレノイドの磁束
に実質的に比例し、この磁束はソレノイド電流に実質的
に比例する。たとえば、プルインすなわち引込電流によ
って生じる初期引込力は、弁電機子を片寄らせている力
に打ち勝ってこの電機子を弁孔からソレノイド内に移動
させなければならない。電機子がソレノイド内に引込ま
れ、弁を開いたならば、ホールドイン電流によって生じ
るホールドイン力は電機子全ソレノイド内に保持するだ
けで、低くてもよい。
を開放する゛という、ホットメルト接着剤塗布システム
のようなシステムでは、ソレノイドコイルおよび磁石の
構造によって電機子に加えられる力はソレノイドの磁束
に実質的に比例し、この磁束はソレノイド電流に実質的
に比例する。たとえば、プルインすなわち引込電流によ
って生じる初期引込力は、弁電機子を片寄らせている力
に打ち勝ってこの電機子を弁孔からソレノイド内に移動
させなければならない。電機子がソレノイド内に引込ま
れ、弁を開いたならば、ホールドイン電流によって生じ
るホールドイン力は電機子全ソレノイド内に保持するだ
けで、低くてもよい。
従来は、所定の高い電圧がソレノイドに印加されて弁を
開き、この電圧が所定の時間、ソレノイドに維持されて
いた。その後、この電圧が低い第2の電圧に変えられ、
電機子をソレノイドから解散して弁を閉じるときまでこ
の第2電圧に保たれる。
開き、この電圧が所定の時間、ソレノイドに維持されて
いた。その後、この電圧が低い第2の電圧に変えられ、
電機子をソレノイドから解散して弁を閉じるときまでこ
の第2電圧に保たれる。
明らかなように、ソレノイドの抵抗が温度と共に変化す
るのであれば、予め選定もだ電圧の印加で生じるソレノ
イド電流量はソレノイド温度によって変化することにな
る。これらの変化は、しばしば、無視できない程になる
。たとえば、ソレノイド電流が2アンペア程であれば、
温度上昇により約80%の抵抗値変化が生じる可能性が
ある。
るのであれば、予め選定もだ電圧の印加で生じるソレノ
イド電流量はソレノイド温度によって変化することにな
る。これらの変化は、しばしば、無視できない程になる
。たとえば、ソレノイド電流が2アンペア程であれば、
温度上昇により約80%の抵抗値変化が生じる可能性が
ある。
ソレノイドの温度変化には他のファクタも関係すること
もあり、所定の設定電圧に対する電流の予知、したがっ
てソレノイド弁電機子力の予知をさらに難かしぐ(−て
いる。インダクタンスもソレノイドによってまちまちで
ある。これは、同じ時間だけ同じ引込電圧を印加しても
ソレノイドごとに異なる遷移電流を生じさせる。ホット
メルト接着剤を塗布する場合、接着剤に外部熱が与えら
れ、これもソレノイドの温度に影響を与える。さらに、
ソレノイドの作動が間欠的であることもあり、その場合
、ソレノイドに与えられる電力が時間ごとに変わる。し
たがって、ソレノイド抵抗で発生する熱も変化すること
になる。成る時間にわたる電源ドリフトその他の電源変
動によっても、引込み、ホールドイン電圧の予め選定し
た設定値がまったく別の電圧値となる可能性がある。
もあり、所定の設定電圧に対する電流の予知、したがっ
てソレノイド弁電機子力の予知をさらに難かしぐ(−て
いる。インダクタンスもソレノイドによってまちまちで
ある。これは、同じ時間だけ同じ引込電圧を印加しても
ソレノイドごとに異なる遷移電流を生じさせる。ホット
メルト接着剤を塗布する場合、接着剤に外部熱が与えら
れ、これもソレノイドの温度に影響を与える。さらに、
ソレノイドの作動が間欠的であることもあり、その場合
、ソレノイドに与えられる電力が時間ごとに変わる。し
たがって、ソレノイド抵抗で発生する熱も変化すること
になる。成る時間にわたる電源ドリフトその他の電源変
動によっても、引込み、ホールドイン電圧の予め選定し
た設定値がまったく別の電圧値となる可能性がある。
以上のことかられかるように、一定の引込電圧、一定の
ホールドイン電圧(これらの電圧そのものも変化しやす
い)のソレノイドへの印加でもかなりのソレノイド電流
の変化を招く。ソレノイド抵抗が可変であるから、発生
したソレノイド電流がソレノイド弁電機子を適切かつ有
効に制御するには大きすぎたり、小さすぎたりすること
がある。引込電圧が印加されたときにはいつでもソレノ
イドが弁電機子を引込めるようにシステムを余裕ある設
計としたならば、たいていの場合、ソレノイドに印加さ
れる引込電流が大きすぎることになる。ホールドイン電
圧があらゆる条件下で適切なホールドイン電流を与える
に充分な値であれば、たいていの場合、ホールドイン電
流が大きすぎることになる。
ホールドイン電圧(これらの電圧そのものも変化しやす
い)のソレノイドへの印加でもかなりのソレノイド電流
の変化を招く。ソレノイド抵抗が可変であるから、発生
したソレノイド電流がソレノイド弁電機子を適切かつ有
効に制御するには大きすぎたり、小さすぎたりすること
がある。引込電圧が印加されたときにはいつでもソレノ
イドが弁電機子を引込めるようにシステムを余裕ある設
計としたならば、たいていの場合、ソレノイドに印加さ
れる引込電流が大きすぎることになる。ホールドイン電
圧があらゆる条件下で適切なホールドイン電流を与える
に充分な値であれば、たいていの場合、ホールドイン電
流が大きすぎることになる。
ソレノイド弁電機子を引込めたり、保持17たすするの
に必要である以上の電圧をソレノイドに与えることは、
過剰に電力消費することとなり、余分な稼働費用をかけ
ることになる。さらに、過剰な電力は過剰な熱を発生さ
せ、これ全発散させるためにヒートシンクを太きくして
コイルの過熱を防がなければならない。一方、ソレノイ
ドに印加する引込電圧、ホールドイン電圧を低くした場
合には、ソレノイドが弁電機子を引込め損なったり、保
持し損なったりすることがある。このようなことが望ま
しくないことはもちろんである。
に必要である以上の電圧をソレノイドに与えることは、
過剰に電力消費することとなり、余分な稼働費用をかけ
ることになる。さらに、過剰な電力は過剰な熱を発生さ
せ、これ全発散させるためにヒートシンクを太きくして
コイルの過熱を防がなければならない。一方、ソレノイ
ドに印加する引込電圧、ホールドイン電圧を低くした場
合には、ソレノイドが弁電機子を引込め損なったり、保
持し損なったりすることがある。このようなことが望ま
しくないことはもちろんである。
どのようなわけで、本発明の広い目的は、上記形式の装
置においてソレノイドをより精密に付勢して、成る範囲
の稼働条件にわたって適切な引込力、保持力全ソレノイ
ド弁電機子に与えることにある。
置においてソレノイドをより精密に付勢して、成る範囲
の稼働条件にわたって適切な引込力、保持力全ソレノイ
ド弁電機子に与えることにある。
本発明の成る特徴によれば、改良したソレノイド・ドラ
イバ回路がソレノイドに引込電圧を印加し、ソレノイド
を流れる電流の太き芒が検出される。検出された電流が
所定のピーク電流基準レベルに等しいレベルに達すると
、引込電圧がソレノイドから除去される。
イバ回路がソレノイドに引込電圧を印加し、ソレノイド
を流れる電流の太き芒が検出される。検出された電流が
所定のピーク電流基準レベルに等しいレベルに達すると
、引込電圧がソレノイドから除去される。
本発明の別の特徴によれば、引込電圧がソレノイドから
除去された後、ホールドイン電圧が印加され、検出ソレ
ノイド電流がホールドイン電流基準レベルと比較される
。次に、このホールドイン電圧が制御されて検出ソレノ
イド電流をホールドイン電流基準レベルに保持する。
除去された後、ホールドイン電圧が印加され、検出ソレ
ノイド電流がホールドイン電流基準レベルと比較される
。次に、このホールドイン電圧が制御されて検出ソレノ
イド電流をホールドイン電流基準レベルに保持する。
本発明のまた別の特徴によれば、引込電子をソレノイド
から除去してホールドイン電圧に代えたとき、ホールド
イン電圧はソレノイド電流をピーク引込値から安定状態
ホールドイン値まで徐々に減するように制御される。
から除去してホールドイン電圧に代えたとき、ホールド
イン電圧はソレノイド電流をピーク引込値から安定状態
ホールドイン値まで徐々に減するように制御される。
ソレノイドを通るピーク引込電流、ホールドイン電流を
上記のように制御することによっていくつかの利点を得
ることができる。基本的な利点の1つは、ソレノイド電
力需要が最小限に抑えられるということである。電機子
に所望の磁気引張力を加え、それを引込めたり、保持し
たりするに充分な電流だけがソレノイドコイルを流れる
からである。これによって、ソレノイドに与えなければ
ならない電力を減じ、ソレノイドから除去しなければな
らない熱として発散するエネルギ量を減じろことができ
る。
上記のように制御することによっていくつかの利点を得
ることができる。基本的な利点の1つは、ソレノイド電
力需要が最小限に抑えられるということである。電機子
に所望の磁気引張力を加え、それを引込めたり、保持し
たりするに充分な電流だけがソレノイドコイルを流れる
からである。これによって、ソレノイドに与えなければ
ならない電力を減じ、ソレノイドから除去しなければな
らない熱として発散するエネルギ量を減じろことができ
る。
別の利点は弁電機子の引込時間がほぼ一定になるという
ことであり、これはソレノイドの付勢ごとに同じ最大許
容量の引込電流が与えられるからである。さらに別の利
点は、ソレノイドの解放時間、すなわちホールドイン電
圧がソレノイドから除去されたときに電機子が再着座し
て弁を閉じる時間が最小限に抑えられるということであ
る。その理由は、保持期間中に弁電機子をソレノイド内
に保持するに充分な電流のみが終始与えられるからであ
る。ソレノイドコイルを横切って誘導されるピーク逆電
圧を制限し、磁界エネルギのかなりの部分を消散させる
急停止(snubber)回路を設けることによってソ
レノイド磁界の減衰を早めることができる。こうすれば
、弁電機子を保持する力を発生する磁界の強さが必要以
上に犬きくなることがなくなり、ホールドイン電圧をソ
レノイドから除去したときに弁電機子を保持する小ざい
ままの磁界がより迅速に減衰することになる。
ことであり、これはソレノイドの付勢ごとに同じ最大許
容量の引込電流が与えられるからである。さらに別の利
点は、ソレノイドの解放時間、すなわちホールドイン電
圧がソレノイドから除去されたときに電機子が再着座し
て弁を閉じる時間が最小限に抑えられるということであ
る。その理由は、保持期間中に弁電機子をソレノイド内
に保持するに充分な電流のみが終始与えられるからであ
る。ソレノイドコイルを横切って誘導されるピーク逆電
圧を制限し、磁界エネルギのかなりの部分を消散させる
急停止(snubber)回路を設けることによってソ
レノイド磁界の減衰を早めることができる。こうすれば
、弁電機子を保持する力を発生する磁界の強さが必要以
上に犬きくなることがなくなり、ホールドイン電圧をソ
レノイドから除去したときに弁電機子を保持する小ざい
ままの磁界がより迅速に減衰することになる。
また、本発明の成る特徴によれば、ソレノイド・ドライ
バ回路は典型的な電源電圧の変動の影響を受けない。こ
れを行うために、電源変動と無関係の引込電流、ホール
ドイン電流の基準信号が用いられる。
バ回路は典型的な電源電圧の変動の影響を受けない。こ
れを行うために、電源変動と無関係の引込電流、ホール
ドイン電流の基準信号が用いられる。
本発明の他の目的、利点は図面を参照]7ての以下の詳
細な説明から明らかになろう1゜本発明は種々の変更、
代替形態が可能であるが、図にはその特殊な実施例が示
してあり、それについて詳しく説明する。しかしながら
、本発明をこの開示した特定の形態に限定するものでは
なく、特許請求の範囲によって定義したような発明の精
神、範囲に入るすべての変形案、均等物、代替物を本発
明が含むことは了解されたい。
細な説明から明らかになろう1゜本発明は種々の変更、
代替形態が可能であるが、図にはその特殊な実施例が示
してあり、それについて詳しく説明する。しかしながら
、本発明をこの開示した特定の形態に限定するものでは
なく、特許請求の範囲によって定義したような発明の精
神、範囲に入るすべての変形案、均等物、代替物を本発
明が含むことは了解されたい。
まず第1図を参照して、ドライバ回路10は、ホットメ
ルト接着剤の付与量を制御する弁組立体11に与える電
力を制御する。この弁組立体11は供給チューブ13全
通してホットメルト接着剤の供給を受け、ノズル16の
開口14を通して接着剤を分配する弁本体12を包する
。弁組立体11は、通常、をらに、弁本体12内のホッ
トメルト接着剤のためのヒータ(図示せず)を包含する
。弁電機子17がその一端をばね18によって押されて
おり、電機子の自由端が開口14に向って押されている
。この可動電機子17の自由端にあるボール形部分はノ
ズル16の開口14の内側にある弁座に係合してホット
メルト接着剤の分配のための弁となっている。
ルト接着剤の付与量を制御する弁組立体11に与える電
力を制御する。この弁組立体11は供給チューブ13全
通してホットメルト接着剤の供給を受け、ノズル16の
開口14を通して接着剤を分配する弁本体12を包する
。弁組立体11は、通常、をらに、弁本体12内のホッ
トメルト接着剤のためのヒータ(図示せず)を包含する
。弁電機子17がその一端をばね18によって押されて
おり、電機子の自由端が開口14に向って押されている
。この可動電機子17の自由端にあるボール形部分はノ
ズル16の開口14の内側にある弁座に係合してホット
メルト接着剤の分配のための弁となっている。
電機子17をばね18の力に抗して開口14から離れる
ように動かして接着剤をこの開口を通して流すために、
ソレノイド21が電機子17f:囲んでおり、ソレノイ
ドの中で電機子が自由に動けるようになっている。ソレ
ノイド21に電圧を印加すると、磁力が電機子17に作
用してそれをばね18の力に抗して開口14から離し、
弁を開く。
ように動かして接着剤をこの開口を通して流すために、
ソレノイド21が電機子17f:囲んでおり、ソレノイ
ドの中で電機子が自由に動けるようになっている。ソレ
ノイド21に電圧を印加すると、磁力が電機子17に作
用してそれをばね18の力に抗して開口14から離し、
弁を開く。
ドライバ回路10は外部からのターンオン信号に応じて
ソレノイド21に引込電圧vpを与えるように作動する
。第1図の回路において、外部ターンオン信号の付与は
スイッチ22を閉じることによって行なわれ、ターンオ
フ信号はスイッチ22を開くことによって与えられる。
ソレノイド21に引込電圧vpを与えるように作動する
。第1図の回路において、外部ターンオン信号の付与は
スイッチ22を閉じることによって行なわれ、ターンオ
フ信号はスイッチ22を開くことによって与えられる。
ターンオン信号は、たとえば、ホットメルト接着剤を付
与すべき物品がノズル16に対して正しく位置しており
、弁を開かなければならないということを示す遅延セン
サ信号である。同様に、外部ターンオフ信号は物品が接
着剤を正しく付与され、弁を閉じなければならないとい
うことを示す時間センサ信号でありうる。
与すべき物品がノズル16に対して正しく位置しており
、弁を開かなければならないということを示す遅延セン
サ信号である。同様に、外部ターンオフ信号は物品が接
着剤を正しく付与され、弁を閉じなければならないとい
うことを示す時間センサ信号でありうる。
第1図の回路では、スイッチ22を閉シフ)と、基準電
源電圧VRがドライバ回路1oに与えられ、スイッチを
開くと、この基準電源′電圧が除去される。電圧VR,
VPf;よびボールドイン電源電圧VHは回路の共通ラ
イン23に対して負であり、したがって、そ7−1ぞれ
マイナス符号が付けである。
源電圧VRがドライバ回路1oに与えられ、スイッチを
開くと、この基準電源′電圧が除去される。電圧VR,
VPf;よびボールドイン電源電圧VHは回路の共通ラ
イン23に対して負であり、したがって、そ7−1ぞれ
マイナス符号が付けである。
ドライバ回路1oにおいて、引込電源電圧vPはトラン
ジスタスイッチ24を通してソレノイド21に与えられ
る。制御された量のホールドイン電源電圧VHはトラン
ジスタ26、ダイオード27全通してソレノイド21に
与えられる。ソレノイド21は外部ターンオン制御信号
によりトランジスタ24がオンになって付勢され、また
、トランジスタ24がオフになった後トランジスタ26
が付勢されたときも付勢される。これについては後に詳
しく説明する。ソレノイド21が付勢されたときにはい
つでも、ソレノイド内の電流レベルはソレノイドと直列
に接続した電流検出抵抗器28によって検出される。ソ
レノイド付勢時、ソレノイド電流は電流検出抵抗器28
、ソレノイド21を通って流れる。
ジスタスイッチ24を通してソレノイド21に与えられ
る。制御された量のホールドイン電源電圧VHはトラン
ジスタ26、ダイオード27全通してソレノイド21に
与えられる。ソレノイド21は外部ターンオン制御信号
によりトランジスタ24がオンになって付勢され、また
、トランジスタ24がオフになった後トランジスタ26
が付勢されたときも付勢される。これについては後に詳
しく説明する。ソレノイド21が付勢されたときにはい
つでも、ソレノイド内の電流レベルはソレノイドと直列
に接続した電流検出抵抗器28によって検出される。ソ
レノイド付勢時、ソレノイド電流は電流検出抵抗器28
、ソレノイド21を通って流れる。
本ドライバ回路において、トランジスタ24はスイッチ
として作動してソレノイド21に引込電源電圧vPを与
える。トランジスタ24はその作用範囲内で作動するも
のではなくてオンまたはオフとなるように制御されるの
で\オンのときには、引込電源電圧vpはほとんど−j
べてソレノイドに与えられる。ソレノイドを横切る電圧
はトランジスタ24の中継低下および電流検出抵抗器2
8f:横切る小ざい電圧降下に等しい量だけ引込電源電
圧vpより小さい。したがって、トランジスタ24のエ
ミッタに接続した引込電源電圧VP、ソレノイドに印加
される引込電圧は、ここではいずれも引込電圧vpとす
る。
として作動してソレノイド21に引込電源電圧vPを与
える。トランジスタ24はその作用範囲内で作動するも
のではなくてオンまたはオフとなるように制御されるの
で\オンのときには、引込電源電圧vpはほとんど−j
べてソレノイドに与えられる。ソレノイドを横切る電圧
はトランジスタ24の中継低下および電流検出抵抗器2
8f:横切る小ざい電圧降下に等しい量だけ引込電源電
圧vpより小さい。したがって、トランジスタ24のエ
ミッタに接続した引込電源電圧VP、ソレノイドに印加
される引込電圧は、ここではいずれも引込電圧vpとす
る。
トランジスタ24によるソレノイド21への引込電圧V
Pの付与はトランジスタ29VCよって制御、される。
Pの付与はトランジスタ29VCよって制御、される。
このトランジスタ29は共通ライン23とトランジスタ
24のベースとの間に接続されている。ソレノイド電流
が所定のピークレベルに達すると、トランジスタ29.
24がオフとなり、ソレノイドから引込電圧vPを除去
する。その後、ソレノイド21へのホールドイン電源電
圧VHの一部の付与がトランジスタ26によって制御さ
れる。このトランジスタ26は増幅比較回路31の出力
によって制御される。この増幅比較回路31は、第1人
力部32のところで検出ソレノイド電流信号(ソレノイ
ド電流に比例した電圧である〕を受け、第2人力部33
・のところで可変基準電圧信号を受ける。
24のベースとの間に接続されている。ソレノイド電流
が所定のピークレベルに達すると、トランジスタ29.
24がオフとなり、ソレノイドから引込電圧vPを除去
する。その後、ソレノイド21へのホールドイン電源電
圧VHの一部の付与がトランジスタ26によって制御さ
れる。このトランジスタ26は増幅比較回路31の出力
によって制御される。この増幅比較回路31は、第1人
力部32のところで検出ソレノイド電流信号(ソレノイ
ド電流に比例した電圧である〕を受け、第2人力部33
・のところで可変基準電圧信号を受ける。
増幅比較回路31は2つの人力32.33を比較する。
2つの入力部に現われた電圧が等しくなると、引込電圧
vPがソレノイドに印加されているならば、回路31は
第1出力部36を介してラッチ回路34を付勢する。
vPがソレノイドに印加されているならば、回路31は
第1出力部36を介してラッチ回路34を付勢する。
その後、ホールドイン電圧がソレノイドに印加されてい
る間、回路31は第2出力部37を介してトランジスタ
26と協働してソレノイド電流を制御する。その結果、
入力部32のところでソレノイド電流に比例する電圧が
入力部33のところの基準電圧を追跡する。
る間、回路31は第2出力部37を介してトランジスタ
26と協働してソレノイド電流を制御する。その結果、
入力部32のところでソレノイド電流に比例する電圧が
入力部33のところの基準電圧を追跡する。
ラッチ回路34を付勢すると、引込電圧vpがソレノイ
ド21から除去されるばかりでなく、入力部33におけ
る基準電圧を引込ピーク電流基準値からホールドイン電
流基準値まで変化させることにもなる。
ド21から除去されるばかりでなく、入力部33におけ
る基準電圧を引込ピーク電流基準値からホールドイン電
流基準値まで変化させることにもなる。
第1図に示すドライバ回路100機能は、動作サイクル
を検討することによって最も良く説明できる。ソレノイ
ド21を付勢しだい場合には、外部ターンオン制御信号
でスイッチ22f!:閉ざし、基準電源母線38に基準
電源電圧VRを印加する3、この負の基準電源電圧VR
は抵抗器39全通してトランジスタ29のベースに与え
られ、それをオンにする。これはトランジスタ24をオ
ンにし、引込電圧VPがソレノイド21を横切って印加
される1、基準母線38への基準電源電圧VRの付与で
、増幅比較回路31の基準入力部33へもこのVRが与
えられる。ソレノイド21を通る引込電流が増大すると
、入力部32のところの、増幅比較回路31に送られる
検出電流信号が増大する。ソレノイドにおける実際の電
流増大率はソレノイドのインダクタンスおよび電圧vP
の大きさによって決まる。
を検討することによって最も良く説明できる。ソレノイ
ド21を付勢しだい場合には、外部ターンオン制御信号
でスイッチ22f!:閉ざし、基準電源母線38に基準
電源電圧VRを印加する3、この負の基準電源電圧VR
は抵抗器39全通してトランジスタ29のベースに与え
られ、それをオンにする。これはトランジスタ24をオ
ンにし、引込電圧VPがソレノイド21を横切って印加
される1、基準母線38への基準電源電圧VRの付与で
、増幅比較回路31の基準入力部33へもこのVRが与
えられる。ソレノイド21を通る引込電流が増大すると
、入力部32のところの、増幅比較回路31に送られる
検出電流信号が増大する。ソレノイドにおける実際の電
流増大率はソレノイドのインダクタンスおよび電圧vP
の大きさによって決まる。
人丸部32のところの電圧が入力部33のところの基準
電圧に等しくなると、増幅比較回路31は出力ライン3
6を介してラッチ回路34を付勢する。これは2つのス
イッチ42.43を閉ざす。スイッチ42は基準電源母
線38と共通ライン23との間で抵抗器39と直列に接
続しである。スイッチ43は基準電源母線38と共通ラ
イン23との間1で抵抗器41と抵抗器44とに直列に
接続しである。
電圧に等しくなると、増幅比較回路31は出力ライン3
6を介してラッチ回路34を付勢する。これは2つのス
イッチ42.43を閉ざす。スイッチ42は基準電源母
線38と共通ライン23との間で抵抗器39と直列に接
続しである。スイッチ43は基準電源母線38と共通ラ
イン23との間1で抵抗器41と抵抗器44とに直列に
接続しである。
スイッチ42が閉じると、トランジスタ29からベース
電圧が除去され、それをオフにする。これはトランジス
タ24をオフにし、ソレノイド21から引込電圧vpl
除去する。
電圧が除去され、それをオフにする。これはトランジス
タ24をオフにし、ソレノイド21から引込電圧vpl
除去する。
スイッチ43が閉じると、増幅比較回路31の入力部3
3のところで基準電圧が変わる。
3のところで基準電圧が変わる。
その理由は、入力部33が抵抗器41.44間に接続し
てあり、これらの抵抗器がスイッチ43の閉じたときに
共通ライン23と基準電源母線38との間の分圧器とな
るからである。コンデンサ46が抵抗器41と並列に接
続しであるので、ライン33の基準電圧は瞬間的には変
化せず、コンデンサ46が抵抗器44全通して充電され
るにつれて新しい値に達する。基準電圧の変化率は抵抗
器44、コンデンサ46のRC時定数によって決まる。
てあり、これらの抵抗器がスイッチ43の閉じたときに
共通ライン23と基準電源母線38との間の分圧器とな
るからである。コンデンサ46が抵抗器41と並列に接
続しであるので、ライン33の基準電圧は瞬間的には変
化せず、コンデンサ46が抵抗器44全通して充電され
るにつれて新しい値に達する。基準電圧の変化率は抵抗
器44、コンデンサ46のRC時定数によって決まる。
ソレノイド21への引込電圧VPの付与【1へトランジ
スタ26も増幅比較回路31がらの出力37によってオ
ンにしてホールドイン電源電圧VHi トランジスタを
通してダイオード27のカソードに与える。しかしなが
ら、引込期間中、ダイオード27のアノードのところの
電圧VPがこのアノードをカソードのところよりも負に
保つので、ダイオード27はホールドイン電源電圧VH
を阻止する。引込電圧VPの除去時には、ソレノイド電
流はすべてトランジスタ26を通してボールドイン電圧
VHから供給される。
スタ26も増幅比較回路31がらの出力37によってオ
ンにしてホールドイン電源電圧VHi トランジスタを
通してダイオード27のカソードに与える。しかしなが
ら、引込期間中、ダイオード27のアノードのところの
電圧VPがこのアノードをカソードのところよりも負に
保つので、ダイオード27はホールドイン電源電圧VH
を阻止する。引込電圧VPの除去時には、ソレノイド電
流はすべてトランジスタ26を通してボールドイン電圧
VHから供給される。
増幅比較回路31、トランジスタ26および電流検出抵
抗器28はソレノイド電流の閉ループ制御装置として作
動する。増幅比較回路31の出力37は制御量の電流が
ソレノイド内を流れるに充分な程度までトランジスタ2
6をオンにする。この電流量は電流検出抵抗器28を横
切って発生する入力部32V(おける電圧を入力部33
における基準電圧にほぼ等しくするものである。ソレノ
イドからの引込電圧vpの除去後直ちに、基準電圧がホ
ールドイン値になると、増幅比較回路31はトランジス
タ26の導通状態を低下させ、ソレノイド電流に比例す
る電圧が入力部33における徐々に低下する基準電圧を
追跡する。
抗器28はソレノイド電流の閉ループ制御装置として作
動する。増幅比較回路31の出力37は制御量の電流が
ソレノイド内を流れるに充分な程度までトランジスタ2
6をオンにする。この電流量は電流検出抵抗器28を横
切って発生する入力部32V(おける電圧を入力部33
における基準電圧にほぼ等しくするものである。ソレノ
イドからの引込電圧vpの除去後直ちに、基準電圧がホ
ールドイン値になると、増幅比較回路31はトランジス
タ26の導通状態を低下させ、ソレノイド電流に比例す
る電圧が入力部33における徐々に低下する基準電圧を
追跡する。
繰り返すが、基準入力信号は、抵抗器41.44から成
る分圧器によってセットされたホールドイン電流基準レ
ベルに一致する電圧に達するまでコンデンサ46の充電
と共に徐々に低下する。トランジスタ26がその動作領
域において作動してスイッチとしてよりも電流制御器と
して作用するので、引込電圧vPの除去後にソレノイド
に印加源れる電圧は、通常、全ホールドイン電源電圧V
Hよりもかなり小きい。したがって、ホールドイン電源
電圧V)(とホールドイン電圧(ソレノイドに実際に印
加される電圧)は区別しなければならない。
る分圧器によってセットされたホールドイン電流基準レ
ベルに一致する電圧に達するまでコンデンサ46の充電
と共に徐々に低下する。トランジスタ26がその動作領
域において作動してスイッチとしてよりも電流制御器と
して作用するので、引込電圧vPの除去後にソレノイド
に印加源れる電圧は、通常、全ホールドイン電源電圧V
Hよりもかなり小きい。したがって、ホールドイン電源
電圧V)(とホールドイン電圧(ソレノイドに実際に印
加される電圧)は区別しなければならない。
ドライバ回路10が外部ターンオフ制御信号を受けてソ
レノイドを消勢したとき、スイッチ22が開き、基準信
号が増幅比較回路入力部33から除去される。増幅比較
回路31は急速にトランジスタ26をオフにし、ソレノ
イド21に印加されているホールドイン電圧を除去する
。これで、ソレノイド内の磁界が消滅する。これは電機
子17を解放し、げね18の力の下にそれを弁閉鎖位置
にもどし、ボール19がノズル16の開口14と係合す
る。はぼ同時に、ラッチ回路34がリセットし、スイッ
チ42.43を開く。こうして、ドライバ回路10は次
の外部ターンオン制u1信号を受は付ける状態となる。
レノイドを消勢したとき、スイッチ22が開き、基準信
号が増幅比較回路入力部33から除去される。増幅比較
回路31は急速にトランジスタ26をオフにし、ソレノ
イド21に印加されているホールドイン電圧を除去する
。これで、ソレノイド内の磁界が消滅する。これは電機
子17を解放し、げね18の力の下にそれを弁閉鎖位置
にもどし、ボール19がノズル16の開口14と係合す
る。はぼ同時に、ラッチ回路34がリセットし、スイッ
チ42.43を開く。こうして、ドライバ回路10は次
の外部ターンオン制u1信号を受は付ける状態となる。
ターンオフ時にソレノイドに誘導きれた電圧を迅速に消
散させるために、また、トランジスタ24.26に損傷
を与えるのを防ぐために、ダイオード48と直列のツェ
ナダイオード47を包含する急停止回路がソレノイドを
横切って接続される。ツェナダイオード47のアノード
は共通ライン23に接続してあり、ダイオード48のカ
ソードはツェナダイオード470カソードに接続しであ
る。ダイオード48のアノードはソレノイド21の一端
49に接続しである。ソレノイド210反対端51は電
流検出抵抗器28に接続してあり、この抵抗器は共通ラ
イン23に接続しである。したがって、ツェナダイオー
ド47、逆極性ダイオード48から成る急停止回路は電
流検出抵抗器とソレノイドの直列接続部と並列に接続き
れていることになる。ソレノイド21の端49のところ
の電圧が共通ライン23に対して負であると、ダイオー
ド48は非導通状態となり、急停止回路はなんの動作も
行なわない。しかしながら、ソレノイド21における磁
界が消滅してソレノイドの端49に正の電圧を生じさせ
ると、ダイオード48は順方向にバイアスされ、ツェナ
ダイオード47がその逆降服電圧で導通状態となり、降
服電圧レベルでの誘導電圧のピークをつまみ取る。
散させるために、また、トランジスタ24.26に損傷
を与えるのを防ぐために、ダイオード48と直列のツェ
ナダイオード47を包含する急停止回路がソレノイドを
横切って接続される。ツェナダイオード47のアノード
は共通ライン23に接続してあり、ダイオード48のカ
ソードはツェナダイオード470カソードに接続しであ
る。ダイオード48のアノードはソレノイド21の一端
49に接続しである。ソレノイド210反対端51は電
流検出抵抗器28に接続してあり、この抵抗器は共通ラ
イン23に接続しである。したがって、ツェナダイオー
ド47、逆極性ダイオード48から成る急停止回路は電
流検出抵抗器とソレノイドの直列接続部と並列に接続き
れていることになる。ソレノイド21の端49のところ
の電圧が共通ライン23に対して負であると、ダイオー
ド48は非導通状態となり、急停止回路はなんの動作も
行なわない。しかしながら、ソレノイド21における磁
界が消滅してソレノイドの端49に正の電圧を生じさせ
ると、ダイオード48は順方向にバイアスされ、ツェナ
ダイオード47がその逆降服電圧で導通状態となり、降
服電圧レベルでの誘導電圧のピークをつまみ取る。
第2図を参照して、ここにはドライバ回路10が詳1.
〈示しである。この図においては、構成要素の成るもの
、たとえばトランジスタ24.26.29は第1図のも
のにそのまま対応している。増幅比較回路31も詳しく
示してあり、その構成要素は破線で囲んである1、第1
図のラッチ34、スイッチ43は破線で囲み、43′で
示す共通回路の要素となっている。第1図のスイッチ2
2の機能はトランジスタ52.53.54およびオプト
アイソレータ56を包含する回路によって行なわれる。
〈示しである。この図においては、構成要素の成るもの
、たとえばトランジスタ24.26.29は第1図のも
のにそのまま対応している。増幅比較回路31も詳しく
示してあり、その構成要素は破線で囲んである1、第1
図のラッチ34、スイッチ43は破線で囲み、43′で
示す共通回路の要素となっている。第1図のスイッチ2
2の機能はトランジスタ52.53.54およびオプト
アイソレータ56を包含する回路によって行なわれる。
ドライバ回路10は入力部57に外部から与えられるタ
ーンオン、ターンオフ制御信号に応答する。この入力部
5Tはオプトアイソレータ56内のホトダイオード58
に接続[7である。この場合、ターンオン制御信号は1
つのパルスの立上り縁であり、ターンオフ制御信号は同
じパルスの立下り縁である。ターンオン制御信号、すな
わち、57のところでのパルスの立上り縁はホトダイオ
ード58を通して電流を流し始め、オプトアイソレータ
のホトトランジスタ59を点灯する。このとき、切換母
線61(負の電圧であった)を共通ライン23の電位に
接続する。切換母線61からの負電圧の除去はトランジ
スタ52.53.54のベースから負バイアスを除去し
、これらのトランジスタをオフにする。これはドライバ
回路10の動作を可能としている種々の電圧に対するク
ランプを外すことになる。
ーンオン、ターンオフ制御信号に応答する。この入力部
5Tはオプトアイソレータ56内のホトダイオード58
に接続[7である。この場合、ターンオン制御信号は1
つのパルスの立上り縁であり、ターンオフ制御信号は同
じパルスの立下り縁である。ターンオン制御信号、すな
わち、57のところでのパルスの立上り縁はホトダイオ
ード58を通して電流を流し始め、オプトアイソレータ
のホトトランジスタ59を点灯する。このとき、切換母
線61(負の電圧であった)を共通ライン23の電位に
接続する。切換母線61からの負電圧の除去はトランジ
スタ52.53.54のベースから負バイアスを除去し
、これらのトランジスタをオフにする。これはドライバ
回路10の動作を可能としている種々の電圧に対するク
ランプを外すことになる。
ホトトランジスタ59がオフになったときに切換母線6
1に印加される電圧は共通ライン23と電源電圧入力部
62との間の分圧器によってほぼ決まる。電源電圧62
はホールドイン電源電圧VHと同じ大きさの負電圧であ
るとよい。分圧器は共通ライン23と入力部62との間
で抵抗器64と直列に接続した抵抗器63から成る。
1に印加される電圧は共通ライン23と電源電圧入力部
62との間の分圧器によってほぼ決まる。電源電圧62
はホールドイン電源電圧VHと同じ大きさの負電圧であ
るとよい。分圧器は共通ライン23と入力部62との間
で抵抗器64と直列に接続した抵抗器63から成る。
これら2つの抵抗器間にはダイオード66が接続してあ
り、このダイオードのアノードは切換母線61によって
抵抗器63に接続してあってホトトランジスタ59のオ
ン時の小さい中継電圧低下全補正するようになっている
。このようにして、ホトトランジスタがオンになったと
き、切換母線61は共通ライン33とほぼ同じ電位にあ
る。これはホトトランジスタがオンのときにトランジス
タ52.53.54がオフに留まるようにする。
り、このダイオードのアノードは切換母線61によって
抵抗器63に接続してあってホトトランジスタ59のオ
ン時の小さい中継電圧低下全補正するようになっている
。このようにして、ホトトランジスタがオンになったと
き、切換母線61は共通ライン33とほぼ同じ電位にあ
る。これはホトトランジスタがオンのときにトランジス
タ52.53.54がオフに留まるようにする。
トランジスタ52は共通ライン23と増幅比較回路31
のための電源母線35との間eこ接続しである。この母
線35は抵抗器40全通して電源電圧62に接続してい
る。ホトトランジスタ59がオンになる前に、抵抗器6
7全通して母線61からトランジスタ52のベースに負
電圧が与えられて、このトランジスタが母線35を共通
状態に保ち、増幅比較回路を不能とし、そこをいかなる
電流も流れないようにする。
のための電源母線35との間eこ接続しである。この母
線35は抵抗器40全通して電源電圧62に接続してい
る。ホトトランジスタ59がオンになる前に、抵抗器6
7全通して母線61からトランジスタ52のベースに負
電圧が与えられて、このトランジスタが母線35を共通
状態に保ち、増幅比較回路を不能とし、そこをいかなる
電流も流れないようにする。
トランジスタ53は共通ライン23と基準電源電圧母線
38との間に接続しである。ホトトランジスタがオンに
なる前に、切換母線61の負電圧は抵抗器68を通して
トランジスタ53のベースに与えられる。したがって、
このトランジスタ53はオンとなり、基準母線38を共
通ライン23に対してクランプ状態に保つ。切換ライン
61から電圧が除去されると、トランジスタ53はオフ
となり、電源入力部62からの電圧が抵抗器69を通し
て、ツェナダイオード71によって共通ライン23に接
続されている基準母線38に与えられる。ツェナダイオ
ード71は降服電圧を有し、これは基準母線38に基準
電源電圧VRを定める。ツェナダイオード71の降服電
圧は、電源電圧が予想電源電圧変動範囲にわたってつね
に降服電圧を超えることになるような値に選定する。
38との間に接続しである。ホトトランジスタがオンに
なる前に、切換母線61の負電圧は抵抗器68を通して
トランジスタ53のベースに与えられる。したがって、
このトランジスタ53はオンとなり、基準母線38を共
通ライン23に対してクランプ状態に保つ。切換ライン
61から電圧が除去されると、トランジスタ53はオフ
となり、電源入力部62からの電圧が抵抗器69を通し
て、ツェナダイオード71によって共通ライン23に接
続されている基準母線38に与えられる。ツェナダイオ
ード71は降服電圧を有し、これは基準母線38に基準
電源電圧VRを定める。ツェナダイオード71の降服電
圧は、電源電圧が予想電源電圧変動範囲にわたってつね
に降服電圧を超えることになるような値に選定する。
ホトトランジスタ59がオンになる前に、切換母線61
の負電圧も抵抗器72全通してトランジスタ54のベー
スに与えられる。したがって、トランジスタ54は基準
電圧母線38に対して増幅比較回路の基準入力部33の
クランプをかける。このようにして、コンデンサ46が
トランジスタ54によって短絡きれ、各ターンオン制御
信号の前に完全1/C放電させられる。ホトトランジス
タがオンのとキ、トランジスタ54がオフとなり、基準
母線38は抵抗器41全通して基準入力部33に接続さ
れる。
の負電圧も抵抗器72全通してトランジスタ54のベー
スに与えられる。したがって、トランジスタ54は基準
電圧母線38に対して増幅比較回路の基準入力部33の
クランプをかける。このようにして、コンデンサ46が
トランジスタ54によって短絡きれ、各ターンオン制御
信号の前に完全1/C放電させられる。ホトトランジス
タがオンのとキ、トランジスタ54がオフとなり、基準
母線38は抵抗器41全通して基準入力部33に接続さ
れる。
ドライバ回路10のスイッチオン作用を要約すれば、ト
ランジスタ53をオフとすることによって基準電圧VR
が基準電圧母線38に印加され、基準母線のクランプを
共通ライン23から外す。さらに、トランジスタ52は
増幅比較回路31の電源母線35のクランプを外し、ト
ランジスタ54は増幅比較回路の基準入力部233のク
ランプを基準電源電圧母線38から外す。
ランジスタ53をオフとすることによって基準電圧VR
が基準電圧母線38に印加され、基準母線のクランプを
共通ライン23から外す。さらに、トランジスタ52は
増幅比較回路31の電源母線35のクランプを外し、ト
ランジスタ54は増幅比較回路の基準入力部233のク
ランプを基準電源電圧母線38から外す。
母線38に基準電源電圧VRが現われると、トランジス
タ29がオンになる。トランジスタ29のコレクタが抵
抗器73を通してトランジスタ24のベースに接続され
ているので、トランジスタ24がオンとなる。それで、
ソレノイド21を横切って引込電圧■Pが与えられ、ソ
レノイドを付勢する。このとき1電流がソレノイドを流
れ始め、増幅比較回路31のソレノイド検出電流入力部
32のところに検出電流信号が与えられる。
タ29がオンになる。トランジスタ29のコレクタが抵
抗器73を通してトランジスタ24のベースに接続され
ているので、トランジスタ24がオンとなる。それで、
ソレノイド21を横切って引込電圧■Pが与えられ、ソ
レノイドを付勢する。このとき1電流がソレノイドを流
れ始め、増幅比較回路31のソレノイド検出電流入力部
32のところに検出電流信号が与えられる。
増幅比較回路31はトランジスタ74を包含し、それの
コレクタが抵抗器76f:通して共通ライン23に接続
しである。このトランジスタ74のベースは増幅比較回
路の基準信号入力部33に接続しである。増幅比較回路
は、さらに、トランジスタ77を包含し、これのコレク
タは抵抗器78を介して共通ライン23に接続しである
。トランジスタ77のベースは増幅比較回路の検出電流
入力部32に接続しである。トランジスタ74.77の
エミッタは電源電圧母線35のところで相互に接続しで
ある。電源35からの電流は各トランジスタがオンにな
る程度に依存してトランジスタ74.77の間で分かれ
る。母線35の電圧はトランジスタ74.77の2つの
ベースのうち正の大きい方の電圧よりも小σい、一方の
トランジスタの中継電圧低下を追跡する。
コレクタが抵抗器76f:通して共通ライン23に接続
しである。このトランジスタ74のベースは増幅比較回
路の基準信号入力部33に接続しである。増幅比較回路
は、さらに、トランジスタ77を包含し、これのコレク
タは抵抗器78を介して共通ライン23に接続しである
。トランジスタ77のベースは増幅比較回路の検出電流
入力部32に接続しである。トランジスタ74.77の
エミッタは電源電圧母線35のところで相互に接続しで
ある。電源35からの電流は各トランジスタがオンにな
る程度に依存してトランジスタ74.77の間で分かれ
る。母線35の電圧はトランジスタ74.77の2つの
ベースのうち正の大きい方の電圧よりも小σい、一方の
トランジスタの中継電圧低下を追跡する。
増幅比較回路31は、さらに、トランジスタ79f:包
含し、これのエミッタは抵抗器81を介して共通ライン
23に接続してあり、コレクタは抵抗器82を通してホ
ールドイン電圧トランジスタ26のベースに接続しであ
る。
含し、これのエミッタは抵抗器81を介して共通ライン
23に接続してあり、コレクタは抵抗器82を通してホ
ールドイン電圧トランジスタ26のベースに接続しであ
る。
トランジスタ79のベースはトランジスタ77のコレク
タと抵抗器78との間に接続しである。
タと抵抗器78との間に接続しである。
ドライバ回路10にターンオン制田1信号を与えた後、
電源電圧母線35がトランジスタ52によってクランプ
を外されると、トランジスタ77はオンとなる。これは
それがトランジスタ74よりも正のベース電圧金持って
いるからである。このとき、トランジスタ74はそのベ
ースに負の基準電源電圧VRが印加芒れ、トランジスタ
77は最初そのベースのところの共通ラインに対してま
ったく電圧を持たない。トランジスタ77がオンになる
と、トランジスタ79がオンとなる。これはトランジス
タ26(ホールドイン電源電圧VHに接続しである)を
オンにする。このとき、引込電圧VP(ホールドイン電
源電圧VHよりも大きい)がソレノイド21の端49に
印加されるので、ホールドイン電源電圧VHが阻1に用
ダイオード27によってソレノイドから阻正される。ト
ランジスタ26がオンになる程度は引込時には重要では
ないが、それでもトランジスタ77.79は入力部32
のところのソレノイド検出電流信号に応答してトランジ
スタ26のベース電圧を制御する。
電源電圧母線35がトランジスタ52によってクランプ
を外されると、トランジスタ77はオンとなる。これは
それがトランジスタ74よりも正のベース電圧金持って
いるからである。このとき、トランジスタ74はそのベ
ースに負の基準電源電圧VRが印加芒れ、トランジスタ
77は最初そのベースのところの共通ラインに対してま
ったく電圧を持たない。トランジスタ77がオンになる
と、トランジスタ79がオンとなる。これはトランジス
タ26(ホールドイン電源電圧VHに接続しである)を
オンにする。このとき、引込電圧VP(ホールドイン電
源電圧VHよりも大きい)がソレノイド21の端49に
印加されるので、ホールドイン電源電圧VHが阻1に用
ダイオード27によってソレノイドから阻正される。ト
ランジスタ26がオンになる程度は引込時には重要では
ないが、それでもトランジスタ77.79は入力部32
のところのソレノイド検出電流信号に応答してトランジ
スタ26のベース電圧を制御する。
印加した引込電圧■Pにより電流がソレノイド内で立上
ると、増幅比較回路31に至る検出電流信号人力32が
増大する。第1図の電流検出抵抗器28はたとえば数オ
ーム程度の低値抵抗器83を包含し、この抵抗器は抵抗
器84、ポテンシオメータ86の直列コンビネーション
と並列に接続しである。抵抗器84およびポテンシオメ
ータ86は抵抗器83よりもかなり高い抵抗値を有し、
ポテンシオメータのワイパアーム87で出力電圧の微調
整を行なえる。87のところの電圧は、ソレノイド検出
電流信号の形で、抵抗器88を介して検出電流入力部3
2に与えられる。
ると、増幅比較回路31に至る検出電流信号人力32が
増大する。第1図の電流検出抵抗器28はたとえば数オ
ーム程度の低値抵抗器83を包含し、この抵抗器は抵抗
器84、ポテンシオメータ86の直列コンビネーション
と並列に接続しである。抵抗器84およびポテンシオメ
ータ86は抵抗器83よりもかなり高い抵抗値を有し、
ポテンシオメータのワイパアーム87で出力電圧の微調
整を行なえる。87のところの電圧は、ソレノイド検出
電流信号の形で、抵抗器88を介して検出電流入力部3
2に与えられる。
ソレノイド内で電流が立上り、入力部32における検出
電流信号が増大すると、この検出電流信号はトランジス
タ74のベースのところの基準人力33の大きざに近づ
く。したがって、トランジスタ74がオンになり始める
。トランジスタ74がオンになり始めて抵抗器76を通
して電流を引くにつれて、ラッチ回路43′のトランジ
スタ89がオンVCなる。このとき、ラッチ回路43′
の他のトランジスタ91(ベースが抵抗器92全通して
共通ライン23に接続しである)がオンになる。トラン
ジスタ91のコレクタは抵抗器93全通してトランジス
タ89のベースに接続しであるので、トランジスタ91
がオンになると、トランジスタ89はオンのママとなる
。
電流信号が増大すると、この検出電流信号はトランジス
タ74のベースのところの基準人力33の大きざに近づ
く。したがって、トランジスタ74がオンになり始める
。トランジスタ74がオンになり始めて抵抗器76を通
して電流を引くにつれて、ラッチ回路43′のトランジ
スタ89がオンVCなる。このとき、ラッチ回路43′
の他のトランジスタ91(ベースが抵抗器92全通して
共通ライン23に接続しである)がオンになる。トラン
ジスタ91のコレクタは抵抗器93全通してトランジス
タ89のベースに接続しであるので、トランジスタ91
がオンになると、トランジスタ89はオンのママとなる
。
これは増幅比較回路出力部36のところでの引き続く電
圧変化とは無関係である。トランジスタ89はトランジ
スタ91をオンに錠止する。トランジスタ91のコレク
タは抵抗器94.96を介して共通ライン23に接続し
である。
圧変化とは無関係である。トランジスタ89はトランジ
スタ91をオンに錠止する。トランジスタ91のコレク
タは抵抗器94.96を介して共通ライン23に接続し
である。
このラッチ回路43′では、2つのトランジスタ89.
91が協働して第1図の回路のラッチ34と同様に作用
する。さらに、トランジスタ89は第1図の回路におけ
るスイッチ43と同様に作用する。トランジスタスイッ
チ89が閉じると、抵抗器44が共通ライン23に接続
し、これが抵抗器44.41から成る分圧器を与える。
91が協働して第1図の回路のラッチ34と同様に作用
する。さらに、トランジスタ89は第1図の回路におけ
るスイッチ43と同様に作用する。トランジスタスイッ
チ89が閉じると、抵抗器44が共通ライン23に接続
し、これが抵抗器44.41から成る分圧器を与える。
次に、コンデンサ46が充電するにつれて、基準電圧入
力33がより小さい値に徐々に変化し始める。基準人力
33の電圧が第3図(b)に示しである。
力33がより小さい値に徐々に変化し始める。基準人力
33の電圧が第3図(b)に示しである。
第3図を参照して、ホトダイオード58に外部から与え
られる入力信号が第3図(a)に示しである。入力電圧
の立上り縁97において、トラン−ジスタフ4のベース
に印加された基準電圧はピーク電流基準値に移行する。
られる入力信号が第3図(a)に示しである。入力電圧
の立上り縁97において、トラン−ジスタフ4のベース
に印加された基準電圧はピーク電流基準値に移行する。
外部入力信号はソレノイドを付勢しようとしている間、
高いままである。第3図(b)に示す基準電。
高いままである。第3図(b)に示す基準電。
圧は、入力部32のところの検出ソレノイド電流がその
所定ピーク値に達するまでピーク電流基準レベルに留ま
る。
所定ピーク値に達するまでピーク電流基準レベルに留ま
る。
第3図(d)にピークで示す時点においてソレノイド電
流がピーク値に達すると、トランジスタ74が導通して
ラッチ43′をセットし、基準電圧入力部33のピーク
ホールドイン電流基準値からホールドイン電流基準信号
までの移行を開始させる。
流がピーク値に達すると、トランジスタ74が導通して
ラッチ43′をセットし、基準電圧入力部33のピーク
ホールドイン電流基準値からホールドイン電流基準信号
までの移行を開始させる。
ラッチ回路43′のトランジスタ91がオンになると、
トランジスタスイッチ42もオンとなる。これはトラン
ジスタスイッチ42もオンとなる。これはトランジスタ
29.24をオフにし、ソレノイド21から引込電圧v
pを除去する。これはホールドイン電圧をソレノイドに
与えることになる。阻止用ダイオード27がもはや逆バ
イアスされていないからである。以下により詳しく説明
するように、基準信号33の大きさが減するにつれてソ
レノイド内の電流が低下し始める。これは印加電圧に抗
して短時間誘導電圧98(第3図)を発生する。
トランジスタスイッチ42もオンとなる。これはトラン
ジスタスイッチ42もオンとなる。これはトランジスタ
29.24をオフにし、ソレノイド21から引込電圧v
pを除去する。これはホールドイン電圧をソレノイドに
与えることになる。阻止用ダイオード27がもはや逆バ
イアスされていないからである。以下により詳しく説明
するように、基準信号33の大きさが減するにつれてソ
レノイド内の電流が低下し始める。これは印加電圧に抗
して短時間誘導電圧98(第3図)を発生する。
ソレノイドからの引込電圧vpの除去、そしてホールド
イン電圧の印加に続いて、増幅比較回路31のトランジ
スタ79.77はソレノイド電流制御器として作用し、
ソレノイド電流を入力ライン33におけるホールドイン
電流基準信号のレベルに保つ。ホールドイン電流基準信
号は、コンデンサ46が徐々に充電しているときの移行
信号(第3図に遷移で示す)と、抵抗器44.41から
成る分圧器によって定まる安定状態電圧までコンデンサ
46が充電した後の安定状態ホールドイン基準値(第3
図にホールド基準値で示す)とを包含する。
イン電圧の印加に続いて、増幅比較回路31のトランジ
スタ79.77はソレノイド電流制御器として作用し、
ソレノイド電流を入力ライン33におけるホールドイン
電流基準信号のレベルに保つ。ホールドイン電流基準信
号は、コンデンサ46が徐々に充電しているときの移行
信号(第3図に遷移で示す)と、抵抗器44.41から
成る分圧器によって定まる安定状態電圧までコンデンサ
46が充電した後の安定状態ホールドイン基準値(第3
図にホールド基準値で示す)とを包含する。
増幅比較回路への検出電流入力32の大きさが入力33
の基準信号よりも犬きくなる傾向があるならば、トラン
ジスタ74は導通状態になる傾向がやや大きく、トラン
ジスタ77は導通状態になる傾向がやや小さい。こゎは
トランジスタ79をオフにしがちであり、また順次トラ
ンジスタ26をオフにしがちであり、ホールドイン電源
電圧VHからソレノイドに与えられる電流を減らし、ソ
レノイド電流を正しいレベルにもどす。閉ループは同じ
ように作動し検出電流信号が基準信号よりも低くなった
ならばソレノイドへの電流に増加させる。
の基準信号よりも犬きくなる傾向があるならば、トラン
ジスタ74は導通状態になる傾向がやや大きく、トラン
ジスタ77は導通状態になる傾向がやや小さい。こゎは
トランジスタ79をオフにしがちであり、また順次トラ
ンジスタ26をオフにしがちであり、ホールドイン電源
電圧VHからソレノイドに与えられる電流を減らし、ソ
レノイド電流を正しいレベルにもどす。閉ループは同じ
ように作動し検出電流信号が基準信号よりも低くなった
ならばソレノイドへの電流に増加させる。
入力33におけるホールドイン電流基準信号かいちと′
吻の安定状態値に達すると、増幅比較回路31はソレノ
イド電流をこの所定のホールドイン電流値に保つ。これ
は、外部ターンオフ信号がドライバ回路1oに入力され
るまで続く。
吻の安定状態値に達すると、増幅比較回路31はソレノ
イド電流をこの所定のホールドイン電流値に保つ。これ
は、外部ターンオフ信号がドライバ回路1oに入力され
るまで続く。
第3図(−)に99で示すこのターンオフ信号はホトダ
イオード58に外部から与えられるパルスの立上り縁で
ある。この外部パルスの立上り縁99で、ホトダイオー
ド58が消勢され、ホトトランジスタ59がオフとなる
。
イオード58に外部から与えられるパルスの立上り縁で
ある。この外部パルスの立上り縁99で、ホトダイオー
ド58が消勢され、ホトトランジスタ59がオフとなる
。
これはトランジスタ52.53.54をオンにし、共通
ライン23を電源母線35、基準母線38に接続し、増
幅比較回路の基準入力部33を基準母線38に接続する
。トランジスタ77.79.26はオフとなり、ソレノ
イド21からホールドイン電圧を除去する。
ライン23を電源母線35、基準母線38に接続し、増
幅比較回路の基準入力部33を基準母線38に接続する
。トランジスタ77.79.26はオフとなり、ソレノ
イド21からホールドイン電圧を除去する。
これは、ソレノイド電流がゼロに向って低下するにつれ
て、ソレノイドを横切って逆極性の電圧パルス101(
第3図)を誘導する。
て、ソレノイドを横切って逆極性の電圧パルス101(
第3図)を誘導する。
この誘導電圧のピークは、第3図(c)に102で示す
ように、ツェナダイオード47.ダイオード48から成
る急停止回路によってつまみ取られる。
ように、ツェナダイオード47.ダイオード48から成
る急停止回路によってつまみ取られる。
雑音を抑え、ラッチ回路43′の偶発的な錠止作用を防
ぐために、コンデンサ103が共通ライン23とトラン
ジスタ91のコレクタとの間に接続してあり、コンデン
サ104が共通ラインとトランジスタ74のコレクタと
の間に接続しである。検出電流入力部32のところの抵
抗器88と、共通ライン23とトランジスタ77のベー
スとの間に接続Iまたコンデンサ107と直列接続の抵
抗器106とから成る減衰回路がホールドイン電流制御
ループの自励発振を防ぐように作用する。それ以外の発
振を防ぐために、直列の抵抗器108、コンデンサ10
9から成る回路がソレノイド21および電流検出抵抗器
と並列に接続しである。抵抗器111が、ホールドイン
トランジスタ26のコレクタとソレノイド21との間に
直列に接続しである。この抵抗器111は、ソレノイド
21がアースに短絡する成る種の故障で生じる可能性の
ある高周波発振を防ぐ。
ぐために、コンデンサ103が共通ライン23とトラン
ジスタ91のコレクタとの間に接続してあり、コンデン
サ104が共通ラインとトランジスタ74のコレクタと
の間に接続しである。検出電流入力部32のところの抵
抗器88と、共通ライン23とトランジスタ77のベー
スとの間に接続Iまたコンデンサ107と直列接続の抵
抗器106とから成る減衰回路がホールドイン電流制御
ループの自励発振を防ぐように作用する。それ以外の発
振を防ぐために、直列の抵抗器108、コンデンサ10
9から成る回路がソレノイド21および電流検出抵抗器
と並列に接続しである。抵抗器111が、ホールドイン
トランジスタ26のコレクタとソレノイド21との間に
直列に接続しである。この抵抗器111は、ソレノイド
21がアースに短絡する成る種の故障で生じる可能性の
ある高周波発振を防ぐ。
ドライバ回路10において、ソレノイドに印加する特定
の引込みホールドイン電圧は、ピーク引込ソレノイド電
流や安定状態ホールドイン電流と共に、ソレノイドの電
気的、機械的特性に従って選定する。引込時には、強い
磁界を急速に与えて弁電機子をソレノイド内に迅速に引
込み、弁を開くことが望ま[2い。
の引込みホールドイン電圧は、ピーク引込ソレノイド電
流や安定状態ホールドイン電流と共に、ソレノイドの電
気的、機械的特性に従って選定する。引込時には、強い
磁界を急速に与えて弁電機子をソレノイド内に迅速に引
込み、弁を開くことが望ま[2い。
引込力が太きくすぎると、弁電機子の移動速度が大きす
ぎて「はね返り」が生じる可能性がある。この場合、弁
電機子が弁座にもどって弁を閉じてしまう可能性がある
。
ぎて「はね返り」が生じる可能性がある。この場合、弁
電機子が弁座にもどって弁を閉じてしまう可能性がある
。
所望の引込力を特定のソレノイドに対して決めたならば
、ピーク引込電流基準を設定して、引込時つねにソレノ
イドに選定したピーク電流を与えることができる。この
ピーク電流はソレノイドのピーク磁束、引込力を定める
。
、ピーク引込電流基準を設定して、引込時つねにソレノ
イドに選定したピーク電流を与えることができる。この
ピーク電流はソレノイドのピーク磁束、引込力を定める
。
保持時間の終りで弁電機子をできる限り迅速に解放する
ことも望ましい。したがって、保持期間中にソレノイド
内に弁電機子を保持するに必要な磁束を通常最小量とす
ることになる。ここでも、ソレノイドの特性に応じて、
ホールドイン電流をできる限り低くして保持時に磁束を
最小限に抑え、しかもなお弁電機子tソレノイド内に保
持するようにスル0、ソレノイドと弁電機子の移動、着
座時の運動力学により、ピーク引込電流から安定状態ホ
ールドイン電流レベルへの急激な移行で弁電機子がソレ
ノイドから落下することがあるということがわかった。
ことも望ましい。したがって、保持期間中にソレノイド
内に弁電機子を保持するに必要な磁束を通常最小量とす
ることになる。ここでも、ソレノイドの特性に応じて、
ホールドイン電流をできる限り低くして保持時に磁束を
最小限に抑え、しかもなお弁電機子tソレノイド内に保
持するようにスル0、ソレノイドと弁電機子の移動、着
座時の運動力学により、ピーク引込電流から安定状態ホ
ールドイン電流レベルへの急激な移行で弁電機子がソレ
ノイドから落下することがあるということがわかった。
引込電圧の除去後、ソレノイド電流はピーク値から安定
状態ホールドイン値まで幾分ゆるやかに変化しなければ
ならないのである。ピーク引込ソレノイド電流から安定
状態ホールドイン電流への移行速度は特定のソレノイド
の物理的パラメータに依存する。電流をよりゆるやかに
移行させるためには、ドライバ回路のコンデンサ46の
値を高め、より急速な移行を行なうためには、コンデン
サ46の値を低くする。
状態ホールドイン値まで幾分ゆるやかに変化しなければ
ならないのである。ピーク引込ソレノイド電流から安定
状態ホールドイン電流への移行速度は特定のソレノイド
の物理的パラメータに依存する。電流をよりゆるやかに
移行させるためには、ドライバ回路のコンデンサ46の
値を高め、より急速な移行を行なうためには、コンデン
サ46の値を低くする。
このドライバ回路10の説明で、引込電源電圧vpおよ
びホールドイン電源電圧V Hを特定の電圧値として説
明してきた。実際には、先に述べたように、ドライバ回
路への供給電圧は変わりうる。しげしば、電源電圧は交
流ライン電圧の変動に応じて変わり、交流ラインから導
き出された直流電圧のレベルに影響を与える。ときには
、電源電圧成分のエージングを通じて電源電圧が変化し
、成分値を変化させることがある。ドライバ回路10は
ソレノイドへのピーク引込電流、ホールドイン電流の付
与を制御するので、電源電圧の普通の変動が、それがど
のような性質のものであれ、ドライバ回路に影響を与え
ることはない。
びホールドイン電源電圧V Hを特定の電圧値として説
明してきた。実際には、先に述べたように、ドライバ回
路への供給電圧は変わりうる。しげしば、電源電圧は交
流ライン電圧の変動に応じて変わり、交流ラインから導
き出された直流電圧のレベルに影響を与える。ときには
、電源電圧成分のエージングを通じて電源電圧が変化し
、成分値を変化させることがある。ドライバ回路10は
ソレノイドへのピーク引込電流、ホールドイン電流の付
与を制御するので、電源電圧の普通の変動が、それがど
のような性質のものであれ、ドライバ回路に影響を与え
ることはない。
増幅比較回路33におけるソレノイド電流基準は基準電
源電圧vRを定めるのにツェナダイオード71を使用し
ていることにより安定したものとなることに注目された
い。
源電圧vRを定めるのにツェナダイオード71を使用し
ていることにより安定したものとなることに注目された
い。
第1図は本発明によるドライバ回路を一部プロックダイ
アグラムで示す概略図、 第2図は第1図のドライバ回路のより詳しい概略図、 第3図は第1.2図のドライバ回路iCおいて種々の点
で取出した一連の波形を示す図である。
アグラムで示す概略図、 第2図は第1図のドライバ回路のより詳しい概略図、 第3図は第1.2図のドライバ回路iCおいて種々の点
で取出した一連の波形を示す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 加熱流体の分配を制御する流体分配制御装置であ
って、 位置を変えることによって通過流体の流量を制御する可
動流体制御弁要素を有する弁と、 電気コイルと可動電機子とを有し、この電機子が前記弁
要素に連結してあってこの弁要素を選択的に位置決めし
、前配弁を通る流体の流量を制御するようになっており
、前記コイルが前記弁を流れる加熱流体と熱伝達関係に
あるソレノイドと、 ソレノイド・ドライバ回路と を包含し、このドライバ回路が (、)前記ソレノイドを通って流れる電流のレベルを検
出し、それに関連した出力信号を発する装置と、 (b)電源装置と、 (c)前記ソレノイドにおける所定のピーク電流、ホー
ルドイン電流のそれぞれに関連した第1、第2の基準信
号を発生する装置と、 (d)i) 前記第1基準信号と前記検出装置の出力信
号を比較し、前記ソレノイド 電流が前記ピーク電流に達したときに ソレノイドピーク電流制御信号を発生 し、また、 11)前記第2基準信号と前記検出装置出力信号とを比
較し、その差に関連し たソレノイド・ホールドイン電流制御 信号を発生する 装置と、 (e)前記電源装置と前記ソレノイドとを相互に接続し
ているソレノイド電流調節装置であって、 1)外部付与のタージオン制御信号、 11)前記ピーク電流制御信号、 111)前記ホールドイン電流制御信号、および 1v)外部付与のターンオフ制御信号 に順次応答して、まず前記ソレノイドを付勢し、前記ソ
レノイドピーク電流に達するまで電流レベルを上昇させ
、達したときに前記ソレノイド電流を減じ、前記外部付
与ターンオフ制御信号が与えられるまでボールドイン電
流レベルに維持するようになっているソレノイド電流調
節装置と を包含することを特徴とする流体分配制御装置。 2、特許請求の範囲第1項の流体分配制御装置において
、前記比較装置および前記ソレノイド電流調節装置が、 電流検出装置に接続した第1の入力部と1ソレノイドビ
ーク電流が得られる前に第1基準信号を受け、ソレノイ
ドピーク電流が得られた後に第2基準信号を受ける第2
人力部とを有する比較器増幅器回路と、 外部付与ターンオン制御信号に応じてソレノイドに第1
電圧を与え、前記ソレノイドピーク電流制御信号に応じ
てソレノイドから第1電圧を除く装置と、 第1電圧の除去後、前記ソレノイドホールドイン電流制
御信号に応じて、ソレノイドに与えられた第2電圧のレ
ベルを制御する装置と を包含し、前記比較器増幅器回路が第1電圧付与装置に
接続した第1出力部と第2電圧制御装置に接続した第2
出力部とを有し、またこの比較器増幅器回路がその入力
を比較するように作動し、第1電圧がソレノイドに与え
られたときに第1出力部にソレノイドビーク電流制御信
号を発生し、第2電圧の制御レベルがソレノイドに与え
られたときに第2出力部にソレノイドホールドイン電流
制御信号を発生することを特徴とする流体分配制御装置
。 3、 特許請求の範囲第2項の流体分配制御装置におい
て、ざらに、ラッチ回路を包含し、このラッチ回路が比
較器増幅器回路の第1出力部に接続してあってそこから
ソレノイドビーク電流制御信号を受ける入力部と、第1
電圧付与装置に接続してあって前記ソレノイドビーク電
流制御信号を第1電圧付与装置に与える出力部とを有し
、それによって、第1電圧付与装置がソレノイドから第
1電圧を除き、ラッチ回路がリセット時まで第1電圧付
与装置をこの状態に維持するように作動することを特徴
とする流体分配制御装置。 4、特許請求の範囲第3項の流体分配制御装置において
、ラッチ回路が、さらに、制御スイッチを包含し、この
制御スイッチがラッチ回路の入力部に与えられたソレノ
イドビーク電流制御信号に応じて前記基準信号発生装置
をピーク電流基準信号発生状態からホールドイン電流基
準信号発生状態に切換えることを特徴とする流体分配制
御装置。 5、特許請求の範囲第4項の流体分配制御装置において
、前記基準信号発生装置が、ラッチ回路のスイッチの操
作に応じて、ピーク電流基準値からホールドイン電流基
準値まで徐々に移行するホールドイン電流基準信号を発
生することを特徴とする流体分配制御装置。 6、特許請求の範囲第5項の流体分配制御装置において
、前記基準信号発生装置が前記外部付与ターンオフ制御
信号に応じて前記比較装置からホールドイン電流基準信
号を除き、それに応じて前記比較装置が第2電圧制御装
置からホールドイン電流制御信号を除去してソレノイド
からの第2電圧の制御レベルの除去を行うことを特徴と
する流体分配制御装置。 7、 特許請求の範囲第6項の流体分配制御装置におい
て、さらに、ソレノイドを横切って接続してあり、逆極
性のダイオードと直列に接続したツェナダイオードを包
含する急停止回路網を包含することを特徴とする流体分
配制御装置。 8、特許請求の範囲第1項の流体分配制御装置において
、さらに、ソレノイドを横切って接続された急停止回路
を包含し、この急停止回路が、前記外部発生のターンオ
フ制御信号が与えられるごとにソレノイドを横切って誘
導場れた逆電圧の大きさを制限するように作動し、前記
ターンオフ制御信号が与えるごとに、ソレノイド内に貯
えられた磁気エネルギの一部が急停止回路において消散
させられることを特徴とする流体分配制御装置。 9、加熱流体の分配を制御するための流体分配制御装置
であって、 位置を変えることによって通過流体の流量を制御する可
動流体制御弁要素を有する弁と、 電気コイルおよび可動電機子を有し、この電機子が前記
弁要素に連結してあってそれを選択的に位置決めし、前
記弁を通る流体の流量を制御するようになっており、前
記コイルが前記弁を通る加熱流体に対して熱伝達関係に
あるソレノイドと、 ソレノイド・ドライバ回路と 。 を包含し、このソレノイド・ドライバ回路が、 (a) 前記ソレノイドを通って流れる電流のレベル
を検出し、それに関連した出力信号奮発する装置と、 (b) ソレノイド付勢電圧を発生する電源と、 (C) この電源を前記ソレノイドに接続してこのソ
レノイド内に電流を与える装置と、(d) この接続
装置に接続してあって、前記ソレノイド電流が第1の所
定値に達した後、所定の要領でより小さい第2の所定値
に変わるようにこのソレノイド電流を制御する制御装置
と を包含することを特徴とする流体分配制御装置。 す、特許請求の範囲第9項の流体分配制御装置において
、前記電流制御装置が、 前記ソレノイド内を流れる電流を検出してその電流を反
映する出力信号を発生する検出装置と、 前記出力信号に応じて、前記電源から前記ソレノイドに
印加される前記電圧を調節し、前記ソレノイド電流が前
記第1の所定値まで増大した後、前記所定の要領で前記
第1の所定値まで減少するようにしたことを特徴とする
流体分配制御装置。 11、特許請求の範囲第10項の流体分配制御装置にお
いて、さらに、ソレノイドを横切って接続した急停止回
路を包含し、前記電源がソレノイドから切断されたとき
に、この急停止回路が作動してソレノイドを横切って誘
導された逆電圧の大きさを制限し、それによって、ソレ
ノイドに貯えられた磁気エネルギの一部を急停止回路に
おいて消散させるようにしたことを特徴とする流体分配
制御装置。 12 加熱流体を分配するように作動する弁と、この
弁を作動させるように付勢できるソレノイドとを有する
ソレノイド作動式加熱流体分配装置で用いるドライバ回
路であって、外部から与えられるターンオン・ターンオ
ー7 制?l 信号に応じてソレノイドを付勢するドラ
イバ回路において、 (a) 外部から与えられたターンオン制御信号に応
じてソレノイドに第1電圧を与え、ソレノイドビーク電
流制御信号に応じて゛ソレノイドから第1電圧を除去す
る装置と、(b) ソレノイドを流れる電流を検出し
て検出電流出力を発生する装置と、 (c) 第1電圧がソレノイドに与えられたときに前
記装置(b)の検出電流出力をピーク電流基準値と比較
し、この検出電流がピーク電流基準値に達したときにソ
レノイドビーク電流制御信号を発生して前記装置(、)
に与える装置と、 (d) 第1電圧の除去後、第2電圧をソレノイドに
印加する装置と を包含することを特徴とするソレノイド・ドライバ回路
。 13、特許請求の範囲第12項のソレノイド・ドライバ
回路において、前記装置(d)が、第2電圧が遷移期間
後、第1の値からより低いホールドイン電圧値まで徐々
に低下するように第2電圧のレベルを制御する装置を包
含することを特徴とするソレノイド・ドライバ回路。 14、特許請求の範囲第12項のソレノイド・ドライバ
回路において、前記装置(c)がピーク電流基準値を与
えられる第1人力部と、前記装置(b)の検出電流出力
を与えられる第2人力部とを有する比較回路を包含し、
この比較回路がこれら2つの入力部における信号を比較
し、これら入力信号が等しいときに出力部にソレノイド
ピーク電流制御信号を発生するように作動することを特
徴とするソレノイド・ドライバ回路。 15 特許請求の範囲第14項のソレノイド・ドライ
バ回路において、ざらに、比較回路の出力部と前記装置
(a)との間に接続してあってリセット時までこの装置
(a) Kソレノイドビーク電流制御信号を与えるラッ
チ回路を包含することを特徴とするソレノイド・ドライ
バ回路。 16 加熱流体を分配するように作動する弁とこの弁
を作動させるソレノイドとを有するソレノイド作動式加
熱流体分配装置において、外部から与えられたターンオ
ン・ターンオフ制御信号に応じてソレノイドを付勢する
ドライバ回路であって、 (、) 外部からのターンオン制御信号に応じてソレ
ノイドに第1の電圧を与え、ソレノイドビーク電流制御
信号に応じてソレノイドから第1電圧を除く装置と、 (b) ソレノイドを流れる電流を検出して検出電流
出力を発生する装置と、 (c)第1電圧がソレノイドを横切って与えられたとき
に装置伽)の検出電流出力をピーク電流基準値と比較し
、検出電流がピーク電流基準値に達したときに装置(a
)に与えるソレノイドピーク電流制御信号を発生する装
置と、 (d) ソレノイドからの第1電圧の除去後にソレノ
イドを通る電流を制御する装置とを包含するソレノイド
・ドライバ回路。 17、特許請求の範囲第16項のソレノイド・ドライバ
回路において、装置(d)がソレノイド電流を制御して
、第1電圧が除かれたときのソレノイド内の電流レベル
をより低い、はぼ一定のホールドイン電流に徐々に移行
させる装置を包含することを特徴とするソレノイド・ド
ライバ回路。 18、特許請求の範囲第17項のソレノイド・ドライバ
回路において、装置(d)が第1電圧の除去後、ソレノ
イド・ホールドイン電流制御信号に応じてソレノイドに
与えられる第2電圧のレベルを制御するようになってお
り、さらに、第2電圧がソレノイドに与えられている間
、装置(b)の検出電流出力をホールドイン電流基準信
号と比較して装置ω)に与えるソレノイド・ホールドイ
ン電流制御信号を発生する装置(e)と、抵抗器と直列
に接続された抵抗器−コンデンサ並列コンビネーション
を包含する、ホールドイン電流基準信号を発生する装置
(s)とを包含し、第1電圧がソレノイドから除去され
たときにこの直列コンビネーションが直流電源を横切っ
て接続され、ホールドイン電流基準信号出力が抵抗器−
コンデンサ並列回路網と直列抵抗器との接続部で取り出
されることを特徴とするソレノイド・ドライバ回路。 19、加熱流体を分配するように作動する弁とこの弁を
作動させるソレノイドとを有するソレノイド作動式加熱
流体分配装置において外部からのターンオン・ターンオ
フ制御信号に応じてソレノイドを付勢するドライバ回路
であって、 (、) 外部からのターンオン制御信号に応じてソレ
ノイドに第1電圧を与え、またソレノイドから第1電圧
を除去する装置と、(b) ソレノイドを流れる電流
を検出して検出電流出力を発生する装置と、 (c) ソレノイド・ホールドイン電流側ff1TI
信号に応じて、第1電圧の除去後、ソレノイドに与えら
れた第2電圧のレベルを制御する装置と、 (d) 第2電圧がソレノイドに印加されたときに装
置(c)の検出電流出力をホールドイン電流基準信号と
比較し、装置(c)に与えるソレノイド・ホールドイン
電流制御信号を発生する装置とを包含するソレノイド・
ドライバ回路。 泣 特許請求の範囲第19項のソレノイド・ドライバ回
路に−おいて、装置(d)が、装置(b)の検出電流出
力を与えられる第1人力部と、第2電圧の制御レベルが
ソレノイドに印加されたときにホールドイン電流基準信
号を与えられる第2人力部と、装置(C)に接続した出
力部とを有する比較増幅回路を包含し、この比較増幅回
路が検出ソレノイド電流とホールドイン電流基準信号を
比較してその出力部にソレノイド・ホールドイン電流制
御信号を発生するように作動すること’に%徴とするソ
レノイド・ドライバ回路。 Z、特許請求の範囲第20項のソレノイド・ドライバ回
路において、さらに、比較増幅回路の第2人力部に与え
るホールドイン電流基準信号を発生する装置(e)を包
含し、この装置(e)がターンオフ制御信号に応答して
比較増幅回路からホールドイン電流基準信号を除去する
ようになっており、比較増幅回路がホールドイン電流基
準信号の除去に応答して装置(c)からソレノイド・ホ
ールドイン電流制御信号を除去し、それによって第2電
圧をソレノイドから除去することを特徴とするソレノイ
ド・ドライバ回路。 η1%許請求の範囲第21項のソレノイド・ドライバ回
路において、装置(e)がホールドイン電流基準信号を
発生し、これが第1電流基準値からホールドイン電流基
準値に徐々に移行することを特徴とするソレノイド・ド
ライバ回路。 n、加熱流体を分配するように作動する弁と、この弁を
作動させるソレノイドとを有するソレノイド作動式加熱
流体分配装置において外部からのターンオン、ターンオ
フ制御信号に応じてソレノイドを付勢するドライバ回路
であって、 (a) ソレノイドを流れる電流を検出して検出電流
出力を発生する装置と、 (b) ソレノイド・ホールドイン電流制御信号に応
じてソレノイドに与えられる電圧のレベルを制御する装
置と、 (c)装置(a)の検出電流出方をホールドイン電流基
準信号と比較して装置(b)に与えるホールドイン電流
制御信号を発生する装置とを包含するソレノイド・ドラ
イバ回路。 冴、特許請求の範囲第23項のソレノイド・ドライバ回
路において、装置(c)が、装置(a)の検出電流出力
を受ける第1人力部と、ホールドイン電流基準信号を受
ける第2人力部と、装置(b)に接続した出力部とを有
する比較増幅回路を包含し、この比較増幅回路が装置(
、)の検出電流出力とホールドイン電流基準信号とを比
較してその出力部にソレノイド・ホールドイン電流制御
信号を発生するようになっていることを特徴とするソレ
ノイド・ドライバ回路。 2、特許請求の範囲第24項のソレノイド・ドライバ回
路において、さらに、装置(c)に与えるホールドイン
電流基準信号を発生する装置(d)を包含し、この装置
(d)がターンオフ制御信号に応答して装置(c)から
ホールドイン電流基準信号を除去するようになっており
、装置(c)がホールドイン電流基準信号の除去に応じ
て装置(b)からソレノイド・ホールドイン電流制御信
号を除去し、それによって電圧をソレノイドから除去す
るようになっていることを特徴とするソレノイド・ドラ
イバ回路。 26 特許請求の範囲第21項のソレノイド・ドライ
バ回路において、装置(d)が、ζらに、比較的高いソ
レノイド電流に相当する第1の値と、比較的低いソレノ
イド電流に相当する第2の値と、第1の値から第2の値
に徐々に減少する遷移期間とを有するホールドイン電流
基準信号を発生する装置を包含することを特徴とするソ
レノイド・ドライバ回路。 27、加熱流体を分配するように作動する弁と、この弁
を作動させるソレノイドとを有するソレノイド作動式加
熱流体分配装置において外部からのターンオン・ターン
オフ制御信号に応じてソレノイドを付勢するドライバ回
路であって、 (、) 外部からのターンオン制御信号に応じてソレ
ノイドに第1電圧を与える装置と、(b) ソレノイ
ド電流が所定のピーク電流レベルに達したときにソレノ
イドに印加きれている電圧を変える装置と、 (c) ピーク電流に達した後、ソレノイドに印加さ
れている電圧を制御して、ターンオフ制御信号が外部か
ら与えられるまでソレノイドを通る電流を制御する装置
と、 を包含するソレノイド・ドライバ回路。 囚、ソレノイド作動式流体分配装置においてソレノイド
を駆動する方法であって、 (、) ソレノイドに第1電圧を印加する段階と、 (b) ソレノイド電流が所定のピーク値に達したと
きソレノイドから第1電圧を除去する段階と、 (c)第1電圧が除去されたときソレノイドに第2電圧
を印加する段階と、 (d) 第1電圧がソレノイドから除去された後、ソ
レノイドの電流を制御する段階と、を包含する方法。 囚 特許請求の範囲第28項の方法において、さらに、
段階(d)の前に、ソレノイド電流を制御して所定ピー
ク値からホールドイン電流値まで徐々に減少させる段階
を包含することを特徴とする方法。 側、特許請求の範囲第29項の方法において、ざらに、
段階(d)の後に、外部からのターンオフ信号に応じて
ソレノイド内の電流をゼロまで減少させる段階を包含す
ることを特徴とする方法。 31、特許請求の範囲第15項または第18項のいずれ
かのソレノイド・ドライバ回路において、装置(a)が
ソレノイドの一端と電圧源との間に直列に接続した電子
スイッチを包含することを特徴とするソレノイド・ドラ
イバ回路。 β 特許請求の範囲第22項のソレノイド・ドライバ回
路において、第2電圧のレベルを制御する装置がソレノ
イドの一端と電圧源との間に接続したトランジスタであ
ることを特徴とするソレノイド内 田、特許請求の範囲第15項、第18項、第22項のい
ずれかのソレノイド・ドライバ回路において、装置(b
)がソレノイドと直列に接続した電流検出用抵抗器を包
含することを特徴とするソレノイド・ドライバ回路。 34、特許請求の範囲第33項のソレノイド・ドライバ
回路において、急停止回路がソレノイドを横切って接続
しであることを特徴とするソレノイド・ドライバ回路。 35、特許請求の範囲第34項のソレノイド・ドライバ
回路において、急停止回路が逆極性のダイオードと直列
に接続したツェナダイオードを包含することを特徴とす
るソレノイド・ドライバ回路。 謡、特許請求の範囲第34項のソレノイド・ドライバ回
路において、急停止回路が直列接続のソレノイド、電流
検出用抵抗器と並列に接続しであることを特徴とするソ
レノイド・ドライバ回路。 37 加熱流体の分配を制御する流体分配制御装置で
あって、 位置を変えることによって流体の流量を制御する可動流
体制御弁要素を有する弁と、電気コイルおよび前記弁要
素に接続してあってこの弁要素を選択的に位置決めし、
前記弁を通る流体の流量全制御する可動電機子を有し、
前記コイルが前記弁を流tする加熱流体に対して熱伝達
関係にあるソレノイドと、 ソレノイド・ドライバ回路と を包含し、 このソレノイド・ドライバ回路が、 (a) ターンオン、ターンオフ制御信号を発生する
装置と、 (b) 第1、第2の電圧を発生する装置と、(c)
前記ターンオン制御信号に応じてソレノイドに前記第1
電圧を印加する印加装置と、 (d) この印加装置を前記ターンオン制御信号発生
装置、前記第1電圧発生装置に接続している装置と、 (e) 前記ソレノイドを流れる電流を検出して検出
電流出力信号を発生する装置と、(f) 前記ソレノ
イドへの前記第1電圧の印加を終了芒せる終了装置と、 (g) 前記ソレノイド内 所定値に達したことを示す前記検出電流出力信号に応じ
て前記終了装置が前記ソレノイドから前記第1電圧を除
くように前記終了装置を前記検出装置に接続する装置と
、(h) 前記第2電圧を前記ソレノイドに印加する
装置と、 (i) 前記第1電圧の終了後まで前記ソレノイドに
前記第2電圧金印加させないように前記第2電圧の前記
印加装置を前記終了装置に接続する装置と、 (j> 前記ソレノイドに印加された前記第2電圧を
調節する装置と、 (k) 前記ソレノイドの電流が前記第1の所定値か
らより小さい第2の所定値まで所定の要領で減少するよ
うに前記検出電流出力信号を前記調節装置に与える装置
と、 (]) 前記ソレノイドへの前記第2電圧の印加を終
了させる装置と、 G′n) 前記ターンオフ制御信号に応じて前記ソレ
ノイドから前記第2電圧を除去するように前記第2電圧
終了装置を前記ターンオフ制御信号発生装置に接続する
装置と、(n) 前記ソレノイド内の電流を消散きせ
る装置と、 (o)前記第2電圧終了装置による前記第2電圧の終了
後に前記ソレノイド内の前記電流を消散させるように前
記消散装置を前記ソレノイドに接続している装置と を包含している流体分配制御装置。 羽 特許請求の範囲第37項の流体分配制御装置におい
て、前記調節装置が、 所定の変化基準電圧を発生する装置と、比較装置と、 この比較装置を前記基準電圧発生装置および前記電流検
出装置からの前記検出電流出力信号に接続する装置と、 前記第2電圧印加装置に接続してあって、これによって
前記ソレノイドに印加きれた前記第2電圧の量を制御す
る制御装置と、前記比較装置と前記第2電圧制御装置と
の間に接続してあって前記比較装置に応じて前記第2電
圧制御装置に制御信号を与える発生装置と を包含することを特徴とする流体分配制御装置。 器 特許請求の範囲第38項の流体分配制御装置におい
て、前記比較装置が前記終了装置を制御する装置を包含
することを特徴とする流体分配制御装置。 40特許請求の範囲第39項の流体分配制御装置におい
て、所定の基準電圧を発生する前記装置が、 第3の電圧を発生する装置と、 この第3電圧発生装置に接続j2てあって第1、第2の
抵抗器間で前記第3電圧を分圧する分圧装置と、 第2抵抗器と並列に接続しであるコンデンサと、 前記比較装置が分圧電圧を受けるようにこの比較装置を
前記分圧装置に接続している装置と、 第2抵抗器前後の電圧と前記電流検出装置の検出電流出
力信号とが同一となったと前記比較装置が認めたときに
それに応じて前記分圧装置がオンになるように前記分圧
装置、前記比較装置間に接続した分圧器制御装置と を包含することを特徴とする流体分配副側1装置。
Applications Claiming Priority (2)
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