JPS5858828B2 - エネルギ−とじこめ形共振子用圧電磁器材料の製造法 - Google Patents
エネルギ−とじこめ形共振子用圧電磁器材料の製造法Info
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- JPS5858828B2 JPS5858828B2 JP49079581A JP7958174A JPS5858828B2 JP S5858828 B2 JPS5858828 B2 JP S5858828B2 JP 49079581 A JP49079581 A JP 49079581A JP 7958174 A JP7958174 A JP 7958174A JP S5858828 B2 JPS5858828 B2 JP S5858828B2
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はエネルギーとじこめ形共振子用圧電磁器材料の
製造法に関するものである。
製造法に関するものである。
従来、強誘電体磁器を分極して得られる圧電磁器は、厚
み振動を利用した高周波用共振子の構成に利用され、発
振子、フィルタなどとして実用化されている。
み振動を利用した高周波用共振子の構成に利用され、発
振子、フィルタなどとして実用化されている。
厚み振動には、厚みたて振動と厚みすべり振動の二種が
あるが、同じ厚みの場合には、厚みたて振動の共振周波
数が、厚みすべり振動の共振周波数の約2倍の値をもつ
ので、高周波用としては厚みたて振動を用いる方が有利
である。
あるが、同じ厚みの場合には、厚みたて振動の共振周波
数が、厚みすべり振動の共振周波数の約2倍の値をもつ
ので、高周波用としては厚みたて振動を用いる方が有利
である。
また厚みたて振動の共振子は、圧電磁器の分極と共振子
の励振に同一の電極が使用できるという点でも、厚みす
べり振動の共振子にくらべてすぐれている。
の励振に同一の電極が使用できるという点でも、厚みす
べり振動の共振子にくらべてすぐれている。
しかし、通常の厚み振動の共振子では、輪郭の影響をう
けて多くの不要振動が現われ、厚みの単一共振を実現す
ることは極めてむずかしい。
けて多くの不要振動が現われ、厚みの単一共振を実現す
ることは極めてむずかしい。
このような不要振動を除く方法として、部分電極を有す
るエネルギとじこめ形共振子が提案されている。
るエネルギとじこめ形共振子が提案されている。
しかし、厚みたて振動、厳密には基本波厚みたて振動を
利用したエネルギとじこめ形共振子を実現するためには
、使用する圧電磁器材料の材料定数が、ある条件を満足
しなげればならない。
利用したエネルギとじこめ形共振子を実現するためには
、使用する圧電磁器材料の材料定数が、ある条件を満足
しなげればならない。
そのもつとも基本的な条件は、使用する圧電磁器のポア
ソン比が恥をこえる値を有することである。
ソン比が恥をこえる値を有することである。
ここでポアソン比とは、圧電磁器の弾性コンプライアン
スS。
スS。
Eに対するS1□Eの割合として定義される。
このようにポアソン比は、厚みたて振動を利用したエネ
ルギとじこめ共振子の可否を左右する非常に重要な要素
であるが、その重要性を明らかにするために、エネルギ
とじこめ形共振子の構成原理について少しく説明する。
ルギとじこめ共振子の可否を左右する非常に重要な要素
であるが、その重要性を明らかにするために、エネルギ
とじこめ形共振子の構成原理について少しく説明する。
エネルギとじこめとは、高周波数の厚み振動子において
、電極の装量負荷効果および圧電反作用によって、振動
エネルギが電極近傍にとじこめられる現象をさしている
。
、電極の装量負荷効果および圧電反作用によって、振動
エネルギが電極近傍にとじこめられる現象をさしている
。
これを利用して不要振動の少ない単一共振の共振子が実
現できるようになり、実用されている。
現できるようになり、実用されている。
この現象の説明はショックレイらのエネルギとじこめ理
論によって与えられた。
論によって与えられた。
いま本発明の目的とする厚みたて振動の場合について考
えると、板に沿って伝搬する波の分散曲線、すなわち伝
搬定数と周波数との関係は、ポアソン比が”/aより大
きい場合について、第1図のように与えられる。
えると、板に沿って伝搬する波の分散曲線、すなわち伝
搬定数と周波数との関係は、ポアソン比が”/aより大
きい場合について、第1図のように与えられる。
第1図の直交座標系において、x−7面は伝搬定数を表
わす複素平面、Z軸は周波数軸である。
わす複素平面、Z軸は周波数軸である。
分散曲線にはいろいろの分枝があるが、ここでは第1図
中太線で示した厚みたて分枝1と、これに関係の深い、
細線で示した厚みすべり分枝2のみに着目する。
中太線で示した厚みたて分枝1と、これに関係の深い、
細線で示した厚みすべり分枝2のみに着目する。
伝搬定数Oに対応する周波数fSは無限に広い厚みすべ
り振動の第2高調波の周波数であり、fEは無限板の厚
みたて振動の基本波周波数に対応する。
り振動の第2高調波の周波数であり、fEは無限板の厚
みたて振動の基本波周波数に対応する。
fゆとfSの間の周波数では、分散曲線はx −2面内
にあり、伝搬定数は純虚数となり、振動の伝搬が起こら
ないことを示す。
にあり、伝搬定数は純虚数となり、振動の伝搬が起こら
ないことを示す。
いま考えている無限板が厚み方向に分極された圧電磁器
板であるとし、第2図に示すように、この圧電磁器板3
0両面に、部分電極4,4を設け、高周波電界を加えて
励振するとすれば、無限板には厚みたて振動の波が励起
されるが、電極面の下では、電極の質量負荷効果および
圧電反作用によって、分散曲線の周波数が低下する。
板であるとし、第2図に示すように、この圧電磁器板3
0両面に、部分電極4,4を設け、高周波電界を加えて
励振するとすれば、無限板には厚みたて振動の波が励起
されるが、電極面の下では、電極の質量負荷効果および
圧電反作用によって、分散曲線の周波数が低下する。
厚みたて分枝近傍の模様を拡大して第3図に示す。
第3図中太実線1aは厚みたて分枝1の上記部分電極4
がない場合で、大破線1bは厚みたて分枝1で上記部分
電極4をつげた場合に対応する。
がない場合で、大破線1bは厚みたて分枝1で上記部分
電極4をつげた場合に対応する。
foとf。
′の間にある周波数f1 で励振された場合、電極下で
の伝搬定数はP点で示される実数であるから、振動の波
は伝搬するが、電極がない所では伝搬定数がQ点で示さ
れる純虚数となり、波は伝搬されない。
の伝搬定数はP点で示される実数であるから、振動の波
は伝搬するが、電極がない所では伝搬定数がQ点で示さ
れる純虚数となり、波は伝搬されない。
すなわち振動のエネルギは電極下にとじこめられるわけ
で、第2図に示すような部分電極4の配置によって、周
辺への振動の伝搬がおさえられる結果、有限の圧電板の
場合にも周辺の影響による不要振動が現われず、単一共
振の共振子を実現することができる。
で、第2図に示すような部分電極4の配置によって、周
辺への振動の伝搬がおさえられる結果、有限の圧電板の
場合にも周辺の影響による不要振動が現われず、単一共
振の共振子を実現することができる。
以上に述べたのはポアソン比が偽以上の場合であるが、
ポアソン比が大きい方から匈に近づくと、分散曲線のf
oは次第にて8に近づき、f、とf8との周波数差が小
さくなる。
ポアソン比が大きい方から匈に近づくと、分散曲線のf
oは次第にて8に近づき、f、とf8との周波数差が小
さくなる。
つまり伝搬定数が純虚数であるような周波数範囲が狭く
なる。
なる。
これはエネルギとじこめ共振子を実現できる周波数範囲
の減少を意味する。
の減少を意味する。
ポアソン比がいに等しぐなると、f8とfsは一致し、
伝搬定数が純虚数である周波数範囲は0となる。
伝搬定数が純虚数である周波数範囲は0となる。
すなわち、エネルギとじこめ共振子は実現できない。
さらにポアソン比が減少してV3以下になると、第4図
に太実線1aで示すように、f8とf。
に太実線1aで示すように、f8とf。
の位置関係は逆転する。
前と同様、このような圧電磁器板に部分電極を設けると
、その部分の分散曲線は低下する。
、その部分の分散曲線は低下する。
その模様を大破線1bで第4図に示す。
この場合、同図から明らかなように、電極部で伝搬定数
が実線、無電極部で虚数になるような周波数領域が存在
せず、電極の質量負荷効果または圧電反作用によるエネ
ルギとじこめ共振子の実現は不可能である。
が実線、無電極部で虚数になるような周波数領域が存在
せず、電極の質量負荷効果または圧電反作用によるエネ
ルギとじこめ共振子の実現は不可能である。
以上、詳細に述べたように、基本波厚みたて振動を用い
たエネルギとじこめ共振子実現の可否(入圧電磁器板の
ポアソン比によって左右され、実現のためにはポアソン
比が偽以上であることが必要条件であり、その実現を容
易にするためには、ポアソン比がV3よりもできるだけ
大きい方が望ましいことは明らかである。
たエネルギとじこめ共振子実現の可否(入圧電磁器板の
ポアソン比によって左右され、実現のためにはポアソン
比が偽以上であることが必要条件であり、その実現を容
易にするためには、ポアソン比がV3よりもできるだけ
大きい方が望ましいことは明らかである。
もちろん、ポアソン比の値は、理論的には0.5をこえ
ることはない。
ることはない。
したがって厚みたて振動を利用したエネルギとじこめ共
振子を構成するためには、14から17.の値の間で、
できるだけ大きいポアソン比を有する圧電磁器が要求さ
れる。
振子を構成するためには、14から17.の値の間で、
できるだけ大きいポアソン比を有する圧電磁器が要求さ
れる。
一般にジルコン酸鉛(PbZr03 )とチタン酸鉛(
PbTi03)の固溶体からなる Pb(ZrX−Ti□−X )03圧電磁器はすぐれた
圧電性をもつことが知られている。
PbTi03)の固溶体からなる Pb(ZrX−Ti□−X )03圧電磁器はすぐれた
圧電性をもつことが知られている。
しかしこれらの組成の圧電磁器では、エネルギとじこめ
用材料として、ポアソン比に着目した研究はなされてお
らず、P b (Z r x −T 11−X ) 0
3なる組成の固溶体磁器で、x=0.48〜0.60の
組成の場合に、0.283〜0.328のポアソン比が
観測されることが、米国無線工学会誌(proceed
i■of the In5titute of Rad
io Engineering )第48巻、第2号
、第220〜229頁(1960年)に述べられている
にすぎない。
用材料として、ポアソン比に着目した研究はなされてお
らず、P b (Z r x −T 11−X ) 0
3なる組成の固溶体磁器で、x=0.48〜0.60の
組成の場合に、0.283〜0.328のポアソン比が
観測されることが、米国無線工学会誌(proceed
i■of the In5titute of Rad
io Engineering )第48巻、第2号
、第220〜229頁(1960年)に述べられている
にすぎない。
これらの組成物のポアソン比は、このように14以下で
あるから、とのまXでL厚みたて振動を利用したエネル
ギとじこめ共振子を構成することは不可能で、偽以上の
できるだけ大きいポアソン比をもつ圧電磁器の製造法の
確立が強く要求される。
あるから、とのまXでL厚みたて振動を利用したエネル
ギとじこめ共振子を構成することは不可能で、偽以上の
できるだけ大きいポアソン比をもつ圧電磁器の製造法の
確立が強く要求される。
本発明は、限られた組成のPbZrO3−PbTiO3
固溶体に、限られた種類の添加物を、限られた量加えて
、限られた焼成温度で焼結することにより、1,4をは
るかにこえ、0.37以上の高いポアソン比を有する厚
みたて振動形エネルギとじこめ共振子構成用の圧電磁器
を安定に製造する方法を提供するものである。
固溶体に、限られた種類の添加物を、限られた量加えて
、限られた焼成温度で焼結することにより、1,4をは
るかにこえ、0.37以上の高いポアソン比を有する厚
みたて振動形エネルギとじこめ共振子構成用の圧電磁器
を安定に製造する方法を提供するものである。
以下本発明の方法を、一実施例を用いて説明する。
本発明は、ジルコン酸鉛(PbZr03)とチタン酸鉛
(PbTi03 )とからなる固溶体Pb(ZrX−T
il X )03を組成の基本としている。
(PbTi03 )とからなる固溶体Pb(ZrX−T
il X )03を組成の基本としている。
まずPb (ZrX@T 11 z )03固溶体に
何ら添加物を加えず焼成した場合の、これらの磁器のポ
アソン比と組成との関係を、前述の米国無線工学会誌か
ら引用して第5図に破線5で示す。
何ら添加物を加えず焼成した場合の、これらの磁器のポ
アソン比と組成との関係を、前述の米国無線工学会誌か
ら引用して第5図に破線5で示す。
第5図において、横軸Xは組成物pb(zrX−Ti1
−X )03のジルコニウム(Zr)とチタン(Ti
)の固溶比を表わす値、縦軸は磁器のポアソン比である
。
−X )03のジルコニウム(Zr)とチタン(Ti
)の固溶比を表わす値、縦軸は磁器のポアソン比である
。
上記組成物自身は、第5図の破線で示した曲線5でみら
れるように、x=0.60付近にポアソン比の極大が見
られるが、その値は14をこえず、厚みたて振動形エネ
ルギとじこめ共振子の構成に適しない。
れるように、x=0.60付近にポアソン比の極大が見
られるが、その値は14をこえず、厚みたて振動形エネ
ルギとじこめ共振子の構成に適しない。
そこで、上記Pb (Z rX−T 1l−X)03固
溶体に、少量のミニ酸化ニオブ(Nb20.)を加える
ことによって、得られる磁器のポアソン比は、顕著に増
大する。
溶体に、少量のミニ酸化ニオブ(Nb20.)を加える
ことによって、得られる磁器のポアソン比は、顕著に増
大する。
すなわち一例として、P b (Z rz −T il
−z ) 03固溶体に1モル条のミニ酸化ニオブ
(Nb20.)を加え、通常の方法で1240℃におい
て1時間焼成したときの、得られる磁器のポアソン比と
Xとの関係を第5図の実線曲線6で示す。
−z ) 03固溶体に1モル条のミニ酸化ニオブ
(Nb20.)を加え、通常の方法で1240℃におい
て1時間焼成したときの、得られる磁器のポアソン比と
Xとの関係を第5図の実線曲線6で示す。
ここでポアソン比の測定は所定組成の磁器、直径8Mj
It、厚み0.4藺の円板の両面に全面電極を設け、厚
み方向に分極して圧電性を与え、円板の半径方向振動を
励振し、径方向基本波共振周波数fr1 と第2高調波
共振周波数fr□の比fr□/fr□を計算し、この比
とポアソン比との関係から求める方法によった。
It、厚み0.4藺の円板の両面に全面電極を設け、厚
み方向に分極して圧電性を与え、円板の半径方向振動を
励振し、径方向基本波共振周波数fr1 と第2高調波
共振周波数fr□の比fr□/fr□を計算し、この比
とポアソン比との関係から求める方法によった。
この関係は、例えば米国電子電気学会論文誌(IEEE
T ransac t i on )、5U−20巻、
第3号、第237頁の第1表(1973年)に示されて
いる。
T ransac t i on )、5U−20巻、
第3号、第237頁の第1表(1973年)に示されて
いる。
第5図の実線曲線6で示されるように、1モル条のミニ
酸化ニオブ(Nb205)を添加することにより、P
b (Z rx e T 11−z ) 03固溶体
磁器のポアソン比は飛躍的に増大し、かっX=0.52
付近にポアソン比の最大値が現われることが見出された
。
酸化ニオブ(Nb205)を添加することにより、P
b (Z rx e T 11−z ) 03固溶体
磁器のポアソン比は飛躍的に増大し、かっX=0.52
付近にポアソン比の最大値が現われることが見出された
。
ミニ酸化ニオブ(Nb205)を添加することにより、
P b (Z r X 、T t t −X)03固溶
体磁器のポアソン比は飛躍的に増大し、かつx−0,5
2付近にポアソン比の最大値が現われることが見出され
た。
P b (Z r X 、T t t −X)03固溶
体磁器のポアソン比は飛躍的に増大し、かつx−0,5
2付近にポアソン比の最大値が現われることが見出され
た。
ミニ酸化ニオブ(Nb20.)を添加することにより、
x=0.48〜0.60のすべての範囲のPb(Zrx
−Ti1 z )03磁器のポアソン比がす亀をこ
えるようになるが、特にX二0.49〜0.53の範囲
ではポアソン比は0.37をこえ、X二0.52でポア
ソン比は0.395という極めて高い値に達し、このよ
うな磁器を用いれば、厚みたて振動形エネルギとじこめ
共振子の構成が極めて容易となることば明らかである。
x=0.48〜0.60のすべての範囲のPb(Zrx
−Ti1 z )03磁器のポアソン比がす亀をこ
えるようになるが、特にX二0.49〜0.53の範囲
ではポアソン比は0.37をこえ、X二0.52でポア
ソン比は0.395という極めて高い値に達し、このよ
うな磁器を用いれば、厚みたて振動形エネルギとじこめ
共振子の構成が極めて容易となることば明らかである。
以上はミニ酸化ニオブ(Nb205)の添加量が1モル
条の場合であるが、ミニ酸化ニオブ(Nb205)の添
加量を変えれば、ポアソン比は変わるはずである。
条の場合であるが、ミニ酸化ニオブ(Nb205)の添
加量を変えれば、ポアソン比は変わるはずである。
基本組成物P b (Z r x・TtlX )03
のXを0.52に国定し、焼成温度を1240℃、焼成
時間を1時間の一定として、ミニ酸化ニオブ(Nb20
.)の添加量と得られた磁器のポアソン比との関係を表
わしたものが第6図である。
のXを0.52に国定し、焼成温度を1240℃、焼成
時間を1時間の一定として、ミニ酸化ニオブ(Nb20
.)の添加量と得られた磁器のポアソン比との関係を表
わしたものが第6図である。
この図より明らかなように、極めて限られた範囲の添加
量の場合のみ、ポアソン比の増大に効果があり、特に0
.37以上の大きいポアソン比が得られるミニ酸化ニオ
ブ(Nb205)の添加量の範囲は、0.5〜2.5モ
ル条に限られる。
量の場合のみ、ポアソン比の増大に効果があり、特に0
.37以上の大きいポアソン比が得られるミニ酸化ニオ
ブ(Nb205)の添加量の範囲は、0.5〜2.5モ
ル条に限られる。
Xが0.49〜0.53の範囲の、ほかの組成の場合に
も、ポアソン比の増大に効果があるのは、X−〇、62
の場合と全く同様、0.5〜2.5モル条のミニ酸化三
オプ(Nb20.)の添加量に限られる。
も、ポアソン比の増大に効果があるのは、X−〇、62
の場合と全く同様、0.5〜2.5モル条のミニ酸化三
オプ(Nb20.)の添加量に限られる。
以上ミニ酸化ニオブ(Nb205)の添加がP b (
Z rx ++ T 11 X ) 03磁器のポ
アソン比の増大に効果があることを述べたが、このよう
な効果は限られた種類の添加物の場合にのみ観測される
。
Z rx ++ T 11 X ) 03磁器のポ
アソン比の増大に効果があることを述べたが、このよう
な効果は限られた種類の添加物の場合にのみ観測される
。
また、ミニ酸化ニオブ(Nb20.)と全く同様の効果
が、三二酸化ランタン(L a 20s )の添加によ
っても起こる。
が、三二酸化ランタン(L a 20s )の添加によ
っても起こる。
他の数種の添加物、例えは二酸化マンガン(MnO2)
、三二酸化クロム(Cr203)、三二酸化イツトリウ
ム(Y2O2)の場合には、ポアソン比の増大に顕著な
効果は見られない。
、三二酸化クロム(Cr203)、三二酸化イツトリウ
ム(Y2O2)の場合には、ポアソン比の増大に顕著な
効果は見られない。
さらに、ミニ酸化ニオブ(Nb205)、三二酸化ラン
タン(La203)を添加した場合においても、高いポ
アソン比をもつ磁器は、限られた焼成温度の場合にのみ
得られる。
タン(La203)を添加した場合においても、高いポ
アソン比をもつ磁器は、限られた焼成温度の場合にのみ
得られる。
第7図はその一例として、Pb(Zro、。
Tio、6)03固溶体に、五二酸化二オプ(Nb20
5)または三二酸化ランタン(La203)を単独に1
モル優加えた場合に得られる磁器のポアソン比と焼成@
度との関係を示したものである。
5)または三二酸化ランタン(La203)を単独に1
モル優加えた場合に得られる磁器のポアソン比と焼成@
度との関係を示したものである。
すなわち、第7図において曲線7はミニ酸化三オブ(N
b20.)を添加したもの、曲線8は三二酸化ランタン
(La203)を添加したものである。
b20.)を添加したもの、曲線8は三二酸化ランタン
(La203)を添加したものである。
同じP b (Z rg、5 ・T Ig、5 )
Os固溶体に、本発明の範囲外である二酸化マンガン(
MnO2)、三二酸化クロム(Cr203)、三二酸化
イツトリウム(Y2O2)を単独にそれぞれ1モル饅加
えた磁器のポアソン比と、焼成温度との関係を、同じく
第7図に示す。
Os固溶体に、本発明の範囲外である二酸化マンガン(
MnO2)、三二酸化クロム(Cr203)、三二酸化
イツトリウム(Y2O2)を単独にそれぞれ1モル饅加
えた磁器のポアソン比と、焼成温度との関係を、同じく
第7図に示す。
すなわち第1図において曲線9は二酸化マンガン(Mn
O,)を添加したもの、曲線10は三二酸化クロム(C
r203)を添加したもの、曲線11は三二酸化イツト
リウム(Y2O2)を添加したものである。
O,)を添加したもの、曲線10は三二酸化クロム(C
r203)を添加したもの、曲線11は三二酸化イツト
リウム(Y2O2)を添加したものである。
図に示されるように、ミニ酸化ニオブ(Nb205)、
三二酸化ランタン(La203)を添加した場合には、
1160℃以上の焼成温度で0.37をこえるポアソン
比を有する磁器が得られる。
三二酸化ランタン(La203)を添加した場合には、
1160℃以上の焼成温度で0.37をこえるポアソン
比を有する磁器が得られる。
1260℃をこえる焼成温度ではポアソン比はかえって
低下する。
低下する。
したがって適当な焼成温度は1160〜1260℃に限
られる。
られる。
本発明の範囲外である二酸化マンガン(Mn02 )、
三二酸化クロム(Cr203)、三二酸化イツトリウム
(Y20s )の場合には、1280℃以下のいずれの
焼成温度においても、0.36をこえるポアソン比を有
する磁器を得ることはできない。
三二酸化クロム(Cr203)、三二酸化イツトリウム
(Y20s )の場合には、1280℃以下のいずれの
焼成温度においても、0.36をこえるポアソン比を有
する磁器を得ることはできない。
これらの添加の場合にも、1280℃以上の焼成温度を
用いれば、0.36をこえるポアソン比の磁器が得られ
る可能性が第7図に示唆されている。
用いれば、0.36をこえるポアソン比の磁器が得られ
る可能性が第7図に示唆されている。
しかしP b (Z rX@ T i 1−X ) 0
3固溶体磁器の場合には、1280℃をこえる焼成温度
では、固溶体の構成原料、−酸化鉛(PbO)の蒸発が
顕著となり1.得られる磁器の組成が不均一となって、
実用に適しなくなる。
3固溶体磁器の場合には、1280℃をこえる焼成温度
では、固溶体の構成原料、−酸化鉛(PbO)の蒸発が
顕著となり1.得られる磁器の組成が不均一となって、
実用に適しなくなる。
ここで注目すべきことは、ポアソン比の増大に対する三
二酸化ランタン(La203)と三二酸化イツトリウム
(Y2O2)の効果の違いである。
二酸化ランタン(La203)と三二酸化イツトリウム
(Y2O2)の効果の違いである。
通常イツトリウム(7)を含み、セリウム(Ce )を
除く希土類元素の酸化物は、P b (Z r x・T
i1X )03固溶体に添加されるとき、磁器の圧電
的性質の改善にほぼ同様の効果を示すことが、例えば米
国特許第2911370号において知られている。
除く希土類元素の酸化物は、P b (Z r x・T
i1X )03固溶体に添加されるとき、磁器の圧電
的性質の改善にほぼ同様の効果を示すことが、例えば米
国特許第2911370号において知られている。
しかしながらポアソン比に関しては、三二酸化ランタン
(La203)と三二酸化イツトリウム(Y2O2)の
効果は全く異なっており、このような効果の違い&L従
来の圧電性に関する添加の効果のみからは、全く予測で
きないものであることは明らかである。
(La203)と三二酸化イツトリウム(Y2O2)の
効果は全く異なっており、このような効果の違い&L従
来の圧電性に関する添加の効果のみからは、全く予測で
きないものであることは明らかである。
ミニ酸化ニオブ(Nb20.)と三二酸化ランタン(L
a203)の添加が、ポアソン比の増大に与える顕著な
効果をさらに明らかにするため、P b (Z ro、
5□−T io、l ) 03固溶体に、1モル袈のミ
ニ酸化ニオブ(Nb20.)または三二酸化ランタン(
La203)を添加した場合、得られる磁器のポアソン
比と焼成温度との関係を第8図に実線曲線で示す。
a203)の添加が、ポアソン比の増大に与える顕著な
効果をさらに明らかにするため、P b (Z ro、
5□−T io、l ) 03固溶体に、1モル袈のミ
ニ酸化ニオブ(Nb20.)または三二酸化ランタン(
La203)を添加した場合、得られる磁器のポアソン
比と焼成温度との関係を第8図に実線曲線で示す。
すなわち第8図において実線曲線12はミニ酸化ニオブ
(Nb205)を添加したもの、実線曲線13は三二酸
化ランタン(La203)を添加したものである。
(Nb205)を添加したもの、実線曲線13は三二酸
化ランタン(La203)を添加したものである。
この場合に・も、ミニ酸化ニオブ(Nb20.)、三二
酸化ランタン(La203)のいずれの添加も、0.3
7以上のポアソン比をもつ磁器を得るのに極めて有効で
あり、その場合に用いられるべき焼成温度は、1120
〜1280℃に限られるべきであることは、第8図曲線
12.13より明らかである。
酸化ランタン(La203)のいずれの添加も、0.3
7以上のポアソン比をもつ磁器を得るのに極めて有効で
あり、その場合に用いられるべき焼成温度は、1120
〜1280℃に限られるべきであることは、第8図曲線
12.13より明らかである。
以上、三二酸化ランタン(La203)添加の効果につ
いては、1モル多の場合についてのみ説明したが、0.
6〜3.0モルφの範囲での三二酸化ランタン(La2
03)の添加は、ミニ酸化ニオブ(Nb205)の場合
と同様、0.37以上のポアソン比を有するPb(Zr
X−Ti1−X )03固溶体磁器を与える。
いては、1モル多の場合についてのみ説明したが、0.
6〜3.0モルφの範囲での三二酸化ランタン(La2
03)の添加は、ミニ酸化ニオブ(Nb205)の場合
と同様、0.37以上のポアソン比を有するPb(Zr
X−Ti1−X )03固溶体磁器を与える。
第7図または第8図の実線にみられるように、同一添加
量の場合には、P b (Z r x・Ti□−X )
03磁器のポアソン比に与えるミニ酸化ニオブ(Nb2
0.)と三二酸化ランタン(La203)の単独添加の
効果はほとんど同じである。
量の場合には、P b (Z r x・Ti□−X )
03磁器のポアソン比に与えるミニ酸化ニオブ(Nb2
0.)と三二酸化ランタン(La203)の単独添加の
効果はほとんど同じである。
これより、ミニ酸化ニオブ(N b20s )添加物の
三二酸化ランタン(La203)による部分的等モル置
換、また逆に三二酸化ランタン(La203)添加物の
ミニ酸化ニオブ(Nb205)による部分的等モル置換
は、ポアソン比の増大の効果に、はとんど影響を与えな
いと予想される。
三二酸化ランタン(La203)による部分的等モル置
換、また逆に三二酸化ランタン(La203)添加物の
ミニ酸化ニオブ(Nb205)による部分的等モル置換
は、ポアソン比の増大の効果に、はとんど影響を与えな
いと予想される。
第8図中の破線曲線14は、0.5モルφのミニ酸化ニ
オブ(N bz Os )と0.5モル饅の三二酸化ラ
ンタン(La203)をP b (Z ro、52”0
48)03固溶体を加えた場合に得られる磁器のポアソ
ン比と焼成温度との関係を示したもので、この破線曲線
14は、1モル条五二酸化ニオブ(Nb20.)を添加
した場合の曲線12と、1モfiv係の三二酸化ランタ
ン(L’a203)を添加した場合の曲線13との間に
存在する。
オブ(N bz Os )と0.5モル饅の三二酸化ラ
ンタン(La203)をP b (Z ro、52”0
48)03固溶体を加えた場合に得られる磁器のポアソ
ン比と焼成温度との関係を示したもので、この破線曲線
14は、1モル条五二酸化ニオブ(Nb20.)を添加
した場合の曲線12と、1モfiv係の三二酸化ランタ
ン(L’a203)を添加した場合の曲線13との間に
存在する。
煩雑になるため、第8図中に記入していないが、ミニ酸
化ニオブ(Nb20.)と三二酸化ランタン(La20
3)を総量で1モル袈添加した場合の、ポアソン比と焼
成温度との関係を示す曲線はすべてが、1モル優五二酸
化ニオブ(Nb20.)添加に対する曲線12と1モル
饅三二酸化ランタン(La203)添加に対する曲線1
3との間に存在する。
化ニオブ(Nb20.)と三二酸化ランタン(La20
3)を総量で1モル袈添加した場合の、ポアソン比と焼
成温度との関係を示す曲線はすべてが、1モル優五二酸
化ニオブ(Nb20.)添加に対する曲線12と1モル
饅三二酸化ランタン(La203)添加に対する曲線1
3との間に存在する。
これより、P b (Z rX@ T il z
) 03固溶体磁器のポアソン比におよぼすミニ酸化ニ
オブ(Nb20.)と三二酸化ランタン(La203)
の組合わせの添加は、合計の添加量が同じである限り、
ミニ酸化ニオブ(Nb205)単独の添加、または三二
酸化ランタン(La203)単独の添加とほとんど同じ
効果をもつことは明らかである。
) 03固溶体磁器のポアソン比におよぼすミニ酸化ニ
オブ(Nb20.)と三二酸化ランタン(La203)
の組合わせの添加は、合計の添加量が同じである限り、
ミニ酸化ニオブ(Nb205)単独の添加、または三二
酸化ランタン(La203)単独の添加とほとんど同じ
効果をもつことは明らかである。
以上実施例を用いて説明したように、
P b (Z rz e T 11−X ) 03固
溶体(ただしX二0.49〜0.53)にミニ酸化ニオ
ブ(Nb205)と三二酸化ランタン(La203)の
少くとも一つを、総量で0.6〜2.5モル多添加し、
1160〜1260℃で焼成するという本発明の方法は
、0.37をこえ0.395に達する高いポアソン比を
有する圧電磁器を与え、これにより、厚みたて振動形エ
ネルギとじこめ共振子の構成が容易となり、発振子、フ
ィルタなどとして、エレクトロニクスの多くの分野で利
用できるという、工業上の顕著な効果を有するものであ
る。
溶体(ただしX二0.49〜0.53)にミニ酸化ニオ
ブ(Nb205)と三二酸化ランタン(La203)の
少くとも一つを、総量で0.6〜2.5モル多添加し、
1160〜1260℃で焼成するという本発明の方法は
、0.37をこえ0.395に達する高いポアソン比を
有する圧電磁器を与え、これにより、厚みたて振動形エ
ネルギとじこめ共振子の構成が容易となり、発振子、フ
ィルタなどとして、エレクトロニクスの多くの分野で利
用できるという、工業上の顕著な効果を有するものであ
る。
第1図は、匈以上のポアソン比を有する無限板の厚みた
て振動に対する分散曲線、すなわち周波数と伝搬定数と
の関係を示す曲線図、第2図は無限板に部分電極を設け
た状態を示す側面図、第3図は、匈以上のポアソン比を
もつ圧電磁器板におけるエネルギとじこめ現象の説明の
ための分散曲線、第4図は、い以下のポアソン比をもつ
圧電磁器板に対する分散曲線、第5図は P b (Z rX−T l 1−X ) 03固溶
体に1モル条のミニ酸化ニオブ(Nb20.)を加えた
ときと加えないときの、得られる磁器のポアソン比の組
成X輩存性の比較図、第6図は、Pb(Zro、s2T
10,48 ) o33固溶にミニ酸化ニオブ(Nb
20.)を加えた磁器のポアソン比とミニ酸化ニオブ(
Nb205)の添加量との関係を示す曲線図、第7図1
tl Pb (Z r□、5 − T iO,5) 0
3固溶体に5種の添加物を単独に各1モル優加えた場合
の、ポアソン比と焼成温度との関係を示す曲線図、第8
図は、Pb (Z rO152# T io、、8)
03固溶体に、ミニ酸化ニオブ(Nb20.)と三二酸
化ランタン(La203)を単独で、あるいは組合わせ
て添加した磁器のポアソン比と焼aa度との関係を示す
曲線図である。
て振動に対する分散曲線、すなわち周波数と伝搬定数と
の関係を示す曲線図、第2図は無限板に部分電極を設け
た状態を示す側面図、第3図は、匈以上のポアソン比を
もつ圧電磁器板におけるエネルギとじこめ現象の説明の
ための分散曲線、第4図は、い以下のポアソン比をもつ
圧電磁器板に対する分散曲線、第5図は P b (Z rX−T l 1−X ) 03固溶
体に1モル条のミニ酸化ニオブ(Nb20.)を加えた
ときと加えないときの、得られる磁器のポアソン比の組
成X輩存性の比較図、第6図は、Pb(Zro、s2T
10,48 ) o33固溶にミニ酸化ニオブ(Nb
20.)を加えた磁器のポアソン比とミニ酸化ニオブ(
Nb205)の添加量との関係を示す曲線図、第7図1
tl Pb (Z r□、5 − T iO,5) 0
3固溶体に5種の添加物を単独に各1モル優加えた場合
の、ポアソン比と焼成温度との関係を示す曲線図、第8
図は、Pb (Z rO152# T io、、8)
03固溶体に、ミニ酸化ニオブ(Nb20.)と三二酸
化ランタン(La203)を単独で、あるいは組合わせ
て添加した磁器のポアソン比と焼aa度との関係を示す
曲線図である。
Claims (1)
- I P b (Z rx −T tl −z )
03なる組成物(ただしx=0.49〜0.53)に、
ミニ酸化ニオブ(Nb205)と三二酸化ランタン(L
a203)の少くとも一つを、0.5〜3.0モルφ加
え、1160〜1260℃で焼成することを特徴とする
、エネルギーとじこめ形共振子用圧電磁器材料の製造法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP49079581A JPS5858828B2 (ja) | 1974-07-09 | 1974-07-09 | エネルギ−とじこめ形共振子用圧電磁器材料の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP49079581A JPS5858828B2 (ja) | 1974-07-09 | 1974-07-09 | エネルギ−とじこめ形共振子用圧電磁器材料の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS518599A JPS518599A (en) | 1976-01-23 |
| JPS5858828B2 true JPS5858828B2 (ja) | 1983-12-27 |
Family
ID=13693939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP49079581A Expired JPS5858828B2 (ja) | 1974-07-09 | 1974-07-09 | エネルギ−とじこめ形共振子用圧電磁器材料の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5858828B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6586861B2 (en) | 1998-11-12 | 2003-07-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Film bulk acoustic wave device |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4506187B2 (ja) * | 2004-02-09 | 2010-07-21 | 株式会社村田製作所 | 圧電磁器組成物および圧電素子 |
-
1974
- 1974-07-09 JP JP49079581A patent/JPS5858828B2/ja not_active Expired
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| NATIONAL TECHNICAL REPORT=1974 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6586861B2 (en) | 1998-11-12 | 2003-07-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Film bulk acoustic wave device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS518599A (en) | 1976-01-23 |
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