JPS5870832A - 加熱処理システム - Google Patents
加熱処理システムInfo
- Publication number
- JPS5870832A JPS5870832A JP16946381A JP16946381A JPS5870832A JP S5870832 A JPS5870832 A JP S5870832A JP 16946381 A JP16946381 A JP 16946381A JP 16946381 A JP16946381 A JP 16946381A JP S5870832 A JPS5870832 A JP S5870832A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cap
- gas
- heat treatment
- outside
- treatment system
- Prior art date
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- Granted
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- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、加熱処理システムに関するものである。
従来、ガス導入装置とガス吸引装置とを備えた加熱処理
システムにおいては、ガス導入装置から送られたガスを
加熱装置内に導入し、該加熱装置内で反応を起させ、必
要な加熱処理を行なうものである。
システムにおいては、ガス導入装置から送られたガスを
加熱装置内に導入し、該加熱装置内で反応を起させ、必
要な加熱処理を行なうものである。
この従来からの加熱処理システムにおいては、加熱装置
出口近傍にはガス流出を防止するためのキャップが存在
しなかったシ、あるいはガス流出防止に効果が小さいキ
ャップが存在していたりしたために、加熱装置内にて反
応した残留ガスは、ガス吸引装置に吸引し切れず、一部
、加熱装置外に流出していた。この流出した残留ガスは
、加熱処理の用途によっても異なるが、一般には、腐蝕
性もの、有毒性のもの、引火可燃性のもの等があり、人
体や周囲の機材に悪影響を与えているものであった。
出口近傍にはガス流出を防止するためのキャップが存在
しなかったシ、あるいはガス流出防止に効果が小さいキ
ャップが存在していたりしたために、加熱装置内にて反
応した残留ガスは、ガス吸引装置に吸引し切れず、一部
、加熱装置外に流出していた。この流出した残留ガスは
、加熱処理の用途によっても異なるが、一般には、腐蝕
性もの、有毒性のもの、引火可燃性のもの等があり、人
体や周囲の機材に悪影響を与えているものであった。
本発明の目的は、加熱装置内に導入され、加熱処理中に
反応した残留ガスを外部に流出させることのない加熱処
理システムを提供することにある。
反応した残留ガスを外部に流出させることのない加熱処
理システムを提供することにある。
本発明の特徴は、ガス導入装置とガス吸引装置とを備え
た、加熱処理システムであって、該加熱処理装置出口近
傍に第１のキャップを設け、この第１のキャップの外側
に第２のキャップを設け、第１のキャップと第２のキャ
ップの間に開孔を設け、この開孔をガス吸引装置に接続
することｔ−特徴とする加熱処理システムが得られる。
た、加熱処理システムであって、該加熱処理装置出口近
傍に第１のキャップを設け、この第１のキャップの外側
に第２のキャップを設け、第１のキャップと第２のキャ
ップの間に開孔を設け、この開孔をガス吸引装置に接続
することｔ−特徴とする加熱処理システムが得られる。
本発明によれば、加熱処理中に反応した残留ガスは、第
１．第２のキャップによって速断された区域に流出し死
時に直ちに第１．第２のキャップの間に存在する開孔全
通して、ガス吸引装置に引かれてしまうため、外部に残
留ガスが流出しないものである。
１．第２のキャップによって速断された区域に流出し死
時に直ちに第１．第２のキャップの間に存在する開孔全
通して、ガス吸引装置に引かれてしまうため、外部に残
留ガスが流出しないものである。
以下、この発明を実施例につき図面を用いて説明する。
第１図は、この発明の詳細な説明するための断面図であ
る。
る。
この加熱処理システムは、加熱処理装置５にガス導入装
置７ｔ−配管８で接続し、第１のキャップ３、第２のキ
ャップ４の先に被加熱物体１０を取りつける。ガス吸引
装ｆｉｌｌは配管９を通して開口２へ接続するものであ
る。
置７ｔ−配管８で接続し、第１のキャップ３、第２のキ
ャップ４の先に被加熱物体１０を取りつける。ガス吸引
装ｆｉｌｌは配管９を通して開口２へ接続するものであ
る。
第１図の如き状態でガス導入装置７から送夛込まれ、加
熱処理装置内にて反応した残留ガスは、第１のキャップ
と反応管１１の間隔を通して、外部に流出しようとする
が第２のキャップ４に遮断される。この区域には開孔全
通して、配管９で接続されたガス吸引装置１が作動して
いるため、残留ガスは第２のキャップ４と加熱装置との
間隔を通して外部に流出することなく、全て開口２ｉ−
通してガス吸引装置内へ吸引されてしまうものでおる。
熱処理装置内にて反応した残留ガスは、第１のキャップ
と反応管１１の間隔を通して、外部に流出しようとする
が第２のキャップ４に遮断される。この区域には開孔全
通して、配管９で接続されたガス吸引装置１が作動して
いるため、残留ガスは第２のキャップ４と加熱装置との
間隔を通して外部に流出することなく、全て開口２ｉ−
通してガス吸引装置内へ吸引されてしまうものでおる。
次の表１は本発明の第１の効果を示しておシ、１０００
℃において、加熱装置内にオキシ塩化リンを導入したと
きの加熱装置外で検出される塩素濃度を塩素検知管を用
いて、検出した値として、−従来システムと本発明によ
るシステムに分離して、比較対照したものである。
℃において、加熱装置内にオキシ塩化リンを導入したと
きの加熱装置外で検出される塩素濃度を塩素検知管を用
いて、検出した値として、−従来システムと本発明によ
るシステムに分離して、比較対照したものである。
（表 １）
次の表２は本発明の第２の効果を示しており、５００℃
において加熱装置内に水素を導入したときの加熱装置外
で検出される水素濃度を水素検知器を用いて検出した値
として、従来システムと本発明によるシステムに分離し
て比較対照したものである。
において加熱装置内に水素を導入したときの加熱装置外
で検出される水素濃度を水素検知器を用いて検出した値
として、従来システムと本発明によるシステムに分離し
て比較対照したものである。
（表 ２）
表１２表２から明らかな様に本発明が加熱装置内で反応
した残留ガスを加熱処理装置外部に流出させることなく
、ガス吸引装置に吸引させることが分る。
した残留ガスを加熱処理装置外部に流出させることなく
、ガス吸引装置に吸引させることが分る。
以上、本発明を加熱処理装置内に導入するガスとして、
オキシ塩化リンと水素について説明したがシラン、三塩
化ボロン等あらゆるガスについても適用できるものであ
る。
オキシ塩化リンと水素について説明したがシラン、三塩
化ボロン等あらゆるガスについても適用できるものであ
る。
又、配管９のいづれかの場所にトラップを設けることに
よって更に用途を広げ、効果を上げることができるもの
である。
よって更に用途を広げ、効果を上げることができるもの
である。
第１図は本発明の詳細な説明するための概略断面図であ
る。 尚、図において、１・・・・・・ガス吸引装置、２・・
・・・・開口、３，４・・・・・・キャップ、５・・・
・・・加熱装置、６・・・・・・ヒーター、７・・・・
・・ガス導入装置、８．９・・・・・・配管、１ｏ・・
団・被加熱物体、１１・・・・・・反応管、１２・・・
・・・マノメータである。
る。 尚、図において、１・・・・・・ガス吸引装置、２・・
・・・・開口、３，４・・・・・・キャップ、５・・・
・・・加熱装置、６・・・・・・ヒーター、７・・・・
・・ガス導入装置、８．９・・・・・・配管、１ｏ・・
団・被加熱物体、１１・・・・・・反応管、１２・・・
・・・マノメータである。
Claims (1)
- ガス導入装置とガス吸引装置とを備えた加熱処理システ
ムにおいて、該加熱装置出口近傍に第１のキャップを設
け、この第１のキャップの外側に第２のキャップを設け
、該第１のキャップと該第２のキャップとの間に開孔を
設け、この開孔をガス吸引装置に接続することを特徴と
する加熱処理システム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16946381A JPS5870832A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | 加熱処理システム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16946381A JPS5870832A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | 加熱処理システム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5870832A true JPS5870832A (ja) | 1983-04-27 |
| JPS6259626B2 JPS6259626B2 (ja) | 1987-12-11 |
Family
ID=15887032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16946381A Granted JPS5870832A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | 加熱処理システム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5870832A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03209091A (ja) * | 1989-10-25 | 1991-09-12 | Nitta Mua Co:Kk | 管継手 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0640427A (ja) * | 1991-02-08 | 1994-02-15 | Nagasaki Kiki Mfg Co Ltd | 自動袋詰機の自動給袋装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53106573A (en) * | 1977-02-28 | 1978-09-16 | Nec Corp | Gas treatment method of semiconductor wafers |
| JPS552612U (ja) * | 1978-06-17 | 1980-01-09 |
-
1981
- 1981-10-23 JP JP16946381A patent/JPS5870832A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53106573A (en) * | 1977-02-28 | 1978-09-16 | Nec Corp | Gas treatment method of semiconductor wafers |
| JPS552612U (ja) * | 1978-06-17 | 1980-01-09 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03209091A (ja) * | 1989-10-25 | 1991-09-12 | Nitta Mua Co:Kk | 管継手 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6259626B2 (ja) | 1987-12-11 |
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