JPS5866330A - 電子ビ−ム描画系の位置補正方法 - Google Patents
電子ビ−ム描画系の位置補正方法Info
- Publication number
- JPS5866330A JPS5866330A JP56165133A JP16513381A JPS5866330A JP S5866330 A JPS5866330 A JP S5866330A JP 56165133 A JP56165133 A JP 56165133A JP 16513381 A JP16513381 A JP 16513381A JP S5866330 A JPS5866330 A JP S5866330A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- substrate
- mark
- drawn
- length measurement
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
- H01J37/3045—Object or beam position registration
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子ビーム描画に関し、その目的は、第１に被
描画基板を支持する可動ステージの位置を計測するため
に該ステージに取りつけられたレーザー測長系用反射鏡
構体部にマークを設け、また上記被描画基板にもマーク
を設け、これら二つのマークの位置を任意のはシ一定時
間々隔毎に電子ビームにより検出しレーザー測長系によ
り計測した位置変動を、制御システムにフィードバック
して補正することにより描画パターンの位置精度を向上
させる方法全提供するものである。更に第一 ２に電
子ビーム光学鏡筒最下端付近の位置変動を別のレーザー
測長系により計測して、前記二つのマーク位置から計測
された位置変動の値に補正を加えることによジ描画パタ
ーンの位置精度全画期的に向上させる方法をも提供する
ものである。
描画基板を支持する可動ステージの位置を計測するため
に該ステージに取りつけられたレーザー測長系用反射鏡
構体部にマークを設け、また上記被描画基板にもマーク
を設け、これら二つのマークの位置を任意のはシ一定時
間々隔毎に電子ビームにより検出しレーザー測長系によ
り計測した位置変動を、制御システムにフィードバック
して補正することにより描画パターンの位置精度を向上
させる方法全提供するものである。更に第一 ２に電
子ビーム光学鏡筒最下端付近の位置変動を別のレーザー
測長系により計測して、前記二つのマーク位置から計測
された位置変動の値に補正を加えることによジ描画パタ
ーンの位置精度全画期的に向上させる方法をも提供する
ものである。
以下本発明の方法を図面を用いて説明する。
第１図は本発明に用いる電子ビーム描画装置の主要部分
全概念的に示す側断面図である。１は電子光学鏡筒外壁
、２は描画室上壁、３は描画室ベースグレート、４はフ
ィラメントとウェネルトからなる電子銃、５は電子光学
系に対するビームの透過・遮断を制御するブランキング
電極、６はコン７ ／ ｆ Ｌ／ ７ Ｘ’、 ７
ハＭ少投影レンズ、８，９は筒１ｏに支えられた偏向電
極、１１は後方散乱電子検出器で、筒１ｏに支えられて
いる。１２はたとえば半導体基板あるいは半導体用のフ
ォトマスクとなる基板等の被描画基板、１３は基板全保
持する金属製カセットで、金属製可動ステージ１４に保
持されている。ステージ１４はモーター１５、送りネジ
１６によって勤かされ、その移動量は２波長レーザー光
束１７と干渉計１８、反射鏡１９５１、− ・ 等よフなる周知の測長系にて計測される。別のレーザー
干渉計２１と、笥１ｏに固定された反射鏡２２によって
、電子光学系の機械的光軸の位置変動が検出される。
全概念的に示す側断面図である。１は電子光学鏡筒外壁
、２は描画室上壁、３は描画室ベースグレート、４はフ
ィラメントとウェネルトからなる電子銃、５は電子光学
系に対するビームの透過・遮断を制御するブランキング
電極、６はコン７ ／ ｆ Ｌ／ ７ Ｘ’、 ７
ハＭ少投影レンズ、８，９は筒１ｏに支えられた偏向電
極、１１は後方散乱電子検出器で、筒１ｏに支えられて
いる。１２はたとえば半導体基板あるいは半導体用のフ
ォトマスクとなる基板等の被描画基板、１３は基板全保
持する金属製カセットで、金属製可動ステージ１４に保
持されている。ステージ１４はモーター１５、送りネジ
１６によって勤かされ、その移動量は２波長レーザー光
束１７と干渉計１８、反射鏡１９５１、− ・ 等よフなる周知の測長系にて計測される。別のレーザー
干渉計２１と、笥１ｏに固定された反射鏡２２によって
、電子光学系の機械的光軸の位置変動が検出される。
第２図は、位置測定系を概念的に説明する平面図で、１
次元増えた分たけレーザー光束２３，２５、レーザー干
渉計２４．２８が第１図よりは追加されている。つまフ
、第１図示の電子ビーム描画系は２次元の位置移動を測
定し得るものである。電子ビーム描画システムでは以上
に述べた電子光学系主要部分とステージ移動、およびそ
の測長系がすべてコンピュータシステムによって制御さ
れ、予め用意されたパターンデーターの通りにステージ
移動と電子ビームのブランキング・偏向を組合せて描画
するものである。
次元増えた分たけレーザー光束２３，２５、レーザー干
渉計２４．２８が第１図よりは追加されている。つまフ
、第１図示の電子ビーム描画系は２次元の位置移動を測
定し得るものである。電子ビーム描画システムでは以上
に述べた電子光学系主要部分とステージ移動、およびそ
の測長系がすべてコンピュータシステムによって制御さ
れ、予め用意されたパターンデーターの通りにステージ
移動と電子ビームのブランキング・偏向を組合せて描画
するものである。
然し実際の装置においては、第１図に示す主要部分の温
度変化による機械的位置変動、電子光学系の電気的変化
によるビーム光軸の位置変動を伴うのが普通である。本
発明はこれら゛の変動の検出およびその変動に伴なう誤
差の補正について新規６１．１、 の方法を提供するものである。
度変化による機械的位置変動、電子光学系の電気的変化
によるビーム光軸の位置変動を伴うのが普通である。本
発明はこれら゛の変動の検出およびその変動に伴なう誤
差の補正について新規６１．１、 の方法を提供するものである。
第２図で１ｊはレーザービーム反射鏡１９０反射面とは
ゾ９０度をなす面に形成された電子ビーム検出用マーク
であり、Ｂ１は被描画基板１２の表面に形成された電子
ビーム検出用マークである。
ゾ９０度をなす面に形成された電子ビーム検出用マーク
であり、Ｂ１は被描画基板１２の表面に形成された電子
ビーム検出用マークである。
０点は電子ビーム光学系の光軸（偏向電極電圧が２次元
方向に対して共に零のとき）が上記被描画基板１２の面
と交差する位置である。即ち、ム１゜Ｂ１ の位置は、
それらのマークをステージの移動操作によって、Ｃの付
近に移動させたためのレーザー光束のドプラーシフトの
積分値と、更扛電子ビームで走査したときにマークの検
出された偏向電圧の位置換算値の和（または差）として
計測される。
方向に対して共に零のとき）が上記被描画基板１２の面
と交差する位置である。即ち、ム１゜Ｂ１ の位置は、
それらのマークをステージの移動操作によって、Ｃの付
近に移動させたためのレーザー光束のドプラーシフトの
積分値と、更扛電子ビームで走査したときにマークの検
出された偏向電圧の位置換算値の和（または差）として
計測される。
このように計測される値の成る一定の時間々隅肉の変動
要因素として、ムラマークについては、同マークが反射
鏡の反射面に対して変動する量δ１と、電子光学系の光
軸の位置の機械的原因に基づく変動量δ。および電気的
原因に基づく変動量εがある。Ｂ１マークについては、
上記電子光学系の光の反射面に対して変動する量δ２か
らなっている。
要因素として、ムラマークについては、同マークが反射
鏡の反射面に対して変動する量δ１と、電子光学系の光
軸の位置の機械的原因に基づく変動量δ。および電気的
原因に基づく変動量εがある。Ｂ１マークについては、
上記電子光学系の光の反射面に対して変動する量δ２か
らなっている。
また、上記マークＡ１と８１の間隔については、従って
、δ１とＢ２との両変動量が相互に関与する。
、δ１とＢ２との両変動量が相互に関与する。
これらの変動量を測定して描画パターン位置を補正しよ
うとするときの蜀題は、各測定において上記変動要因中
−の各変動量を分離でき々いことと一つの測定の中に含
まれる複数の変動量が殆んど独立した要因に支配されて
いることにある。従ってより高精度の補正を行うために
は、測定の時間間隔を極端に短くすることも、ひとつの
方策であるが、これは描画装置の生産能力の低下を斉ら
すので実用上は不適当であり、あまり意味がない。
うとするときの蜀題は、各測定において上記変動要因中
−の各変動量を分離でき々いことと一つの測定の中に含
まれる複数の変動量が殆んど独立した要因に支配されて
いることにある。従ってより高精度の補正を行うために
は、測定の時間間隔を極端に短くすることも、ひとつの
方策であるが、これは描画装置の生産能力の低下を斉ら
すので実用上は不適当であり、あまり意味がない。
本発明は、上述の各変動要因が出来るたけ小さくなるよ
うに関連諸条件を抑え、描画装置の生産能力を実際上殆
んど低下させずに高精度の補正を行うようにするもので
ある。
うに関連諸条件を抑え、描画装置の生産能力を実際上殆
んど低下させずに高精度の補正を行うようにするもので
ある。
電子ビーム描画装置の器壁を厳密に（は＼１／１ｏｏ℃
程度に）温度制御すれば、第１図示装置の描画室上壁２
とベースグレート３の相対的伸通常の描画操作期間、す
なわち、１０分ないし３０分程度以下の期間に生ずる上
記マークム１の変動量δＣは０．１μｍ程度に抑え得る
ことが期待できる。また、この程度の期間内であれば、
変動量εも０．１μｍ程度に抑え得ることが期待できる
。
程度に）温度制御すれば、第１図示装置の描画室上壁２
とベースグレート３の相対的伸通常の描画操作期間、す
なわち、１０分ないし３０分程度以下の期間に生ずる上
記マークム１の変動量δＣは０．１μｍ程度に抑え得る
ことが期待できる。また、この程度の期間内であれば、
変動量εも０．１μｍ程度に抑え得ることが期待できる
。
金属製ステージの移動運動に伴うステージ１４の温度要
因による変動、金属製カセット１３の温度要因による変
動は描画室外から制御することは殆んど不可能であり、
またカセット１３がステージ１４に保持される支点はカ
セットを交換する毎に変動するものとみなければならな
い。従って上記マークＢ１の変動量δ２は、普通には、
０．１μｍ程度以上になりうるものである。反射鏡構体
部に付したマークム１の位置の変動量δ、についてみる
と、反射鏡は、普通硬質ガラスを主要材質として作られ
るので、この変動量δ１ は無視しうるほどに微小であ
る。
因による変動、金属製カセット１３の温度要因による変
動は描画室外から制御することは殆んど不可能であり、
またカセット１３がステージ１４に保持される支点はカ
セットを交換する毎に変動するものとみなければならな
い。従って上記マークＢ１の変動量δ２は、普通には、
０．１μｍ程度以上になりうるものである。反射鏡構体
部に付したマークム１の位置の変動量δ、についてみる
と、反射鏡は、普通硬質ガラスを主要材質として作られ
るので、この変動量δ１ は無視しうるほどに微小であ
る。
以上を要約すると、本発明ではレーザー測長系の反射鏡
構体部に電子ビーム検出用マークム１ｆ！：付し、被描
画基板上のマークＢ１七上記ム１の間隔省測定し、ム１
に対する基板位置ｉ１０分ないし３０分程度以内のは
Ｘ゛一定の時間々隔で補正するので、電子ビーム描画装
置の外壁温度を前記の如くにがなり厳密に制御すること
により、描画位置に対する変動は、電子光学系の変動量
（δＣ十ε）に支配されるのみとなる。したがって、本
発明の方法によると、０．２μＩ１１以下のパターン位
置精度が得られる。
構体部に電子ビーム検出用マークム１ｆ！：付し、被描
画基板上のマークＢ１七上記ム１の間隔省測定し、ム１
に対する基板位置ｉ１０分ないし３０分程度以内のは
Ｘ゛一定の時間々隔で補正するので、電子ビーム描画装
置の外壁温度を前記の如くにがなり厳密に制御すること
により、描画位置に対する変動は、電子光学系の変動量
（δＣ十ε）に支配されるのみとなる。したがって、本
発明の方法によると、０．２μＩ１１以下のパターン位
置精度が得られる。
これに対して、従来実施されているように、電子ビーム
検出用ワイヤ番マーク付のファラデイカツブを、たとえ
ば、第２図中のステージ１３の上の位置の付近に設置し
て、Ｄの位置の検出・補正のみによって描画パターン位
置を補正する方法で社、上記ステージ１３上の位置りと
反射鏡の反射面との間隔について１０分ないし３０分間
の時間間隔での変動は０．１μｍ以上の無視しえない量
となり、また上記ステージ上の位置りに対する基板１２
の位置の変動は９１μｍ以上の無視しえない量となるの
で、かかる方法でのパターン位置精度１０、。
検出用ワイヤ番マーク付のファラデイカツブを、たとえ
ば、第２図中のステージ１３の上の位置の付近に設置し
て、Ｄの位置の検出・補正のみによって描画パターン位
置を補正する方法で社、上記ステージ１３上の位置りと
反射鏡の反射面との間隔について１０分ないし３０分間
の時間間隔での変動は０．１μｍ以上の無視しえない量
となり、また上記ステージ上の位置りに対する基板１２
の位置の変動は９１μｍ以上の無視しえない量となるの
で、かかる方法でのパターン位置精度１０、。
は、０．２μｍをこえるものとなっていた、したがって
、精度を向上させるには、たとえば、測定時間々隔の短
縮、器壁温度制御対策、ステージ温度の安定化対策、別
の面からの厳しい対策が必要となる。
、精度を向上させるには、たとえば、測定時間々隔の短
縮、器壁温度制御対策、ステージ温度の安定化対策、別
の面からの厳しい対策が必要となる。
一方、別途、従来実施されているように１０分ないし３
０分程度の時間々隔でマークＢ１の位置変動のみを検出
し補正を加える方法もあるが、これによっても、前記の
δＣ１ε、δ２の分離できない変動量ならびにδ１．Ｂ
２の分離できない変動量を扱っているので、上記時間の
範囲内では少くとも０．２μｉａｆ：こえる無視しえな
い誤差を伴うことは避けられないのが実情であった。
０分程度の時間々隔でマークＢ１の位置変動のみを検出
し補正を加える方法もあるが、これによっても、前記の
δＣ１ε、δ２の分離できない変動量ならびにδ１．Ｂ
２の分離できない変動量を扱っているので、上記時間の
範囲内では少くとも０．２μｉａｆ：こえる無視しえな
い誤差を伴うことは避けられないのが実情であった。
したがって、本発明の方法は、上述の従来方法に比較し
て優位性のあることが明白である。
て優位性のあることが明白である。
本発明の第２の方法は、第１図および第２図に示すよう
に、ステージ測長系の他に更に、電子ビーム鏡筒最下端
付近の位置変動を検出する測長系を設けることである。
に、ステージ測長系の他に更に、電子ビーム鏡筒最下端
付近の位置変動を検出する測長系を設けることである。
鏡筒最下端部の筒１ｏに付設した反射鏡２２．干渉計２
１．２６によってこ１１、、−１ れがなされ、前記変動要素δＣまたはこれに相関した量
が検出される。ム１の変動量の中で残るのは無視しうる
ほどに微小なδ１ と、通常は測定不可能なεである。
１．２６によってこ１１、、−１ れがなされ、前記変動要素δＣまたはこれに相関した量
が検出される。ム１の変動量の中で残るのは無視しうる
ほどに微小なδ１ と、通常は測定不可能なεである。
従って１、斯くしてはじめてεを明確に計測し、補正で
きることになる。ム１に対するＢ１ 位置の計測と補
正は先に述べた通りである従って、本発明の第２の方法
によれば、描画装置の外壁温度の制御が０．１℃ないし
０．２℃程度に緩くしても、描画パターン位置精度は０
．１μ閣程度またはそれ以下に保つことができる。
きることになる。ム１に対するＢ１ 位置の計測と補
正は先に述べた通りである従って、本発明の第２の方法
によれば、描画装置の外壁温度の制御が０．１℃ないし
０．２℃程度に緩くしても、描画パターン位置精度は０
．１μ閣程度またはそれ以下に保つことができる。
以上の説明においては計測系の量子雑音、検出用マーク
の出来・不出来などによる誤差は共通の問題として省い
た。また、被描画基板上に一定間隔で多数並べられたマ
ークを基準として描画する場合、即ち半導体結晶基板の
いわゆる直接描画の場合は本発明の適用対象外である。
の出来・不出来などによる誤差は共通の問題として省い
た。また、被描画基板上に一定間隔で多数並べられたマ
ークを基準として描画する場合、即ち半導体結晶基板の
いわゆる直接描画の場合は本発明の適用対象外である。
然し、このような描画法を行うための上記多数のマーク
を基板きる。
を基板きる。
本発明の適用にあたっては、反射鏡に付加するマークム
１ を、反射鏡の反射面と９０度をなす面上に直接に形
成する代りに、別のガラス薄板上に真空蒸着とホトエツ
チングによって例えばクロムと金の二重膜の十字形また
はＬ字形のマーク全形成し、このマーク基板を反射鏡側
面に貼りつける。 のが最も実用的である。また、か
がるマーク基板は、シリコンのように低膨張率の板にホ
トエツチングにより１μｍ程度の深ての十字形またはＬ
字形マークを形成し、これを同様に反射鏡側面に貼りつ
け七もよい。さらに、第２図に示す如くに、これらマー
ク基板２７ｔ−ステージ１４の表面の一部をおおうまで
張出し、この張出し部にマークム２を設けてもよい。こ
のようにすれば、同マークム１を検出するためのステー
ジ１４の移動量が小さくてよく、これによって、レーザ
ー干渉計１８と２１の間隔、２４と２６の間隔を広くと
れるという実際の構成上の便宜がはかられる。なおマー
ク基板は電流の流出を可能とするために第２図２８に示
す如くに導通ａが必要であることは云うまでもないＯ １３７，−、。
１ を、反射鏡の反射面と９０度をなす面上に直接に形
成する代りに、別のガラス薄板上に真空蒸着とホトエツ
チングによって例えばクロムと金の二重膜の十字形また
はＬ字形のマーク全形成し、このマーク基板を反射鏡側
面に貼りつける。 のが最も実用的である。また、か
がるマーク基板は、シリコンのように低膨張率の板にホ
トエツチングにより１μｍ程度の深ての十字形またはＬ
字形マークを形成し、これを同様に反射鏡側面に貼りつ
け七もよい。さらに、第２図に示す如くに、これらマー
ク基板２７ｔ−ステージ１４の表面の一部をおおうまで
張出し、この張出し部にマークム２を設けてもよい。こ
のようにすれば、同マークム１を検出するためのステー
ジ１４の移動量が小さくてよく、これによって、レーザ
ー干渉計１８と２１の間隔、２４と２６の間隔を広くと
れるという実際の構成上の便宜がはかられる。なおマー
ク基板は電流の流出を可能とするために第２図２８に示
す如くに導通ａが必要であることは云うまでもないＯ １３７，−、。
第２図でレーザー測長系の一要素をなす反射鏡１９は２
次元の方向に対して１個で済むようにＬ字形の形状にな
っているが、仁れが２個に分割されたものであってもよ
い。その際は各反射鏡にマークを付加しなければならな
い。これらム１あるいはム２に相当するマークは、何れ
の場合にも２個以上付加してもよい。その際は、２個以
上のマークの計測によって時間経過に伴う反射鏡の水平
面内の傾斜を計測し、この傾斜に伴う位置測定の誤差を
補正することもできる。これは通常２次的な補正であジ
、その量が大きいときは警戒すべきである。
次元の方向に対して１個で済むようにＬ字形の形状にな
っているが、仁れが２個に分割されたものであってもよ
い。その際は各反射鏡にマークを付加しなければならな
い。これらム１あるいはム２に相当するマークは、何れ
の場合にも２個以上付加してもよい。その際は、２個以
上のマークの計測によって時間経過に伴う反射鏡の水平
面内の傾斜を計測し、この傾斜に伴う位置測定の誤差を
補正することもできる。これは通常２次的な補正であジ
、その量が大きいときは警戒すべきである。
被描画基板１２の上のマークは、基板がクロムまたはク
ロムと酸化クロムの薄膜がガラス板上に付着されたいわ
ゆるハードマスク基板の場合には、予めホトエツチング
その他の方法によって十字形またはＬ字形マークを直接
にマスク基板上に設ければ、後方厳乱電子にょ今マーク
検出が可能であることは確めてあり、他の重金属膜のマ
ークを形成するまでもない。また、マークム２に関して
述１４゜ べたように別のマークＢ２ ｙ２設けたマーク基板小片
２９を基板１２に一時的に圧接しておいて、Ｂ１の代り
に使用することができる。
ロムと酸化クロムの薄膜がガラス板上に付着されたいわ
ゆるハードマスク基板の場合には、予めホトエツチング
その他の方法によって十字形またはＬ字形マークを直接
にマスク基板上に設ければ、後方厳乱電子にょ今マーク
検出が可能であることは確めてあり、他の重金属膜のマ
ークを形成するまでもない。また、マークム２に関して
述１４゜ べたように別のマークＢ２ ｙ２設けたマーク基板小片
２９を基板１２に一時的に圧接しておいて、Ｂ１の代り
に使用することができる。
被描画基板が半導体ウェハの場合には予めホトエツチン
グその他の方法により基板上に直接マークＩｈｆ形成し
ておけばよい。
グその他の方法により基板上に直接マークＩｈｆ形成し
ておけばよい。
ＢｌｉたはＢ２’ｉ２個以上設けることもできる。
さらに、それらの相対変動量を検知すれば、基板の回転
変動量をも見出すことができ、これにより、基板とカセ
ットまたはカセットとステージの間の保持の不安定を認
識することも可能である。
変動量をも見出すことができ、これにより、基板とカセ
ットまたはカセットとステージの間の保持の不安定を認
識することも可能である。
以上に述べた電子ビーム検出用マークの水平面は電子ビ
ームの焦点深度以内で被描画基板と同一の平面内にある
ように設計すればよいが、特定のマークの面のみ上記被
描画基板面より特定の距離内でズしていても、自動的に
焦点を調整できるようにしておけば、電子ビームによる
マ〜り検出は可能である。
ームの焦点深度以内で被描画基板と同一の平面内にある
ように設計すればよいが、特定のマークの面のみ上記被
描画基板面より特定の距離内でズしていても、自動的に
焦点を調整できるようにしておけば、電子ビームによる
マ〜り検出は可能である。
以上に述べた説明では、電子ビームの形状については触
れなかったが、スポットビーム、固定矩１６、、、。
れなかったが、スポットビーム、固定矩１６、、、。
形ビーム、可変面積ビームの何れにおいても、ビームの
形状−寸法はシステムにおいて制御されているので、本
発明の方法の適用には何れのビーム形状においても問題
はない。
形状−寸法はシステムにおいて制御されているので、本
発明の方法の適用には何れのビーム形状においても問題
はない。
以上詳細に説明したように、本発明は電子ビーム描画装
置において描画位置精度の向上を斉らす新規の方法を提
供するもので、あることは明らかであり、工業的意義を
斉らすことも明らかである。
置において描画位置精度の向上を斉らす新規の方法を提
供するもので、あることは明らかであり、工業的意義を
斉らすことも明らかである。
第１図は本発明の一実施例の方法に用−る電子ビーム描
画装置の主要部分を示す断面概念図、第２図は同装置の
位置測定系を示す平面概念図である。 １．２．３・・・・・・電子ビーム描画装置器壁、１２
・・・・・・被描画基板、１３・・・・・・金属製カセ
ット、１４・・・・・・金属製ステージ、１６・・・・
・・送りネジ、１７゜２０．２３．２６・・・・・・２
波長レーザー光束、１８゜２１．２４．２６・・・・・
・干渉計、１９．２２・・・・・・反射鏡、２７．２９
・・・・・・マーク用小基板、ム１．ム２゜Ｂｌ、Ｂ２
・・・・・・電子ビーム検出用マーク、０・・・・・・
電子光学系光軸位置、Ｄ・・・・−・ファラデーカップ
位置。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
１ 図 、２ 図 ｚｚＩθ
画装置の主要部分を示す断面概念図、第２図は同装置の
位置測定系を示す平面概念図である。 １．２．３・・・・・・電子ビーム描画装置器壁、１２
・・・・・・被描画基板、１３・・・・・・金属製カセ
ット、１４・・・・・・金属製ステージ、１６・・・・
・・送りネジ、１７゜２０．２３．２６・・・・・・２
波長レーザー光束、１８゜２１．２４．２６・・・・・
・干渉計、１９．２２・・・・・・反射鏡、２７．２９
・・・・・・マーク用小基板、ム１．ム２゜Ｂｌ、Ｂ２
・・・・・・電子ビーム検出用マーク、０・・・・・・
電子光学系光軸位置、Ｄ・・・・−・ファラデーカップ
位置。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
１ 図 、２ 図 ｚｚＩθ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）被描画基板を支持する可動ステージの位置を計測
するために該ステージに取りつけられた２次元のレーザ
ー測長系用反射鏡構体部に少くとも１個の電子ビーム検
出用のマーク、上記被描画基板に少くとも１個の電子ビ
ーム検出用のマークをそれぞれ設けて、これらのマーク
位置を任意のほぼ一定の時間々隔毎に前記電子ビームに
より検出するとともに、上記レーザー測長系によって計
測した位置変動を、基板位置制御系にフィードバックし
て補正することを特徴とする電子ビーム描画系の位置補
正方法。 ？） ステージに取９つけられた２次元のレーザー測長
系用反射鏡構体部に、少くとも１個の電子ビーム検出用
マークを設けられたマーク用の低膨張率の小基板を固着
させ、該マークを用いることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の２−１゜ 電子ビーム描画系の位置補正方法。 （３）少くとも１個の電子ビーム検出用マークを設けら
れたマーク用の低膨張率の小基板を被描画基板に隣接し
て一時的に該基板に固定し、該マークを用いることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子ビーム描画系
の位置補正方法。 （４２次元のレーザー測長光用反射鏡に２個の電子ビー
ム検出用のマークを設け、被描画基板に２個の電子ビー
ム検出用のマークを設け、前者によって２次元のレーザ
ー測長系の面角度の変動を補正し、後者によって被描画
基板とこれを保持するカセットの機械的安定度全監視す
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子ビ
ーム描画系の位置補正方法。 （６）被描画基板を支持する可動ステージの位置を計測
するための該ステージに取９つけられた第１の２次元の
レーザ測長系用反射鏡構体部に少くとも１個の電子ビー
ム検出用のマーク、上記被描画基板に少くとも１個の電
子ビーム検出用のマーク全それぞれ設けるとともに、電
子ビー３ ムの電子光学的光軸用筒部に反射鏡を付設して、該光軸
用筒部の位置を計測する第２の２次元レーザ測長系を設
け、上記各マーク位置を任意のほぼ一定の時間間隔毎に
電子ビームにより検出し、上記第１および第２のレーザ
測長系によって計測した位置変動全基板位置制御系にフ
ィードバックして補正することを特徴とする電子ビーム
描画系の位置補正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56165133A JPS5866330A (ja) | 1981-10-15 | 1981-10-15 | 電子ビ−ム描画系の位置補正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56165133A JPS5866330A (ja) | 1981-10-15 | 1981-10-15 | 電子ビ−ム描画系の位置補正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5866330A true JPS5866330A (ja) | 1983-04-20 |
| JPH0336298B2 JPH0336298B2 (ja) | 1991-05-31 |
Family
ID=15806522
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56165133A Granted JPS5866330A (ja) | 1981-10-15 | 1981-10-15 | 電子ビ−ム描画系の位置補正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5866330A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60254615A (ja) * | 1984-05-30 | 1985-12-16 | Toshiba Mach Co Ltd | 電子ビーム露光における温度測定方法 |
| JPS62173714A (ja) * | 1986-01-27 | 1987-07-30 | Toshiba Mach Co Ltd | 電子ビ−ム描画装置 |
| JPS62217686A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-25 | Toshiba Mach Co Ltd | レ−ザミラ−の位置変位補正方法 |
| JP2000252204A (ja) * | 1999-03-03 | 2000-09-14 | Nikon Corp | 基準マーク構造体、その製造方法及びそれを用いた荷電粒子線露光装置 |
-
1981
- 1981-10-15 JP JP56165133A patent/JPS5866330A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60254615A (ja) * | 1984-05-30 | 1985-12-16 | Toshiba Mach Co Ltd | 電子ビーム露光における温度測定方法 |
| JPS62173714A (ja) * | 1986-01-27 | 1987-07-30 | Toshiba Mach Co Ltd | 電子ビ−ム描画装置 |
| JPS62217686A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-25 | Toshiba Mach Co Ltd | レ−ザミラ−の位置変位補正方法 |
| JP2000252204A (ja) * | 1999-03-03 | 2000-09-14 | Nikon Corp | 基準マーク構造体、その製造方法及びそれを用いた荷電粒子線露光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0336298B2 (ja) | 1991-05-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6778260B2 (en) | Coordinate measuring stage and coordinate measuring instrument | |
| US6573516B2 (en) | Electron-beam lithography method and electron-beam lithography system | |
| US6018395A (en) | Alignment system | |
| US20210265129A1 (en) | Charged particle beam apparatus, sample alignment method of charged particle beam apparatus | |
| JP2009069151A (ja) | 座標測定器の移動要素の空間位置を決定するための手段及び方法 | |
| JP2960746B2 (ja) | ビーム照射方法および電子ビーム描画方法とビーム照射装置並びに電子ビーム描画装置 | |
| US8766215B2 (en) | Charged particle beam drawing apparatus and method of manufacturing article | |
| JP2000114137A (ja) | 電子ビーム露光装置及びアライメント方法 | |
| JP2013021215A (ja) | ビーム計測装置、描画装置、および物品の製造方法 | |
| US7397039B2 (en) | Real-time compensation of mechanical position error in pattern generation or imaging applications | |
| JPH0336298B2 (ja) | ||
| JPS6134936A (ja) | 電子線描画装置における試料面高さ補正方法 | |
| JP3790902B2 (ja) | ステージ構造体 | |
| JP3866782B2 (ja) | 電子ビーム露光装置及び露光方法 | |
| JPH04162337A (ja) | 電子線装置 | |
| JP3998931B2 (ja) | 走査型プローブ顕微鏡 | |
| JPH0613299A (ja) | 電子ビーム描画方法およびその描画装置 | |
| JP2004311659A (ja) | 荷電粒子線装置の調整方法及び荷電粒子線装置 | |
| JP3189451B2 (ja) | 基板位置合わせ方法 | |
| JPH0922859A (ja) | 電子線露光工程における試料面高さの補正方法 | |
| JP2536059B2 (ja) | 物体の表面状態測定装置及び表面の高さ測定装置 | |
| JP4256232B2 (ja) | 荷電ビーム描画方法と荷電ビーム描画装置 | |
| JP3847290B2 (ja) | ギャップ調節装置及び調節方法 | |
| JP3340495B2 (ja) | 電子線描画装置 | |
| JPH01193685A (ja) | 荷電ビーム入射角測定方法 |