JPS5857767A - レ−ザ装置 - Google Patents
レ−ザ装置Info
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- JPS5857767A JPS5857767A JP56157243A JP15724381A JPS5857767A JP S5857767 A JPS5857767 A JP S5857767A JP 56157243 A JP56157243 A JP 56157243A JP 15724381 A JP15724381 A JP 15724381A JP S5857767 A JPS5857767 A JP S5857767A
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- light
- optical fiber
- laser
- light source
- lens
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/0014—Monitoring arrangements not otherwise provided for
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lasers (AREA)
- Laser Surgery Devices (AREA)
- Surgical Instruments (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレーザ装置の中でも特に光伝送ファイバラ用い
るものに関し、その目的とするところは光伝送ファイバ
の折損や溶解を確実Iζ検出してレーザの発振を停止さ
せて、安全を確保するこきにある。
るものに関し、その目的とするところは光伝送ファイバ
の折損や溶解を確実Iζ検出してレーザの発振を停止さ
せて、安全を確保するこきにある。
光伝送ファイバを用いるレーザ装置として外科用レーザ
メス装置を挙げることができる。波長106μ(1(7
)(Q、レーザを光源とするレーザメス装置では、レー
ザ光を手術部位に導く方法として2mMの方法がある。
メス装置を挙げることができる。波長106μ(1(7
)(Q、レーザを光源とするレーザメス装置では、レー
ザ光を手術部位に導く方法として2mMの方法がある。
その−っはξラー関j[I5型と外し、F!!IL数の
ミラーを用いてレーザ光を任趣の位置。
ミラーを用いてレーザ光を任趣の位置。
方向に導く方法であり、もう一つの方法は細く可撓性に
富んだ光ファイバの中にレーザ光を通して任意の位置、
方向に導く方法である。
富んだ光ファイバの中にレーザ光を通して任意の位置、
方向に導く方法である。
通常の光通信に用いられる石英を主材料とする光ファイ
バは、可撓性に非常に富んでおり、また可視光から近赤
外域の1.〜!!牌位までは低損失で光を伝送できる。
バは、可撓性に非常に富んでおり、また可視光から近赤
外域の1.〜!!牌位までは低損失で光を伝送できる。
しかし外科用レーザメスの光源として用いられる波長1
0.6μ のCO□レーザ光は殆んど通さない、そのた
め%Cotレーザメス用の光ファイバとしては波長IQ
、6Pm に対する光透過特性の比較的良好な材料、
例えばブロムヨウ化タリウム(一般にKRS −6と秤
ばれる)をファイバ状に加工して用いられる。しかしこ
のKRS −5の光ファイバは多結晶構造を有す為ため
に脆く、ある曲率以上に曲げると折れると云う欠点があ
る。
0.6μ のCO□レーザ光は殆んど通さない、そのた
め%Cotレーザメス用の光ファイバとしては波長IQ
、6Pm に対する光透過特性の比較的良好な材料、
例えばブロムヨウ化タリウム(一般にKRS −6と秤
ばれる)をファイバ状に加工して用いられる。しかしこ
のKRS −5の光ファイバは多結晶構造を有す為ため
に脆く、ある曲率以上に曲げると折れると云う欠点があ
る。
−例として直径1mのKRS−5の光ファイバの場合に
は曲率半径約1鯛が限界であり、これ以上に曲げると折
れてしまう、このため光ファイバを曲率制限型の外被で
覆い、ある曲率までは殆んど抵抗なく自由に曲げられる
が、一定の1亭以上には曲がらないようにして用い、安
全性がi11保されているのが現状である。しかし、万
一使用中に光ファイバが途中で折れた場合には、破断面
が多結晶であるために滑らかにならず、破!lr面での
光の吸収が著しく増加し、破断面の温度か上昇して、つ
いには破断面の溶解が生じる。KRS−6の溶解する温
度は約850°Cであり、破断面周囲の温度も上昇し、
放っておくと外被にまで影魯がおよび、危険な状態にな
る。また、もしも光ファイバの破断が原因となってレー
ザ光が光ファイバの外被から外へ直接用るような事が生
じると危険は更に高まる。
は曲率半径約1鯛が限界であり、これ以上に曲げると折
れてしまう、このため光ファイバを曲率制限型の外被で
覆い、ある曲率までは殆んど抵抗なく自由に曲げられる
が、一定の1亭以上には曲がらないようにして用い、安
全性がi11保されているのが現状である。しかし、万
一使用中に光ファイバが途中で折れた場合には、破断面
が多結晶であるために滑らかにならず、破!lr面での
光の吸収が著しく増加し、破断面の温度か上昇して、つ
いには破断面の溶解が生じる。KRS−6の溶解する温
度は約850°Cであり、破断面周囲の温度も上昇し、
放っておくと外被にまで影魯がおよび、危険な状態にな
る。また、もしも光ファイバの破断が原因となってレー
ザ光が光ファイバの外被から外へ直接用るような事が生
じると危険は更に高まる。
このような事態になることを避けるために光ファイバの
温度を測定して、温度上昇が検出された場合に直ちにレ
ーザの発振を停止させるよう制卸する仁とが4えられる
。光ファイバの湿度を検出する具体例としては、湿度に
よって一気抵抗が変化する樹脂テープまたはフィルムを
光ファイバの周囲に巻く方法などが考えられる。しかし
この方法の場8−基こは、保存中に何らかの原因で光フ
ァイバが折れてもレーザ光を通してみるまでは破断を検
出できないと云う欠点がある。またKRS −50〕光
フアイバは前述のように折れJ6<、脆&Aσ〕で、電
気抵抗が温度によって変化する前記6d*テープやフィ
ルムを光ファイバの周囲にm着して巻くことは技術的に
困難である7と同時に、上記のようにして巻いた樹脂テ
ープまたはフィルムの一部分の電気抵抗が変化したとし
ても、樹脂テープまたはフィルムの端部から見た抵抗は
殆んど変化せず。
温度を測定して、温度上昇が検出された場合に直ちにレ
ーザの発振を停止させるよう制卸する仁とが4えられる
。光ファイバの湿度を検出する具体例としては、湿度に
よって一気抵抗が変化する樹脂テープまたはフィルムを
光ファイバの周囲に巻く方法などが考えられる。しかし
この方法の場8−基こは、保存中に何らかの原因で光フ
ァイバが折れてもレーザ光を通してみるまでは破断を検
出できないと云う欠点がある。またKRS −50〕光
フアイバは前述のように折れJ6<、脆&Aσ〕で、電
気抵抗が温度によって変化する前記6d*テープやフィ
ルムを光ファイバの周囲にm着して巻くことは技術的に
困難である7と同時に、上記のようにして巻いた樹脂テ
ープまたはフィルムの一部分の電気抵抗が変化したとし
ても、樹脂テープまたはフィルムの端部から見た抵抗は
殆んど変化せず。
電気抵抗変化による光ファイバの折損、溶解検出は容易
でない。
でない。
そこで本発明はC0wレーザ光とは異なる波長の第2の
光を用いて破断面の有無を11こ検出して、上記欠点を
回避したものであって、以下本発明の一実施例としてレ
ーザメス装置の場合を鉤に挙げて図面に基づいて説明す
る、(1)は錫lの光源としてのレーザ発振器で、 C
Ozレーザ光を発生する。
光を用いて破断面の有無を11こ検出して、上記欠点を
回避したものであって、以下本発明の一実施例としてレ
ーザメス装置の場合を鉤に挙げて図面に基づいて説明す
る、(1)は錫lの光源としてのレーザ発振器で、 C
Ozレーザ光を発生する。
(2)はレーザ発振器(1)からの光ビームを集光する
−1のレンズ、仁の第1のレンズ(2)によって所定の
大赤さに集光された光ビームの位wItに光ファイバ(
3)の入射端面(8a’Pk設置してレーザ発振器(す
からの光ビームを有効に光ファイバ(3)に導<11(
4)は第2のレンズで、光ファイバ(3)の出射−面(
8b)2>為う出射された光を集光する。なお、一点鎖
線(5)は説明の便宜のために光ビームの径路を表わし
たものである。(6)は第2の光源、(7)は給3のレ
ンズで、第2の光源(6)からの光を光ファイバー)に
入射させる。(8ンはビームスプリッタで、レーザ発!
#ki(1)からの光を殆んど100%透過させると同
時に、光ファイバ(3)の内部で反射して入射端向(a
a塵ら^び出射する石2の光源(6)の光を効率よく反
射させる。
−1のレンズ、仁の第1のレンズ(2)によって所定の
大赤さに集光された光ビームの位wItに光ファイバ(
3)の入射端面(8a’Pk設置してレーザ発振器(す
からの光ビームを有効に光ファイバ(3)に導<11(
4)は第2のレンズで、光ファイバ(3)の出射−面(
8b)2>為う出射された光を集光する。なお、一点鎖
線(5)は説明の便宜のために光ビームの径路を表わし
たものである。(6)は第2の光源、(7)は給3のレ
ンズで、第2の光源(6)からの光を光ファイバー)に
入射させる。(8ンはビームスプリッタで、レーザ発!
#ki(1)からの光を殆んど100%透過させると同
時に、光ファイバ(3)の内部で反射して入射端向(a
a塵ら^び出射する石2の光源(6)の光を効率よく反
射させる。
(9)は第4のレンズで、ビームスプリッタ(8)で反
射した光を集光する、OOは第4のレンズ(旬で集光さ
れた光を検出する光検出器、Iは信号処理回路、(6)
はレーザ発振器制#I4J回路、に)は表示誓報装−で
ある・ 次に動作に基づいて構成を詳細に&明する。
射した光を集光する、OOは第4のレンズ(旬で集光さ
れた光を検出する光検出器、Iは信号処理回路、(6)
はレーザ発振器制#I4J回路、に)は表示誓報装−で
ある・ 次に動作に基づいて構成を詳細に&明する。
レーザ発振器(1)から出射した光ビームは第1のレン
ズ(2)で集光されて光ファイバ(3)の入射@向(a
a)に入射する。光ファイバ(3)の出1141u(a
bB。
ズ(2)で集光されて光ファイバ(3)の入射@向(a
a)に入射する。光ファイバ(3)の出1141u(a
bB。
ら出射される光ビームは、光ファイバ(A)の屈折率や
構造および入射端面(8りにおける入射角などによって
決まる鉱がり角で出射し%第2のレンズ(4)がこの光
ビームを焦点(0)に所定のスポットサイズで集光して
レーザメスとして必要なエネルギー密度が得られる。な
お、■面では説明の便宜上、光ファイバ(コ)は直線状
に書かれているが、光エネルギーlOワット〜50ワッ
トを伝送する光ファイバe)は面径1wi度となり1手
術のための動作をするに充分な可撓性を有し、従って任
意な曲線状を呈している。
構造および入射端面(8りにおける入射角などによって
決まる鉱がり角で出射し%第2のレンズ(4)がこの光
ビームを焦点(0)に所定のスポットサイズで集光して
レーザメスとして必要なエネルギー密度が得られる。な
お、■面では説明の便宜上、光ファイバ(コ)は直線状
に書かれているが、光エネルギーlOワット〜50ワッ
トを伝送する光ファイバe)は面径1wi度となり1手
術のための動作をするに充分な可撓性を有し、従って任
意な曲線状を呈している。
光ファイバ(3)の破断を検出する目的のために設けら
れた前記tH2の光源(6)の波長は、レーザ発振器(
])の波長とは異なり、かつ光ファイバC3)の透過ス
ペクトル特性に合致し、更に光源おJびこれに対応する
光検出器が容易に入手できる波長に愈はれる1例えば、
1μ前後の波長は光i信でも用いられているため光源お
よび光検出器が容易であり、光ファイバ(3)の材料と
してKH8−6を用いる場合には透過性も比較的良好で
ある。もし、光ファイバ(3)の光透過特性がaJ組視
光領域まで拡がっていれば、第2の光源(6)として可
視光を用いることもできる。また同様に1μm〜10μ
mの波長範囲の光を用いることも可能である。
れた前記tH2の光源(6)の波長は、レーザ発振器(
])の波長とは異なり、かつ光ファイバC3)の透過ス
ペクトル特性に合致し、更に光源おJびこれに対応する
光検出器が容易に入手できる波長に愈はれる1例えば、
1μ前後の波長は光i信でも用いられているため光源お
よび光検出器が容易であり、光ファイバ(3)の材料と
してKH8−6を用いる場合には透過性も比較的良好で
ある。もし、光ファイバ(3)の光透過特性がaJ組視
光領域まで拡がっていれば、第2の光源(6)として可
視光を用いることもできる。また同様に1μm〜10μ
mの波長範囲の光を用いることも可能である。
第8のレンズ(7)の光軸は光ファイバ(3)の光軸に
対しである角度を有するように配設され、この角度は前
記第8の光線(勾からの光が反射するとき。
対しである角度を有するように配設され、この角度は前
記第8の光線(勾からの光が反射するとき。
この反射光が第1のレンズQ)→ビームスブリフタ(慕
)→第4のレンズ(9ンを通って光検出器QOに入射し
ないような角度でなければならない、云いかえると、光
ファイバ(3)の入射端面(a鳳)で反射す石前記tH
2の光源(6)からの光が光検出!kJに入射しないよ
うに第8のレンズ(7)の光軸が傾けられる。この角度
は前記レーザ光の光束の大きさや%酊記fiAlのレン
ズ(2)の焦点距離などによりて変わるが、おおよそ1
0度以上とする必要がある。
)→第4のレンズ(9ンを通って光検出器QOに入射し
ないような角度でなければならない、云いかえると、光
ファイバ(3)の入射端面(a鳳)で反射す石前記tH
2の光源(6)からの光が光検出!kJに入射しないよ
うに第8のレンズ(7)の光軸が傾けられる。この角度
は前記レーザ光の光束の大きさや%酊記fiAlのレン
ズ(2)の焦点距離などによりて変わるが、おおよそ1
0度以上とする必要がある。
CO□レーザメスに用・いられる光ファイバは、一般に
大きな屈折率を有するため、その入射端面に斜めに入射
される光でも光フアイバ内部へと伝播しえる特赦があり
1本発明はこの性質を効果的に利用している0例えば光
ファイバ0〕の材料としてKH2−5を用いる場合、波
長1/anに対する屈折率は約2.6という大きな値を
示し、光ファイバ0)の開口数はLOになる。即ち、入
射端面(8a)に殆んど平行に入射される光でも屈折し
て光ファイバ(3)内に入射し、しかも光ファフイバ(
3)内で全反射を繰り返しながら出射端面<sb’)−
、伝わって行く。
大きな屈折率を有するため、その入射端面に斜めに入射
される光でも光フアイバ内部へと伝播しえる特赦があり
1本発明はこの性質を効果的に利用している0例えば光
ファイバ0〕の材料としてKH2−5を用いる場合、波
長1/anに対する屈折率は約2.6という大きな値を
示し、光ファイバ0)の開口数はLOになる。即ち、入
射端面(8a)に殆んど平行に入射される光でも屈折し
て光ファイバ(3)内に入射し、しかも光ファフイバ(
3)内で全反射を繰り返しながら出射端面<sb’)−
、伝わって行く。
光ファイバQ)内に入射された第2の光&I (57か
らの光は、光ファイバ(3)内を伝擢して出射Nk(s
b)に達すると、一部は出射−面(sb)から光ファイ
バ(3)の外部へ出射し、一部は出射端FkJ(Jla
)から反射される。 rtf記出射端画端面b)はC(
hレーザ光を低損失で効率的に4くために波長106μ
m に対して反射防止膜が施されているが、1a6μm
と丸なる波長の光に対しては反射防止効果が殆んどな(
、叱2の光源(6)からの光は出射端面(8b)で組折
率差によって定まる反射率で −反射するこの値は
KH2−5の場合、約IT%であり、前記第2の光源(
6)としてCO,レーザ光のr&民と異なる波長に選ば
れたのはこのためである。
らの光は、光ファイバ(3)内を伝擢して出射Nk(s
b)に達すると、一部は出射−面(sb)から光ファイ
バ(3)の外部へ出射し、一部は出射端FkJ(Jla
)から反射される。 rtf記出射端画端面b)はC(
hレーザ光を低損失で効率的に4くために波長106μ
m に対して反射防止膜が施されているが、1a6μm
と丸なる波長の光に対しては反射防止効果が殆んどな(
、叱2の光源(6)からの光は出射端面(8b)で組折
率差によって定まる反射率で −反射するこの値は
KH2−5の場合、約IT%であり、前記第2の光源(
6)としてCO,レーザ光のr&民と異なる波長に選ば
れたのはこのためである。
光ファイバ(3)の出射端面(lb)で反射した前記第
2の光源(6)からの光は、光ファイバ(3)の内部を
入射−面(8a)に向って逆方向に進行し、入射端面(
11!1)から光ファイバ0)の外部に出射され、11
記第1のレンズ(2)を逆方向に通ってビームスプリッ
タ(8)に入射する。ビームスプリッタ−)はGe 、
Zone。
2の光源(6)からの光は、光ファイバ(3)の内部を
入射−面(8a)に向って逆方向に進行し、入射端面(
11!1)から光ファイバ0)の外部に出射され、11
記第1のレンズ(2)を逆方向に通ってビームスプリッ
タ(8)に入射する。ビームスプリッタ−)はGe 、
Zone。
またはCdTe などの材料による平行平向板の表面
にC(hレーザ光に対する反射防止膜を〜施したものを
用いるか、または前記レーザ光が偏光している場合には
同様の材料から成る平行平面板を前記レーザ光に対して
ブリュースター角となるよう配設される。
にC(hレーザ光に対する反射防止膜を〜施したものを
用いるか、または前記レーザ光が偏光している場合には
同様の材料から成る平行平面板を前記レーザ光に対して
ブリュースター角となるよう配設される。
光ファイバ(3ンの入射端面(Jla)Jζも出射端&
(8b)と同様に波長10.6μmに対する反射防止
膜が施されているが、一部のCO冨レしザ先は入射@t
hI(8a)で反射して再び光路を逆に進んでビームス
プリンタ(+1)に入射するが、該ビームスプリフタ(
8)では、この光に対しても前記反射防止膜が効果的゛
・に作用するか、又はブリュースター角が効果的に作用
するため、殆んど100%透−して反射されない、従っ
て、ビームスプリフタ(2)で反射した光の中にはCo
tレーザ光は殆んど含まれておらず、鮪記光ファイバ(
s)内で反射して入射端面(lh)から出射した前記f
litの光源(6)からの光だけである。ttuIlt
!@zの光@ (lB)の波長としてCヘレーザ光の波
長と異なる波長が選ばれたもう一つの理由はこのためで
ある。しかし、光検出器(2)の前にC0ル−ザ光をカ
ットするフィルタ〔図示せず〕を入れておく方が好まし
い。
(8b)と同様に波長10.6μmに対する反射防止
膜が施されているが、一部のCO冨レしザ先は入射@t
hI(8a)で反射して再び光路を逆に進んでビームス
プリンタ(+1)に入射するが、該ビームスプリフタ(
8)では、この光に対しても前記反射防止膜が効果的゛
・に作用するか、又はブリュースター角が効果的に作用
するため、殆んど100%透−して反射されない、従っ
て、ビームスプリフタ(2)で反射した光の中にはCo
tレーザ光は殆んど含まれておらず、鮪記光ファイバ(
s)内で反射して入射端面(lh)から出射した前記f
litの光源(6)からの光だけである。ttuIlt
!@zの光@ (lB)の波長としてCヘレーザ光の波
長と異なる波長が選ばれたもう一つの理由はこのためで
ある。しかし、光検出器(2)の前にC0ル−ザ光をカ
ットするフィルタ〔図示せず〕を入れておく方が好まし
い。
ビームスプリフタ(II)で反射した第2の光源(6)
からの光はII4のレンズ(9)で光検出′#jjll
IGに焦点を結び、該光検出器(至)の出力信号を信号
処理回#6m1)に入力して必要な信号処理を行い、そ
の結果を用いてレーザ発振器制御回路(ロ)を駆動しレ
ーザ発振器(13の出力を制御する。
からの光はII4のレンズ(9)で光検出′#jjll
IGに焦点を結び、該光検出器(至)の出力信号を信号
処理回#6m1)に入力して必要な信号処理を行い、そ
の結果を用いてレーザ発振器制御回路(ロ)を駆動しレ
ーザ発振器(13の出力を制御する。
光ファイバ(3)が何らかの原因によって一部にクラッ
クが入ったり、破断する場合、このクラック又は破断面
は鏡面にならずに乱反射向になるため。
クが入ったり、破断する場合、このクラック又は破断面
は鏡面にならずに乱反射向になるため。
破断面において光の吸収が増大して、錦2の光源(6)
からの光もこの破断面で殆んど吸収されて反射される光
社は非常に少なくなる。その結果、光検出器00に入射
する光鳳が減少するので、信号処理回路α9番こよって
光検出器QIJのこの出力変化を検出し、レーザ発振器
制御回路四をl111御してレーザ発振器(1)を停止
させ、同時に表示警報装置(11を起動させて光ファイ
バ切の破断の発生が直ちに操作名および周囲の人々に報
知される。
からの光もこの破断面で殆んど吸収されて反射される光
社は非常に少なくなる。その結果、光検出器00に入射
する光鳳が減少するので、信号処理回路α9番こよって
光検出器QIJのこの出力変化を検出し、レーザ発振器
制御回路四をl111御してレーザ発振器(1)を停止
させ、同時に表示警報装置(11を起動させて光ファイ
バ切の破断の発生が直ちに操作名および周囲の人々に報
知される。
このように光ファイバ(3)に破断、@解が発生すると
、光検出器00を介して直ちに信号処理回路Qυがこれ
を検知してレーザ発振器制御回路韓および表示警報装m
uを動作させるため、安全を十分に確保できる。
、光検出器00を介して直ちに信号処理回路Qυがこれ
を検知してレーザ発振器制御回路韓および表示警報装m
uを動作させるため、安全を十分に確保できる。
また、レーザメスを用いて手術を行う場合には前記@2
のレンズ(4)を保持する円筒状ハンドピース〔図示せ
ず〕を握って行うため、このハンドど一部は出来るだけ
I量で、かっ直径2@11程度以下が望ましいが1本発
明では光ファイバ(3)の破断検出ノための第2の光源
(a)、[8のレンズ(7)、ビームスプリフタ(8)
、@4のレンズ(9八光検出器(2)および信号処理回
路Oυは全て光ファイバ(3)の入射端1hi(畠a)
aに配設できるため、前記ハンドピースを軽量で直径2
aIH1程度以下にすることができる。
のレンズ(4)を保持する円筒状ハンドピース〔図示せ
ず〕を握って行うため、このハンドど一部は出来るだけ
I量で、かっ直径2@11程度以下が望ましいが1本発
明では光ファイバ(3)の破断検出ノための第2の光源
(a)、[8のレンズ(7)、ビームスプリフタ(8)
、@4のレンズ(9八光検出器(2)および信号処理回
路Oυは全て光ファイバ(3)の入射端1hi(畠a)
aに配設できるため、前記ハンドピースを軽量で直径2
aIH1程度以下にすることができる。
なお、上記実施例ではレーザメス使用中の光ファイバ(
3)の破断検出について説明したが、レーザメスを使用
していない場合でも前記第2の先願(6)。
3)の破断検出について説明したが、レーザメスを使用
していない場合でも前記第2の先願(6)。
光検出器oQ、信号処理針路(2)および表示警報装置
(至)のみを動作させることによって破断検出を行える
。
(至)のみを動作させることによって破断検出を行える
。
以上説明のように本発明のレーザ装置によると。
光ファイバの入射端面側に配設した装置によってレーザ
光線の光伝送路としての前記光ファイバの折損・溶解を
W1実に検出することができ、この検出によってレーザ
の発振を停止させるため取扱い者ならびに周囲の人の安
全を十分に確保できるものである。
光線の光伝送路としての前記光ファイバの折損・溶解を
W1実に検出することができ、この検出によってレーザ
の発振を停止させるため取扱い者ならびに周囲の人の安
全を十分に確保できるものである。
図面は本発明のレーザ装置の一実&鉤のレーザメスの構
成図を示す。 (1)−・レーザ発振器〔tIilの光源〕%(2/・
・・第1のレンズ、(3)−光ファイバ (la)−入
射111i向、(8b)・・・出射端面、(6)・・・
第2の光&F1.+7)・−・錦8のレンズ、(8)・
−・ビームスプリフタ、QO−・・光検出器%I・・・
信号処理回路、四・−・レーザ発振器制御回路、Oa−
・・表示警報装置 代理人 森本義弘
成図を示す。 (1)−・レーザ発振器〔tIilの光源〕%(2/・
・・第1のレンズ、(3)−光ファイバ (la)−入
射111i向、(8b)・・・出射端面、(6)・・・
第2の光&F1.+7)・−・錦8のレンズ、(8)・
−・ビームスプリフタ、QO−・・光検出器%I・・・
信号処理回路、四・−・レーザ発振器制御回路、Oa−
・・表示警報装置 代理人 森本義弘
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 L レーザ光を発生するi!lの光源と、レーザ光を集
束するレンズ・と、レーザ光を伝送する可撓性の光ファ
イバと、前記レーザ光と波長が異なる光を発生する第2
の光源と、第2の光源からの光を前記光ファイバの入射
−面に焦点を結ばせるレンズと、前記光ファイバの出射
端面または破断または溶断個所から反射され再び前記入
射端面から出射する前記I82の光源からの光を分岐す
るビームスプリッタと、ビームスブリフタで分岐された
光を検出する光検出器と、この光検出器のa1号を処理
する信号処理回路と、信号部fMu路の出力で前記1I
lv光諒の出力をMe!lする制御細路と、前記信号処
理回路の信号によって動作する表示警報装置とを設けた
レーザ11 1 litの光源からのレーザ光は先ファイバの光軸
に一致する方向から入射し、sI2の光源からの光は光
ファイバの光軸に対して傾いた方向から入射するよう構
成した特許請求の範囲第1項記載のレーザIA*。 8、 ビームスプリフタを、第1の光源からのレーザ光
が偏光している場合にレーザ光の波長に対してブリュー
スター角となるよう配設した特許請求の範囲1g1項記
載のレーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56157243A JPS5857767A (ja) | 1981-10-01 | 1981-10-01 | レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56157243A JPS5857767A (ja) | 1981-10-01 | 1981-10-01 | レ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5857767A true JPS5857767A (ja) | 1983-04-06 |
| JPS6259918B2 JPS6259918B2 (ja) | 1987-12-14 |
Family
ID=15645370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56157243A Granted JPS5857767A (ja) | 1981-10-01 | 1981-10-01 | レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5857767A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61232866A (ja) * | 1985-04-05 | 1986-10-17 | 松下電器産業株式会社 | レ−ザ−照射装置 |
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| US12438332B2 (en) | 2019-02-27 | 2025-10-07 | Fujikura Ltd. | Laser device |
-
1981
- 1981-10-01 JP JP56157243A patent/JPS5857767A/ja active Granted
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| US7547613B2 (en) | 2000-09-13 | 2009-06-16 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
| US10796959B2 (en) | 2000-09-13 | 2020-10-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
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| US9553023B2 (en) | 2002-03-12 | 2017-01-24 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US11424162B2 (en) | 2002-03-12 | 2022-08-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US7566635B2 (en) | 2002-03-12 | 2009-07-28 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US10622255B2 (en) | 2002-03-12 | 2020-04-14 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US10068801B2 (en) | 2002-03-12 | 2018-09-04 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US8865566B2 (en) | 2002-12-03 | 2014-10-21 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of cutting semiconductor substrate |
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| EP3933370B1 (en) * | 2019-02-27 | 2026-01-28 | Fujikura Ltd. | Laser device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6259918B2 (ja) | 1987-12-14 |
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