JPS5868197A - 遠隔測定装置 - Google Patents
遠隔測定装置Info
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- JPS5868197A JPS5868197A JP57165918A JP16591882A JPS5868197A JP S5868197 A JPS5868197 A JP S5868197A JP 57165918 A JP57165918 A JP 57165918A JP 16591882 A JP16591882 A JP 16591882A JP S5868197 A JPS5868197 A JP S5868197A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R15/00—Details of measuring arrangements of the types provided for in groups G01R17/00 - G01R29/00, G01R33/00 - G01R33/26 or G01R35/00
- G01R15/14—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks
- G01R15/22—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using light-emitting devices, e.g. LED, optocouplers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
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- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/80—Optical aspects relating to the use of optical transmission for specific applications, not provided for in groups H04B10/03 - H04B10/70, e.g. optical power feeding or optical transmission through water
- H04B10/806—Arrangements for feeding power
- H04B10/807—Optical power feeding, i.e. transmitting power using an optical signal
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は測定量の測定値を測定場所から遠隔場所へ伝送
するための遠隔測定装置に関する。
するための遠隔測定装置に関する。
電気的信号により測定値を伝送する際には下記の問題点
が生ずる。特に電気導体を経て伝送される電気的信号は
電磁的干渉を受けやすく、虜だ高い電位差および(−)
′たはJ P4発の危険が存在する場所に電気導体を使
用することは傷”に安全の見地から非常に問題が多い。
が生ずる。特に電気導体を経て伝送される電気的信号は
電磁的干渉を受けやすく、虜だ高い電位差および(−)
′たはJ P4発の危険が存在する場所に電気導体を使
用することは傷”に安全の見地から非常に問題が多い。
これらのn、!r、点し1品い安全性に特に重きが置か
れる産業用計測技術では特に重要である。
れる産業用計測技術では特に重要である。
これらの理由から、検出された測定値を光信号の形態で
光伝送路特に光フアイバ伝送路を経て伝送することは有
利である。光伝送路は電磁的干渉を受けず、また高い電
位差および爆発の危険が存在する場所でも使用可能であ
る。加えて、尤ファイバ伝送路は重量が軽く、寸法が小
さく、フレキシビリティが高く、はとんどの腐食性化学
物質に耐え、また実用上非常に有慈義な伝送特性を有す
る。
光伝送路特に光フアイバ伝送路を経て伝送することは有
利である。光伝送路は電磁的干渉を受けず、また高い電
位差および爆発の危険が存在する場所でも使用可能であ
る。加えて、尤ファイバ伝送路は重量が軽く、寸法が小
さく、フレキシビリティが高く、はとんどの腐食性化学
物質に耐え、また実用上非常に有慈義な伝送特性を有す
る。
10−
捷だ、現在通常行なわれているように測定値を20mA
電流信電流形態で電線を経て伝送する場合には、500
mi度の伝送距離でも、無視し得ない電線抵抗のために
、高い電圧レベルを必要とし。
電流信電流形態で電線を経て伝送する場合には、500
mi度の伝送距離でも、無視し得ない電線抵抗のために
、高い電圧レベルを必要とし。
このことが電源装置のコスト(大きな消費電力)の点で
も爾後の処理の点でも不利を招く。それに対して光フア
イバ伝送路は、約1dB/kmないし5dB/kmのわ
ずかな減衰しか生じないため、はるかに長距離にわたる
伝送にも適している。
も爾後の処理の点でも不利を招く。それに対して光フア
イバ伝送路は、約1dB/kmないし5dB/kmのわ
ずかな減衰しか生じないため、はるかに長距離にわたる
伝送にも適している。
しかl/ 1光信号の形態で伝送を行なう場合にも、多
くのセンサおよびセンサ装置はその作動のために電力を
必要とするので、その電力を外部から供給しなければな
らないという問題が残される。さらに、多くのセンサで
は測定値に関係する電気的信号たとえば電圧が光信号へ
の直接的変換には適していないので、センサから発せら
れた電気的信号を前処理する必要があり、そのための電
力も外部から供給しなければならない。
くのセンサおよびセンサ装置はその作動のために電力を
必要とするので、その電力を外部から供給しなければな
らないという問題が残される。さらに、多くのセンサで
は測定値に関係する電気的信号たとえば電圧が光信号へ
の直接的変換には適していないので、センサから発せら
れた電気的信号を前処理する必要があり、そのための電
力も外部から供給しなければならない。
本発明の目的は、)し信号の形態での測定値伝送と光パ
ワの形態での所要電力の伝送とを組み合わせて、従来残
されていた−1−記の問題を解消1〜得る遠隔測定装置
を提供することである。
ワの形態での所要電力の伝送とを組み合わせて、従来残
されていた−1−記の問題を解消1〜得る遠隔測定装置
を提供することである。
この目的は本発明によれば、下記の%徴を具備すること
により達成される1、測定部所に配置されたセンサ装置
が電気的信号を生じ、それがセンサ装置の付近に配置さ
れた電、気)を学変調器に制御信号として与えられる。
により達成される1、測定部所に配置されたセンサ装置
が電気的信号を生じ、それがセンサ装置の付近に配置さ
れた電、気)を学変調器に制御信号として与えられる。
この変調器にd遠隔の場所から第1の光伝送路金経て光
伯鴇パワが与えられており、この変調器内で市、気的信
弓により制御されて光信号パワが変調される。被変調毘
(a号パワは第2の光伝送路を経て遠隔の受1ハ場所に
与えられる。−十た、辷ンサ装置から遠隔の場所から蓋
パワが第3の光伝送路を経て光分割装置に与えられそこ
で一部分の第1の尤パワ部分と大部分の第2の光パワ部
分とに分割される。第1の光パワ部分は光信号パワとし
て第1の亀伝送路に与えられている。壕だ、第2の光パ
ワIIS分は、センリー装置dの電気的部分の作動に必
安な電力e IJ(給するだめの光パワとして、第4の
蓋伝送路金経てセンサ装置の付近に配置された光電変換
器に与えられ、そこで電力に変換されてセンサ装置に供
給されている。
伯鴇パワが与えられており、この変調器内で市、気的信
弓により制御されて光信号パワが変調される。被変調毘
(a号パワは第2の光伝送路を経て遠隔の受1ハ場所に
与えられる。−十た、辷ンサ装置から遠隔の場所から蓋
パワが第3の光伝送路を経て光分割装置に与えられそこ
で一部分の第1の尤パワ部分と大部分の第2の光パワ部
分とに分割される。第1の光パワ部分は光信号パワとし
て第1の亀伝送路に与えられている。壕だ、第2の光パ
ワIIS分は、センリー装置dの電気的部分の作動に必
安な電力e IJ(給するだめの光パワとして、第4の
蓋伝送路金経てセンサ装置の付近に配置された光電変換
器に与えられ、そこで電力に変換されてセンサ装置に供
給されている。
本発明による装置は、なかんずく、産業の製造およびプ
ロセス制御に、たとえば車両および飛行体全考慮して軍
事技術に、寸だ交通技術たとえばモータの制御に有利に
用いられ得る。
ロセス制御に、たとえば車両および飛行体全考慮して軍
事技術に、寸だ交通技術たとえばモータの制御に有利に
用いられ得る。
本発明の有利な実施態様は特許請求の範囲第2項ないし
第26項にあげられている。
第26項にあげられている。
以下、図面により本発明の実施例を詳細に説明する。
図面に示されている遠隔測定装置で、測定場所に配置さ
れたセンサ装置SEは測定量の被走査測定値に関係する
電圧Umを生ずる。この測定値に関係する電圧ば、同じ
く測定場所に、従ってまたセンサ装置SEの付近に配置
された光変調器E(’)Mに制御信号として与えられて
いる。この光変調器ROMにはセンザ装[SEから遠隔
の場所STIから第1の光伝送路LWIを経て光が与え
られており、この光変調器EOM内で測定値に関係する
電圧Umにより制御されて光が変調され′る。このよう
にして変調された光信号パワは第2の光伝送路13− L A■2を経て測定場所から遠隔の受信場所b sに
与えられており、そこで爾後利用または処理のために取
出され得る。
れたセンサ装置SEは測定量の被走査測定値に関係する
電圧Umを生ずる。この測定値に関係する電圧ば、同じ
く測定場所に、従ってまたセンサ装置SEの付近に配置
された光変調器E(’)Mに制御信号として与えられて
いる。この光変調器ROMにはセンザ装[SEから遠隔
の場所STIから第1の光伝送路LWIを経て光が与え
られており、この光変調器EOM内で測定値に関係する
電圧Umにより制御されて光が変調され′る。このよう
にして変調された光信号パワは第2の光伝送路13− L A■2を経て測定場所から遠隔の受信場所b sに
与えられており、そこで爾後利用または処理のために取
出され得る。
センサ装置S Eまたは測定部所から遠隔の場所STか
ら少なくとも1つの第3の光伝送路1、W3を経て特定
波長λの光パワが、ビームスプリッタから成る光分割装
置OTに与えられる。このビームスプリッタは第3の光
伝送路L W 3を経て与えられた特定波長λの光パワ
を波長λの2つの光パワ部分に分割する。そのうち第1
の光パワ部分は光信号パワとして第1の光伝送路L W
lを経て光変調器EOMに与えられる。
ら少なくとも1つの第3の光伝送路1、W3を経て特定
波長λの光パワが、ビームスプリッタから成る光分割装
置OTに与えられる。このビームスプリッタは第3の光
伝送路L W 3を経て与えられた特定波長λの光パワ
を波長λの2つの光パワ部分に分割する。そのうち第1
の光パワ部分は光信号パワとして第1の光伝送路L W
lを経て光変調器EOMに与えられる。
波長λの第2の光パワ部分は、センザ装置Wsト]の電
気的部分の作動に心安な電力を供給するための光パワと
して、1つ1kにt複数の第4の光伝送路L W’ 4
を経てセンサ装置SEのイー1近に配置された光電変換
器OEMに与えられ、そこで電力に変換されてセンサ装
置SIシに供給されている。なお、ガラスファイバを経
てパワ全伝達するための装置は、ツレ自体では、たとえ
ばIもobcr l son 、M、M、 :フ14− アイバオプティクスを経てのパワ伝達(Powertr
ausfer via fiber optics )
、 Proceedingsof the 30th
Electronic Componeuts Co
nferenceサンフランシスコ、USA 、198
0年4月28〜30日、第216〜221頁から公知で
ある。
気的部分の作動に心安な電力を供給するための光パワと
して、1つ1kにt複数の第4の光伝送路L W’ 4
を経てセンサ装置SEのイー1近に配置された光電変換
器OEMに与えられ、そこで電力に変換されてセンサ装
置SIシに供給されている。なお、ガラスファイバを経
てパワ全伝達するための装置は、ツレ自体では、たとえ
ばIもobcr l son 、M、M、 :フ14− アイバオプティクスを経てのパワ伝達(Powertr
ausfer via fiber optics )
、 Proceedingsof the 30th
Electronic Componeuts Co
nferenceサンフランシスコ、USA 、198
0年4月28〜30日、第216〜221頁から公知で
ある。
ビームスプリッタの分割比は、与えられた光パワの一部
分たとえば1/10を第1の光伝送路LWIに与え、大
部分たとえば9/10Th第4の光伝送路L W 4に
与えるように選定されていることが好ましい。
分たとえば1/10を第1の光伝送路LWIに与え、大
部分たとえば9/10Th第4の光伝送路L W 4に
与えるように選定されていることが好ましい。
第1図ないし7第3図に示されている3つの実施1′:
sIJで、センーリ装置S Eの伺近に位置する構成要
素は同一であり、従って同一の参照符号を付されて(7
−する。これらのセンサ装置の付近の構成要素の説明に
入る前に、先ず第2図に示されている代替的な実施例を
説明する。
sIJで、センーリ装置S Eの伺近に位置する構成要
素は同一であり、従って同一の参照符号を付されて(7
−する。これらのセンサ装置の付近の構成要素の説明に
入る前に、先ず第2図に示されている代替的な実施例を
説明する。
第2図の実施例では5尤分割装置OTは、第3の光伝送
路L W 3を経て与えられた2つの波長λ0.λ2f
:含む光パワを両波長に従って第1の波長λ、の第1の
光パワ部分と第2の波長λ2の第2の光パワ部分とに分
割する波長デマルチプし・・クザがら成る。第1の光パ
ワ部分はとの実施例でも全パワの一部分たとえば1/1
0であり、これは光信号パワとして第1の光伝送路LW
−1を経て電気光学変調器ROMに与えられる。全パワ
の大部分たとえば9/10を占める第2のパワ部分t」
、第4の光伝送路LW4を経て光電変換器OEWに与え
られる。
路L W 3を経て与えられた2つの波長λ0.λ2f
:含む光パワを両波長に従って第1の波長λ、の第1の
光パワ部分と第2の波長λ2の第2の光パワ部分とに分
割する波長デマルチプし・・クザがら成る。第1の光パ
ワ部分はとの実施例でも全パワの一部分たとえば1/1
0であり、これは光信号パワとして第1の光伝送路LW
−1を経て電気光学変調器ROMに与えられる。全パワ
の大部分たとえば9/10を占める第2のパワ部分t」
、第4の光伝送路LW4を経て光電変換器OEWに与え
られる。
波長λ1およびλ2を含む光パワ分−1jえるため、セ
ンサ装置SEから遠隔の場所ST1がら波長λ1の光パ
ワを、捷た同じくセンサ装置S bがら遠隔の場合ST
2から波長λ、の’IYIパワ庖・与えられ、これらの
光パワを一猪に第3の光伝送路17W3に与える波長マ
ルチプ17り=りが設けられていることは有利である。
ンサ装置SEから遠隔の場所ST1がら波長λ1の光パ
ワを、捷た同じくセンサ装置S bがら遠隔の場合ST
2から波長λ、の’IYIパワ庖・与えられ、これらの
光パワを一猪に第3の光伝送路17W3に与える波長マ
ルチプ17り=りが設けられていることは有利である。
波長λ1の光パワおよび波Jφλ2のうY:パワの供給
が同じく光伝送路を紅て、たとえば第2図中に参照符号
LWI 1 、 LXV12を刊されている光伝送路を
経て行なわれることは目的にかなっている。
が同じく光伝送路を紅て、たとえば第2図中に参照符号
LWI 1 、 LXV12を刊されている光伝送路を
経て行なわれることは目的にかなっている。
次に、センサ装置1isBの伺近に位置する構成要素の
説明に入る。
説明に入る。
前記のように電力供給用として第4の光伝送路LW4に
与えられた光パワはセンサ装置の付近に配置された光電
変換器OEWに与えられる。この光電変換器は与えられ
た光パワを電力に変換[7てセンサ装置SEに供給する
。それによゆ、センサ装置i S Eの電気的部分の作
動に必要な電力がセンサ装置に供給される。
与えられた光パワはセンサ装置の付近に配置された光電
変換器OEWに与えられる。この光電変換器は与えられ
た光パワを電力に変換[7てセンサ装置SEに供給する
。それによゆ、センサ装置i S Eの電気的部分の作
動に必要な電力がセンサ装置に供給される。
し7かi〜ながら、光電変換器が生ずる電圧はたと7え
ば半導体素イのように電力を消費する素子を直播駆動す
るためには小さ過ぎる。外圧V:J: ’−F記のよう
に三重の仕方で行なわれ得る。電力供給用の光パワは直
列接続された複数個の光電変換器OEMに与えられる。
ば半導体素イのように電力を消費する素子を直播駆動す
るためには小さ過ぎる。外圧V:J: ’−F記のよう
に三重の仕方で行なわれ得る。電力供給用の光パワは直
列接続された複数個の光電変換器OEMに与えられる。
光電変換器の後に電圧変換器SWまたとえば面流電圧変
換器が接続される。電圧変換器SWに電気J−不セルキ
ー蓄積装置Pが接続される。
換器が接続される。電圧変換器SWに電気J−不セルキ
ー蓄積装置Pが接続される。
電圧変換器SWおよび蓄積装置SPはセンサ装置SEの
電気的部分に含まれていてよい。本来のセンサ装置SE
が、破走査測定餉に関係する電圧[Jを生ずるセンサ素
子Sと、センサ素子Sから生17− じた電圧Uをそれに関係しかつ光変調器EOMを制御す
るのに適した電圧Um=f(Ll)に変換する電子装置
EEとを有することは好−ま1.い。この電圧L1mは
センサ素子Sからの血圧1.1により周波数を制御また
は変調された交流電圧であ−っでよい(周波数変調)。
電気的部分に含まれていてよい。本来のセンサ装置SE
が、破走査測定餉に関係する電圧[Jを生ずるセンサ素
子Sと、センサ素子Sから生17− じた電圧Uをそれに関係しかつ光変調器EOMを制御す
るのに適した電圧Um=f(Ll)に変換する電子装置
EEとを有することは好−ま1.い。この電圧L1mは
センサ素子Sからの血圧1.1により周波数を制御また
は変調された交流電圧であ−っでよい(周波数変調)。
また、電圧U mはセンサ素子Sがらの電圧Uによりパ
ルス冷相捷たはパルス幅を変調されたパルス列で、女)
ってもよい。さらに、センサ素子Sからの血圧IJ (
f7表わす2値打月化された信−零″が電子装置EEに
より形成さ71で4、↓い。
ルス冷相捷たはパルス幅を変調されたパルス列で、女)
ってもよい。さらに、センサ素子Sからの血圧IJ (
f7表わす2値打月化された信−零″が電子装置EEに
より形成さ71で4、↓い。
センサ装置S Eの付近に配置aされ九亜変換器OEM
の後に接続された電気的に制011可能々スイッチj−
)装置U Eが設けられており、第3の光伝送路LWa
を経て与えられる制御11M月によりセンサ装置S E
への電力供給の選択的なスイッチモノ捷たはスイッチオ
ンが可能であることは々f−ましい。
の後に接続された電気的に制011可能々スイッチj−
)装置U Eが設けられており、第3の光伝送路LWa
を経て与えられる制御11M月によりセンサ装置S E
への電力供給の選択的なスイッチモノ捷たはスイッチオ
ンが可能であることは々f−ましい。
スイッチオン装置UEはたとえば双安定回路から形成さ
れていてよく、用台によっては電圧変換器SWに内蔵さ
れていてよい。
れていてよく、用台によっては電圧変換器SWに内蔵さ
れていてよい。
センサ装置SEへの電力または電流供給がスイ18−
ツチオフされている時間中に電気エネルギー蓄積装置S
Pを光の形態で伝送されたエネルギーにより充電する充
電装置が設けられていることは好ましい。電子装置EE
からの出力電圧Umは光変調器OEMに与えられ、この
光変調器が光の通過を電圧Umに相応して制御する。光
変調器は、電気的に見れば、小さなキャパシタンスであ
り、公知の多モード変調器(Ne1son、A、R,)
Mcmahon 。
Pを光の形態で伝送されたエネルギーにより充電する充
電装置が設けられていることは好ましい。電子装置EE
からの出力電圧Umは光変調器OEMに与えられ、この
光変調器が光の通過を電圧Umに相応して制御する。光
変調器は、電気的に見れば、小さなキャパシタンスであ
り、公知の多モード変調器(Ne1son、A、R,)
Mcmahon 。
D、H,:多モード単一ファイバ通信システム用変調器
(Modulators for muliimode
single fibercommunicatio
us syrtems ) Prac、of the
TechnicalProgram 、 Electr
o −0ptical Syrtems Derign
Conf、 、 = 、:lL−ヨーク、1976年
9月14〜16日、第36〜39頁参照)、ブラッグ変
調器(All ra cher 。
(Modulators for muliimode
single fibercommunicatio
us syrtems ) Prac、of the
TechnicalProgram 、 Electr
o −0ptical Syrtems Derign
Conf、 、 = 、:lL−ヨーク、1976年
9月14〜16日、第36〜39頁参照)、ブラッグ変
調器(All ra cher 。
F、 :Keil、R,Zeitler、 K、−H,
:挿入損失が小ζく多重ビーム能力を有する新しい電気
ブラッグ偏向器(New electrooptic
Bragg deflectors with low
insertion 1oss and multip
le−bcam capability)SFEB 1
0 (1981)第1号、第44〜47頁参照または
単一モード光導波変調器(末尾に列挙した文献を参照)
であってよい。
:挿入損失が小ζく多重ビーム能力を有する新しい電気
ブラッグ偏向器(New electrooptic
Bragg deflectors with low
insertion 1oss and multip
le−bcam capability)SFEB 1
0 (1981)第1号、第44〜47頁参照または
単一モード光導波変調器(末尾に列挙した文献を参照)
であってよい。
電気エネルギー蓄積装置S L)が繰返し充電可能な蓄
積装置から成ること、特に蓄電池たとえばニッケル・カ
ドミウム電池であること、−tたけ単にコンデンサであ
ることは好ましい。
積装置から成ること、特に蓄電池たとえばニッケル・カ
ドミウム電池であること、−tたけ単にコンデンサであ
ることは好ましい。
センサ装置SEの電子装置E l> tたはセンサ素子
Sの電気的部分が前記変調方法の1つを実現するための
低損失の集積CMO8または■2L半導体回路から成る
ことは好ましい。このような回路は半導体技術から知ら
れており、困帽「な1.に構成され得る。電圧変換器は
たとえば前記の1′Loberjson 。
Sの電気的部分が前記変調方法の1つを実現するための
低損失の集積CMO8または■2L半導体回路から成る
ことは好ましい。このような回路は半導体技術から知ら
れており、困帽「な1.に構成され得る。電圧変換器は
たとえば前記の1′Loberjson 。
M、M、 にょる文献およびBros io、A、
: Pcrinn、 M ;5olina、 P :光
ファーrバによる低消費の光付勢式%式% 1980年9月16〜19日、第242〜245頁に記
載されている。
: Pcrinn、 M ;5olina、 P :光
ファーrバによる低消費の光付勢式%式% 1980年9月16〜19日、第242〜245頁に記
載されている。
遠隔場所ST、STI 、S’l’2 にそれぞれ、第
1の光伝送路LW1に光信号パワと1〜て力える先出出
力または第4の伝送路LW4に電力供給用光パワとして
与える光出力を生ずる電気・光パワ変換装置EOL、E
OLI、EOL2が設けられていることは好ましい。こ
れらの変換装置はそれぞれ入力端e、el、e2 k
有し、それを経て光パワに変換すべき電力を供給される
。
1の光伝送路LW1に光信号パワと1〜て力える先出出
力または第4の伝送路LW4に電力供給用光パワとして
与える光出力を生ずる電気・光パワ変換装置EOL、E
OLI、EOL2が設けられていることは好ましい。こ
れらの変換装置はそれぞれ入力端e、el、e2 k
有し、それを経て光パワに変換すべき電力を供給される
。
光信号パワとして光伝送路LW1に与えられる光および
電力供給用の光パワとして光伝送路LW4に与えられる
光は直流光であってもよいし、たとえば規則的パルス列
の形態の断続光であってもよい。パルス状の断続光を与
える場合には、次の2つの利点が得られる。第1に、尖
頭パワを大きくすることができるので、測定場所または
センサ装置と遠隔場所たとえば中央との間の距離が長い
場合にも光伝送が可能である。第2に、光電変換器の出
力が交流になるので、半導体技術による電圧変換器SW
の実現が容易である。
電力供給用の光パワとして光伝送路LW4に与えられる
光は直流光であってもよいし、たとえば規則的パルス列
の形態の断続光であってもよい。パルス状の断続光を与
える場合には、次の2つの利点が得られる。第1に、尖
頭パワを大きくすることができるので、測定場所または
センサ装置と遠隔場所たとえば中央との間の距離が長い
場合にも光伝送が可能である。第2に、光電変換器の出
力が交流になるので、半導体技術による電圧変換器SW
の実現が容易である。
電気・光パワ変換装置EOL、EOLI、EOL2は種
々の形式の光送出器たとえばレーザー(半導体レーザー
、固体レーザー、カスレーザー)または=21= 発光ダイオードであってよい。半導体レーザーの製作(
Pan1sh、M、I’(、: ヘf oジャン7’/
ヨ7−インジェクション・レーザー(Heteroj
unct 1onInjection La5ers)
I EEL: M’l’T−23(1975)第20
〜30頁参照)および発光ダイオードの製作(Leba
ieey、J、 :ファイバオゾテイクスによる接続の
ためのエレクトロルミネセンス・ダイオードの現状(5
ituation des diodes elect
rolumi −nescentes potlr
1iaisons par fil)res
optiques)Acta Electronica
22 (1979)第4号、第301〜310頁参照
)のためには、光の波長に応じて種種の材料が使用感れ
る。たとえば(QaAl ) Asまたは(InGa)
Asのような3元素半導体または(GaIn)(AsP
)のような4元素半導体が使用される(Hei−nle
in、W、 : Witte、 K、I−1: 1μm
以上の波長範囲での光導波路を経てのディジタル伝送(
1)igitaleUbertragung ’uhe
r optisehe Wc1lenlcitor i
mWellenl’angenbereich obe
rhalb 1 μm ) I”rcqueng32(
1978)第3号、第79〜84頁参照)。発光ダイオ
ードとしてはGal’のような2元素半導体22− も使用可能である。ガスレーザーはたとえばHe−Ne
レーザーである。パワ伝送用の装置EOL2に対し
てはキセノンアークランプも使用可能である。
々の形式の光送出器たとえばレーザー(半導体レーザー
、固体レーザー、カスレーザー)または=21= 発光ダイオードであってよい。半導体レーザーの製作(
Pan1sh、M、I’(、: ヘf oジャン7’/
ヨ7−インジェクション・レーザー(Heteroj
unct 1onInjection La5ers)
I EEL: M’l’T−23(1975)第20
〜30頁参照)および発光ダイオードの製作(Leba
ieey、J、 :ファイバオゾテイクスによる接続の
ためのエレクトロルミネセンス・ダイオードの現状(5
ituation des diodes elect
rolumi −nescentes potlr
1iaisons par fil)res
optiques)Acta Electronica
22 (1979)第4号、第301〜310頁参照
)のためには、光の波長に応じて種種の材料が使用感れ
る。たとえば(QaAl ) Asまたは(InGa)
Asのような3元素半導体または(GaIn)(AsP
)のような4元素半導体が使用される(Hei−nle
in、W、 : Witte、 K、I−1: 1μm
以上の波長範囲での光導波路を経てのディジタル伝送(
1)igitaleUbertragung ’uhe
r optisehe Wc1lenlcitor i
mWellenl’angenbereich obe
rhalb 1 μm ) I”rcqueng32(
1978)第3号、第79〜84頁参照)。発光ダイオ
ードとしてはGal’のような2元素半導体22− も使用可能である。ガスレーザーはたとえばHe−Ne
レーザーである。パワ伝送用の装置EOL2に対し
てはキセノンアークランプも使用可能である。
測定場所から遠隔の受信場所(たとえばSTIおよびS
T2 と同じく中央)ESに受信用光電変換器OEM
Iとして、好ましくは増幅器を後に接続されたフォトダ
イオード捷たはアバランシェフォトダイオードが設けら
れており、受信場所ESに伝送された被変調光信号が再
び電気的信号に変換されることは目的にかなっている。
T2 と同じく中央)ESに受信用光電変換器OEM
Iとして、好ましくは増幅器を後に接続されたフォトダ
イオード捷たはアバランシェフォトダイオードが設けら
れており、受信場所ESに伝送された被変調光信号が再
び電気的信号に変換されることは目的にかなっている。
フォトダイオードはたいていシリコン(Melchio
r )−]、 :可視および近赤外光の復調のだめの高
感度面速度の光検出器(5ensitive bigh
5peed photodetectors for
the demodnla目on of uisibl
e and near 1nfra−red ligh
t ) J、 Lum1nesce、nce 7 (1
973)第390〜414頁参照)から成るが、それよ
りも波長の長い光に対してはゲルマニラム・フォトダイ
オード(Ando、 H: Kanbe、 H,: K
imura、 T、 : Yamaoka。
r )−]、 :可視および近赤外光の復調のだめの高
感度面速度の光検出器(5ensitive bigh
5peed photodetectors for
the demodnla目on of uisibl
e and near 1nfra−red ligh
t ) J、 Lum1nesce、nce 7 (1
973)第390〜414頁参照)から成るが、それよ
りも波長の長い光に対してはゲルマニラム・フォトダイ
オード(Ando、 H: Kanbe、 H,: K
imura、 T、 : Yamaoka。
T、=1〜1.6μmの波長範囲でのゲルマニラム・ア
バラソジエフオトダイオードの特性(Characte
−ristics of Germanium Av
alanche 円]otodiodesin th
e Wavelengtb 几egion of
l 〜1.6μm)IEEEQE−14(1978)
第11号、第804〜909頁参照)の使用も考えられ
る。フォトダイオードを、レーザーおよび発光ダイオー
ドと同様に、3元素または4元素半導体から製作するこ
ともできる。
バラソジエフオトダイオードの特性(Characte
−ristics of Germanium Av
alanche 円]otodiodesin th
e Wavelengtb 几egion of
l 〜1.6μm)IEEEQE−14(1978)
第11号、第804〜909頁参照)の使用も考えられ
る。フォトダイオードを、レーザーおよび発光ダイオー
ドと同様に、3元素または4元素半導体から製作するこ
ともできる。
測定場所に配置される光寛変庚器0EWVi光エネルギ
ーを電気エネルギーに変換するための特殊なフォトダイ
オードであり、光の波長に応じて通常のフォトダイオー
ドと同様の材刺から製作される。
ーを電気エネルギーに変換するための特殊なフォトダイ
オードであり、光の波長に応じて通常のフォトダイオー
ドと同様の材刺から製作される。
使用される光ファイバはステップ形、クレーデッド形ま
たは単一モード形光ファイバであってよい。特にコア径
の大きい光ファイバの使用も考えられる。
たは単一モード形光ファイバであってよい。特にコア径
の大きい光ファイバの使用も考えられる。
センサ素子の電力または電流消砦はさ1ざまである。測
定量から十分に大きな電力を取出し、従って電子装置E
Eを駆動するのに十分な電圧を生じ得るセンサ素子もあ
る。このより々センサ素子はたとえば圧電式変換器、熱
電対、ポール効果式変換器などである。
定量から十分に大きな電力を取出し、従って電子装置E
Eを駆動するのに十分な電圧を生じ得るセンサ素子もあ
る。このより々センサ素子はたとえば圧電式変換器、熱
電対、ポール効果式変換器などである。
電圧Uを生ずるために電流供給を必要とするセ/す素子
もある。その例は、ストレンゲージのブリッジ回路を用
いた変換器、静電答量式圧カセンサなとである。
もある。その例は、ストレンゲージのブリッジ回路を用
いた変換器、静電答量式圧カセンサなとである。
第3図に示されている実施例では、センサ装置SEのセ
ンサ素子Sは熱電対から成る。センサ素子Sへの電力供
給はこの場合には不必要である。
ンサ素子Sは熱電対から成る。センサ素子Sへの電力供
給はこの場合には不必要である。
電気エネルギー著積装置SPはコンデンサにより実現さ
れている。
れている。
第2図に示されている実施例では、波長マルチプレクサ
が1つの共通の光伝送路上に光信号パワと電力供給用の
光パワとで相い異なる波長の光の伝送を可能にする。
が1つの共通の光伝送路上に光信号パワと電力供給用の
光パワとで相い異なる波長の光の伝送を可能にする。
1つの共通伝送路上にさらに多くの波長の光を合流させ
るため一連のマルチプレクサを多重配置することもでき
る。
るため一連のマルチプレクサを多重配置することもでき
る。
電力を消費するセンサ装置SR1場合によってはその一
部分として設けられる電子装置EEと、それらと電気的
に接続される構成要素すなわち光電変換器OEWと電圧
変換器SWと場合によっては25− は設けられるスイッチオン装置UEおよび電気エネルギ
ー蓄積装置S I)と電気光学変調器EOMとが1つの
構造ユニットにまとめられることは目的にかなっている
。特に上記の構造ユニットが、測定値を走査するセンサ
素子のみを外部から近接可能として、それ以外は電気絶
縁材料特にPvCのなかに埋込みまたはモールドインさ
れていることは目的にかなっている。この構造ユニット
は爆発の危険および(または)高い電位差が存在する場
所で使用するのに適している。それKより比較的少ない
費用で高い安全性が得られる。
部分として設けられる電子装置EEと、それらと電気的
に接続される構成要素すなわち光電変換器OEWと電圧
変換器SWと場合によっては25− は設けられるスイッチオン装置UEおよび電気エネルギ
ー蓄積装置S I)と電気光学変調器EOMとが1つの
構造ユニットにまとめられることは目的にかなっている
。特に上記の構造ユニットが、測定値を走査するセンサ
素子のみを外部から近接可能として、それ以外は電気絶
縁材料特にPvCのなかに埋込みまたはモールドインさ
れていることは目的にかなっている。この構造ユニット
は爆発の危険および(または)高い電位差が存在する場
所で使用するのに適している。それKより比較的少ない
費用で高い安全性が得られる。
一般的に、本発明による装置は電位絶縁を必要とする用
途に特に適している。
途に特に適している。
光として与えられたエネルギーにより充電可能な蓄積装
置S IPけに距離にわたる伝送を可能圧する。
置S IPけに距離にわたる伝送を可能圧する。
以上の説明中に使用した”遠隔″および”付近″という
用語は定性的なものである。センサ装置SEから一遠隔
の場所とは、センサ装置の伺近の場所にくらべてセンサ
装置81)からの距離が大きい場所26− という意味である。実際士の一例として、十ン丈装置か
ら遠隔の屹t7 kJ十ンザ装欧からl ry+または
それ以上前、1′1ており、他方センダ装置の付近の場
所(は十ンーψ素子から1cmtf−はイれ以下、乱積
回路の場合には−で一ハ上り・もはるかにわずかしか離
ね1い:ら・い、。
用語は定性的なものである。センサ装置SEから一遠隔
の場所とは、センサ装置の伺近の場所にくらべてセンサ
装置81)からの距離が大きい場所26− という意味である。実際士の一例として、十ン丈装置か
ら遠隔の屹t7 kJ十ンザ装欧からl ry+または
それ以上前、1′1ており、他方センダ装置の付近の場
所(は十ンーψ素子から1cmtf−はイれ以下、乱積
回路の場合には−で一ハ上り・もはるかにわずかしか離
ね1い:ら・い、。
以下には、中−モー ド光導岐路変調器に関する文献を
あげてよ、・〈63 0、) Baucs、P、 : 集積化方向性光結合器 (Intcgriert optische Ri
chtkoppler’)Elcktrntiik−A
nzeiger 9 (1977) 、Nr、3゜S、
19−22 (21Somekh、 S、 : ()arm
ire、 E、;Yarif、A、、; 0arv
in。
あげてよ、・〈63 0、) Baucs、P、 : 集積化方向性光結合器 (Intcgriert optische Ri
chtkoppler’)Elcktrntiik−A
nzeiger 9 (1977) 、Nr、3゜S、
19−22 (21Somekh、 S、 : ()arm
ire、 E、;Yarif、A、、; 0arv
in。
11、L、 : l−11−1unspcr、 R,0
,:チヤ不ル光導波路方向性結合器 111annel optical waveguid
e directionalcouplers ) Appl、Phys、Lctt、22 (1973)、
8.46−47(3) Papucllon、M、
: Combemale、Y、 ; Mathieu
。
,:チヤ不ル光導波路方向性結合器 111annel optical waveguid
e directionalcouplers ) Appl、Phys、Lctt、22 (1973)、
8.46−47(3) Papucllon、M、
: Combemale、Y、 ; Mathieu
。
D(、; Ostrowsky、DJI : I(e
il)cr、L、 二 lもOY。
il)cr、L、 二 lもOY。
A、M、 ; 5ejournej3. :
Werru+r、W、 ; (八)hr;i′市気
的にスイッチングされ之、方向t4. 、、)l+−結
合器(Electrically 5w1tcnerl
t゛ptical direct −1onal c
oupler ) Appl 、Phys、jyet t 27 (197
5) 、 8.289〜291(4) Schmidt
、R,V、 : Kogelnik、[1:市1気・光
学的にスイッチングされるステップ形7へβリバー−+
J−# 4波路(i’ i拡散L t N b (J)
B使用)結合器 (Eiec、trn−optical Iy sw
i Icl+ er↓ coo p l e rwi
th 5tepped △p −reversal貼
ing ’、I”i −diffused LiN1
)(Jq 、waveguicit!、、 )A
ppl、Phys、LeH,28(197fi) 、S
、503−5(16(51Kogelnik、Il、
: Schmidl、II、、V。ニスイツチングさ
れる△I反転1ヒ方向性結合器(5w1tched d
ireclional couplers witli
alternating△β) 1’rans、IE1シE Q[’、−12 (197
6) 、 S、39(i−401(615asaki、
11 ; De la Jtue、l も1
M、 :電気・光学的Yジャンクション変調器/スイッ
チ (Electro−optic Y−junction
modulator /5w1tch ) Electronics Letters 12 (1
976)、S、459−460(7) Keil、R
9’、Aurehacher、P、:Ti拡散LiNb
0.内のマツハーゼーナー導波路変調器 (Mach−Zehner Waveguide mo
dulators 1nTi−diffused Li
Nb01)S I” IうB 9 (1980)、N
r。t、8.26−31i81 Kaminow、J
、P、 :光導波路変調器 (0ptical waveguide modula
tors、 )IEEE M’l”T−23(1975
)、S。57−70上記文献による単一モード光導波路
変調器は下記のように分類される。
Werru+r、W、 ; (八)hr;i′市気
的にスイッチングされ之、方向t4. 、、)l+−結
合器(Electrically 5w1tcnerl
t゛ptical direct −1onal c
oupler ) Appl 、Phys、jyet t 27 (197
5) 、 8.289〜291(4) Schmidt
、R,V、 : Kogelnik、[1:市1気・光
学的にスイッチングされるステップ形7へβリバー−+
J−# 4波路(i’ i拡散L t N b (J)
B使用)結合器 (Eiec、trn−optical Iy sw
i Icl+ er↓ coo p l e rwi
th 5tepped △p −reversal貼
ing ’、I”i −diffused LiN1
)(Jq 、waveguicit!、、 )A
ppl、Phys、LeH,28(197fi) 、S
、503−5(16(51Kogelnik、Il、
: Schmidl、II、、V。ニスイツチングさ
れる△I反転1ヒ方向性結合器(5w1tched d
ireclional couplers witli
alternating△β) 1’rans、IE1シE Q[’、−12 (197
6) 、 S、39(i−401(615asaki、
11 ; De la Jtue、l も1
M、 :電気・光学的Yジャンクション変調器/スイッ
チ (Electro−optic Y−junction
modulator /5w1tch ) Electronics Letters 12 (1
976)、S、459−460(7) Keil、R
9’、Aurehacher、P、:Ti拡散LiNb
0.内のマツハーゼーナー導波路変調器 (Mach−Zehner Waveguide mo
dulators 1nTi−diffused Li
Nb01)S I” IうB 9 (1980)、N
r。t、8.26−31i81 Kaminow、J
、P、 :光導波路変調器 (0ptical waveguide modula
tors、 )IEEE M’l”T−23(1975
)、S。57−70上記文献による単一モード光導波路
変調器は下記のように分類される。
A)方向性結合器を用いた変調器 (1);a)結合長
さにわたり通し電極付き f21 、 (31b)結合
長さにわたり分割電極句き(△β反−29= 転) (4)、(5+ B)開側1可能なY分岐 (6) C)マツハ・ゼーソダー変調器; a)Y分岐伺き (7) b)3dB 結合器イ・」き (8)
さにわたり通し電極付き f21 、 (31b)結合
長さにわたり分割電極句き(△β反−29= 転) (4)、(5+ B)開側1可能なY分岐 (6) C)マツハ・ゼーソダー変調器; a)Y分岐伺き (7) b)3dB 結合器イ・」き (8)
第1図は1波艮の光で作動する場合の本発明による遠隔
測定装置の構成を示すブロック回路図。 第2図は2波長の光で作動する場合の本発明による遠隔
測定装置の構成を示すブロック回路図、第3図は第1図
においてセンサ素子と(7て熱7「対が用いられている
場合のブロック回路図である。 E E 、、、電子装置、EOL 、 EOLI 、
I弓OL2.・・電気。
測定装置の構成を示すブロック回路図。 第2図は2波長の光で作動する場合の本発明による遠隔
測定装置の構成を示すブロック回路図、第3図は第1図
においてセンサ素子と(7て熱7「対が用いられている
場合のブロック回路図である。 E E 、、、電子装置、EOL 、 EOLI 、
I弓OL2.・・電気。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)IjllI定量の測定値を測定場所から遠隔場所へ
伝送するだめの遠隔測定装置において、測定場所に配置
され測定量を走査し被走査測定値を測定値に関係する電
気的出力信号(Umlの形態で出力するセンサ装置(S
B)が設けられており、その電気的出力信号(U m
)がセンサ装置(SB)の付近に配置された電気光学変
調器(EOM)に制御信号として与えられ、この変調器
(ROM)にはセンサ装置(SB)から遠隔の場所(S
’l’l )から第1の光伝送路(LWI)を経て光信
号パワが与えられており。 この変調器(ROM)内で電気的出力信号(山η)によ
り制御されて光信号パワが変調され、この変調器(EO
M)から被変調光信号パワが第2の光伝送路(LW2)
を経てセンサ装置(SE)から遠隔の受信場所(E8
)に与えられてお9.またセンサ装置(SE)から遠隔
の場所(S’l’、8T1.8T2)から光パワが少な
くとも1つの第3の光伝送路(LW3)を経て光分割装
置(OT )に与えられ、そこで第1および第2の光パ
ワ部分に分割され、第1の光パワ部分は光信号パワとし
て第1の光伝送路(LWI)に与えられており、まfr
c第2の光パワ部分1jセンサ装置(SE)の電気的部
分の作動に必安な電力を供給するための光パワと1〜て
少lくとも1つの第4の光伝送路(LW4)を経てセン
サ装置(SE)の伺近に配置された光電変換器((月(
M)に与えられ、そこで電力に変換されてセンサ装置(
S E )に供給されていることを特徴とする遠隔測定
装置。 2、特許請求の範囲第1項記載の遠隔測定装置において
、光分割装置(OT)が、第3の光伝送路(LW3)を
経て与えられた特定波長(人)の光パワを第1および第
2の光パワ部分に分割し第1の光パワ部分を第1の光伝
送路(■・Wl)に1だ第2の光パワ部分全組4の光伝
送路(1,、W4)に−えるビームスプリッタから成る
ことを特徴とする遠隔測定装置。 3)特許請求の範囲第1」口記載の娘隔測定装置におい
て、光分割装置(01’ )が、第3の光伝送路(LW
3)を経て与えられた2つの波長(λ1.λ2)を含む
光パワを両波長(λ1.λ、)に従って第1の波長(λ
、)の第1の光パワ部分と第2の波長(λ2)の第2の
光パワ部分とに分割し第1の光パワ部分を第1の光伝送
路(LWI)にまた第2の光パワ部分を第4の光伝送路
(LW4)に与える波長デマルチプレノサから成ること
を特徴とする遠隔測定装置。 4)特許請求の範囲第3項記載の遠隔測定装置において
、センサ装置(SB)から遠隔の場所(ST1)から第
1の波長(λ1)の光パワを、また同じくセンサ装置(
SE)から遠隔の場所(ST2)から第2の波長(λ2
)の光パワを与えられ、これらの光・くワを一緒に第3
の光伝送路(LW3)に与える波長マルチプレクサが設
けられていることを特徴とする遠隔測定装置。 5)特許請求の範囲第3項または第4項記載の遠隔測定
装置において、第3の光伝送路(LW3)に与えられる
第1の波長(λ1)の光パワが、同じくこの光伝送路(
LW3)に与えられる第2の波長(λ2)の光パワより
も不妊いことを特徴とする遠隔測定装置。 6)特許請求の範囲第1項ない1〜第5項のいずれかに
記載の遠隔測定装置において、光分割装置(OT)が第
3の光伝送路(LW3)を経て与えられた光パワを2つ
の不等の光パワ部分に分割し、小さいほうの光パワ部分
を第1の光伝送路(T、Wl)に与えることを特徴とす
る遠隔測定装置。 7)特許請求の範囲第6項記載の遠隔測定装置において
、小さいplうの光パワ部分は他力の光パワ部分の約1
/10の大きさであることを’+h= eとする遠隔測
定装置。 8)特許請求の範囲第1項ないし第7項のいずれかに記
載の遠隔測定装置において、各光伝送路(LWI 、
LW2 、 LW:l )が少なくとも1つの光フアイ
バ伝送路から成ることを特徴とする遠隔lit++定装
置。 9)特許請求の範囲第8項記載の遠隔611」定装置に
おいて、第4の光伝送路(1,W4)が複数の光フアイ
バ伝送路を含んでいることを%r改とする遠隔6111
定装置。 10)特許請求の範囲第1項ないし第9項のいずれかに
記載の遠隔測定装置において、電力供給用の光パワが直
列に接続された複数個の光電変換器(OEM)に与えら
れており、かつ(または)光電変換器(OEM)の後に
電圧変換器(SW)が接続されていることを特徴とする
遠隔測定装置。 11)特許請求の範囲第10項記載の遠隔測定装置にお
いて、電圧変換器(SW)が電気エネルギー蓄積装置(
sp)と接続されていることを特徴とする遠隔測定装置
。 12、特許請求の範囲第11項記載の遠隔測定装置にお
いて、電気エネルギー蓄積装置(sp)が繰返し充電可
能な蓄積装置から成ることを特徴とする遠隔測定装置。 13)特許請求の範囲第12項記載の遠隔測定装置にお
いて、繰返し充電可能な蓄積装置が蓄電池および(また
は)コンデンサから成ることを特徴とする遠隔測定装置
。 14)%許請求の範囲第1項ないし第13項のいず 5
− れかに記載の遠隔測定装置において、センサ装置(SE
)が、被走査測定値に関係する電気的信号(U) を
生ずるセンサ素子(S)と、センサ素子(S)から生じ
た電気的信号(U)をそれに関係し電気光学変調器(R
OM)の制御に適した電気的信号(Um)に変換する電
子装置(EE)とを有することを特徴とする遠隔測定装
置。 15)%許請求の範囲第14項記載の遠隔測定装置にお
いて、電子装置(EE)から出力される電気的信号(U
m)が、センサ素子(8)からの電気的信号(U)によ
り周波数を変調された交流電圧、またはセンサ素子(S
)からの電気的信号(U)によりパルス位相および(ま
たは)パルス幅を変調されたパルス列、またはセンサ素
子(S)からの電気的信号(U)を表わす2値打号化さ
れた信弓であることを特徴とする遠隔測定装置。 16)%許請求の範囲第1項ないし第15項のいずれか
に記載の遠隔測定装置において、センサ装置(SE)の
付近に配置され光電変換器(OEM)の後に接続された
電気的に制御可能なスイッチオン装 6− 置(UE)が設けられており、第4の光伝送路(LW4
)を経て与えられる制御信号によりセンサ装置(SE)
への電力供給の選択的なスイッチオフまたはスイッチオ
ンが可能であることを特徴とする遠隔測定装置。 17)特許請求の範囲第6項記載の遠隔測定装置におい
て、スイッチオフ装置(UE)が双安定回路から形成さ
れていることを特徴とする遠隔測定装置。 18)%許請求の範囲第11項、第12項、第16項お
よび第17項のいずれかに記載の遠隔測定装置において
、センサ装置(SE)への電力供給がスイッチオフされ
ている時間中に電気エネルギー蓄積装置(SP)を光の
形態で伝送されたエネルギーにより充電装置が設けられ
ていることを特徴とする遠隔測定装置。 19)%許請求の範囲第1項ないし第18項のいずれか
に記載の遠隔測定装置において、少なくとも電子装置(
EE)が、また場合によっては電圧変換器(SW)も、
またセンサ装置(BB)の電気的部分も低損失の集積(
JO8’Eたは12L半導体回路から形成されているこ
とを特徴とする遠隔a+定装置。 2、特許請求の範囲第1項ない[2第9 xilのいず
れかに記載の遠隔測定装置において、各波長(λ。 λ1.λ2)に対して第3の光伝送路(LW3)に与え
る光出力を生ずる15.気・光パワ変換装置(EOL。 EOLI、EOL2 )が設けられており、かつ(また
は)第2の光伝送路(LW2)を経て受(m場所(ES
)に伝送された被変調光信号パワを受信する受信用光電
変換器(OBMl)が設けられていることを特徴とする
遠隔測定装置。 2、特許請求の範囲第20項記載の遠隔測定装置ニオイ
テ、電気・光パワ変換装置t (EOL 、 EOLI
。 EOL2)がレーザー、発光ダイオードまたはキセノン
アークランプの形態の光送出器を有することを特徴とす
る遠隔測定装置。 2、特許請求の範囲第20項または第21項記載の遠隔
測定装置において、電気・光パワ変換装置(EOL、E
OLI、EOL2)が光出力として直流光−または規則
的パルス列を生ずることを特徴とする遠隔測定装置。 2、特許請求の範囲第20項ないし第22項のいずれか
に記載の遠隔測定装置において、受信用光電変換器(O
EMI )が増幅器を後に接続されたフォトダイオード
またはアバランシェ7オトダイオードを有することを特
徴とする遠隔測定装置。 2、特許請求の範囲第8項ないし第23項のいずれかに
記載の遠隔測定装置において、第1(LWI)、第2(
LW2)および(−!、たは)第3(LW3)の光伝送
路がコア径の大きい光ファイバから成り、第3の光伝送
路(LW3)は場合によっては複数本のコア径の大きい
光ファイバから成ることを特徴とする遠隔測定装置。 2、特許請求の範囲第1項ないし第24項のいずれかに
記載の遠隔測定装置において、電気光学変調器(EOM
)が単一モード光導波路変調器または多モード変調器か
ら成ることを特徴とする遠隔測定装置。 2、特許請求の範囲第25項記載の遠隔測定装置におい
て、多モード変調器がブラッグ変調器であることを特徴
とする遠隔測定装置。 9 −
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