JPS5857739A - マイクロ波集積回路装置 - Google Patents
マイクロ波集積回路装置Info
- Publication number
- JPS5857739A JPS5857739A JP56155691A JP15569181A JPS5857739A JP S5857739 A JPS5857739 A JP S5857739A JP 56155691 A JP56155691 A JP 56155691A JP 15569181 A JP15569181 A JP 15569181A JP S5857739 A JPS5857739 A JP S5857739A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transmission line
- microwave
- connector
- stub
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W44/00—Electrical arrangements for controlling or matching impedance
- H10W44/20—Electrical arrangements for controlling or matching impedance at high-frequency [HF] or radio frequency [RF]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5445—Dispositions of bond wires being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. parallel arrangements
Landscapes
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はマイクロ波集積回路ｓ’１ｉｒｃマイクロ波集
積回路のりアクタンス調整手段を有するマイクロ波集積
回路装置に関するものである。
積回路のりアクタンス調整手段を有するマイクロ波集積
回路装置に関するものである。
マイクロ液中導体素子の急速な進歩に伴ない。
装置の小形化高信頼度化を目的としてマイクロ波回路を
集積化したマイクロ波装置が広く用いられる様になって
きた。しかしながら、マイクロ波帯では半導体素子のば
らつき１回路素子のばらつき等がマイクロ波特性に大き
な影響を与えるため（、回路調整が不可決である。従来
は、回路中にリアクタンス調整用の端部が開放のスタブ
を配し、このスタブの長さをトリさング調整することに
よシ回路調整を行なりてきた。しかしながら、この様な
ものは容量性リアクタンスを付加する場合には非常に有
効であるが、誘導性リアクタンスを付加長以上になる為
、いわゆるモードジャンプをおこしやすく不安定になり
やすいという欠点を有してい友・。
集積化したマイクロ波装置が広く用いられる様になって
きた。しかしながら、マイクロ波帯では半導体素子のば
らつき１回路素子のばらつき等がマイクロ波特性に大き
な影響を与えるため（、回路調整が不可決である。従来
は、回路中にリアクタンス調整用の端部が開放のスタブ
を配し、このスタブの長さをトリさング調整することに
よシ回路調整を行なりてきた。しかしながら、この様な
ものは容量性リアクタンスを付加する場合には非常に有
効であるが、誘導性リアクタンスを付加長以上になる為
、いわゆるモードジャンプをおこしやすく不安定になり
やすいという欠点を有してい友・。
本発明の目的は、これらの緒欠点ｔ−ａｎ除いた安定な
マイクロ波集積回路装置を提供するととＫある。
マイクロ波集積回路装置を提供するととＫある。
以下本発明の一実施例を示すマイクロ波集積回路装置を
図面を用いて説明する。
図面を用いて説明する。
第１図は本発明の一実施例を示すトランジスタ増巾回路
を構成するマイクロ波集積回路装置の平面図である。金
属ケース１には入力用コネクタ３出力用コネクタ２が設
けられ、ケース１の内部には、誘電体アルミナ基板４が
°配置されている。誘電体基板４上には、入力側リアク
タンス成分調整用のりアクタンス回＠１１と入力側伝送
線路１９及び出力側伝送線路１２．出力側リアクタンス
成分調整用としＡ岐路、すなわち、・タブ１３と、コン
デンサ１６が直列に配置され、コンデンサ１６は夫々ボ
ンブイノブ線１５で接続されると共に。
を構成するマイクロ波集積回路装置の平面図である。金
属ケース１には入力用コネクタ３出力用コネクタ２が設
けられ、ケース１の内部には、誘電体アルミナ基板４が
°配置されている。誘電体基板４上には、入力側リアク
タンス成分調整用のりアクタンス回＠１１と入力側伝送
線路１９及び出力側伝送線路１２．出力側リアクタンス
成分調整用としＡ岐路、すなわち、・タブ１３と、コン
デンサ１６が直列に配置され、コンデンサ１６は夫々ボ
ンブイノブ線１５で接続されると共に。
スタブ１３ともボンディング線１４で接続されている。
又出力側伝送線路１２の一端部にはトランジスタチップ
７が載置され、入力側伝送線ＷＩ１１９とボンディング
線１０にてトランジスタチップ７のペースが接続され、
また、ボンディング線８及び９ににてトランジスタチッ
プ７のエミッタが夫々接地導体１８及び１７ＴＩＣ接続
されている。なお、５及６は接地用金属ねじを示す。
７が載置され、入力側伝送線ＷＩ１１９とボンディング
線１０にてトランジスタチップ７のペースが接続され、
また、ボンディング線８及び９ににてトランジスタチッ
プ７のエミッタが夫々接地導体１８及び１７ＴＩＣ接続
されている。なお、５及６は接地用金属ねじを示す。
第２図ＫｗＩＪ１図のトランジスタ増巾回路の等価回路
図を示す、第２図において、入力用コネクタ３から入力
側伝送線路１９を経てトランジスタチップ７のペースに
接続される一方、入力側伝送線路１２の入力端から、入
力側リアクタンス成分調整用のスタブ１１によるリャク
タンスｊｘ、が接地間に分岐されている。さらに、トラ
ンジスタチップ７のコレクタから出力側伝送線路１２を
経て出力用コネクタ２に接続される一万、出力側伝送線
路１２の出力端から、先端にコンデンサ１６を付加した
出力側リャクタンス成分ｌｌ整用スタブ１３によるリャ
クタンスｊｘ、が接地間に分岐されている。また、トラ
ンジスタチップ７のエミッタは接地に接続されている。
図を示す、第２図において、入力用コネクタ３から入力
側伝送線路１９を経てトランジスタチップ７のペースに
接続される一方、入力側伝送線路１２の入力端から、入
力側リアクタンス成分調整用のスタブ１１によるリャク
タンスｊｘ、が接地間に分岐されている。さらに、トラ
ンジスタチップ７のコレクタから出力側伝送線路１２を
経て出力用コネクタ２に接続される一万、出力側伝送線
路１２の出力端から、先端にコンデンサ１６を付加した
出力側リャクタンス成分ｌｌ整用スタブ１３によるリャ
クタンスｊｘ、が接地間に分岐されている。また、トラ
ンジスタチップ７のエミッタは接地に接続されている。
いま、スタブ（分岐路）１１および１３の長さを夫々！
３．らとし、コンデンサ１６の容量をＣとすると５Ｊｘ
ｌ＊及ｊｘ、は 下式の様に表わされる。
３．らとし、コンデンサ１６の容量をＣとすると５Ｊｘ
ｌ＊及ｊｘ、は 下式の様に表わされる。
ここで２．．２．は夫々スタブ１１及び１３の特性イン
ピーダンス、λ、は波長、ｆ″は周波数である。
ピーダンス、λ、は波長、ｆ″は周波数である。
トランジスタ７の入力インピーダンスと整合が取れる様
にスタブ１１の長さを調整する。また、トランジスタ７
の出力インピーダンスと整合が喉れる様にコンデンサ１
６のボ／デイノグ線１５を切断し容量ｃｔｒｓ整する。
にスタブ１１の長さを調整する。また、トランジスタ７
の出力インピーダンスと整合が喉れる様にコンデンサ１
６のボ／デイノグ線１５を切断し容量ｃｔｒｓ整する。
この様に容量性スタブが整合に必安な場合には、先端開
放の分岐路、すなわち、スタブ１１が有効であるが、誘
導性スタブな周波数で発振しやすくなる。従りて、誘導
性スタブが心安な場合ＶＣは、スタブの先端を容量にで
る。
放の分岐路、すなわち、スタブ１１が有効であるが、誘
導性スタブな周波数で発振しやすくなる。従りて、誘導
性スタブが心安な場合ＶＣは、スタブの先端を容量にで
る。
なお、本発明の説明にあ九つでは、トランジスタ増巾器
を例として挙げたが、広くマイクロ波集積回路に使用さ
れるサーキ為レーク、方向性結合器等の回路素子、ミク
サ回路、コンノ（−夕回路等の受動回路、発振器等の能
動回路など、マイクロ波回路全般にわたって回路の整合
を取る必要のあるものに対して適用することができる。
を例として挙げたが、広くマイクロ波集積回路に使用さ
れるサーキ為レーク、方向性結合器等の回路素子、ミク
サ回路、コンノ（−夕回路等の受動回路、発振器等の能
動回路など、マイクロ波回路全般にわたって回路の整合
を取る必要のあるものに対して適用することができる。
第１図は本発明の一実施例をトランジスタ増巾回路に適
用したマイクロ波集積回路装置の平面図、第２図は第１
図の等価回路図である。 １・・・・・・金属ケース、２・・・・・・出力用コネ
クタ、３・・・・・・入力用コネクタ、４・・・・・・
誘電体アル建す基板。 ７・・・・・・トランジスタチップ、８，９．１０１１
４゜１５・・・・・・ボンディング線、１１，１３・・
・・・・スタブ、１２・・・・・・出力側伝送線路、１
６・・・・・・コンデンサ。 １７．１８・・・・・・接地導体、１９・・・・・・入
力側伝送線路。
用したマイクロ波集積回路装置の平面図、第２図は第１
図の等価回路図である。 １・・・・・・金属ケース、２・・・・・・出力用コネ
クタ、３・・・・・・入力用コネクタ、４・・・・・・
誘電体アル建す基板。 ７・・・・・・トランジスタチップ、８，９．１０１１
４゜１５・・・・・・ボンディング線、１１，１３・・
・・・・スタブ、１２・・・・・・出力側伝送線路、１
６・・・・・・コンデンサ。 １７．１８・・・・・・接地導体、１９・・・・・・入
力側伝送線路。
Claims (1)
- 誘電体基板の一主表面に伝送線路が形成されたマイクロ
波回路と、前記伝送線路の一部に配置された分岐路と、
前記分岐路に直列に接続された前記マイクロ波回路のり
アクタンス成分調整用容量とを有することを特徴とする
マイクロ波集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56155691A JPS5857739A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | マイクロ波集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56155691A JPS5857739A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | マイクロ波集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5857739A true JPS5857739A (ja) | 1983-04-06 |
Family
ID=15611431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56155691A Pending JPS5857739A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | マイクロ波集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5857739A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0725441A3 (en) * | 1995-01-31 | 1998-10-21 | Hughes Aircraft Company | Microwave monolithic integrated circuit package with improved RF ports |
| US8173343B2 (en) | 2008-07-15 | 2012-05-08 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoconductor, image forming apparatus using the same, and process cartridge |
| WO2019165552A1 (en) * | 2018-03-01 | 2019-09-06 | Spi Technology Ltd. | Water energy matrix control |
-
1981
- 1981-09-30 JP JP56155691A patent/JPS5857739A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0725441A3 (en) * | 1995-01-31 | 1998-10-21 | Hughes Aircraft Company | Microwave monolithic integrated circuit package with improved RF ports |
| US8173343B2 (en) | 2008-07-15 | 2012-05-08 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoconductor, image forming apparatus using the same, and process cartridge |
| WO2019165552A1 (en) * | 2018-03-01 | 2019-09-06 | Spi Technology Ltd. | Water energy matrix control |
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