JPS5868480A - 極低炭素鋼のサブマ−ジア−ク溶接方法 - Google Patents
極低炭素鋼のサブマ−ジア−ク溶接方法Info
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- JPS5868480A JPS5868480A JP16634081A JP16634081A JPS5868480A JP S5868480 A JPS5868480 A JP S5868480A JP 16634081 A JP16634081 A JP 16634081A JP 16634081 A JP16634081 A JP 16634081A JP S5868480 A JPS5868480 A JP S5868480A
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- welding
- submerged arc
- groove
- arc welding
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K9/00—Arc welding or cutting
- B23K9/23—Arc welding or cutting taking account of the properties of the materials to be welded
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
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- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Arc Welding In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は極低炭素鋼のサブマージアーク溶接方法(以下
潜弧溶接法という)に関するものである。
潜弧溶接法という)に関するものである。
近年鋼材は制御圧延の進歩と同時に溶接性の向上あるい
はコスト低減を計るため、ラインパイプ材を含め低C化
の傾向にある。これら低C鋼溶接金属の高温割れ感受性
は従来一般に低いと考えられてきた。
はコスト低減を計るため、ラインパイプ材を含め低C化
の傾向にある。これら低C鋼溶接金属の高温割れ感受性
は従来一般に低いと考えられてきた。
即ち溶接金属の高温割れおよび低温割れ感受性と靭性の
向上のため溶接金属のC量は母材と同程度もしくは低い
値に設定することが従来の定説であり、例えば構造用高
張力鋼、低温用鋼が、0.08%くC<、0.18%の
とき、溶接金属は0.07くC<、0.15%を目標値
とされるのが通常である。
向上のため溶接金属のC量は母材と同程度もしくは低い
値に設定することが従来の定説であり、例えば構造用高
張力鋼、低温用鋼が、0.08%くC<、0.18%の
とき、溶接金属は0.07くC<、0.15%を目標値
とされるのが通常である。
ところが本発明者らの検討によると極低C鋼を、従来常
用される溶接ワイヤを用いて潜弧溶接を行って得た溶接
金属の高温割れ感受性はむしろ高壕ることを知った。
用される溶接ワイヤを用いて潜弧溶接を行って得た溶接
金属の高温割れ感受性はむしろ高壕ることを知った。
即ち極低C域ではデンドライト衝合部がδ凝固するため
と考えられ、割れ低減にはγ安定化元素であるC量の増
加が必要であることを確認した。
と考えられ、割れ低減にはγ安定化元素であるC量の増
加が必要であることを確認した。
而して本発明は極低C鋼の浴接金属の高温割れに対し、
適正な溶接金属C含有量があることを見出し、この適正
範囲を得るための極低C鋼の潜弧溶接法を提供するもの
である。
適正な溶接金属C含有量があることを見出し、この適正
範囲を得るための極低C鋼の潜弧溶接法を提供するもの
である。
即ち本発明の要旨はCを0.005−0.06重量%含
有する鋼をC含有量0.06−0.14%の溶接ワイヤ
を用いて行なうサブマージアーク溶接において、開先底
部に加炭素材を配置することにより開先単位長さ当り、 Cを添加する事にある。
有する鋼をC含有量0.06−0.14%の溶接ワイヤ
を用いて行なうサブマージアーク溶接において、開先底
部に加炭素材を配置することにより開先単位長さ当り、 Cを添加する事にある。
但しMはワイヤおよび加炭素材中金属分の単位時間当り
の溶融量、すなわち溶着 速度(Vz4)、Sは溶接速度(―−)とする。
の溶融量、すなわち溶着 速度(Vz4)、Sは溶接速度(―−)とする。
以下本発明を詳述する。
本発明の対象鋼ばC0,06重量%以下で、鋼としての
強度を有するとみられるC0.005%以上を含む一般
構造用鋼、低温用低合金鋼等の極低C鋼とするが、Ni
等のγフォーマ元素を含む例えばステンレス鋼等は除外
される。
強度を有するとみられるC0.005%以上を含む一般
構造用鋼、低温用低合金鋼等の極低C鋼とするが、Ni
等のγフォーマ元素を含む例えばステンレス鋼等は除外
される。
現在常用される潜弧溶接における溶接ワイヤのC含有量
は、006〜0.14%の範囲のものであることが知ら
れている。ところで本発明者らの検討によると、C含有
量0.06%のワイヤで0.005%Cの鋼板を溶接す
る場合の溶接金属中のC含有量は0.03%以下となり
、第1層目の溶接金属はδ単相凝固となって、2次プン
ト9ライトの生成が抑制されるため凝固われが発生し易
くナル。従って適正な溶接金属C量にするには、少くと
も0.04%〜0.14%程度のC添加が必要である。
は、006〜0.14%の範囲のものであることが知ら
れている。ところで本発明者らの検討によると、C含有
量0.06%のワイヤで0.005%Cの鋼板を溶接す
る場合の溶接金属中のC含有量は0.03%以下となり
、第1層目の溶接金属はδ単相凝固となって、2次プン
ト9ライトの生成が抑制されるため凝固われが発生し易
くナル。従って適正な溶接金属C量にするには、少くと
も0.04%〜0.14%程度のC添加が必要である。
又たとえ、ワイヤC量の高い014%のものを用いても
、ワイヤ中ΩCが酸化してCOガスとなるため1.0.
061C鋼を用いた場合でも、0.07%C程度の溶接
金属となり、健全な溶接金属を確実に得るには、若干量
のCを添加しておく事が必要となる。即ち、少くとも0
.01%〜0.09%のCを添加する事が必要である。
、ワイヤ中ΩCが酸化してCOガスとなるため1.0.
061C鋼を用いた場合でも、0.07%C程度の溶接
金属となり、健全な溶接金属を確実に得るには、若干量
のCを添加しておく事が必要となる。即ち、少くとも0
.01%〜0.09%のCを添加する事が必要である。
以上の通り0.005〜0.064Cの鋼を通常のワイ
ヤを用いて溶接する場合には、溶接金属に対し0.01
〜014チのCを別途に補なう事が必要であるという事
を意味する。
ヤを用いて溶接する場合には、溶接金属に対し0.01
〜014チのCを別途に補なう事が必要であるという事
を意味する。
実験によると上述の目的達成のためには予め −a
開先単位長す当す2.5 X−X 10 (r4)〜5
.OX”X10−3S (り、4)のCを添加することが実技に適している。
.OX”X10−3S (り、4)のCを添加することが実技に適している。
このため本発明においては、初層溶接時に開先内にCを
含有する物質、即ち鋳鉄粉、高Cカットワイヤ、クラフ
ァイト含有フラックス等を配置しておくものであるが、
開先内に配置するこれら物質の量は以下のように考える
ものである。
含有する物質、即ち鋳鉄粉、高Cカットワイヤ、クラフ
ァイト含有フラックス等を配置しておくものであるが、
開先内に配置するこれら物質の量は以下のように考える
ものである。
即ち、本発明法において適用する潜弧溶接用フラックス
および溶接条件によって決定される溶着速度および溶接
速度を、それぞれM 17mおよびS tB//IiR
とすると、単位開先長さ当りの溶着量はMン′S(1/
□)となる。通常、サブマージアーク溶接の初層におけ
る母材希釈率は60チ程度であり、これを考慮すると初
層溶接における単位開先長さ当りの溶接金属生成量は2
.5XM/S(f/□)である。
および溶接条件によって決定される溶着速度および溶接
速度を、それぞれM 17mおよびS tB//IiR
とすると、単位開先長さ当りの溶着量はMン′S(1/
□)となる。通常、サブマージアーク溶接の初層におけ
る母材希釈率は60チ程度であり、これを考慮すると初
層溶接における単位開先長さ当りの溶接金属生成量は2
.5XM/S(f/□)である。
この溶接金属に対し、前述のC不足量0.01〜014
チを補なうためには、 (r/cyi)のCを配置する事を必要とする。
チを補なうためには、 (r/cyi)のCを配置する事を必要とする。
実除には開先内に配置したCが、すべて溶接金属中に添
加されるものではなく、一部は酸素と反応してCOガス
となり放散する。この消費C量は、Cの添加状態によっ
て異なり、結局本発明者らの検討結果によれば、単位開
先長あたが必要である事が判明した。
加されるものではなく、一部は酸素と反応してCOガス
となり放散する。この消費C量は、Cの添加状態によっ
て異なり、結局本発明者らの検討結果によれば、単位開
先長あたが必要である事が判明した。
なお、こ〜で母材の希釈率を60%としたが、開先内に
加炭用金属物を配置した場合、その分だけ母材の溶融量
が減少するものと考えろ事が出来る。従って、開先に加
炭用金属物をおいた場合でも、溶接金属生成量は2.5
M/S (r/cm ’)である。
加炭用金属物を配置した場合、その分だけ母材の溶融量
が減少するものと考えろ事が出来る。従って、開先に加
炭用金属物をおいた場合でも、溶接金属生成量は2.5
M/S (r/cm ’)である。
本発明において予め開先内に配設する加炭素材としては
次のようなものが用いられる。
次のようなものが用いられる。
高C金属粉:鋳鉄粉、高C鉄粉、
高CFe−Mn、高CFe−Cr
金属カーバイト’ 5i−C% Cr −C高C含有ワ
イヤ:(ワイヤの場合は開先に横置する) 高Cカットワイヤ:カットワイヤとは細径のワイヤ(1
,2〜1.696)を1〜1.696程度に細断したも
の Cを多量に添加して造粒したフラックスC含有物質は溶
接金属中にCを添加するためのものであり、通常用いら
れるワイヤよりCを多量に含有している事が必要で、少
くとも02チ以上が必要である。又、開先内で溶融され
るものであり、溶接金属にとって水分等有害なものを多
量に含んでいるものは避けられるべきである。
イヤ:(ワイヤの場合は開先に横置する) 高Cカットワイヤ:カットワイヤとは細径のワイヤ(1
,2〜1.696)を1〜1.696程度に細断したも
の Cを多量に添加して造粒したフラックスC含有物質は溶
接金属中にCを添加するためのものであり、通常用いら
れるワイヤよりCを多量に含有している事が必要で、少
くとも02チ以上が必要である。又、開先内で溶融され
るものであり、溶接金属にとって水分等有害なものを多
量に含んでいるものは避けられるべきである。
本発明は主に両面1層、多層又は片面溶接に適用するも
のであり、S(溶接速度)としては20〜200為ん、
M(溶着速度)は100〜2000 r/順程度である
。
のであり、S(溶接速度)としては20〜200為ん、
M(溶着速度)は100〜2000 r/順程度である
。
以下実施例について本発明を説明する。
実施例
表1に示すような6種類の低C含有鋼を溶接するにあた
り、表2(W1〜W3)および表3(Fl〜F3)に示
すワイヤおよびフラックスを用いた。表3中のFlは両
面溶接用のメルト型フラックス、F2.3はボンド型フ
ラックスで前者は両面溶接用、後者は片面溶接用のフラ
ックスである。
り、表2(W1〜W3)および表3(Fl〜F3)に示
すワイヤおよびフラックスを用いた。表3中のFlは両
面溶接用のメルト型フラックス、F2.3はボンド型フ
ラックスで前者は両面溶接用、後者は片面溶接用のフラ
ックスである。
これらの材料を用いて12種類の溶接を行なったが、鋼
板、ワイヤおよびフラックスの組み合わせならびに溶接
要領は表4に示す通りである。Cを添加するのに用いた
C含有物質の種類および配置量も表4に示した通りであ
る。
板、ワイヤおよびフラックスの組み合わせならびに溶接
要領は表4に示す通りである。Cを添加するのに用いた
C含有物質の種類および配置量も表4に示した通りであ
る。
表中のA1〜9は本発明例で、屋10〜12は本発明例
の効果をより明確にするための比較例である。又、両面
溶接における場合の実施例はBP側に関するものを示し
ている。
の効果をより明確にするための比較例である。又、両面
溶接における場合の実施例はBP側に関するものを示し
ている。
溶接はA3.9については2電極溶接、A8および12
の片面1層溶接については3電極溶接で実施した。その
他については、1電極溶接である。
の片面1層溶接については3電極溶接で実施した。その
他については、1電極溶接である。
表中に示した溶着速度はBP側側層層目片面溶接の場合
は1層目)に関するものである。
は1層目)に関するものである。
又、両面多層溶接の場合は、BP側およびEP側の初層
のみについて本発明を実施し、2層目についてはC含有
物質を配置する事なく通常のサブマージアーク溶接を行
なった。
のみについて本発明を実施し、2層目についてはC含有
物質を配置する事なく通常のサブマージアーク溶接を行
なった。
片面溶接の場合の裏当法としては、銅当金上に裏フラッ
クスを層状に散布し、これを鋼板裏面に押し当てて行う
フラックス−鋼バッキング法を用いた。裏フラックスと
してはCaO−MgO−8iOz系の専用裏フラックス
を用いた。
クスを層状に散布し、これを鋼板裏面に押し当てて行う
フラックス−鋼バッキング法を用いた。裏フラックスと
してはCaO−MgO−8iOz系の専用裏フラックス
を用いた。
以上の溶接の結果、屋1〜9については本発明の効果に
基づき、表中の溶接結果に示した通り、適正C含有量の
初層溶接金属を得る事が出来、割れの発生もなく、又良
好な衝撃靭性が得られた。
基づき、表中の溶接結果に示した通り、適正C含有量の
初層溶接金属を得る事が出来、割れの発生もなく、又良
好な衝撃靭性が得られた。
一方、比較例のAll、12は初層溶接金属中のC含有
量が過小で、又l612は過多のためいずれも割れが発
生した。
量が過小で、又l612は過多のためいずれも割れが発
生した。
表2
51 化 学 成 分 (チー>−−−
1表3
1表3
第1図及び第2図は開先形状の説明図である。
竿1図
箒2図
手続補正書(方式)
昭和57年2Jt6 日
特許庁長官島 1)春 樹 殿
1事件の表示 昭和56 年特許願第 166340号
2発明の名称 極低炭素鋼のサブマージアーク溶接方法
3補正をする者 事件との関係 特許出願人性 所
東京都千代田区大手町2丁目6番3号名 称 (66
5) 新日本製鐵株式食紅代表者 武 1) 豊 4代 理 人 住 所 東京都中央区日本橋3丁目3番3号5補正命
令の日付 昭和57年2 月n 日(発送日)6補正に
より増加する発明の数
2発明の名称 極低炭素鋼のサブマージアーク溶接方法
3補正をする者 事件との関係 特許出願人性 所
東京都千代田区大手町2丁目6番3号名 称 (66
5) 新日本製鐵株式食紅代表者 武 1) 豊 4代 理 人 住 所 東京都中央区日本橋3丁目3番3号5補正命
令の日付 昭和57年2 月n 日(発送日)6補正に
より増加する発明の数
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Cを0.005−0.06重量%含有する鋼をC含有量
0.06−0.14%の溶接ワイヤを用いて行なうサブ
マージアーク溶接において、開先底部に予め加炭素材を
配置することにより開先単位長のCを添加して行なうこ
とを特徴とする極低炭素鋼のサブマージアーク溶接方法
。 但しMは溶着速度(f/m)、Sは溶接速度0V−)と
する。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16634081A JPS5868480A (ja) | 1981-10-20 | 1981-10-20 | 極低炭素鋼のサブマ−ジア−ク溶接方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16634081A JPS5868480A (ja) | 1981-10-20 | 1981-10-20 | 極低炭素鋼のサブマ−ジア−ク溶接方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5868480A true JPS5868480A (ja) | 1983-04-23 |
| JPH025513B2 JPH025513B2 (ja) | 1990-02-02 |
Family
ID=15829547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16634081A Granted JPS5868480A (ja) | 1981-10-20 | 1981-10-20 | 極低炭素鋼のサブマ−ジア−ク溶接方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5868480A (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50131640A (ja) * | 1974-04-03 | 1975-10-17 | ||
| JPS5122383A (en) * | 1974-08-19 | 1976-02-23 | Omron Tateisi Electronics Co | Handotaikanatsusochi |
| JPS5460242A (en) * | 1977-10-21 | 1979-05-15 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Submerged arc welding method |
| JPS5626675A (en) * | 1979-08-10 | 1981-03-14 | Sumitomo Metal Ind Ltd | Submerged welding method |
| JPS5668591A (en) * | 1979-11-09 | 1981-06-09 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Thick-walled material welding method |
-
1981
- 1981-10-20 JP JP16634081A patent/JPS5868480A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50131640A (ja) * | 1974-04-03 | 1975-10-17 | ||
| JPS5122383A (en) * | 1974-08-19 | 1976-02-23 | Omron Tateisi Electronics Co | Handotaikanatsusochi |
| JPS5460242A (en) * | 1977-10-21 | 1979-05-15 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Submerged arc welding method |
| JPS5626675A (en) * | 1979-08-10 | 1981-03-14 | Sumitomo Metal Ind Ltd | Submerged welding method |
| JPS5668591A (en) * | 1979-11-09 | 1981-06-09 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Thick-walled material welding method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH025513B2 (ja) | 1990-02-02 |
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