JPS586683A - 固体撮像装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電荷転送素子を用いて構成された固体撮像装置
に関し、特に、受光部がフォト・ダイオード型の光電変
換素子で形成され、この受光部に得られた信号電荷が読
み出されて転送されていくようにされた固体撮像装置の
改良に関する。

電荷転送素子を用いた固体撮像装置、例えば、電荷結合
素子′（チャージ・カップルド魯デイノ（イス、以下Ｃ
ＯＤという。）を用いて構成されたＣＣＤ撮像装置には
、大別して、フレーム転送型とインターライ／転送型と
があり、夫々、その長所及び短所が考慮されて、必要に
応じた使い分けがなされている。両者間の特徴的な相違
の一つとして、感光部の違いがある。フレーム転送型Ｃ
ＣＤ撮像装置では、感光部がＣＣＤ群で構成され、感光
部ＣＣＤ群に得られた信号電荷は別のＣＣＤ群で構成さ
五た蓄積部へ転送される。一方、インｌ−ライン転送型
ＣＣＤ撮像装置では、感光部はフォト・ダイオード型の
受光素子部が配列されて構成され、各受光素子部に得ら
れた信号電荷が読出ゲート部を介して、ＣＣＤ群で構成
された垂直転送部へ読み出される。感光部がフォト・ダ
イオード型の受光素子部で構成される場合、信号電荷は
各受光素子部と半導体基体との間のＰＮ接合容量を利用
して蓄積されるので、電荷蓄積容量が感光部がＣＣＤ群
で構成される場′合に比して小であり、この電荷蓄積容
量、即ち、最大取扱い電荷量を増大させることが一つの
課題となっている。

′感光部がフォト・ダイオード型の受光素子部の配列で
構成されたインターライン転送型ＣＣＤ撮像装置の一例
；ま図面の第１図に示される如く、水平列及び垂直列を
形成して配された複数のフォト・ダイオード型の受光素
子部／と受光素子部／の垂直列に沿って配された複数列
のＣＣＤ群で形成された垂直転送部２とを含んで成る受
光・垂直転送部３と、この受光・垂直転送部３に結合さ
れた水平転送部すと、出力部５とから構成され、出力部
えからは信号出力端子５ａが導出される。垂直転送部コ
及び水平転送部グには、夫々、所定の垂直転送りロック
信号及び水平転送りロック信号が供給されて電荷転送動
作がなされる。そして、例えば、ｌフィールド期間内の
受光により各受光素子部／に得られた信号電荷が、垂直
転送部２に読み出され、これが垂直転送部コの電荷転送
動作により、各水平帰線期間に相当する期間ごとに順次
水平転送部ｑへ垂直転送されていく。水平転送部すには
信号電荷が受光素子部ｌのｌ水平列で得られる信号電荷
ごとに順次転送され、これが各水平映像期間に相当する
期間に出力部タヘ水平転送されていき、信号出力端子り
ａに撮像出力信号が得られる。

受光・垂直転送部３は、より詳細には、第２図Ａに示さ
れる如く、受光素子部ｌの各垂直列と各垂直転送部コと
の間に読出ゲート部ｔが形成され、受光素子部／の各垂
直列に隣接してオーバーフロー・コントロール・ゲート
部７、さらにこれに隣接して、オーバーフロー・ドレイ
ンｇが形成されている。そして、垂直転送部２の読出ゲ
ート部６とは反対側及び各受光素子部１間にチャ／ネル
・′ストッパー９及びＩＯが形成されている。第２図Ｂ
は第コ図Ａの■Ｂ−二Ｂの断面を示し、Ｐ形半導体基体
／／の一方の表面側に上記各部分が形成され、絶縁層１
２を介して、垂直転送部λ及び読出ゲート部を上に共通
の転送電極１３が、そして、オヨバー、。−、ヨ７）ｏ
−ヤ、グー１部、上及びチャンネル・ストッパー９上に
、各々独立した、オーバーフロー・コントロール・ケ−
）電極１ｔ’及びチャンネル・ストッパー電極／Ｓが、
夫々、配されている。

斯かるインターライン転送ｍｃｃＤ撮像装置に於いて、
転送電極／３には、例えば、フィールド読出しの例とし
て、第３図に示される如くのクロック信号φＡ／が供給
され、また、オーバーフロー・コントロール・ゲート電
極／Ｆ及びチャンネル・ストッパー電極ｌＳには、夫々
、所定のバイアス電圧Ｖ。及びＶｃ／が印加される。こ
の場合の信号電荷の蓄積及び読出しについて考察すると
、転送部％１３に印加されるクロック信号φＡ／が読出
部分である高レベルＶ／にあるとき、読出ゲート部乙の
電位は高レベルＶ／に応じた高電位（深い電位）Ｖ／と
なって受光素子部／中の電荷が読出ゲート部６を介して
垂直転送部コヘ移され、これによシ受光素子部／の電位
は読出ゲート部乙の電位と等しい電位ｖｌに規定される
。次に、転送電極１３のクロック信□号φＡ／が低レベ
ルのｖ２とｖ３との間の転送りロックψ７の部分になる
と、読出ゲート部乙の電位は低い電位（浅い電位）、即
ち、転送りロックψＶの高い方のレベルｖ２及び低い方
のレベルｖ３に応じたＶ２及びｖ３となるが、受光素子
部ｌは電気的にフローティング状態となって高電位Ｖ／
を維持し、電位の井戸を形成する。この状態で受光がな
されると入射光量に応じた信号電荷が受光素子部ｌに蓄
積される。このとき、蓄積信号電荷が、オーバーフロー
・コントロール・ゲート電極／４’に印加される電圧Ｖ
。

ニヨって規定されるオーバーフロー・コントロール・ゲ
ート部７の電位Ｖ。による電位障壁を゛超え仝ときには
、その過剰電荷はオーバーフロー・コントロール・ゲー
ト部７を介してオーバーフロー・ドレイ／ｇに排出され
る。次に、再び、転送電極１３のクロック信号φＡ／が
読出部分の高レベルＶ／に々ると、読出ゲート部乙の電
位はＶ／となって受光素子部ｌに蓄積された信号電荷が
読出ゲート部６を介して垂直転送部コヘ移される。即ち
、信号電荷の読出しが行われるのである。そして、転送
電極／３のクロックφＡ／が再び低レベルの転送りロッ
クψＶの部分になると、受光素子部ｌでは電位の井戸が
形成されて入射光量に応じた新たな信号電荷の蓄積が始
められるとともに、垂直転送部２へ読み出された信号電
荷は転送りロックψＶに従って垂直転送されていく。

ここで、受光素子部ｌに於ける信号電荷の蓄積容量、即
ち、飽和電荷量Ｑｍは電荷蓄積時の受光素子部／の電位
、Ｒ匡ち、信号電荷読出し時の読出’Ｉ’−ト部Ａのｔ
　位Ｖ　ｔとオーバーフローΦコ／トロール・ゲート部
７の電位ｖｏとの差ｖ、−ｖ。

と受光素子部ｌの単位容量Ｃ８との積で決まり、Ｑ　ｍ
＝　Ｃｓ　　（Ｖ　ＩＶ　ｏ　）となる。結局、受光素
子部／の最大取扱い電荷量は、信号電荷読出し時の読出
ゲート部６の電位Ｖ／とオーバーフロー・コノトロール
・ゲート部７の電位■。で作られる電位障壁ｖ、−ｙｏ
によシ規定されることになる、。

第９図はフォト・ダイオード型の受光素子部をもつイノ
ターライン転送型ＣＣＤ撮像装置の他の例、の構成の概
略を示す。この例は、第１図の装置と同様に、水平列及
び垂直列を形成して配された複数の受光素子部ｌ′と受
光素子部／′の垂直列に沿って配された複数列の垂直転
送部２′とを含んで成る受光・垂直転送部３′と、第１
図の装置に於けるものと同様の水平転送部す′、出力部
ター′及び信号出力端子５ａ’を有し、さらに、受光・
垂直転送部３′と水平転送部Ｖ′との間に配された蓄積
部／６を有している。この蓄積部ｌ乙には各垂直転送部
２′の一端が結合しておシ、受光素子部ｌ′の水平列の
数と同数の蓄積・転送部の水平列１７が形成されている
。垂直転送部２′及び蓄積部ｌ乙には、夫々、所定の垂
直転送りロック信号が供給され、また、水平転送部ｑ′
には所定の水平転送りロック信号が供給されて電荷転送
動作がなされる。そして、例えば、ｌフィールド期間内
の受光によシ各受光素子部／′に得られた信号電荷が、
垂直転送部２′に読出され、これが垂直転送部２′から
蓄積部１６へ高速垂直転送されて、受光素子部ｌ′の各
水平列で得１１１ られた信号電荷が蓄積部１６の蓄積・転送部の各水平列
／７に移される。この蓄積部１６へ移された信号電荷は
、各水平帰線期間に相当する期間ごとにｌ水平列１７ず
つ順次水平転送部Ｖ′へ転送され、これが各水平映像期
間に相当する期間に出力部Ｓ′へ水平転送され、信号出
力端子＆ａ’に撮像出力信号が得られる。

上述の受光・垂直転送部３′は、よシ詳細には、第夕図
Ａに示される如く、受光素子部ｌ′の各垂直列と各垂直
転送部２′との間に読出ゲート部６′が形成され、受光
素子部ｌ′の読出ゲート部６′側とは反対側及び各受光
素子部７１間にチャンネル・ストッパー／ｇが形成され
ている。第５゛図Ｂは第ｓ図ＡのＭＢ−４Ｂの断面を示
し、Ｐ形半導体基体／／’の一方の表面側に上記各部が
形成されている。そして、絶縁層７２′を介して、垂直
転送部２′及び読出ゲート部り′上に両者に共通の転送
電極／９が、また、チャンネル・ストッパー１ｇ上にチ
ャンネル・ストッパー電極２０が夫々配されている。

斯くの如く構成されたＣＣＤ１像装置の列には、その転
送電極／９に、例えば、フィールド読出しのし１１とし
て、第６図に示される如くの波形を有するクロック信号
φＡ２が供給され、チャンネル・ストッパー電極２０に
は所定のバイアス電圧ｖｃ２カ印加される。先ず、クロ
ック信号φＡ２が最高レベルｖ　、　／のとき、読出ゲ
ート部６′の電位はｖ　、　／に対応する高電位ｖｌ′
とな、す、受光素子部／′中の電荷が読出ゲートを介し
て垂直転送部λ′に移され、これにより受光素子部ｌ′
の電位は高電位Ｖ／′となる。

次に、クロック信号φＡ２が、低いレベルｖ　２／を高
レベル側とする、垂直転送りロック９７′の部分になる
と、読出ゲート部６′の電位は下がるが受光素子部／′
は電気的にフローティフグ状態となって電位Ｖ／を維持
して電位の井戸を形成する。このとき垂直転送部２′に
移された電荷は垂直転送りロックψＶ′によシ蓄積部／
６へ高速転送される。次に、クロック信号φＡ２はＶ　
、　／よシ低いレベルＶＺとなり、この状態が既に始ま
っている受光期間の終シまで続く。このとき、読出ゲー
ト部６′の電位はｖｐに対応する電位ｖｔＩとなり、受
光素子部ｌ′は入射光量に応じた信号電荷を蓄積し、こ
の蓄積信号電荷が読出ゲート部６′の電位ＶＦによる電
位障壁を超えるときには、その過剰電荷は読出ゲート部
６′を介して垂直転送部２′に排出される。即ち、この
場合、続出ゲート部６′はオーバーフロー・コントロー
ル・ゲート部として、また、垂直転送部２′ハオーバー
フロー・ドレインとして機能するのである。その後、ク
ロック信号φＡ２は垂直転送りロックψＶ′と同様の掃
出転送りロックψＳの部分となり、との掃出転送りロッ
クψＳによシ垂直転送部コ′の電荷が、例ｔば、蓄積部
１６に向う方向とは逆方向に転送されて掃き出され、排
出される。

次に、クロック信号φＡ２は再び最高レベルｖ　ｉｌの
読出部分に戻り、このとき読出ゲート部６′の電位は最
高電位ｖｌ′となって、受光素子部／′の信号電荷が読
出ゲート部６′を介して、掃出転送により電荷が空にな
った垂直転送部２′へ読出され、受光素子部ｌ′の電位
はｖｌ′となる。この読み出された信号電荷が、引続く
クロック信号φＡ２の垂直転送りロックψＶ′の部分で
、蓄積部／６へと高速垂直転送されるとともに、受光素
子部／′は再び信号電荷の蓄積を始める。以下、上述の
動作が繰返される。

斯くの如くにして信号電荷の蓄積、読出し、高速垂直転
送が行われるが、この場合の受光素子部／′に於ける飽
和電荷量Ｑｍは受光時の受光素子部ｌ′の電位、即ち、
信号電荷読出し時の読出ゲート部６′の電位ｖｌ′と受
光時の読出ゲート部６′の電位ｖｐとの差ｖ、／−Ｖ４
ｚと受光素子部／′の単位容量Ｃ８′との積で決まり、
Ｑｍ＝Ｃｓ　’　（Ｖ　／　’　−Ｖ＠）　　となる。

結局、第３図の例では、受光素子部ｌ′の最大取扱い電
荷量は、信号電荷読出し時の読出ゲート部６′の電位ｖ
ｌ′と受光時の読出ゲート部６′の電位Ｖｕで作られる
電位障壁ｖ、／−ＶＩＩによシ規定されることになる。

本発明は、上述の如くのダイオード型の受光素子部を有
する固体撮像装置に於いて、その電極構造・及びバイア
ス電圧供給に於ける改良をなすことによシ、受光素子部
の最大取扱い電荷量の増大もしくは減少ができ、さらに
は、受光素子部から垂直転送部への信号電荷の読出し及
び信号電荷の垂直転送を、λ値レベルのクロック信号で
行なうことができるようにした固体撮像装置を提供する
ものである。以下、図面の第７図以降を参照して本発明
の実施例を゛説明する。

第７図は、本発明に係る固体撮像装置の一例を、第２図
Ｂに示されると同様の断面で示す。この例１ハ、第１図
及び第２図に示された固体撮像装置の改良に相当し、第
７図に於いて第２図Ｂに示される各部に対応する部分に
は共通の符号を付してそれらの詳細説明を省略するも、
この例に於いては、オーバーフロー・コノトロール中ゲ
ート部７上に改良サレタオーバーフロー・コントロール
・ケート電極コ／が配されている。このオーバーフロー
・コントロール・ゲート電極２１は、その受光素子部ｌ
側の端部、２／ａが受光素子部ｌの端部の上にまで張り
出しておシ、受光素子部ｌの端部と容量結合している。

これにより、オーバーフロー・コントロール・ゲート電
極、２１に印加される電圧に変化があると、これに応じ
て受光素子部／の電位が変化せしめられることになる、
３ここで、垂直転送部コ及び読出ゲート部６上に設けら
れた転送電極１３には、例えば、第ｇ図Ａに示される如
く、第３図に示−されると同様のクロック信号φＡ／が
供給されて、第２図の固体撮像装置について説明したと
同様の、受光による信号電荷の蓄積、蓄積信号電荷の読
出し及び垂直転送動作がなさ−れる５、このとき、オー
バーフロー・コントロール・ゲート電極コｌには、例え
ば、第Ｓ図Ｂにて実線で示される如く、受光時にレベル
ｖＯをとり、信号電荷の読出し時にはＶ。よりｖａだけ
低いレベルｖＯ′をとるバイアス電圧”ＯＸが印加され
為。これによす、オーバーフロー・コントロール・ゲー
ト部りの電位は、信号電荷の読出し時には低いノくイア
スミ圧しベルＶ。に対応した低電位Ｖ。′（ｖ０′は）
（イアスミ圧しベルｖＯに対応した電位Ｖ。より電圧差
ｖａに対応した電位差Ｖａだゆ低い、即ち、ｖｏ−Ｖｏ
’＝Ｖａ）となり、受光時にはノ（イアスミ圧ンベルｖ
ｏに対応した電位Ｖ。に立上ることにな゛るので、オー
バーフロー・コントロール・ゲート電極２／に印加され
るバイアス電位Ｖ。Ｘの変化に応じて電位が変化する受
光素子部ｌの電位は、受光時には、信号電荷読出し時の
読出ゲート部６の電位Ｖ／よりＶａ・　　０ｃ　　（但
し、ＣｅはＣｓ＋ｃ　ｃ オーバーフロー・コノトロール・’ｙ’−ト電極２１と
受光素子部ｌとの間の容量）だけ高く（深く）なる３、
従って、この場合の受光素子部／に形成される実効的な
電位障壁は（Ｖ／−Ｖｏ　）　十Ｖａ・−ζ−とＣｓ＋
Ｃｃ なシ、オーバーフロー・コノトロール・ゲート電極へ印
加されるバイアス電圧のレベルがｖｏで一定である第２
図の固体撮像装置に比し、最大取扱い電荷１ｒｃｑｍが
Ｃ８１１ｖａ−０８十ｃｃだけ増大するこ′とになる。

また、オーバーフロー・コノトロール・ケート電極２１
に印加されるバイアス電圧”ＯＸが第ｇ図Ｂにて点線で
示される如く、信号電荷の読出し時にレベルＶ□よりｖ
ａ′だけ高いレベルＶ。′にされる場合には、上述とは
逆に受光素子部ｌに於ける最大取扱い電荷量は減少する
。

第９図は、本発明に係る固体撮像装置の他の例を、第夕
図Ｂに示されると同様の断面で示す。この例は、第９図
及び第Ｓ図に示された固体撮像装置の改良に相当し、第
９図に於いて第５図Ｂに示される各部に対応する部分に
は共通の符号を付してそれらの詳細説明を省略するも、
この例に於いては、チャンネル参ストッパー１ｇ上に改
良されたチャンネル・ストッパー電極２２が配されてい
る。このチャンネル・ストッパー電極２２は、その受光
素子部ｌ′側の端部２２ａが受光素子部／′の端部の上
にまで張り出しており、受光素子部ｌ′の端部と容量結
合している。これにより、チャ／ネル・ストッパー電極
、２２に印加される電圧が変化すると、これに応じて受
光素子部ｌ′の電位が変化せしめられることになる。こ
こで、垂直転送部２′及び読出ゲート部り′上に設けら
れた転送電極１９には、例えば、第１θ図Ａに示される
如くの、第６図に示されると同様のクロック信号φＡ２
が供給されて、第５図の固体撮像装置について説明した
と同様の受光による信号電荷の蓄積、垂直転送部−′の
掃出し転送、蓄積信号電荷の読出し及び垂直転送動作が
なされる。このとき、チャンネル・ストッパー電極２２
には、例えば、第１０図Ｂに示される如く、受光時にレ
ベルｖｃをとシ、信号電荷の読出し時にはｖｃよりｖｂ
だけ低いレベルｖＣ′をとるバイアス電圧Ｖ。Ｘが印加
される。これにより、チャンネル・ストツ、ニーｔｇの
電位は、信号電荷の読出し時には低いノ（イアスミ圧ｖ
、　／に対応した低電位Ｖ。′となる。このｖｃ′は）
（イアスミ圧しベルｖｃに対応した電位■。より電圧差
ｖｂに対応した電位差ｖｂだけ低′く、ｖｃ−Ｖｃ’＝
＝Ｖｂとなる。そして、受光時には、再び、）（イアス
ミ圧ｖｃに対応した電位ｖｃに立上ることになるので、
チャンネル・ストツノく一電極２２に印加されるバイア
ス電圧ＶＣＸの変化に応じて電位が変イヒせしめられる
受光素子部ｌ′の電位は、受光時には、信号電荷読出し
時の読出ゲート部６′の電位ｖｌ′よＣ′ すｖｂ・−ｒｌ−丁（但し、００′はチャンネル・Ｃｓ
　　＋Ｃ。

ストッパー電極ココと受光素子部ｌ′との間の容量）タ
ケ高く（深く）なる。従って、この場合に受光素子部ｌ
に形成される実効的な電位障壁は（Ｖ／’−Ｖす）＋ｖ
ｂ・−４１０−となり、この場合にＣｓ　　＋Ｃｃ もチャンネル・ストツノ（−電極へ印加される）くイア
スミ圧のレベルがｖｃ２で一定である第ダ図の固体撮像
装置に比し、最大取扱い電荷量Ｑｍが、さらにまた、チ
ャンネル・ストツノ（−電極２２に印加されるバイアス
電圧Ｖ。Ｘが、第１０図Ｂにて点線で示される如く、信
号電荷の読出し時にレベル’ＶＱよすｖｂ“だけ高いレ
ベルｖｃ′にされる場合には、上述とは逆に受光素子部
／′に於ける最大取扱い電荷量は減少する。

上述の如く、本発明に係る固体撮像装置にあっては、受
光素子部に於ける最大取扱い電荷量の増大、もしくは、
減少を図ることができるのであ企が、さらに、本発明に
係る固体撮像装置は、受光素子部での信号電荷の蓄積、
受光素子部から垂直転送部への信号電荷の読出し、垂直
転送部での信号電荷の転送等を、λ値レベルのクロック
・信号及びバイアス電圧の供給で行わしめ得るものとす
ることもできる。

例えば、前述の第７図に示される本発明の実施例に於い
て、その転送電極１３に、第１／図Ａに示される如くの
垂直転送りロックψ９を含むコ値レベルのクロック信号
φＡ／’を供給するとともに、オーバーフロー・コント
ロール・ゲート電極２／に、第１／図Ｂに示される如く
の、受光時に高レベルＶ。ｄをとり信号電荷の読出し時
に低レベルｖｏｄ′をとるコ値レベルのバイアス電圧Ｖ
ＯＸ’を印加する。この場合、信号電荷の読出し時には
、オーバーフロー・コントロール・’７　　）　電極２
　／　（Ｄ　／＜イアスミ圧ＶＯＸ’がレベルＶ。ｄか
らｖｏｄ′へと下るので、オーバーフロー−コントロー
ル・ケート電極２／と容量結合している受光素子部／の
電位もこれに応じて低く　（浅く）なる。このことは、
受光素子部ｌを基準にすると読出ゲート部乙の電位が高
く　（深く）なったことに相当する。従って、オーバー
フロー・コントロール−ゲート電極２１へ印加されるバ
イアス電圧のレベルＶ。ｄ′を適切に選定することによ
り、受光素子部ｌに蓄積された信号電荷を読出ゲート部
６を介して垂直転送部λへ読み出すことができる。読み
出された信号電荷は、受光時に、クロック信号φＡ／’
中の、高レベル側をレベルｖ２として低レベル側ヲレベ
ルｖ３とする、また、第９図に示される本発明の他の実
施例に）於いて、その転送電極７９に、第７２図Ａに示
される如くの垂直転送りロック９７′及び掃出転送りロ
ックψＳを含む２値レベルのクロック信号φＡ２’を供
給するとともに、チャンネル・ストッパー電極２２に、
第１２図Ｂに示される如くの、受光時に高レベルＷｅｄ
をとシ信号電荷の読出し時に低レベルｖｃｄ′ヲトるコ
値レベルのバイアス電圧ｖｃｘ’を印加する。この場合
にも、信号電荷の読出し時にはチャンネル・ストッパー
電極２２のバイアス電圧ｖｃｘ’がレベルＷｅｄからレ
ベルＷｅｄ　’へと下がり、チャンネル・ストッパー電
極２２と容量結合している受光素子部／′の電位もこれ
に応じて低く（浅く）なる。これにより、相対的に読出
ゲート部６′の電位が高く（深く）なったことになって
、受光素子部ｌ′から垂直転送部２′への信号電荷の読
出しがなされる。さらに、転送電極１９へ供給されるク
ロック信号φ＾２′中の高レベル側をｖ　２／として低
レベル側をｖ３′とする掃出し転送りロックψＳ及び垂
直転送りロック９７′により、垂直転送部λ′に於ける
掃出し転送及び信号電荷の垂直転送がなされるのである
。

斯くの如く、本発明に係る固体撮像装置に於いては、フ
ォト・ダイオード型の受光素子部を有すものであっても
、３値レベル、もしくは、グ値レベルのクロック信号を
用いることなく、コ値レベルのクロック信号で、信号電
荷の蓄積、読出し、垂直転送等々が行えるのである。

以上実施例をあげて説明した如く、本発明に係る固体撮
像装置にあっては、フォト・ダイオード型の受光素子部
に容量結合する独立した電極が配され、この電極のバイ
アス電圧が受光期間と信号電荷読出し期間とで異ならし
められることによシ、受光素子部に於ける最大取扱い電
荷量の増大が効果的に達成され、効率の良い撮像動作が
得られる。

また、受光素子部に於ける最大取扱い電荷量の増大のみ
ならず、その減少も容易にできるので、取扱、い電荷量
の調整機能を備えることになり、使用上極めて都合よい
。さらに、受光素子部での信号電荷の蓄積、受光素子部
から読出ゲート部を介して垂直転送部への信号電荷の読
出し及び垂直転送部での信号電荷の転送が、２値レベル
のクロック信号及びバイアス電圧によって行われ得るの
で、駆動回路系の簡素化が図れる利点もある。

なお、本発明は上述の実施例の範囲に限られるものでは
なく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の構成がとられ
てよいこと勿論である。

【図面の簡単な説明】

第１図はインターライン転送型ＣＣＤ撮像装置の一例を
示す概念的平面図、第２図及び第３図は第１図に示され
る撮像装置の構成及び動作の説明に用いられる図、第ダ
図はイノターライ／転送型ＣＣＤ撮像装置の他の例を示
す概念的平面図、第Ｓ図及び第６図は第μ図に示される
撮像装置の構成及び動作の説明に用いられる図、第７図
は本発明に係る固体撮像装置の一例を示す断面図、第３
図は第７図に示される固体撮像装置に供給されるクロッ
ク信号及びバイアス電圧の一例を示す波形図、第９図は
本発明に係る固体撮像装置の他の例を示す断面図、第１
Ｏ図は第９図に示される固体撮像装置に供給されるクロ
ック信号及びバイアス電圧の一例を示す波形図、第１／
図は第７図に示される固体撮像装置に供給されるクロッ
ク信号及びバイアス電圧の他のレリを示す波形図、第ｔ
２（４は第９図に示される固体撮像装置に供給されるク
ロック信号及びバイアス電圧の他の例を示す波形図であ
る。 図中、／及びｌ′は受光素子部、コ及び２′は垂直転送
部、ダ及びダ′は水平転送部、Ｓ及び５′は出力部、６
及び６′は読出ゲート部、７はオーバーフロー・コント
ロール・ゲート部、ｇはオーバーフロー・ドレイ／、９
、ｌＯ及び１ｇはチャンネル・ストッパー、ｌｌ及び１
１　／は半導体基体、１３及び１９は転送電極、・ｌｔ
ｌ及び２１はオーバーフロｍ−コントロールーゲート電
極、／ｊ、　　λθ及び２２はチャ／ネル・ストッパー
電極、／６は蓄積部である。 第３ｓ 第７ＷＡ 第１図 第１２　図− 手続補正書 昭和５年を月ｇ日 １、事件の表示 昭和５６年特許出願第１０３２４３号゛２、発明の名称
　固体撮像装置 ３、補正をする者 事件との関係　　　　特許出願人 ４、代　理　人〒１５０ （１）、明細書中、＠／タ頁７〜ｇ行「一定である」と
あるを「一定で、オーバーフロー・コノトロール・ゲー
ト電極と受光素子部との間の容量を持たない」に訂正す
る。 とあるを「Ｃｃ’（Ｖ　ｔ’　　Ｖ、０　＋Ｖ　ａ）　
Ｊに訂正する。 （３）、同、第１７頁２θ行「一定である」とあるを「
一定で、チャンネル・ストッパー電極と受光素子部との
間の容量を持たない」に訂正する。 とあるをｒｃｃ′・（Ｖ／−Ｖ　ｔｌ　＋Ｖ　１））　
Ｊに訂正する。 以上

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 受光素子部と、該受光素子部の一端部に隣接して形成さ
   れた読出ゲート部と、該読出ゲート部に隣接して形成さ
   れた垂直転送部と、水平転送部と、出力部とを備えて構
   成されて、上記受光素子部に受光期間に於いて得られる
   信号電荷が、上記読出ゲート部を介して上記垂直転送部
   に読み出されるようにされ、上記受光素子部の他端に於
   いて該受光素子部と容量結合する電極が配されて、該電
   極に、上記受光期間と上記信号電荷が読み出される期間
   とでは異なるバイアス電圧が供給されることを特徴とす
   る固体撮像装置。