JPS5860951U - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS5860951U
JPS5860951U JP15604181U JP15604181U JPS5860951U JP S5860951 U JPS5860951 U JP S5860951U JP 15604181 U JP15604181 U JP 15604181U JP 15604181 U JP15604181 U JP 15604181U JP S5860951 U JPS5860951 U JP S5860951U
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JP
Japan
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semiconductor layer
semiconductor
semiconductor equipment
insulating film
groove portion
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JP15604181U
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敏彦 木原
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Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図乃至第３図はそれぞれ従来の半導体装置の素子構
造を示す断面図、第４図はこの考案の一実施例に係る半
導体装置の斜視図である。 ２１・・・・・・Ｐ型シリコン基板、２２・・・・・・
ｎ型ベース層、２３・・・・・・Ｐ型ベース層、２４・
・・・・・ｎ型エミツタ層、２７・・・・・・ｎ＋型層
（アニユラ・リング）、２Ｂ・・・・・−３ｉＯ７膜。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 一　　第一の半導体層を有する半導体基体と、前記第一
    の半導体層の表面近傍にリング状に設けられた該半導体
    層と同一導電型でかつ該半導体層より高濃度の第二の半
    導体層と、前記半導体基体上に設けられた絶縁膜と、前
    記絶縁膜の前記第二の半導体層に沿った領域に一部が該
    第二の半導体層に達つするように形成された溝部と、前
    記溝部に沿って配設された金属層とを具備したことを特
    徴とする半導体装置。
JP15604181U 1981-10-20 1981-10-20 半導体装置 Granted JPS5860951U (ja)

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JP15604181U JPS5860951U (ja) 1981-10-20 1981-10-20 半導体装置

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Publication Number Publication Date
JPS5860951U true JPS5860951U (ja) 1983-04-25
JPH0126114Y2 JPH0126114Y2 (ja) 1989-08-04

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ID=29948594

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019160927A (ja) * 2018-03-09 2019-09-19 新電元工業株式会社 半導体装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2019160927A (ja) * 2018-03-09 2019-09-19 新電元工業株式会社 半導体装置

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JPH0126114Y2 (ja) 1989-08-04

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