JPS585958A - 冷光レフレクタを有するエリプソイドレフレクタハロゲンランプおよびその製法 - Google Patents
冷光レフレクタを有するエリプソイドレフレクタハロゲンランプおよびその製法Info
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- JPS585958A JPS585958A JP57102346A JP10234682A JPS585958A JP S585958 A JPS585958 A JP S585958A JP 57102346 A JP57102346 A JP 57102346A JP 10234682 A JP10234682 A JP 10234682A JP S585958 A JPS585958 A JP S585958A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は冷光レフレクタを有するエリシソイドレフレク
タハロゲンランプに関する。
タハロゲンランプに関する。
このランプの冷光レフレクタはミラ一層を蒸着した圧縮
成形ガラスからなるエリプソイド形ガラス笠である。ミ
ラ一層は層ごとに入／４の光学厚さを有する薄膜系およ
び付加的に可能な他の光学厚さの補償層↑ある。、波長
は冷光ミラーのスペクトル特性に適合する。薄膜は蒸着
される。蒸着はガス分散法または高真空法〒行われる。
成形ガラスからなるエリプソイド形ガラス笠である。ミ
ラ一層は層ごとに入／４の光学厚さを有する薄膜系およ
び付加的に可能な他の光学厚さの補償層↑ある。、波長
は冷光ミラーのスペクトル特性に適合する。薄膜は蒸着
される。蒸着はガス分散法または高真空法〒行われる。
薄膜ばＺｎＳおよびＭｇ’Ｆ’２またはＺｎＳおよび反
応蒸着（＝よって発生するＳｉＯの酸化物（Ｓ１０□。
応蒸着（＝よって発生するＳｉＯの酸化物（Ｓ１０□。
よび最後の層はＺｎＳおよびＭｇＦ２の場合ＺｎＳ−６
あり、ＺｎＥＩおよびｓｉｏの場合両方の材料が可能で
ある。
あり、ＺｎＥＩおよびｓｉｏの場合両方の材料が可能で
ある。
蒸着材料ＺｎＳおよびＭｇ’Ｆ２またはＺｎＳおよびＳ
ｉＯからなる層は“軟層°と称される。この層は熱負荷
≧６７０にのランプ動作条件ｆはその寿命が非常に制限
され、ランプ動作の際の熱負荷が平均６７０に−Ｔ％は
１００時間後、７２０に〒は２５時間後に使用不可能に
なる。
ｉＯからなる層は“軟層°と称される。この層は熱負荷
≧６７０にのランプ動作条件ｆはその寿命が非常に制限
され、ランプ動作の際の熱負荷が平均６７０に−Ｔ％は
１００時間後、７２０に〒は２５時間後に使用不可能に
なる。
本発明の目的は前記のエリシソイドレフレクタハロゲン
ランプにおいて熱負荷の際の冷光レフレクタの寿命を改
善することである。
ランプにおいて熱負荷の際の冷光レフレクタの寿命を改
善することである。
この目的は薄膜系がＳｉＯ３からなる保護層を備えるこ
とによって解決される。この保護層の厚さは５〜１２μ
ｍである。この保護層により前記ランプの冷光レフレク
タの寿命は公知レフレクタに比してＳＯＯ時間以上改善
さ第１る。ミラー化のため付加的にＩＲ波長領域の透過
性が改善さねる。保護層は冷光レフレクタを５ｉｏ２−
溶液へ浸漬することにより、または５１ｏ２−溶液めス
次に実施例を図面により説明する。
とによって解決される。この保護層の厚さは５〜１２μ
ｍである。この保護層により前記ランプの冷光レフレク
タの寿命は公知レフレクタに比してＳＯＯ時間以上改善
さ第１る。ミラー化のため付加的にＩＲ波長領域の透過
性が改善さねる。保護層は冷光レフレクタを５ｉｏ２−
溶液へ浸漬することにより、または５１ｏ２−溶液めス
次に実施例を図面により説明する。
エリプソイドレ７−レクタハロゲンランプｌの圧縮成形
ガラスからなるエリプソイド形ガラス笠２はＺｎＳおよ
びＭｇＦ２の交互に被覆した薄層からなる薄膜系３を有
する。第１層および最後の層はＺｎＳからなる（第１お
よび２図）１．冷光ミ＋ ４ ラ一層は１９−２層を有する２つの層・ξツクの形にガ
ス分散法により、ガラス笠２に蒸着させる。薄膜系３は
厚さ約１０μｍのｓｉｏ２層４で被覆される。この保護
層４は浸漬により被覆する。
ガラスからなるエリプソイド形ガラス笠２はＺｎＳおよ
びＭｇＦ２の交互に被覆した薄層からなる薄膜系３を有
する。第１層および最後の層はＺｎＳからなる（第１お
よび２図）１．冷光ミ＋ ４ ラ一層は１９−２層を有する２つの層・ξツクの形にガ
ス分散法により、ガラス笠２に蒸着させる。薄膜系３は
厚さ約１０μｍのｓｉｏ２層４で被覆される。この保護
層４は浸漬により被覆する。
蒸着後（ＺｎＳおよびＭｇＦ２薄膜設置）後、ここまで
完成した冷光レフレクタを８１０２浸漬浴へ浸漬する。
完成した冷光レフレクタを８１０２浸漬浴へ浸漬する。
浸漬および浸漬浴からの取出は約２６−一の一定速度で
行われる。レフレクタのネック部まで浸漬する。この場
合ガラス笠２の外表面もぬらされ、それによって外側Ｓ
ｉＯ□層４′が形成される。初めまだ流動性のＳｉＯ３
層は浸漬後室温で約１０分前乾燥し、続いて加熱により
硬化させる。
行われる。レフレクタのネック部まで浸漬する。この場
合ガラス笠２の外表面もぬらされ、それによって外側Ｓ
ｉＯ□層４′が形成される。初めまだ流動性のＳｉＯ３
層は浸漬後室温で約１０分前乾燥し、続いて加熱により
硬化させる。
第１図は本発明によるエリシソイドレフレクタハロゲン
ランプの縦断面図、第２図はレフレクタ１部の断面図１
ある。 ２・・・ガラス笠、３・・・薄膜系、４・・・８１０２
層ＦＩＧ、 Ｉ ＦＩＧ、 ２
ランプの縦断面図、第２図はレフレクタ１部の断面図１
ある。 ２・・・ガラス笠、３・・・薄膜系、４・・・８１０２
層ＦＩＧ、 Ｉ ＦＩＧ、 ２
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 ＺｎＳおよびＭｇＦ２またはＺｎＳおよび８ｉ
０の蒸着（二よってエリプソイド形ガラス笠へ被覆した
薄層の薄膜系からなる冷光レフレクタを有 ３するエリ
シソイドレフレクタハロゲンランプにおいて、この薄膜
系（３）がＳ ｉＯ２からなる保護層（４）で蔽われて
いることを特徴とする冷光レフレクタを有するエリシソ
イドレフレクタハロゲンランプ。 ２ ガラス笠（２）が圧縮成形ガラスからなる特許請求
の範囲第１項記載のランプ。 ３、 ＺｎＳおよびＭｇＦ、、またはＺｎ８およびＳ
ｉＯの蒸着によってエリプソイド形ガラス笠へ被偵した
薄層の薄膜系からなる冷光レフレクタを有するエリシソ
イドレフレクタハロゲンランプの製法ＳｉＯからなる薄
膜を蒸着した後、薄膜系（３片有するガラス笠（２）を
ＳｉＯ２溶液へ浸漬し、または５ｉｎ２溶液をスプレー
し、このように設けた被覆を次に加熱して硬化させ、硬
い８１０２ 層（４１４）を形成することを特徴とす
る冷光レフレクタを有するエリプソイドレフレクタハロ
ゲンランプの製法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE31252672 | 1981-06-26 | ||
| DE19813125267 DE3125267A1 (de) | 1981-06-26 | 1981-06-26 | Halogenellipsoidreflektorlampe mit kaltlichtreflektor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS585958A true JPS585958A (ja) | 1983-01-13 |
Family
ID=6135481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57102346A Pending JPS585958A (ja) | 1981-06-26 | 1982-06-16 | 冷光レフレクタを有するエリプソイドレフレクタハロゲンランプおよびその製法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0068428B1 (ja) |
| JP (1) | JPS585958A (ja) |
| DE (2) | DE3125267A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0250906U (ja) * | 1988-10-05 | 1990-04-10 |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US4755711A (en) * | 1986-07-07 | 1988-07-05 | Gte Products Corporation | Electric lamp with ceramic reflector |
| JPH0786568B2 (ja) * | 1987-03-25 | 1995-09-20 | 東芝ライテック株式会社 | 光源装置 |
| DE8906986U1 (de) * | 1989-06-07 | 1989-07-27 | BLV Licht- und Vakuumtechnik GmbH, 8019 Steinhöring | Lampeneinheit mit einer elektrischen Lampe |
| US5016152A (en) * | 1989-09-21 | 1991-05-14 | Fiberstars, Inc. | Focused light source and method |
| US5143445A (en) * | 1989-10-10 | 1992-09-01 | General Electric Company | Glass reflectors lpcvd coated with optical interference film |
| US5170291A (en) * | 1989-12-19 | 1992-12-08 | Leybold Aktiengesellschaft | Coating, composed of an optically effective layer system, for substrates, whereby the layer system has a high anti-reflective effect, and method for manufacturing the coating |
| DE3941797A1 (de) * | 1989-12-19 | 1991-06-20 | Leybold Ag | Belag, bestehend aus einem optisch wirkenden schichtsystem, fuer substrate, wobei das schichtsystem insbesondere eine hohe antireflexwirkung aufweist, und verfahren zur herstellung des belags |
| DE3941796A1 (de) * | 1989-12-19 | 1991-06-20 | Leybold Ag | Belag, bestehend aus einem optisch wirkenden schichtsystem, fuer substrate, wobei das schichtsystem insbesondere eine hohe antireflexwirkung aufweist, und verfahren zur herstellung des belags |
| DE4021210A1 (de) * | 1990-07-03 | 1992-01-16 | Leuchtenfabrik Hans Juergen Br | Kaltlichtspiegelleuchte |
| DE4021798A1 (de) * | 1990-07-09 | 1992-02-06 | Heraeus Quarzglas | Infrarotstrahler mit geschuetzter reflexionsschicht und verfahren zu seiner herstellung |
| DE9017071U1 (de) * | 1990-12-18 | 1991-03-07 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH, 8000 München | Reflektorlampe |
| DE19608042A1 (de) * | 1996-03-02 | 1997-09-04 | Imab Stiftung | Einfache UV Filterlampe |
| US6471376B1 (en) * | 2000-08-17 | 2002-10-29 | General Electric Company | Increased life reflector lamps |
| ITMI20010352U1 (it) * | 2001-06-28 | 2002-12-30 | Sirrah S R L | Lampada dicroica a diffusione migliorata della radiazione luminosa |
| WO2008110988A2 (en) * | 2007-03-15 | 2008-09-18 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Electric lamp comprising light-absorbing layer |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH417997A (de) * | 1963-12-02 | 1966-07-31 | Le I Kinoinzhenerow | Verfahren zur Herstellung eines Interferenzspiegels |
-
1981
- 1981-06-26 DE DE19813125267 patent/DE3125267A1/de not_active Withdrawn
-
1982
- 1982-06-16 JP JP57102346A patent/JPS585958A/ja active Pending
- 1982-06-23 EP EP82105507A patent/EP0068428B1/de not_active Expired
- 1982-06-23 DE DE8282105507T patent/DE3266031D1/de not_active Expired
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0250906U (ja) * | 1988-10-05 | 1990-04-10 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3125267A1 (de) | 1983-01-13 |
| EP0068428A1 (de) | 1983-01-05 |
| EP0068428B1 (de) | 1985-09-04 |
| DE3266031D1 (en) | 1985-10-10 |
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