JPS5870422A - 磁気記録用媒体の後処理法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ビデオ、オーディオ或は他のデジタル化した情＜Ｉｔ　
１呆仔にテープ、シート又は円盤状記録装置を用い／Ｃ
従来の磁気６己録法では、非磁性基材上に形成された磁
気記録用層上に、記録用変換器即ちヘッドに対する媒体
の相対的動きの方向と平行な長手方向にそのフィルムの
平面中のその磁気記録用層を磁化することによって信号
を記録する。之は横型磁化方式（’］、ｏｎｇｉｔｕｄ
ｉｎａ、ｌ　ｍａｇｎｅｔｉｚａｔｉｏｎ　ｍｏｄｅ　
）として言及されている。記録工程中、保存すべき情報
〔又はピッ）　（ｂｉｔ　）　］を磁化の状態又は方向
を変えることによって記録する。即ち情報のビットを、
磁性媒体の磁化方向を逆にするか又は逆の磁束を生じさ
せることによりつくり出す。横型磁化方式で記録する時
、強い消磁場が媒体の、反対に磁化さｆｔた領域の間に
生ずる。横型磁化記録方式でこの消磁場が存在すること
により、残留磁化の減衰及び回転を起し、記録信号を再
生した時に減衰した出力が得られる結果になる。この減
衰及び信号の悪化は、情報詰め込みの線密度が増大する
に従って或は横型磁化の方向の記録用信号波長が減少す
るに従ってひどくなる。その結果横型磁化方式で可能な
最大記録密度が制限されることになる。

もし磁性層が原理的に残部のフィルム向に直角な磁化を
維持できるならば、従ってもし信号が、その信号の模様
に従って磁性層の表面に直角な向きに磁化方向を逆にす
ることにより記録される（　１．！ＩＩも、いわゆる垂
直磁化方式で記録される）ならば、記録ぞ度を増大する
ことによるような記録信号の波長の減少は消磁場の減少
を起す。従って（毘気記録媒体の与えられた領域に保存
される情報密度の増大にとって、垂直磁化方式による記
録（今後垂直記録として言及する）は、横型磁化方式を
用いた従来の記録（横型記録として今後言及する）より
有利であることは分るであろう。

垂直記録用磁性記録媒体を製造するための現在提案され
ている方法に伴われる問題を解決するために、垂直記録
用媒体のためのフィルム向に垂直に局度に配向した磁化
容易軸（ｅａｓｙ　ａｘｉｓ　ｏｆｆｒｌａｇｎθｔｉ
ｚａｔｉｏｎ　）を有する磁気記録用媒体で、極めて低
コストで製造でき、多くの垂直記録の用途に非ｔ：ζに
よく逸合し、競合できるものにすることかできる磁気記
録用媒体を製造する別の方法が見出された。この方法を
ここで詳細に説明するが、その主題は同時に出願された
特許出願５ｅｒｉａｌ　Ａ６（Ｄ／８１００３）の基礎
になっている。本発明は垂直磁化ヒステリシス特性をよ
くするため、そのような媒体を後処理することに関する
。他の後処理法は同時出願の特許出願５ｅｒｉａｌ　Ａ
６　（Ｄ　／８１０８９　）の主題であり、その基礎に
なっている。

本発明によれば、本発明の方法は、基材と、その上に針
状結晶状磁性粒子からなる薄い磁性層を付着させたもの
からなる連続的な薄いフィルム状磁性媒体で、各粒子の
結晶の結晶学的”　Ｉｔ軸を針状粒子の長手方向の軸に
平行に配向させ、針状粒子のその長手方向の軸が該磁性
層の面に対し実質的に垂直に配向されているフィルム状
磁性媒体の後処理に関する。後処理法によって、フィル
ムの磁性粒子間の分離が大きくなり、それによってそれ
らの消磁場Ｈａを減少しながら保磁力（ｃｏθｒｃｉｖ
１ｔｙ）Ｈｃを増大することができる。この方法は粒子
相互の界面での強めた粒子界面反応を用いて、磁性層に
反応剤を拡散させるか又は磁性層を食刻刑で食刻するこ
とにより効果的に粒子の分離を達成する工程からなる。

本発明によれば、Ｃｏ又はＣｏ合金を基礎にした薄い磁
性フィルムの如き薄い磁性フィルム又は層に対する種々
の後処理によって、磁性層の垂直粒子間に大きな粒子相
互の分離を与え、それによって薄いフィルムの磁化性を
改良し、更に垂直記録用媒体の垂直磁化ヒステリシス特
性をよくすることができる。磁性媒体は針状結晶粒子か
らなる磁性層で、各粒子の結晶の結晶学的”Ｃ＋ｌ軸が
針状粒子の長軸と平行に配列し、それらの粒子が磁性層
の平面に実質的に直角になっている磁性層からなる。処
理はここで論する特定の製造法に限定されるわけではな
いが、得られるフィルムが上述の垂直異方性をもつ眠り
、スパッタリング或は真空蒸后の如き他の方法によって
製造される他の垂直記録用媒体にも適用できる。之等の
処理は強力な粒子界１用拡散及び強力な粒子界面賞刻の
原理に基いている。

本発明の上記及び他の目的、特徴及び利点は付図に関連
した次の記載を参照することにより一層明確になり、理
解されるであろう。

１）垂直記録用磁性フィルム製造のために好まし配向を
したＣｏ及びＣＯ基礎合金の電気メツキ第１図は本発明
を構成する磁気記録用媒体１０を例示している。この例
示は、磁気記録用層１４の微細構造及び性質を一層理解
し易くするために著しく拡大して示しである。層或はフ
ィルム１４は電気化学的メッキ法により、導電性支持体
１２上に付着されている。メッキ法の条件は、得られる
磁性フィルム１４の微細構造が、多数の実質的に均一な
針状或は柱状結晶子即ち粒子１６からなっていて、然も
その針状体の長軸と、粒子１６の結晶学的“　ＩＩ軸１
８が共にフィルム面に対し垂直と配列しているように選
択すべきである。

こと及び後の実施例で論するフィルム１４を構成する結
晶質材料は、ＨＣＰ　Ｃｏ又はＣｏを基質にした合金の
粒子である。Ｃｏを基礎にした合金の例ばＣｏＲｅ　、
　　ＣｏＣｒ及びＣｏＮｉである。

フィルム粒子１６は、粒子＋Ｕｊの粒子境界２２に存在
する不純物又は空腔２０によって物理的に分離されてい
る。もし媒体が第１図に示した好ましく配向した柱状型
及び結晶異方性の両方をもつ何個の針状粒子１６からな
るならば、磁性層即ちフィルム１４は磁化容易軸をフィ
ルム面に直角にした強い一軸異方性をもち、その電着さ
れたフィルムを垂直記録に極めて適したものにするであ
ろう。

「完全に好ましい異方法」とは結晶の°“″軸１８か谷
針状粒子の長手方向の軸に実質的に宿った配向をしてお
り、同時に各針状粒子１６の長手方向の軸がフィルム１
４０面に直角（実質的に垂直）に配列していることを意
味する。

第２図はフィルムの大きな領域上で振動試料磁力計によ
って測定した記録用層の適用磁場Ｈと磁化Ｍとの間の関
係を表す理想的磁気ヒステリシスループを例示するもの
である。実線のヒステリシスループ２４は磁性フィルム
がフィルム面に直角な一軸異方性を有する時の垂直（土
）磁化方向の場合の理想的ヒステリシス特性を表し、点
線のヒステリシスルーツ２６は磁化方向が同じフィルム
の長手方向（ＩＩ）にある場合の理想的ヒステリシス特
性を表す。全体的フィルムの理想的垂直ヒステリシスル
ープ２４は、容易に磁化する方向と反対の方向に油った
消磁場（Ｈａ）効果により長方形の平行な管を傾けた平
行四辺彫型になるであろう。

もしフィルムの主要部分から消磁場効果のない個々の磁
性粒子だけを考えれば、−軸異方性の大きなフィルムの
粒子の固有ヒステリシスルーズは、第３図のヒステリシ
スルーズ２８で例示したように、傾斜のない優れた矩形
の形になるであろう。

高缶度記録即ち短波長（λ）記録の場合、逆になった磁
化の間の直線距離は全く小さく、従って一つの磁化ビッ
ト領域内の消磁場Ｈ（１は波長（λ）が短くなると共に
減少し或は苓に近づいていく。

結局、高密度記録ではそのような磁化鎖酸の磁気ヒステ
リシスルーズは、第６図に例示した固有ル試料輯力計で
測定して、フィルム生簀部分の垂直ヒステリシスループ
が第２図のループ２４で表わされた形に似た形をしてい
る第５図の良好な平行四辺形のヒステリシスループ３０
を示す結果になの磁化ビット領域の固有ループとフィル
ム主要部の磁気ヒステリシスループとの相関関係のもつ
物理的事実によるものである。

基本的に固有ループ２８から、フィルム主要部又は長波
長記録用領域のヒステリシスループ３０が傾いていくの
は、消磁部Ｈａに起因する。原理的に、消磁部Ｈａの程
度はＣｒ或はＲｅの如き合金元素をドープ（ｄｏｐθ）
することによって媒体の磁化Ｍｅを減少させるか又は粒
子１６間の分離を増大する即ち粒子境界２２の大きさを
増大することにより減少させることができる。合金元素
のドープにより消磁部Ｈｄを減少させる場合には、傾斜
の程度は必ずしも減少しないのに対し、結晶子間の分離
を増大することにより消磁部Ｈａを減少させる場合は、
傾斜の程度を劇的に減少させることができる。

一般に、良好な垂直異方性を有するが、垂直方向に強い
消磁部Ｈ（ｉを伴う実際的で有用なフィルムについては
、実際上フイルム主要部分について測定して垂直磁化ヒ
ステリシスループがいくらかの傾きを示し、平行な彎曲
がいくらか残っているである。之等の平行（１１）及び
垂直（土）磁化ヒステリシスループの臼型的な例は、第
４Ａ図にループ３２及び３４として夫々例示されている
。傾斜の程度及び二つのループの間の相対的傾斜度はフ
ィルム中の消磁部Ｈ（Ｌの強度に関係している。

もし垂直方向の消磁部が磁性粒子の粒子間分離を増大す
ることによって減少するならば、垂直ヒステリシスルー
プ３４は傾斜が減少し、同時に保磁力Ｈａが増大するで
あろう。それに対し平行ヒステリシスループ３２は傾斜
が増大する。２等平行（］１）及び垂直（±）ヒステリ
シスループで得られる相対的位置及び形は、例えば第４
Ｂ図に例示したヒステリシスループ３２′及び３４′の
ような形に変化してくるであろう。

垂直ループ３４の傾斜の減少及びＨｅの増大は、媒体が
磁化域の自己消磁を起すことなく長波長側の記録を保持
し、それによって記録されたビット情報の信頼性及び正
確度が増大することを意味しているであろう。

形及び結晶学的方向の両方で好ましく配向した結晶子に
より上述のフィルム特性を有し、然も垂直方向の消磁部
Ｈａを減少させた磁気記録用フィルムを、メッキ条件を
制御して針状磁性粒子間の分離を調節し、史にその電着
させたフィルムを後処理工程にかけることにより分離を
増大することにより製造する経済的な電着方法が発見さ
れた。

第５図に示した装着４０によりフィルム１４を製造する
電気メツキ法を行うことができる。Ｃ。

又はＣｏ基礎合金フィルム１４をメッキ用タング４２に
入れたメッキ浴４４から形成させる。Ｃ。

フィルムの場合には、浴４４のメッキ用電解液は、例え
ばＩＭｊ　Ｗコバルト、ｊｉ化コバルト、スルフアミ２ メッキ条件で浴溶液中のＣＯ＋＋イオンはＣｏ（ＯＨ）
＋又はＣ０４（ＯＨ）４＋＋の如き水酸化物イオンを形
成し、陰極４８の方へ移動して電子を受け、その水酸化
物イオンはＣｏ’に還元され、ＣＯ金金属して基材１２
〔陰極４８〕上に付着する。之は次の化学反応で示され
る： Ｃｏ（ＯＨ）＋＋　２ｅ−＋Ｃｏ’　（付着金属）＋Ｏ
Ｈ（１）基材１２上に各金属ＣＯ０原子の付着を伴う式
（１）の化学反応では、遊離のＯＨ−イオンが生ずる。

付着が継続するにつれて基材表面の近傍には粒子成長界
面５２０所に過度の濃度の○Ｈ−イオンが存在するよう
になるであろう。この過剰ＯＨ−イオン濃度は第６図の
５４で例示されている。第６図に関し、化学反応法に含
まれている濃度勾配で誘起される拡散機構の原理に従え
は、浴溶液の上狭部分に存在する濃度よりも制〈なって
いる粒子成長界面５２の所の過度の濃度のＯＨ−イオン
は、粒子１６の成長前面５２の中心部から離れて浴溶液
４４の主要部分中へ移動していくであろう。之は第６図
の矢印５８で例示されている。この移動は粒子相互の境
界域５６即ち粒子成長界面５２近くの隣接粒子１６間の
縁の中へと起きていき、第６図矢印６０で例示されてい
るように、実際上或はほとんどＣｏ’付着は起きなくな
る。

コバルト塩溶液中、もし溶液中のＰＨ値（ｐＨはＨ＋及
びＯＨ−イオンの濃度を示している）が約７の値に近い
か又はそれを超えているならば、溶液中のＣｏ（ＯＨ）
＋イオンは次の化学反応に従ってＣｏ（ＯＨ）。

として溶液から析出してしまうであろう二〇〇（ＯＨ）
”　＋　ＯＨ−−＋　Ｃｏ（ＯＨ）２↓　　　　　（２
）（ｐＨ＞７） もし電気メッキ浴が７より小さい…値例えば６或は６．
５をもっていると、浴溶液の主擬部分ではＣｏ（ＯＨ）
２析出は起きないであろう。しかしそのような…水準を
もつ浴でフィルムをメッキしている間、粒子成長界面５
２０近くの粒子境界域５６中のＯＨ−イオンの濃度は、
前述の如く粒子成長界面５ 域５６と溶液主要部４４の方へ連続的に移動するため徐
々に増大するであろう。もし粒子成長界面５２近くの粒
子境界域５６中のＯＲ−イオン濃度の増大がその領域中
の溶液の一１値を約７の値を超えさせるに充分な程高く
なると、その領域中にＣｏ（ＯＨ）２の析出が起きるよ
うになる。この析出は第６図の矢印６１で示されている
。この特別の成長条件で、００粒子の細胞状或は柱状微
細構造が形成される。もし粒子の付着が、フィルムの厚
さが１μｍかそれよ少少ない位になる迄充分な時間継続
されると、例えば粒子は針状体の長軸とＨＯＰ　Ｃ。

粒子の結晶学的Ｃ′′軸１８がフィルム面にほとんど直
角に配向した針状型をもつようになるであろう。更に粒
子は大きな粒子境界２２によって周囲の粒子から物理的
に分離されるであろう。この粒子相互の境界内では非磁
性Ｃｏ（ＯＨ）２の析出物が付着するか又は未反応溶液
が取り残された空隙が存在するであろう。非磁性Ｃｏ（
ＯＨ）２の付着析出物は、矢印６１で示したように、粒
子境界２２の中６ 開領域に形成される。なぜならこの点のＰＨ値が浴溶液
の主要部に比較して高くなる、即ちこの領域の…値がＣ
ｏ（ＯＨ）２析出の起きる点以上になるからである。し
かし浴溶液の主要部のＰＨ値は依然としてＣｏ（ＯＨ）
２析出が溶液主要部で起きる値よシは低い。

一般に粒子１６の幅及び粒子間の分離程度即ち、メッキ
されたフィルム１４の粒子相互の境界２２の幅は、メッ
キ用溶液中のＣＯ＋＋イオン濃度、溶液の両値、電気メ
ッキ浴の温度或は電気メツキ工程の電流密度で定義され
る粒子付着速度の如き電気メッキ浴の条件を変えること
によ多制御することができる。針状粒子１６の長さ即ち
フィルム１４の厚さは、電気メッキの時間によって原則
的に決定される。粒子の長さ対幅比は例えば６：１でも
よい。

実際的垂直記録用媒体１０を得る目的からは、電着フィ
ルム１４中の結晶子即ち粒子１６は消磁エネルギーを克
服する強い垂直異方性をもつのみならず、それら粒子中
の消磁場はできるだけ太きく減少しているのがよく、即
ち垂直ヒステリシスループの傾斜はできるだけ小さいの
がよく、そして垂直ヒステリシスルーツの保磁力Ｈａは
垂直磁化を維持するのに充分な強さをもつが、磁気記録
用ヘッドによって生ずる適用磁場強度の許容限界内にあ
るのに充分な位小さいものであるべきである。

強い一軸異方性、減少した消磁場及び制御された保持力
をもつフィルムを製造するために、針状粒子の幅及び長
さ、粒子間の分離及び結晶学的＋１　ＣＩＩ軸の配向及
び針状粒子の長軸の如きフィルムの微細構造は制御され
なければならない。原則として、之等の微細構造のパラ
メーターは前に説明した電気メッキの機構に基き、電気
メツキ条件の調節即ちＣＯ＋１イオン濃度、緩衝溶液、
ＰＨ値、浴温度、電流密度及び浴溶液中のイオン物質の
形の付加的合金用元素などの調節によシ変化或は制御す
ることができる。

本発明の媒体及び方法に用いられるメッキ条件の範囲の
例は、限定のためではなく単なる例示として示すと次の
ようになる。

（ｉ）　　浴溶液中のＣＯ＋　＋　　イオン濃度：約０
．１〜２モル浴液 （１１）緩衝剤：緩衝剤が全くないか、約０．５モルの
Ｈ３ＢＯ３又はそれに相描する址迄。緩衝剤の使用によ
り大きな電流密度を使用でき、従って一層大きな電着速
度が得られる。

（１１１）ＰＨ値：約５〜６．７或は溶液主要部分にＣ
（：１（ＯＨ’）２の析出が起きるようになる前迄の最
大ＰＨ値近く迄。

（１ｖ）浴温度：大体室温（２２℃又は２６°Ｃ）から
約７０°Ｃ迄。

（Ｖ）　　’Ｉｌｉ流密度：約１〜２００　ｍＡ／ａｌ
＋”　。

（ｖｉ）　　合金元素：合金用元素を添力１しないか、
Ｃｏ　　メッキ浴液中の二次メッキ用元素約２０％迄。

用いてもよい合金用元素イオンの例は、Ｎｉ”　。

Ｃｒ”十　、　　Ｒｅ”　　、　　Ｏｓ”　　、　　Ｒ
ｕ”　　、　　Ｐ（］→十　　　ｙ　ｎ　十＋　　。

ｌ、ｔ　ｏ”　”　、Ｃ１１＋＋或は電気メツキ条件で
ＣＯと固溶体９ を形成するその他の元素。

本発明の好ましい具体例の一例として、体性層１４は単
純ｆｚ　Ｃｏ　塩溶液から電着された実質的に純粋のＣ
ｏ　　剣状粒子を含み、例えは約１ｏｏｏＸから数ミク
ロンの全ルサを有する。

２）電気メツキ型及び他の型の磁性フィルムの高度な粒
子境界拡処理却、定した粒子微細構造（イ）・もつ磁性
フィルムを製造するための好ましいメッキ条件の選択は
、Ａｉ１節で特定化した因子の各々についての条件を広
い範囲内で選択することにより行える。１〜かしもし各
磁性粒子に比較して消磁用Ｈｄを減少させるのに、合金
化による飽和磁化の減少ではなく針状粒子間の分離を増
大するやシ方を選択するならば、粒子間の境界２２の大
きさを増大させるのに電気メツキ後処理を用いてもよい
。そのような後処理はいくつか可能である。之等の処理
は強力な粒子境界拡散及び高度の粒子境界の食刻を行う
原理に基いている。之等の処理は第７図及び第８図に概
略的に例示した図に関連して説明する。

０ 第７図は電着フィルム１４の強力な粒子境界拡散処理中
の粒子微細構造の変化を例示している。

基材１２の表面上に電気メッキされた磁性フィルム１４
を、６３で示した反応物、Ｒを含む環境中に入れる。反
応物は水素、酸素、窒素の如きガス或はフィルム材料と
は異なった元素の気相或は他の拡散剤でよい。もし反応
物６３の拡散の反応速度が充分側けれは、反応物６３は
フィルム１４の粒子１６中へ固体相拡散を受ける。この
拡散は矢印６２で示したように、粒子の露出表面を通っ
て粒子主要部中へ直接性われるか、或は矢印６４で示す
ように、最初は粒子境界２２を通シ、次に粒子主要部へ
入って行くようにして行われる。反応物６３がＣｏ又は
Ｃｏ基礎合金粒子１６中へ拡散していくにつれて、領域
６６で示したように、各粒子の外側領域の周りにＣＯ又
はＣＯ合金との非磁性相化合物即ち固溶体が形成され、
乱されていない磁性粒子即ち右部６８を″残す。

そ力第二物質の粒子への拡散は、６２で示した路を経て
粒子の主要部へ直接入るか又は６４で示した路を経て粒
子側壁を横切るように入っていくよシは、６５で示した
路を経て粒子境界２２に沿っていく方が１桁以上速いで
あろう。従って強力な粒子境界拡散処理は第７図の陰影
をつけた領域６６で例示したように各粒子１６の周りに
非磁性相の層を生ずる。結局、拡散処理に曝されなかっ
た各粒子の右部６８の未処理磁性物質は、その最初の磁
気モーメント及び針状形態を持った捷まになっているで
あろう。粒子１６の隣接した磁性筋部６８間の有効磁気
分離は、粒子６部６８の間の領域中に非磁性相部分６６
が形成されたため増大しているであろう。この最初の磁
性粒子１６間の分離の増大は、各粒子の消磁用Ｈｄ　　
の減少及びそれに対応するそれらの保磁力の増大をもた
らすことになる。

之等の強力な粒子境界拡散処理の一つとして、高温での
酸化処理を用いることができる。こ１の種の酸化をフィ
ルム後処理として用いることにはいくつかの利点がある
。第一に、粒子の熱処理によってそれらに焼鈍効果を与
えることになる。その結果、結晶の歪みの減少及び（又
は）粒子中の１なった傷が減少することにより原理的に
改良されだＴ（ＣＰ　Ｃｏ　　合金粒子を得ることがで
きる。第二に焼鈍効果は結晶子の異方性を増大すること
にもなるであろう。第三に、粒子境界に沿った粒子間酸
化物及び粒子の前面に沿った酸化物の形成は一層イｌｌ
Ｉ！＜、一層女定なフィルムを与え、その記録保持性が
増大する。

磁性杓子１６間の有効分鳥１１を増大するだめの別の後
処理法は、第８図に概略的に例示した電着フィルム１４
の強力な粒子境界食刻を用いることにより行われる。

もし粒子１６の如き多結晶子材朴１を、適当に選択ｌ〜
た化学桑品を用いて普通の化学的又は電気化学的方法に
より食刻すると、全材料の除去速度は粒子１６の衣面域
即ち食刻剤と面接接触している界面５２０所の先端粒子
成長領域の、９［よシも、粒子界面２２　ＶＣ沿った方
が速い。伺随する暴利１２上の’ｊＭ　＞ｈフィルム１
４を第８図中７０で示した食刻剤Ｅを含む化学的又は電
気化学的食刻浴゛液中に６ 入れると、薬剤７０け粒子の表面の粒子前端７２の所で
粒子を直ちに侵食する外、粒子境界２２に沿って粒子を
侵食する。結晶学的ＩＩ　ｃＩＩ軸が好捷［〜く配向し
た粒子からなるフィルム１４では、粒子境界２２に沿っ
た粒子境界２２近辺の領域１４中Ｖ）磁性材料が除去さ
れる速度は、粒子前端７２０所よシ大きい。之は（１）
粒子境界２２は大きな自由エネルギーをもち、従って粒
子固有の粒子部分よシも大きな食刻速度になる傾向があ
ること、及び（２）室温フィルムの粒子境界２２は酸浴
液に極めて浴は易いＣｏ（ＯＨ）２の如き官有物を含み
、従って粒子境界領域が開いてそこに存在する狭刻剤が
入り易くなるためである。

結局、点線で示した境界部分７６の粒子材料７５は粒子
から除去され、もし食刻工程を適当な時間で止めれは、
各粒子の心部分７８かもとのま１残る。粒子の心部分７
８はそれら力最初の磁気モーメント及び針状形態を保持
しているが、第８図から明らかなように粒子間の分離が
一層大きくなっている。粒子１６の隣し合つだ姉性心部
分４ ７８の間の有効磁気分離は、粒子を取り巻く領域中の部
分７５が除去されているため増大している。

この磁性粒子間の分離の増大は各粒子の消磁場１１ｄ　
　の減少をもたらす。

粒子の分１ｉｉｌ＋は、枠子境界での拡散或は酸化と化
学的食刻とを組み合せることにより一層大きくすること
かできることは分るであろう。

粒子の消磁場を減少させるためここで提案している強力
な粒子境界拡散又は強力な粒子境界食刻による寛尤フィ
ルムの後処理は、例えはスパッタリングによるＣｎＣｒ
又はＣｏＲｅ合金フィルム又は真空蒸着磁１生合金フィ
ルムの如き他の製造方法によって最１？／Ｊ製ス貨され
だ磁１生粒子にも、フィルム中σ）粒子の微細構造が柱
状又は針状構造で、その柱状又は針状粒子の長軸及びそ
れら粒子を構成するＴ−］　ＣＰ粒子結晶の“Ｃ″′の
軸がフィルム而に垂直に配向している１沢り、Ｊ用する
ことができることを指摘しておき度い。

本発明のフィルム１４と共に用いられる非磁性基材１２
は、硬い支持体例えば堅い板、円盤、ドラム又はシート
状のアルミニウム又はアルミニウム合金、銅、真鍮、又
は導電性金属層等で被榎されたガラスでもよい。金属又
は非金總基なは、（１）得られる磁性媒体の機械的性質
を増大するために導電性非磁性硬質金属層又は（２）磁
気ヘッドによる記録及び再生の効率を増大するために米
国特許第４．２１０，９４６号に提案されているような
パーマロイ（ｐｅｒｍａｌｌｏｙ　）の如き高透磁率、
低保磁力を与える導電性磁性層で検校してもよい。別法
として、非磁性基材はポリイミド、ポリエチレンテレフ
タレート、ポリカーボネート等からなる合成樹脂フィル
ムを、前述の堅い支持体の場合の如く導電性金属層等で
被栓したものからなる、例えばしなやかな円盤又はシー
ト又はデーゾのような可撓性の支持体の形をしていても
よい。

３）好ましい具体例の例 本発明による磁気記録用媒体の製造を更に特定の実施例
に関連して例示する。実施例１〜５は電気メツキ法の試
料を例示する。実施例６〜９は後処理の試料を例示する
。之等の実施例は特計バ〆Ｉ求の範囲に記載の発明を明
瞭にし例示するだめのものであり、そのパラメータ及び
用途に意図的に正確な限定を置くものではない。実施例
を調べれば明らかになるように、多くの異なったパラメ
ーターの選択を容易に行うことができる外、互に大きさ
を相対的に変えることができる。成る場合には、之等の
パラメーターは（＾き換えたり或は除いたりしてもよい
。いずれにしろ、垂直記録に過した記録用媒体のだめの
望ましい性能及び機能が得られることは、電気メッキ及
び磁気記録技術の当業者によって普通に認められるであ
ろう。

実施例１ 非磁性導電性支持体を記録用媒体１０のだめに使用した
。その支持体は負空蒸着したＣｒ及びＣｕで被椀したガ
ラス支持体からなっていた０之に従来の無電ｔｙｒ法に
より非磁性Ｎｉ　−Ｐ　の層を付着させた。Ｃｒ　、　
Ｃｕ及びＮｉ　−Ｐ　層の目的は、’ｅ４ｎ：気メッキ
装置４０中の陰極と１−で働くのに良好な接着性及び青
′【Ｅ性をもつ基材を与えることにある。

次に導電性表面をもつ基材を電気メッキ浴４４の陰極と
して配置した。純粋のＣｏ　　板を浴４４の陽極４６と
して用いた。メッキ浴溶液は１モル／ｌのスルフアミド
酸コバルト、０．１５モル／）の塩化コバルト、Ｃｏ　
Ｃ１２からなり、溶液のｐ＋−１を飽和水酸化バリウム
溶液を用いて６．５の値に調節した。この浴を記録のた
めに「浴Ｌ」と呼ぶことにする。

次の表Ｉ及び■に明記したように、２６℃及び５０　’
Ｏｆｌ二つの異なった浴温度で２．５　ｍＡ　／　ｃｎ
ｌ”　〜５０　ｍＡ　／　ｃ＋ｒｒ２の間の範囲の電流
密度でＣＯメッキ層をつくった。

表　Ｉ ｐＨ＝６．５で２３°Ｃの浴りにより試料をメッキした
。

０９１６８０−０４　２．５ｍＡ％ｍ２１μｍ　　２０
分０９１６８０−０７　５ｍＡ／ｃｍ２１μｍ　　１０
分０９１６８０−０５　７ｍＡ／ｃｍ２１μｍ　　７．
９秒　１ ０９１６８０−０６　８５ｒｒ＋Ａ７ｚ２１μｍ　　５
分５２秒０９１６８０畦３１０ｍψｎ２１μｍ　　５分
０９１６８０−１０　２０ｍＡＡ１ｎ２１　ｐｒｎ　　
２分３０秒表　　■ ＰＨ＝＝　６　、５で、５０℃の浴りにより試料をメッ
キした。

Ｃｏ試料番号　　霜１流密度　　厚　さ　　メッキ時間
（ｗ／ｉ　０２μｍ） ０９１９８０−０３　５ｍ〜偽２１μｍ　　１０分０９
１９８００１　　１０＋ｎＪＶＣ＋＋＋２１μｍ　　５
分０９１９８０−０９　１０ｒｎ〜’ａｍ２１μｍ　　
５分０９１９８０−０７　１０＋ｍ１ＶｃＩｎ２０５μ
ｍ　　２分６０秒０９１９８０−０８　１０ｎ＋ＡＡ′
ｍ２２μｍ　　１０分０９１９８０−０４　１５ｍＡ％
ｍ２１．３μｍ　　５分全てのｆＪｉ看ｃｏ　　フィル
ムをＸ線回折測定にかけて結晶子の好ましい配向の程度
を決定した。比較のため得られた二つの典型的な回折像
を第９Ａ図及び第９Ｂ図に示した。第９Ａ図は表■の試
料０９１６８０−０５で得られた回折像であるのに対し
、第８ ９Ｂ図は表■の試料０９１９８０−０１で得られた回折
像を示す。Ｘ線回折の結果に基き、第９Ａ図と第９Ｂ図
によって表わされた試料のＣＯフィルムの粒子の配向を
次の如く解釈することができる。

第９Ａ図の場合にはフィルム中の粒子のほとんどは、強
い（００２）回折線に現われているように、フィルム面
に直角に配向したＨＣＰ結晶子のＩＩ　ｃ　ＩＩ軸の強
い好ましい配向を示しているが、回折像中の（１００）
回折線の存在に現われているように、フィルム中のいく
らかの結晶子がそれらの“ａ″軸をフィルム面に直角に
して配向している。一方策９Ｂ図の像で示されている試
料の場合には、回折像中非詣に強い（００２）回折線が
現われ、コバルトフィルムからの他の回折線がないこと
、特に矢印８０及び８１で夫々示したように４１．５°
と４７．５°の所の回折線（１００）と（１０１）がな
いことによって示されているように、フィルム中の全て
の結晶子がそれらのＨＣＰ　ＩＩ　Ｃ＋＋軸をフィルム
面に対し直角にして配向している。このことは、完全に
全てではないとしても、はとんど全での結晶が垂直記録
にとって望ましい選はれた配向をしていることを意味し
ている。

基本的には、ＣＯフィルム中の結晶子の好ましい結晶学
的配向の程度は、フィルム中グ）ＨＣＰ結晶子粒子の特
性Ｘ線同折線の相対的強度から固定することができる。

例えば無作為的に配向した結晶子を有するＣＯフィルム
のＸ線回折像は、（１００）。

（Ｃ１０２１及び（１０１）の結晶学的百の各特性結晶
子が好ましい結晶学的配向をしたフィルムでは、２衿の
回折線の相対的ピーク強度は、無作為的に配向した結晶
子をもつフィルムの強度とは変っているであろう。Ｃ″
軸が、無作為的配向の場合よりもフィルム面に対し直角
な方向に一層選択的に配向したフィルムでは、対応する
（００２）線の回折強度は増大し、他の回折線の強度は
、無作為的に配向した結晶子をもつＣｏ　　フィルムの
場合より低下しているであろう。

この原理に基き、異なったメッキ条件で得られたフィル
ム中の結晶子の好ましい結晶学的配向グ）程度を、与え
られたフィルムの厚さに対する特性回折線の強度を基準
化するために与えられた回折角度でのバックグラウンド
の螢光強度に対する（００２）、（１００）又は（１０
１’）回折線の如き与えられた特性回折線のピーク強度
値の比を測定し、決定することにより定量化することが
できるＯ 第１０Ａ図及び第１０Ｂ図は夫々回折強度化工（Ｃｏ２
）／■Ｂｏ　及び工（１００）、／１ＢＧ　　を、ｆｉ
Ｉ及び■に列挙した１μｍ浮のＣＯフィルムについての
メッキ電流密度の関数として示している。ここで工（０
０２”）とＩ（１００）は（ＣＯ２）と（１００）回折
の谷ピーク強度であり、■Ｂ。は回折計角度２θ−６９
°でとった対応する像のバックグラウンド強度であり、
Ｃｕ　Ｋα線を用いた。

第１０Ａ図に例示しであるように、室温（２６０Ｃ−表
■）の浴で電着したフィルムは強い■（００２）／より
。比で示されるように、それらの°′Ｃ″軸をフィルム
面に直角にして結晶子の大部分が強く好１ 捷しい配向をしているが、全てのフィルムが工（１ｏｏ
）／より。強度比が存在していないことに現われている
ように、いくらかの結晶子がそれらの°゛ａ′″軸をフ
ィルム面に垂直な方向に配列していることを示している
。更にこの一連のＣｏ　　フィルムの回折像を詳しく分
析すると、小さな回折強度の（１０１’）回折線が存在
していることを示している。これはフィルムが〔１０１
）軸をフィルム面に対し垂直にして配向した少量の粒子
をももっていることを示している。一方５０’Ｃ（＆ｎ
）の同じ浴りで電着したＣｏ　　フィルムについての第
１０Ｂ図を調べると、回折像は（１［１１）回折線を示
していない。又、メッキ電流密度を２０　ｍＡ／山２　
より低く保つと、回折像は第１０Ａ図に比較して一層大
きな強度比をもつ非常に強い（００２）回折線のみを示
し、更に（１０ｎ）又は（１０１）回折線はいずれも存
在していないことを示している。

之等の結果は２０　ｍＡ　／　ｃｎｌ”よシ低い電流密
肛で浴り中で′電着したＣｏ　　フィルムは、そのフィ
ルム中の全ての結晶子が°′Ｃ°′軸をフィルム面に垂
直に２ して配向した完全な異方性配向をしていることを示して
いる。結晶配向でこの種の完全な異方性を有するフィル
ムは、垂直記録用媒体用に極めて適したものである。之
等の試別は、結晶子の好ましい異方性配向が、本発明の
電気メツキ法で達成できることを示している。

第１０Ｂ図１４更に、メッキ電流密度を２［］　ｍＡ／
σ２　を超えて増大していくと、電着フィルムは結晶子
の完全な異方性配向を失い始め、第１０Ｂ図’　■（１
００）／■ＢＧ　強度比が現われてぎていることがらも
明らかなように、この電流密度点よシ上では、フィルム
面に°ａ”軸を垂直にしたいくらかの粒子が存在してい
ることを示している。

Ｘ線回折分析に基〈実施例１のこれらの結果から、この
特定の浴浴液を用いた場合、好ましい配向、即ちフィル
ム中の全ての結晶子が結晶学的ＩＩ　ＣＩＩ軸をフィル
ム面に対し垂直にして配向したＣＯフィルムが、５０℃
のメッキ浴温度と、約５〜２　［：ｌ　ｍＡ　／　ｃｍ
”の電流密度を用いて得られると結論することができる
。更にもしフィルムをこの範回内の矩−流密度、例えば
約１０　ｍＡ　／　ｃｙｎ”で、５００Ｃで電気メッキ
すると、第１０Ｃ図及び表■のデーターから■（００２
）、／■Ｂｏと工（１００’）／よりＧ地対フィルム厚
のプロットに例示されているように、約０．５〜２μｍ
　の範囲のフィルム厚に対し、好捷しい配向を生じさぜ
ることができる。特に第１０Ｃシ］は、表ＩＩの試別０
９１９８０−０７　、０９１９８０−０８及び０９１９
８０−〇９　　について得られたデーターに基いている
。

１↓１．子顕微鋭（ＳＥＭ　）を用いてフィルムの微細
構造を調べると、もしフィルムが好ましい（００２）配
向をもっているならば、結晶子は針状形態をもち、その
針状体の長軸もフィルムの表面に対し垂直に配向してい
る、即ち針状体の長軸が結晶子の゛Ｃパ軸と平行になっ
ていることを示している〇釧状結請、子の幅はメッキ中
に用いたメッキ電流密１８−と浴温度に依り、数百〜千
オングストロームをｌヒ（える範囲で変えることができ
る。結晶学的及び形態」二の両方力異方性とじてこＪ）
釉のフィルム面に垂ｒ１′、１な好廿しい配向をしてい
る哄型的フィルムの１；　Ｆ　Ｍによる微細構造は、第
１１Ａ図及び第５ １１Ｂ図に示されている。この場合ＳＦＡＭ微細構造は
表ＩＩの試料０９１９８０−０８からとっである。第１
１Ｂ図は第１１Ａ図に示した構造の一部の拡大写真であ
る。

好ましい配向、即ち大きな（００２）ピーク強度をもち
、（１００）及び（１０１）の方の配向が全く又は実際
上存在しないＣＯフィルムの垂直（±）磁気ヒステリシ
スループは、第１２Ｂ図に示すように約１．２　ｋｏｅ
　Ｋ等しい高い保磁力Ｂ’ｃ　　をもつ良好な平行四辺
形状の形を示している。垂直（１）及び平行（１１）ヒ
ステリシスループ８６及び８８は表ＩＩの試料０９１９
８０−０２でとったもので一方、（１００）又は（１０
１’）軸をフィルム面に垂直にして配向した結晶子をい
くらかもつフィルムｄ：、表■の全ての電’ｊｊ’ｊフ
ィルム及び表１１の約２Ｑ　ｍＡ／ｃｍ”　　よシ大き
な電流密度で′電気メッキしたフィルムの場合であるが
、第１２Ａ図のループ８２の例で示しだように、垂直、
平行ヒステリシスループについて平行四辺形状の形が一
ノ曽悪くなっていることを示している。垂直及び平行ヒ
ステリシスルろ６ −プ８２及び８４は表Ｉの試料０９１９８０−０５につ
いてとったものである。之等のフィルムは第１０Ａ図及
び第１０Ｂ図に示したように、奸才しい強い（００２）
配向を示しているが、それらは約０．７５１＜Ｏｅに等
しいＨｃ　　の如き低い保磁力値及び平行四辺形Ｊ〕形
θ）よくないループを示しでいる。

実施例２ 実施例１の試料と共に用いた同じ非線！ｉｇ　＞４　’
Ｉｆｆ性基材１２−＆夾施例２の試料と一緒に用いた。

メッキ治も塩化コバルトのモル含有量を除き、同じであ
った。メッキ浴浴液は１モルのスルフアミド酸コバルト
、０．０５モル／ｌの塩化コバルト、ＣｏＣ４２′ｆＫ
：含み、浴液のＰＨは０．１モル／　ｌ　Ｂａ、（ＯＨ
）２酢液により６．５の値に調節した。この浴は記録上
の１≠Ｉ的から１浴Ｌ　Ｃｊと叶ぶことにする。

６組の試料を２２°Ｃ８３５“′Ｃ及び５０℃の温度で
調節した。２堝−の試料の組の各々の結果を衣用■及び
ｖＶＣ示す。

表■ 第１組試料、ｐＨ＝６．５．２２°Ｃで浴ＴＪＣでメッ
キ。

１１０４８０−０１　１０ｍＡｈＩＬ２５分　　　　１
μｍ１１０４８００２　２０ｍＡＡｍ２２分、３０秒　
　１μｍ１１０４８０−０３　５［ＪｍＡ／ｍ２１分　
　　　１　μｍ１１［Ｊ４８０−０４　５ｍａ％ｍ２１
０分　　　　１μｍ１１０４８０−０５　７．３６ｍＡ
／＆ｍ”　　７分、９秒　　’；：：　１　ａｍ１１０
４８０−０６　７ｍｈ／ａｍ２７分、９秒　　１μｍ１
１０４８０−０７　２ｍＩＶ′ＣＴｎ２２５分　　　　
１　μｍ１１０４８０−０８　３０ｍＡ／ｃｒ／１２１
分、４０秒　　１　ｔｔｍ表■ 第２組試料、ｐＨ＝６−５．６５°Ｃで浴ＬＯでメッキ
。

１２０４８０−０１　１０ｍＶｃｒＩＬ”　　　５分　
　　　１μｍ１２０４８０−０２　２０ｍＡ／ｍ２２分
、６０秒　　１μｍ１２０４８０−０３　５ｍＡ／ｍ”
　　　ｉｏ分　　　　１μｍ１２０４８０−０４　３５
ｍＡ／ｍ２１分、２６秒　　１　μｍ１２０４８０−０
５　５０ｍＡ／ｍ”　　　１分　　　　１μｍ１ｍｌ２
Ｏ４８Ｏ−０６２，４ｍ”　　　　２５分　　　　１μ
ｍ１２０４８０−０７　１５ｍＡ／ｍ”　　　　３分、
２０秒　　１μｍ１２０４８０−０８　３．５ｍＩＶ／
Ｃｍ２　１４分、１７秒　１μｍ１２０４８０−０９　
１浴Ｌ、／ｍ２５０分　　　　１μｍ表■ 與）、６絹試利、ＰＨ＝６．５．５０°Ｃで浴ＬＯでメ
ッキ。

１２０５８０−０１　１０ｍＡ／ＣｒＩＬ２５分　　　
　１μｍ１２０５８０−０２　２０ｍＡ／ｍ２２分６０
秒　　１μｍ１２０５８０−０３　　５ｍＡＡＬ２　　
　　　１０分　　　　　　　　１　　ｔｔｍ１２０５８
０−０４　３５ｍＡ／２ｚ”　　　１分２６秒　　ｉ　
μｍ１２０５８［１−０５５０＋ｎＡＡｕｔ２１分　　
　　１μｍ１２０５８［）−０６２ｍＡ／ｍ２２５分　
　　　１μｍ１２０５８０−０７　７０ｍＡ／ｕ＋２４
３秒　　　　１μｒｎ１２０５１３０−０８　１００ｍ
ＡＡＴｎ２５０秒　　　　１μｍ実施例１の試料の場合
の如く、表ＩＨ５ＩＶ及び■の三つの組のＣｏフィルム
をＸ線回折測定にかけ、結晶子の好捷しい配向の程度を
決定した。之等三つの組の試料の結果’　■（００２）
　／よりＧ−■（１０θ）／より。及び工（１０１，１
／よりＧの比対電流密度として第１６図にプロットしで
ある。

第１６図に示されているように、浴ＬＯＫよる電光・フ
ィルムは、浴温度２２°Ｃで広い範囲の′醒流密度即ぢ
２ｍＡ／Ｃ７ｎ２〜１０ｍＡ／ｃｒＩＬ２の範囲で垂直
９ 異方性を示し、浴温度６５℃で２ｍＡ／ｃＴＬ２〜２０
ｍＡ　／　ｃｓ”、浴温度５００Ｃで２　ｍＡ　／　ｃ
ＩｒＬ２〜７ＱｍＡ／ｃＴＬ２の範囲で垂直異方性を示
している。

電流密度は、大きな面積をもつフィルムの実際的製造に
対し、かなり広い範囲の温度及び電流密度に亘って好ま
しい配向及異方性をかなり一定した程度で与えている。

従って媒体製造工程でフィルムの大きな面積に亘って結
晶子の好ましい配向について望丑しい均一性ケ得るため
には、精密な浴条件、温度或は適用電流密度については
問題にする必要はない。従って浴温度及び電流密度につ
いてのオ′ｉ′ｌ密な制御がいらないことにより、媒体
製造工程及び製造課のコストを甚だしく低下することが
できると共に、一層連続的に再現性ある磁性媒体製品を
つくることができろ。

好１しく配向したフィルムは、２２°Ｃ１６５°Ｃ及び
５０°Ｃの各浴温度での試料からの三つの試料について
第１４Ａ図、第１４　Ｂ図及び第１４０図に示したルー
プで例示しであるように、垂直磁気ヒステリシスループ
は良好な平行四辺形の形な示０ している。第１４　Ａ図は表Ｉｌｌの罪１組の試料１１
０４８０−０５についての垂直及び平行の磁気ヒステリ
シスループ９０及び９２を示している。

垂直磁気ヒステリシスループ９０は約１．１　ＫＯｅに
等しい大きな保磁力Ｈｅ　’ｌ”もつ良好な平行四辺形
の形を示している。ａｌ　ＪＢ図は表■の第２組の試料
１２　［］　４’　８０−０１についての垂直及び平行
の磁気セステリシスループ９４及び９６を示している。

垂直磁気ヒステリシスループ９４は、約１．３ＫＯｅに
等しい大きな保磁力Ｈ８をもつ良好な平行四辺形の形を
示している。！４１４０図は表■の第６ｍの試料の１２
０４８０−０７についての垂直及び平行の磁気ヒステリ
シスループ９８及び１００を示している。垂直磁気ヒス
テリシスループ９８は約ｉ、３ＫＯｅに等しい大きな保
磁力Ｈｃをもつ良好な平行四辺形の形ン示している。

実施例６ 実施例１及び２の試料と共に用いたのと同じ非磁性導電
性基材１２ケ、同じ〈実施例乙の試料と一緒に用いた。

しかし、実施例２で用いたメッキ浴の因子を変え、その
浴を記録上の目的から「浴工」と呼ぶことにする。この
メッキ浴溶液は１．７モル／ｌのスルフアミド酸コバル
ト、０．２モル／ｌの塩化コパル）Ｃ！ｏｃＪ２を含み
、溶液の−は０．ＩＢａ　（ＯＲ）　２溶液を用いて６
．５の値に調節した。記載の電着フィルム試料について
の結果を表■に記載する。

０９１２８０−０５　５ｍＡ／ｃｉ　　　ｉｏ分　　　
　１μｍ０９９１２８０−０８　７＋ｒ＋ＡＡｍ”　　
　　７分、９秒　　１μｍ０９１２８０−０４　１０ｍ
Ａ／ｃｒｎ２５分　　　　１μｍ０９１２８０−０７　
１５ｒｎＮ鍾２　２分、６０秒　Ｃ］、７５．ｃｉｍ実
施例１及び２の試料の場合と同様に、表ＶｌのＣｏフィ
ルムなＸ趣回折測定にかけ、結晶子の好丑しい配向の程
度乞決定した。之等の試料の結果を工（００２）　／　
■ＢＧ及び工（１００）　／　ＩＢＧ比対電流＠贋とし
て第１５図にプロットしである。

電気メッキ浴工による電着Ｃｏフィルムは、或る範囲の
電流密度即ち約４．８　ｍＡ　／　ｃｍ”　〜１０　ｍ
Ａ／ｃｎＬ２に対し、浴温度２２°Ｃで垂直ヒステリシ
スループ及び垂直異方性について良好な形の平行四辺形
状態を示している。ここでも大きな面積のフィルムを実
際に製造するに当って、かなり広い範囲の電流密度に亘
って好ましい配向及び異方性の程度かかなり一定してい
ることを示している。Ｘ線回折分析に基き、好ましい配
向、即ち全ての結晶子の結晶学的°“Ｃ”軸がフィルム
面に垂直に配向したＣＯフィルムを、２２°Ｃのメッキ
浴温度の浴工及び約５〜１０　ｍＡ　／（Ｉｍ”の電流
密度を用いて得ることかできる。１０　ｍＡ　／　ｃｍ
２より太きいと、（１００）回折線が現われ、ＩＩ　Ｃ
ＩＴ軸をフィルム面に垂直な方向とは別の方向に配向し
た粒子かいくらか存在していることン示している。

実施例４ 前の実施例の試料と共に用いたのと同じ非磁性導電性基
材１２を、同じ〈実施例４の試料と共に用いた。しかし
異なったメッキ浴を用〜）、それを記録上の目的から「
浴Ａ」と呼ぶことにする。こ６ のメッキ浴溶液は１モル／ｌの硫ＩＦ２コバルト、ＣＯ
ＳＯ４，０，１モル／ｌの塩化コバルト、Ｃｏ（Ｊ２’
＆含み、その溶液を６０９／ｌのＨ３ＢＯ３緩衝し、溶
液のＰＴｌをＮａＯＨ溶液で６．６５の値に調節した記
載の電着フィルム試料についての結果ビ表Ｖｌｌに記載
試料はｐＨ＝　６．３５で、２６°Ｃの浴Ａでメッキし
た。

０８２６８０−０１　５０ｍＡ／ｃ１ｒＬ”　　１分　
　　　１μｍ０８２６８０−０３　４０ｍＡ／ｍ”　　
　１分、１５秒　　１μｍ０８２６８０−０４　３０ｍ
ＡＡｎＬ２１分、４０秒　　１μｍ０８２６８０−０５
　２０ｍ鞄２　２分、６０秒　　１μｍ０８２６８０−
０６　７０ｍＡＡ？　　　４３秒　　　　１μｍ０８２
６８０−０７　１００ｍＡＡｘ”　　３０秒　　　　１
μｍ０８２６８０−０８　２５ｍＡＡｒｒ２２分　　　
　１μｍ０８２６８０−０９　１０ｍＩＶＣ＊２５分　
　　　１μｍ前の実施例の場合と同様に、表■のＣＯフ
ィルムをＸ線回折測定にかけ、結晶子の好ましい配向の
程度を決定した。２等試料の結果乞工（００２）　／工
お。、及び工（１００）　／工、。の地動電流密度とし
て４ 第１６図に同じくプロットしである。

電気メッキ浴Ａにより電着したｃｏフィルムは成る範囲
の電流密度、即ち約４０　ｍＡ　／　ｔｓ２〜７０ｍＡ
　／　ｃｍ２の範囲で、浴温度２６°Ｃで良好な形の平
行四辺形状態を示している。ここでもかなり一定した８
厩の好ましい配向及び異方性が、実際的人面槓フィルム
の製造に際しかなり広い範囲の電流＠度に亘って示され
ている。Ｘ線回折分析に基き、好捷しい配向即ちフィル
ム中の全ての結晶子の結晶学的゛Ｃ′”軸がフィルム面
に苅し垂直に配向したＣＯフィルムが、メッキ浴温度２
３°Ｇの浴Ａ及び上記範囲Ｐ」の電流＠度ケ用いて得る
ことができる。約４０　ｍＡ　／　ＣｎＬ２より低いか
或は約７　Ｑ　ｍＡ　／ｃｒｎ２より筒いと、（１００
）回折線が現われ、ｎＣｎＣｎフケフィルム面直な方向
とは別の方向に配向した粒子がいくらか存在しているこ
とを示している。

この実施例のフィルム試料は、良好な平行四辺形を示す
垂面ループ状態をもつ好ましい配向に示しているが、フ
ィルム試料は前の実施例と比較してわずかに低い保磁力
Ｈ８を有する。例えは試料０８２６８０−０（ＳのＨｏ
は約６５０　ｏｅ、試料０８２６８０−０３及び０８２
６８０−０４は約７０００θ、試料０８２６８０−０８
は約７２０００である。

実施例５ 実施例１の完全に好ましい配向乞したＣＯフィルムを得
るためのメッキ条件を、異なった種類の非磁性導電性支
持体について再び適用した。先ず全ての場合について基
材１２はｍｘ性基材であった。第二に、被緩は三つの異
なった種類のものからなる。支持体Ａはアルミニウム基
材を無電解銅で被覆し、次いでニッケル燐、ＮｉＰ、で
被覆したものからなる。支持体Ｂは銅テープ基材をニッ
ケル燐で被覆したものからなる。支持体Ｃはアルミニウ
ム基材にスパッタでＣｏ　−Ｒｅ　’ｆｇ被覆したもの
からなり、然もその被覆は２０００Ａの厚芒で、全ての
結晶粒子のＮ　ＣＩＩ軸がフィルム面に対し垂直に配向
した好ましい配向のＨＯＰ　０ｏＲａ結晶子からなるも
のであった。

支持体Ａ、Ｂ及びＣ上に、表１及び■に記載した試料の
フィルム厚及び電流密度で形成した電気メッキＣＯフィ
ルムは、ヒステリシス特性及び好ましい異方性配向、即
ちフィルム中の全ての結晶子の結晶学的”　ＩＩ軸及び
針状粒子の長軸が、実施例１で最初用いた導電性被稜ヲ
もつガラス支持体で達成されたのと同じように、フィル
ム面に垂直に配向している点に関し、本質的に同じ結果
！与えた。

■　後処理 実施例に の実施例は、強めた粒子境界反応により後で処理した電
気メツキＣｏフィルムに関する。この後処理はｊＨ性フ
ィルムの電気化学的陰極処理によって達成される強い粒
子境界拡散である。

実施例１の試料と共に用いたのと同じ非磁性基材１２を
実施例６の試料と共に用いた。メッキ浴も同じであった
か但し塩化コバルトのモル含ｔｘｔか異なっていた。メ
ッキ浴溶液も実施例２０時と同シであり、１モルのスル
フアミド酸コバルト、７ ０．０５モル／ｌの塩化コバルト、Ｃ！　ｏ　ＣＭ　２
を含み、溶液（７）　ＰＨは０．１　％　ルア　１のＢ
ａ（ＯＨ）２溶液によって６．５の値に調節した。この
浴を記録上の目的から［浴ＬＡＪと呼ぶことにする。表
■の四つの試料全てに対するフィルムメッキ条件は、浴
温度６５°Ｃ。

電流密度２０ｍＡ／ｃ／１１２であった。フィルムの厚
さは全て約１μｍであった。

陰極処理は、第５図の電気メツキ装置４０中の溶ｉ４４
の代りに、０．１モル／ｌ！のチオレア（Ｔｈ１ａｒｅ
ａ　）と３．ＯｅＣ／ｌのＨ２ＳＯ４の酸溶液用いるこ
とを含んでいた。陰極４８としてのＣＯ試料と陽極４６
との間の印加電圧の適用により浴液から陰極作用で発生
した水素がフィルム中へ拡散していく。水素の拡散速展
は結晶子の本体中へ、特に粒子前端部５２の所から入っ
ていくよりも、フィルノ、１４０粒子粒子境界拡散って
いく万が速い。

結局、針状結晶子間の間隔は非磁性Ｃｏ−Ｈ化合物又は
合金により占められ、それによって結晶子間の分離が増
大すると共に、消磁場Ｈｄが減少する。

８ 四つの試料についての陰極処理の電流密度、処理時間及
び浴温度は表■に示しである。

表Ｖｌｌ１ １００１８０−０１　　０　　　　　０　　　　２５°
０１００３８０−０５　　４．５ｍＡ／ｍ２４分　　　
　２５°Ｃ１００６８０−０５４，５＋ｒ＋Ａ、６２８
分　　　　２５°０１００６８０−０４　　１０ｍＶｃ
ＴｒＬ２８分　　　　２５°Ｃ１１７Ａ、Ｂ、Ｏ及びＤ
は夫々これら四つのフィルム試料についての垂直及び平
行の磁気ヒステリシスループを示す。比較のため、処理
を適用しない場合の試料１００３８０−０４のヒステリ
シスループ（第１７Ａ図の平行（１１）及び垂直（±）
のループ１０２及び１０４〕と、処理Ｙ適用した場合の
試料１００６８０−０５．１００６８０−０５及び１０
０６８０−０４のヒステリシスループ〔第１７Ｂ図の平
行（１１）及び垂直（土）ループ、１０６及び１０８、
第１７０図の平行（１１）及び垂直（±）ループ、１１
４及び１１６、及び第１７Ｄ図１の平行（１１）及び垂
直（±）ループ、１１８及び１２０〕が示されており、
保持力Ｈ８のゎずがな増大及び消磁場Ｈｄの大きな減少
が、第１７Ｂ図、第１７０図及び第１７Ｄ図の垂直ヒス
テリシスループ１０８，１１６及び１１８の傾きの著し
い減少によって示きれている。斯様に、水素陰極処理に
よる強力な粒子境界拡散により粒子間分離を効果的に増
大し、それによって消磁場ケ減少し、従って保磁力Ｈ。

ヲ増大すると同様、Ｍｒ／　Ｍ、比を増大する。

一層大きな電流＠度、例えは２０ｍＡ／ｃｆｎ２〜１０
０　ｍＡ　／ａｎ２でメッキした他の試料を陰極処理す
ると、粒子相互間の結晶子分１’＆与えるこの処理の有
効性は、低い電流＠度、例えは２０以下から３０　ｍＡ
　／　ｃｍ２の電流密度でメッキした試料の場合程効果
的ではないことが示されている。なぜならフィルム中に
好１しくない配向をした粒子が存在するからである。

実１ｍ例７ この実施例は、別の種類の促進した粒子境界反応を後で
施した′［１モ気メツキＣＯフィルムに関する。

この候処理は磁性フィルムを陽極処、ｇ、１１すること
により連成されるり！１）めた粒子境界食刻である。

実施例１の試料と共に用いたのと同じ非磁性暴利１２を
、この実１ｉｉｕ例７の試料と共に用いた。メッキ浴も
、塩化コバルトのモル含有量の点を除き同じものであっ
た。メッキ浴溶液は実施例乙の場合と同じで、浴ＬＡか
らなっていた。表■の三つの試料の全ての場合について
、メッキ条件はメッキ浴温１ザが５０℃、電流密度が４
０　ｍＡ／α２であった。フィルムの厚さは全て約１ｐ
ｍであった。

上記浴により生じた好ましい配向をもつ三つの電気メツ
ギＯｏフィルムを次に装置ｔ！ｒ４０の陽柿５：４６上
に同定した。浴液４４の代りに０．１モル／ｌのチオレ
アと３０ＣＣ／ｌの帳Ｈ２Ｓ　０４の酸溶液からなる浴
をタンク４２中に用いた。この配置で、材ヰ１は印加′
電流の下で針状粒子の粒子境界２２に沿って優先的に食
刻され、それによって結晶子間の１ 分離が効果的に増大した。結局、フィルムの消礎賜は減
少し、Ｍｒ　／　Ｍｓ比はＪＩ、・Ｉし、Ｈａは増大す
る。

三つの試オ・１についての電流密度、ｌｉ！極処理時間
及び浴温度は、表■に示しである。

表　■ １［］１３８０−０１２．５ｍＡ／ｃｎ＋２２分　　２
４°Ｃ’１０１５８０−［１１３２，５ｍＡ、／ｃｍ２
５分　　２４°Ｃ１０１３８０−０２２，５ｍＡ／Ｃｎ
＋２８分　　２４６Ｃ第１８Ａ図、第１８Ｂ図及び第１
８０図は之ら三つのフィルム試料について、平行０１）
及び垂直（１）の磁性ヒステリシスループ、１２２及び
１７、４　、１２６及び１２Ｂ、１３２及び１３４を夫
々示している。

陽極処理は、第１７Ａ図の未処理フィルムの垂直（１）
ヒステリシスループ１０４と比較して、垂直（」−）ヒ
ステリシスループ１２４　、１２８及び１３４の傾斜の
減少で示されるように、消磁用Ｈａを効果的にか・少さ
せ、従って結晶子間の材料２ を′ｉＬ気化学的に食刻除去してそれらの分離を効果１
１’ｌに増大することにより、磁・１・−１：、ＯＯフ
ィルムのＭｒ　／　Ｍ［］比を」１・１大し、保持力Ｈ
ａを増大することになることは認めらるべきである。

より、針状結晶子間の分１錐を効果的に増大でき、従っ
て消イ妊効果が減少する外、Ｈｃと、Ｍｒの値が増大す
ることを示している。従って之等の処理技術を用いて、
特定の垂直記録用に望ましい特別なヒステリシス特性を
与えるようフィルムを処理することができる。

実Ｂｉ丘例８ この実施例は更に別の楯頒の後処理を恢で施した′電気
メッキＣＯフィルムに関する。この後処理は、酸浴の中
で磁性フィルムを化学的に食刻処理することにより達成
される強力な粒子境界食刻である。

’Ｊ５２ｉｔ’ｉ例７の浴ＬＡによってつくった好まし
い配向をした′電気メッキＣＯフィルムをこの実施例８
の後処理のために用いた。食刻浴は溪Ｈ２ＳＯ４０，１
モル／ｌの溶液からなるものを食刻用タンク中で調製し
た。フィルム試料をその酸浴中に入れ、針状結晶子の主
要部よりは大きな速度で粒子境界２２に沿って優先的に
椙料を食刻除去した。これにより増大した粒子間分離が
得られた。表Ｘは試料の食刻処理時間及び浴温度を示し
ている。

表　　Ｘ １０１４８０−０５　　８分　　　２４°Ｃｅｒｇ　１
９図に示した平行（１１）ヒステリシス及び垂直（土）
ループ１３６及び１３８をＨ：、ｇべることにより、同
じ浴ＬＡでつくった未処理Ｏｏフィルムに比較して、消
磁用の減少、Ｍｒ　／　Ｍｓ比の増大及びＨａ　の増大
を知ることができる。しかしこの食刻処ｊ１１！の効果
は、同じような処理時間では実施例７の陽極処理はど顕
著なものではない。

実施例９ 前に示した如く、実ａｈ例６〜実施例９の後処理は、こ
こに記載した電〉（メッキ法で製造したフィルムに限定
されるものではない。之等の処理は、垂直記録に有用な
垂直異方性をもつフィルムを与える他の方法でΦ゛！潰
される池の磁性フィルムに容易に適用することができる
。この実ｈ１１（例では普通のスパッタリング法でつく
た垂直異方性を有するフィルムにり・ｉｉ　Ｔ／Ｊ　ｆ
：ｃ粒子、１・゛１ｃ界拡散を！Ｉ−］用する。

スパッターによる０ｏ−Ｒθ合金フィルムを従３ｉ４の
スパッタリング製筒を用いて、前に論じた電気メッキで
つくったフィルムと同様な結晶学的及び結晶子形態の好
ましい配向をもつように製造した。

好ましく配向したフィルムを得る方法及び条件は、ザ・
ジャーナル・オブ・アプライド・フィジックス・Ｊ−Ａ
、Ｔ）１）−Ｐｈｙ−５０、４２８５（１９７９）に報
告されているＴｕＯｈｅｎ及びＧ　、Ｂ　、　Ｏｂ、ａ
ｒｌａｎによる「スパッターによるＣｏ−Ｒθ薄膜の高
保磁力及び高ヒステリシスループ矩形性（Ｈｌｇｈ　０
ｏｅｒｃｉｖｉｔｙａｎｄ、Ｈｊ、ｇｈ　　Ｈｙｓｔｅ
ｒｉｓｉｓ　　Ｌｏｏｐ　　５ｑｕａｒｅｎｅｓｓ　　
ｏｆＳｐｕｔｔｅｒｅｄ　０ｏ−Ｒｅ　Ｔｈ１ｎ　Ｆｉ
ｌｍ）　ｊという表題の論文中に記・ｊ＆された方法と
同様である。この実ＩＭｊ例で５ 製造された試別は、ＣＯと１０原子％のＲｅとからなる
合金ターケゝットからスパッターで製造した。

スパッターは７５ミクロンのアルゴン圧で行なった。フ
ィルムは約３［１０［］Ｘの全フィルム厚が得られる迄
、ｏ、５Ａ／抄の伺着辷度で１００℃でガラス基材上に
付〃１させた。佃陪したままのフィルムは完全な異方性
を示し、フィルム中の全ての結晶子＋７Ｊ・Ｃ・軸が、
実施例１及び第９Ａ図及び第９Ｂ図に関連して記述した
ｘ　ＨＡ回折法により見出すことができるように、フィ
ルム面に垂直に配向している。之等のフィルムでは、消
磁場の減少を伴った垂直異方性は、００をＲｅで合金に
することによりフィルムの磁化を減少させて達成されて
いる。従って之等のスパッターで付着したままのフィル
ムについては、それらの消磁場Ｈｄ及び保磁力Ｈａ　は
、従来のスパッターによる製造でイ（すられることか現
在知られているそれらの性質の限界を超えて改良するこ
とはできない。

垂直記録用媒体として用いるためには、消磁効果の一１
１Ｊの減少、Ｍｒ　／　Ｍｓ比及びＨａの増大が低６ 周波記録のためにはｊ６々必要になってくる。従ってス
パッターしたままの状態のフィルムの消磁場を更に減少
し、Ｍｒ／Ｍｓ比及びＨｃの値を増大するためには、後
処理として強力な粒子境界拡散処理を既にスパッター形
成したＯｏ　−Ｒθフィルム試料に適用し、結晶子間の
磁気分離を増大し、それによってＨｄを減少し、Ｍｒ／
Ｍｓ比及びＨｅを増大する。特ニコノ実施例では、（７
０−Ｒｅ　１２１４７８−〇１の記号で示したスパッタ
ーによるフィルムを、６００°Ｃの炉で大気中で１８時
間熱処理し、酸化による粒子境界拡散を促進した。

付ｙＤさせたままのフィルムと酸化焼鈍をしたフィルム
に対する垂直（↓）及び平行（１１）のヒステリシスル
ープについて磁気ヒステリシス測定をした結果を第２０
Ａ図及び第２０Ｂ図に夫々示す。

未処理フィルム及び処理フィルムに夫々対応する平行（
１１）ループ１４２及び１４６の相対的傾斜を、末処］
シ１！フィルム及び処Ｊ４１ｊフィルムに夫々対応する
垂直（↓）ループ１４４及び１４８の傾斜と比較するこ
とにより、処」）１！フイルムは、平行（１１）ループ
１４６に門して垂直（±）ループ１４８の傾斜の減少に
よって示されているように、消磁場の減少を示している
ことが分る。亦、処理フィルムのＭｒ／Ｍｓ比と同様保
持力Ｈｃも、未処理フィルムのものより増大しているこ
の実施例の結果は、強力な粒子境界拡散原理を、垂直異
方性を有するスパッター形成フィルムにも適用できるこ
とを例示している。

本発明を特定の具体例に関連して記述してきたが、今迄
の記述を参照することにより多くの別のやり方、修正、
変更が当業者には明らかになることは明白である。−例
として、本発明を実施するのに、ｃｏ又はＯｏ合金以外
の磁性材料及び合金を用いることである。従って本発明
は特許請求の範囲内に入るそのような別のやり方、修正
、変りは全て含むものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は、針状倣細結晶及び磁化容易軸を層表向に対し
垂直にしたそれら粒子の結晶３．配向を例示した本発明
の媒体を概１１１６的に示す立ノＬす側面図である０ 第２図は、消イａ隻を含む理想化した無′ｉ′ｃ１：・
平面内Ｍ　−Ｈループを例示したグラフである。 第６１□７１は、消磁場を含む実荻的垂直Ｍ−Ｈループ
及び消磁場を実験的Ｍ　−１１ループから減じた後の固
有Ｍ−Ｈループを例示するグラフである。 第４Ａ及びな４Ｂ図Ｌｌいずれも希望の垂直異方性をも
つ実際的記録用媒体に対する消磁楊を含むＭ　−１１ル
ープを例示したグラフである。 第５トン１は、本発明による垂直ｃｏ　基礎磁性記録用
媒体を製造する方法を実施するのに用いられる′市シ、
ｈ装置ｉｆｔを例示する概略的側面図である。 第６図は、本ジＣ明を構成する電ン笥法で柱状（イ４造
体を形成する細胞状成長機構を詳細に例示する図である
。 第７図は、磁性粒子間のＪ３７子相互の分離を大きくす
るため、増大させた粒子界面拡散処理にかけたｒヲの磁
性フィルムを概ｌ１１？５的に例示する図である。 第８図は、磁ＩｌＮ、粒子間の粒子相互の分離を大きく
するため、増大した粒子界面食刻処理にかけた９ 後の磁性粒子の微細シイ４造を軸１　＋１ｇＳ的に例示
する図である。 第９Ａ図は、実施例１の電着磁性フィルム試料の表面に
よるＸ線回折像で、粒子のいくつかがそれらのｌ　ｃ　
ｌ軸をフィルム面に垂直ではなく、フィルム面内に配列
している場合の回折像である。 第９Ｂ図は、実施例１の電着磁性フィルム試料の表面に
よるＸ線回折像で、全ての粒子がそれらの°Ｃ″１ｌｉ
ｔｆ＋をフィルム面に原則的に垂直に配列している場合
の回折イ・９である。 第１０Ａ図は、実施例１のフィルム試料のための第一浴
温度での回折強度比対’Ｒ７Ｌｊ電流蕾度、及び成る範
囲のフィルム試別についてフィルム中の粒子の成る好ま
しい配向を例示するグラフである。 第１０Ｂ図は、実ｈｌａ例１のフィルム試料について第
二浴温度での回折強度比対’ｆ６着′亀流密度、及び同
じ浴で得られた成る範１）［（のフィルム試別について
のフィルム中の粒子の完全な好ましい配向を例示するグ
ラフである。 第１００図は、実施例１の完全に好ましい配向０ をしたが：利についての第二浴温度での回折強度比対厚
さく　Ｐｍ）を例示するグラフである。 第１１図は、完全に好ましい配向をしたフィルムの破断
面について得られた基材上に支持された電着磁性フィル
ムの電子顕微鏡（ＳＥＭ　）写真で、全てがフィルム面
に対し直角に配向した望ましい自、１状或は柱状磁性結
晶粒子を例示する写↓゛４である。 Ｔｈｅ　１２　Ａ図は、強い好ましい配向を・している
が、フィルム面内に“ｃ　ｌ軸が配回したいくつかの粒
子を泊゛する第９Ａ図の電着磁性フィルム試料のフィル
ムｌｆ＋ｉに平行（１１）及び垂直（土）に適用した４
ｉａ場についてとったＭ　−Ｈヒステリシスループの軌
跡を示す図である。 ゝ第１２Ｅ図は、完全に好ましい配向をした第９Ｂ図の
電着磁性フィルム試別のフィルム面に平行（１１）及び
垂直（±）に適用した磁場についてとったＭ−Ｈヒステ
リシスループの軌跡を示す図である。 第１３図は、実唾例２の別の′ｔｔ着浴で得られた磁性
フィルム試料についての、第一、第二及び第三浴温度で
の回折強反対電流蕃度、及び特定のフィルム試料の各々
についてのフィルム粒子の好ましい配向の程ＬＰを例示
するグラフである。 第１４Ａ図は、第一浴温度で電着した第１３図の完全に
好ましい配向をした磁性フィルム試料のフィルム面に対
し平行（１１）及び垂直（１）に適用した磁場について
とったＭ−）Ｉヒステリシスループの軌跡を示す１てで
ある。 第１４Ｂ図は、第二浴温度で電着した第１６図の完全に
好ましい配向をした磁性フィルム試料のフィルム面に対
し平行（１１）及び垂直（±）に磁場を適してとったＭ
　−Ｈヒステリシスループの軌跡を示す図である。 第１４０図は、第三浴温度で電着した第１６図の完全に
好ましい配向をした磁性フィルム試料のフィルム面に対
し平行（１１〕及び垂１ホ（１）に磁場を′１１４用し
てとったＭ　−Ｈヒステリシスループの１ＩｄＬ跡を示
す図である。 第１５図は、第３図のフィルム試料について、前の実Ｍ
ａ例と比較するようにして、第一温度でのスル７アメー
トを２□（にした電着浴の異なった濃度で得られた磁″
１イＬフィルム試料の回折強電対電流密度及び成る範囲
のフィルム試料についてのフィルム粒子の好ましい配向
を例示するグラフである。 第１６図は、実Ｉ１１：Ｅ例４のフィルム試料について
、＋１１９実施例と比１１をするようにして、第一温度
での（ｐｆｒｌ　酸塩を基にした電着浴で得られた磁性
フィルム試料の回ｎ１゛強度対電流密度、及び成る範囲
のフィルム試料についてのフィルム粒子の好ましい配向
を例示するグラフである。 第１７Ａ％　１７Ｂ％　１７０及び１７Ｄ図は、陰４１
′ｌＪ２処理で水素拡散による後処理を前に受けた実施
例乙の四つの磁性フィルム試料のフィルム面に対し平行
（１１）及び垂直（±）に磁場を適用してとったＭ−Ｈ
ヒステリシスループの軌跡を示すグラフである。 第１８Ａ％　　１８Ｂ及び１８０図は、陽イ所処］ノ■
をＪＩＩいた強力な粒子界面長剣による後処理を前に受
けた実１ｊｌ’ｌｉ例７の三つの磁１イトフィルム試料
のフィルム面に平行（１１）及び垂直（±）に磁場を適
用し３ てとったＭ−Ｈヒステリシスループの軌跡を示すグラフ
である。 第１９図は、ＩＭ単な化学的食刻による後処理を行なっ
た後の実施例８の＝　ｉｇｃフィルム試料について、フ
ィルム而に平行及び垂直（±）に磁場を湾ハ１してとっ
たＭ−Ｈヒステリシスループの軌跡を示すグラフである
。 Ｈ２０Ａ　ＩＡ及び第２０Ｅ図は、夫々、スパッタリン
グで形成したフィルムについて強力な粒子界面拡散機構
を示す酸化による後処理を受ける１１Ｊ及びイ災の、実
施例９の磁性フィルム試料についてフィル面に対し垂直
に磁場を適用してとったＭ−Ｈヒステリシスループの軌
跡を示すグラフである。 １２・・・４１′腎性支持体、１４・・・磁気記録用層
、１６・・・針状粒子、２２・・・粒子境界。 代理人　浅　村　　　皓 外４名 ４ ＦＩ６．１ ＦＩＧ、５ ＦＩＧ、６ ＦＩＧ、　７ （（ Ｈ６，８

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）基材に、針状結晶磁性粒子からなる薄い磁性層を
   上に付着させたものからなる連続的な薄いフィルム状磁
   性媒体で、各粒子中の結晶の結晶学的１Ｃ“軸が針状結
   晶の長軸に平行に配向されておシ、針状粒子の長軸が前
   記磁性層の平面に対し実質的に直角に配向されているフ
   ィルム状磁性媒体を、磁性粒子間の分離を効果的に増大
   し、それによってフィルムの消磁場を減少させながらそ
   れらの保磁力を増大するように後処理する方法において
   、該磁性層に反応剤を拡散させるか又は磁性層を食刻剤
   で食刻することによシ粒子相互間の境界で強力な粒子界
   面反応を与える工程からなる磁性フィルム後処理法。 （２）　　強力な粒子界面反応を与える工程が、反応剤
   を苫む溶液を直憧作用によって電気化学的に荷電し、そ
   の溶液中に磁性層を浸漬し、それによって反応剤を、磁
   性層を構成する針状粒子の外側部分中に拡散させること
   からなる前記第１項に記載の方法。 （３）反応剤が、溶液から陰極作用によって生じた水素
   、酸素又は窒素からなる群から選択される前記第２項に
   記載の方法。 （４）強力な粒子界面反応を与える工程が、酸化性雰囲
   気の存在下で磁性層を加熱し、それによって磁性層を構
   成する針状粒子の外側部分に酸素を拡散させることから
   なる前記第１項に記載の方法。 （５）強力な粒子界面反応を与える工程が、針状粒子を
   構成する物質とは異なった元素の蒸気相の存在下で磁性
   層を加熱し、それによって針状粒子の外側部分に該元素
   を拡散させ、内部磁性心を取シ巻く非磁性層を形成させ
   ることからなる前記第１項に記載の方法。 （６）強力な粒子界面反応が、食刻剤を含む溶液で選択
   的に食刻し、磁性層を溶液へ浸漬し、それによって磁性
   層を構成する針状粒子の外側部分を除去することからな
   る前記第１項に記載の方法。 （力　強力な粒子界面反応を与える工程が、反応剤を含
   む溶液で陽極作用により電気化学的に食刻し、磁性層を
   核浴液中に浸漬し、それによって磁性層を構成する針状
   粒子の外側部分を除去することからなる前記２４！１項
   に記載の方法。 （８）磁性層がＣＯ又はその合金の磁性針状粒子からな
   り、前記第１項〜第７項に記載の方法のいずれかに記載
   の後処理を施した磁性記録用媒体。 （９）　　前言己第１項〜第７項のいずれかに記載の方
   法によって後処理された磁性記録用媒体。 （１０）磁性層が電気化学的方法、スパッタリング法又
   は真空＃：着法によって前身って作られており、ＭｆＪ
   記第１項〜第７項のいずれかに記載の方法により後処理
   された磁性記録用媒体。