JPS5871680A - 半導体レ−ザ - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 53
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 3
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 abstract 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- SKJCKYVIQGBWTN-UHFFFAOYSA-N (4-hydroxyphenyl) methanesulfonate Chemical compound CS(=O)(=O)OC1=CC=C(O)C=C1 SKJCKYVIQGBWTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000238631 Hexapoda Species 0.000 description 1
- 240000002329 Inga feuillei Species 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- -1 cadmium sulfide Chemical class 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052981 lead sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940056932 lead sulfide Drugs 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
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-
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
- H01S5/2211—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers based on II-VI materials
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
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- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/3235—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength longer than 1000 nm, e.g. InP-based 1300 nm and 1500 nm lasers
- H01S5/32391—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength longer than 1000 nm, e.g. InP-based 1300 nm and 1500 nm lasers based on In(Ga)(As)P
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体発光素子、特に低しきい値域流、発振横
姿伸を制御できる構造を有する埋め込み型へテロ接合構
造文の半導体レーザに関するものである。
姿伸を制御できる構造を有する埋め込み型へテロ接合構
造文の半導体レーザに関するものである。
半導体レーザを光フアイバー通信、あるいはビデオディ
スク等の光情報処理用の光源として使用する場合には、
しきい値域流が低く、かつ高い出力迄発振横姿態が基本
姿態であることが要求される。このような要求に応じて
発振横姿伸を制御するための多種類の半導体レーザの構
造が提案されている。横姿態を制御するためには活性層
に平行な方向、ｌｊ［ｌち接方向につくりっけの屈折率
差を有する導波機構を導入することが必要である。各種
構造のうち最も基本的で、すぐれた特性を持つ構造のも
のに１活性領域の側面、即ち、共振器面以外のすべての
面を活性層よりも屈折率の低い半導体で覆った構造の埋
め込みへテロ接合半導体レーザがある。この構造は発振
横姿態の制御は確実に行うことができるが、埋め込み層
へのキャリアの漏洩を完全には防ぐことができ々いとい
う欠点がある。この欠点を解決すべく、埋め込み噌にｐ
−ｎ接合を内包して、動作状態では埋め込み層に逆バ
イアスがかかるようにして、埋め込み１へは注入電流が
流れないようにした構造が提案されている。
スク等の光情報処理用の光源として使用する場合には、
しきい値域流が低く、かつ高い出力迄発振横姿態が基本
姿態であることが要求される。このような要求に応じて
発振横姿伸を制御するための多種類の半導体レーザの構
造が提案されている。横姿態を制御するためには活性層
に平行な方向、ｌｊ［ｌち接方向につくりっけの屈折率
差を有する導波機構を導入することが必要である。各種
構造のうち最も基本的で、すぐれた特性を持つ構造のも
のに１活性領域の側面、即ち、共振器面以外のすべての
面を活性層よりも屈折率の低い半導体で覆った構造の埋
め込みへテロ接合半導体レーザがある。この構造は発振
横姿態の制御は確実に行うことができるが、埋め込み層
へのキャリアの漏洩を完全には防ぐことができ々いとい
う欠点がある。この欠点を解決すべく、埋め込み噌にｐ
−ｎ接合を内包して、動作状態では埋め込み層に逆バ
イアスがかかるようにして、埋め込み１へは注入電流が
流れないようにした構造が提案されている。
しかしこの構造においては埋め込み層のｐ−ｎ接合の位
置と活性層の位置とを一致させる必要があや、素子製作
上は非常に困難であるため、実際には活性１ｉ１位置と
埋め込みｊｌｉのｐ−ｎ￥ｔｃ合の位置がずれる。この
ため動作電圧が高くなるに従って埋め込み層へ流れる電
流が増加し、このため、しき、＋） い値電流は低くても電流−光出力特性が飽和する゛とい
う欠点を持つ。
置と活性層の位置とを一致させる必要があや、素子製作
上は非常に困難であるため、実際には活性１ｉ１位置と
埋め込みｊｌｉのｐ−ｎ￥ｔｃ合の位置がずれる。この
ため動作電圧が高くなるに従って埋め込み層へ流れる電
流が増加し、このため、しき、＋） い値電流は低くても電流−光出力特性が飽和する゛とい
う欠点を持つ。
この従来の構造の欠点を図面により詳しく説明する。第
１図は従来より提案されている埋め込み型半導体レーザ
の構造を示す部分断面図である。
１図は従来より提案されている埋め込み型半導体レーザ
の構造を示す部分断面図である。
第１図の半導体レーザはｎ型半導体基板１上にｎ型半導
体層２、活性層３、Ｐ型半導体層４を積層し、ストライ
プ状のメサ構造にした後、ｌ１Ｍ［］ｉｊにＰ型半導体
層５、ｎ型半導体層６を積７ｉ１ して埋め込み層とし
たものである。上記半導体層２．４．５．６は活性層３
よりも禁制帯間隔が大きく、屈折率が小さい材料で構成
されている。この半導体レーザに順方向バイアスをかけ
ると埋め込み層はｎ−ｐ−ｎ接合となっているため逆バ
イアスがかかり埋め込み層には電流が流れないようにな
っている。しかしながら第１図の構造において活性層３
の厚みは０．２μｍ 、ｆ＆であるのに対して、二重へ
テロ接合メサの深さは約３μｍあり、３μｍの深さのメ
サを化学エツチングによって形成する場合の深さのばら
つきは約０．５μｍある。これにＰ型埋め込み＋４の厚
みの不均一性が加わるために埋め込み層のｐ−ｎ接合の
位置と活性層の位置を精度良く一致させることは事実上
出来ない。従って、実際には埋め込み層のｐ−ｎ接合は
二重へテロ接合メサのＰ型層３、あるいＦｉｎ型層２に
接することになり、ｐ−ｐ接合、あるいはｎ−ｎ接合を
通して、埋め込み層へ電流が横流れしてしまうことにな
る。このために、しきい値電流は上昇してしまう。また
順方向バイアス電圧を上げるとまずます埋め込み層へ流
れる電流が増える結果として、電流−光出力特性の飽和
現象が生じることになる。
体層２、活性層３、Ｐ型半導体層４を積層し、ストライ
プ状のメサ構造にした後、ｌ１Ｍ［］ｉｊにＰ型半導体
層５、ｎ型半導体層６を積７ｉ１ して埋め込み層とし
たものである。上記半導体層２．４．５．６は活性層３
よりも禁制帯間隔が大きく、屈折率が小さい材料で構成
されている。この半導体レーザに順方向バイアスをかけ
ると埋め込み層はｎ−ｐ−ｎ接合となっているため逆バ
イアスがかかり埋め込み層には電流が流れないようにな
っている。しかしながら第１図の構造において活性層３
の厚みは０．２μｍ 、ｆ＆であるのに対して、二重へ
テロ接合メサの深さは約３μｍあり、３μｍの深さのメ
サを化学エツチングによって形成する場合の深さのばら
つきは約０．５μｍある。これにＰ型埋め込み＋４の厚
みの不均一性が加わるために埋め込み層のｐ−ｎ接合の
位置と活性層の位置を精度良く一致させることは事実上
出来ない。従って、実際には埋め込み層のｐ−ｎ接合は
二重へテロ接合メサのＰ型層３、あるいＦｉｎ型層２に
接することになり、ｐ−ｐ接合、あるいはｎ−ｎ接合を
通して、埋め込み層へ電流が横流れしてしまうことにな
る。このために、しきい値電流は上昇してしまう。また
順方向バイアス電圧を上げるとまずます埋め込み層へ流
れる電流が増える結果として、電流−光出力特性の飽和
現象が生じることになる。
本発明は上述したような従来の埋め込み型半導体レーザ
の欠点を改良し九新規有用な半導体レーザを提供するも
のである。
の欠点を改良し九新規有用な半導体レーザを提供するも
のである。
本来、二重へテロ接合層の導波路層と同一組成でかつ高
比抵抗を有する材料で埋め込み層を形成することが出来
れば、上述したような注入電流の横流れ現象を阻止する
ことができ、かつ活性層の横方向に横姿態を基本姿態に
してかつ安定にするＯＫ十分な屈折率差を設けることが
可能になる。
比抵抗を有する材料で埋め込み層を形成することが出来
れば、上述したような注入電流の横流れ現象を阻止する
ことができ、かつ活性層の横方向に横姿態を基本姿態に
してかつ安定にするＯＫ十分な屈折率差を設けることが
可能になる。
しかし、実際にはこのような高抵抗埋め込み層を形成す
ることは困難な場合が多い。例えば、ＩｎＧａＡｉＰ／
ＩｎＰへテロ接合発光素子においてはＩｎＰあるいＦｉ
ＩｎＧａＡｓＰの高抵抗層をエピタキシャル成長によっ
て得ることが困難であるため、上述した高抵抗埋め込み
層を有する構造は実現できない。一方、必ずしも半導体
レーザを構成する材料と同一でなくても以下の条件を満
たす材料であれば高抵抗埋め込み層として使用可能であ
る。
ることは困難な場合が多い。例えば、ＩｎＧａＡｉＰ／
ＩｎＰへテロ接合発光素子においてはＩｎＰあるいＦｉ
ＩｎＧａＡｓＰの高抵抗層をエピタキシャル成長によっ
て得ることが困難であるため、上述した高抵抗埋め込み
層を有する構造は実現できない。一方、必ずしも半導体
レーザを構成する材料と同一でなくても以下の条件を満
たす材料であれば高抵抗埋め込み層として使用可能であ
る。
（１）高抵抗層作製が容易である。
（２１半導体レーザを形成する材料との密着性が良い
（３）半導体レーザを形成する材料と熱膨張率が同程度
である。
である。
（４）半導体レーザを形成する材料の分解温度以下で付
着させることができる。
着させることができる。
（５）熱伝導率が大きい
以上の条件中（３）は歪による動作時の素子劣化を生じ
させないために必要であＣ１（５）は活性層で発生した
熱を逃がすために必要である。
させないために必要であＣ１（５）は活性層で発生した
熱を逃がすために必要である。
例えば、８ｉ０２のような絶縁体膜は（１）、（４、（
４）の条件は満たすが（３１、＋５１について叫不適当
である。
４）の条件は満たすが（３１、＋５１について叫不適当
である。
また画−Ｖ族化合物材料については（２）、（３）、（
５）については問題はないが、作製が容易でない丸めに
条件（１）を満たすことができない。これに対して本発
明における硫化カドミウムは、条件＋ｎ、 （２、＋３
）、（４１、（５）？満たす。この様子を詳細に説明す
ると、硫化カドミウムＦｉ高抵抗、かつ絶縁破壊電圧の
大きい厚膜（厚み数μｍ）を比較的容易に半導体層上に
形成することができる。比抵抗的１０５〜．ｏｉｎΩ−
１で、厚み数卸の硫化カドミウム寝は例えばスパッタリ
ングによって厚みの均一性良く作成することができる。
５）については問題はないが、作製が容易でない丸めに
条件（１）を満たすことができない。これに対して本発
明における硫化カドミウムは、条件＋ｎ、 （２、＋３
）、（４１、（５）？満たす。この様子を詳細に説明す
ると、硫化カドミウムＦｉ高抵抗、かつ絶縁破壊電圧の
大きい厚膜（厚み数μｍ）を比較的容易に半導体層上に
形成することができる。比抵抗的１０５〜．ｏｉｎΩ−
１で、厚み数卸の硫化カドミウム寝は例えばスパッタリ
ングによって厚みの均一性良く作成することができる。
また、との模の絶縁破壊強度は約１０５Ｖ／ｍあり、例
えば厚みを２μｍとすると絶縁破壊電圧は≦ＯＶとなり
、通常の半導本レーザの使用電圧は３ｖ以下であるので
、十分使用できる。ま友、硫化カドミウム喚は半導体層
士に密着性良く付層させることが可能である。従って作
製され九素子の信頼度が高い。
えば厚みを２μｍとすると絶縁破壊電圧は≦ＯＶとなり
、通常の半導本レーザの使用電圧は３ｖ以下であるので
、十分使用できる。ま友、硫化カドミウム喚は半導体層
士に密着性良く付層させることが可能である。従って作
製され九素子の信頼度が高い。
また、硫化カドミウム膜は耐酸性が強い丸めに雰囲気の
影響によって素子が劣化することはない。
影響によって素子が劣化することはない。
また、熱膨張率が通常半導体レーザとして用いられるＩ
−Ｖ族化合物材料と同程度の値である。
−Ｖ族化合物材料と同程度の値である。
このため膜形成時に半導体基板の温度を上げて、膜形成
後室濡に戻しても半導体層と膜との間に、膨張係数の違
いによる歪が入ることはない。
後室濡に戻しても半導体層と膜との間に、膨張係数の違
いによる歪が入ることはない。
また、屈折率がＷ−Ｖ族化合物材料よりも小さいので、
Ｉ−Ｖ族化合物材料を活性層とする半導体レーザにおい
て屈折率差を設けて発振横姿腿を制御することができる
。
Ｉ−Ｖ族化合物材料を活性層とする半導体レーザにおい
て屈折率差を設けて発振横姿腿を制御することができる
。
以上、述べた性質を同時に保有する材料は他にはない、
従って高抵抗、硫化カドオウムを埋め込み層として使用
することＦｉ埋め込み構造半導体レーザを実現する上で
非常忙有効な方法である。
従って高抵抗、硫化カドオウムを埋め込み層として使用
することＦｉ埋め込み構造半導体レーザを実現する上で
非常忙有効な方法である。
本発明においては、二重へテロ接合層を形成する材料と
は必ずしも同一ではないが比抵抗の高い層が得られ易い
ト１化合物、例えば硫化カドミウムを用いて、埋め込み
層を形成する。また、硫化カドミウムと二重へテロ接合
層を形成する材料とは屈折率の差、あるいけ格子定数の
差が大き過ぎる場合が多い、このような屈折率差、格子
定数差を補償する目的で本発明では高抵抗硫化カドミウ
ムと活性層との間に二重へテロ接合材料と同一の材料を
設ける。
は必ずしも同一ではないが比抵抗の高い層が得られ易い
ト１化合物、例えば硫化カドミウムを用いて、埋め込み
層を形成する。また、硫化カドミウムと二重へテロ接合
層を形成する材料とは屈折率の差、あるいけ格子定数の
差が大き過ぎる場合が多い、このような屈折率差、格子
定数差を補償する目的で本発明では高抵抗硫化カドミウ
ムと活性層との間に二重へテロ接合材料と同一の材料を
設ける。
以下本発明を実施例をもとにして詳細に説明する。第２
図は本発明をＩｎＧａ入ｓＰ／ＴｎＰ二重へテロ接合半
導体レーザに適用した場合の実施例の要部断面図である
。図において７はｎ１ｊｊ！ＩｎＰ基板、８は０型Ｉ
ｎ Ｐ ｍ、 ９Ｆ１ ＩｎＧａＡｓＰ活性層（Ｅｇ
＝０．９５ｅＶ） 、ｌ□はＰ型１ｎＰ、 １ ］はＰ
ｌ！ｌ！ＩｎＰ。
図は本発明をＩｎＧａ入ｓＰ／ＴｎＰ二重へテロ接合半
導体レーザに適用した場合の実施例の要部断面図である
。図において７はｎ１ｊｊ！ＩｎＰ基板、８は０型Ｉ
ｎ Ｐ ｍ、 ９Ｆ１ ＩｎＧａＡｓＰ活性層（Ｅｇ
＝０．９５ｅＶ） 、ｌ□はＰ型１ｎＰ、 １ ］はＰ
ｌ！ｌ！ＩｎＰ。
１２は高抵抗硫化カドミウム、】３はＰ型―極、１４は
ｎ型′ｋｔ極である。
ｎ型′ｋｔ極である。
ｎ型１ｎＰ層８の厚みは２μｍでそのうちメサ外部の厚
みは１μｍである。活性層９の厚みは０．２μｍＰ型Ｉ
ｎＰ層の厚みは２μｍ１メサ部における活性層の横巾は
１．５〜２μＩｎでるる。また活性層９の側面における
Ｐ型ＩｎＰノ１Ｈの厚みは０．３〜０．５μｍである。
みは１μｍである。活性層９の厚みは０．２μｍＰ型Ｉ
ｎＰ層の厚みは２μｍ１メサ部における活性層の横巾は
１．５〜２μＩｎでるる。また活性層９の側面における
Ｐ型ＩｎＰノ１Ｈの厚みは０．３〜０．５μｍである。
この実施例にお＾ては埋め込み増は薄いＰ型ＩｎＰＩｉ
ｉｉｌｌと、高抵抗硫化カドミウム層１２で構成されて
おり、ＰｍＩｎＰ層１１はキャリア一度５×１０１６ｃ
ｌｒ３程度としであるため比抵抗が高く、かつまた薄い
ため抵抗値は大きく、また硫化カドミウム層１２も比抵
抗が１０’〜１０１０ （２−−めるため抵抗値は非常
に大きい。さらにＰ型１ｎＰ４１１とｎ型ＩｎＰ層８と
の間にＦｉｐ−ｎ接合による障害が形成される。従って
活性層に流れる一流に対して埋め込み層に流れる′−流
はほとんど無視することができるほど小さい。埴バイア
ス―圧を上げてもこの状態ｆｌ変らない。また活性ＪＷ
Ｉ ９の一面にはＩｎＰｊｉｌｌが直接つき、そのＩｎ
Ｐ層１１を硫化カドミウム１１］２が覆っているため、
活性層の横の実効的な屈折率はＩｎＰと硫化カドミウム
の屈折率の値、及びＰ型ＩｎＰ層１１、硫化カドミウム
１−１２への光のしみ出し方によって決定される。
ｉｉｌｌと、高抵抗硫化カドミウム層１２で構成されて
おり、ＰｍＩｎＰ層１１はキャリア一度５×１０１６ｃ
ｌｒ３程度としであるため比抵抗が高く、かつまた薄い
ため抵抗値は大きく、また硫化カドミウム層１２も比抵
抗が１０’〜１０１０ （２−−めるため抵抗値は非常
に大きい。さらにＰ型１ｎＰ４１１とｎ型ＩｎＰ層８と
の間にＦｉｐ−ｎ接合による障害が形成される。従って
活性層に流れる一流に対して埋め込み層に流れる′−流
はほとんど無視することができるほど小さい。埴バイア
ス―圧を上げてもこの状態ｆｌ変らない。また活性ＪＷ
Ｉ ９の一面にはＩｎＰｊｉｌｌが直接つき、そのＩｎ
Ｐ層１１を硫化カドミウム１１］２が覆っているため、
活性層の横の実効的な屈折率はＩｎＰと硫化カドミウム
の屈折率の値、及びＰ型ＩｎＰ層１１、硫化カドミウム
１−１２への光のしみ出し方によって決定される。
この実効的な屈折率はＩｎＰの屈折率ｎｌと硫化カドミ
ウムの屈折率ｎ２（ｒ３１＞ｎ２）の間の値となり、高
抵抗硫化カドミウム層が直接活性層側面についた場合よ
りも大きな値となる。従って実施例の場合は硫化カドミ
ウムを直接活性層側面につけた場合よりも、発振の基本
横姿態を維持するための活性層９の横巾が広くてすむこ
とになる。このことは素子作製を容易にし、かつ出力を
大きく出せることを可能にする。また活性層９の側面に
活性層と格子整合のとれたＩｎＰが直接ついているため
格子不整合によるキャリア捕獲中心、あるいは転位源が
埋め込み層と活性層との界面に発生することがなく、し
きい値電流の増加等の素子特性を損うことなく、また動
作寿命を短くすることもない。
ウムの屈折率ｎ２（ｒ３１＞ｎ２）の間の値となり、高
抵抗硫化カドミウム層が直接活性層側面についた場合よ
りも大きな値となる。従って実施例の場合は硫化カドミ
ウムを直接活性層側面につけた場合よりも、発振の基本
横姿態を維持するための活性層９の横巾が広くてすむこ
とになる。このことは素子作製を容易にし、かつ出力を
大きく出せることを可能にする。また活性層９の側面に
活性層と格子整合のとれたＩｎＰが直接ついているため
格子不整合によるキャリア捕獲中心、あるいは転位源が
埋め込み層と活性層との界面に発生することがなく、し
きい値電流の増加等の素子特性を損うことなく、また動
作寿命を短くすることもない。
さらにまた硫化カドミウムとＩｎＰとの密着性屯良いこ
とも素子の信頼性を高める一因となっている。かくして
形成された第２図に要部断面図を示したＩｎＧａＡｓＰ
／ＩｎＰ二重へテロ瞬合半導体レーザはしきい値′１流
も、共振器長２５０μｍで１０〜２０ ｍ Ａと低く、
発振横姿態も基本姿態であって、注入域流を増やしても
光出力が飽和することのないすぐれ比特性を持つ。
とも素子の信頼性を高める一因となっている。かくして
形成された第２図に要部断面図を示したＩｎＧａＡｓＰ
／ＩｎＰ二重へテロ瞬合半導体レーザはしきい値′１流
も、共振器長２５０μｍで１０〜２０ ｍ Ａと低く、
発振横姿態も基本姿態であって、注入域流を増やしても
光出力が飽和することのないすぐれ比特性を持つ。
第３図は本発明による他の実施例を示す要部断面図であ
り、活性層９とｎ型ＩｎＰ層８との間に１禁制帯間隔及
び屈折率の値が活性層９とＩｎＰとの間の値であるｎ型
ＩｎＧａＡｓＰ層（Ｅ ｇ＝ １．０３６ Ｖ ）１５
を設けたものである。この場合、発振光は活性ｌＩ９よ
りｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層１５にしみ出すために、たて方
向の実効的な屈折率は第２図の実施例の場合よりも小さ
くなる。従って横方向の屈折率差ｔ［２の場合よりも小
さくなる。
り、活性層９とｎ型ＩｎＰ層８との間に１禁制帯間隔及
び屈折率の値が活性層９とＩｎＰとの間の値であるｎ型
ＩｎＧａＡｓＰ層（Ｅ ｇ＝ １．０３６ Ｖ ）１５
を設けたものである。この場合、発振光は活性ｌＩ９よ
りｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層１５にしみ出すために、たて方
向の実効的な屈折率は第２図の実施例の場合よりも小さ
くなる。従って横方向の屈折率差ｔ［２の場合よりも小
さくなる。
この結果、横基本姿態発振を維持するための活性層の横
巾は第２図に示した実施例の場合よりも広くてよいこと
になり、第２図の素子よりも一層製作し易くなり、高い
出力が得られることになる。
巾は第２図に示した実施例の場合よりも広くてよいこと
になり、第２図の素子よりも一層製作し易くなり、高い
出力が得られることになる。
上述した実施例において高抵抗埋め込み層として硫化カ
ドミウムを用いる理由は前述したように、高抵抗層が容
易に得られる、半導体層との密着性が良いことの他、絶
縁破壊電圧が大きい、従って動作−圧を上げても電流阻
止層として十分な機能を持つ、熱膨張率が半導体発光素
子となる材料に近い値であり、従りて素子温麓が上昇し
ても素子に虫が入ることがなく、素子の特性、寿命を悪
化させることがないことによる。
ドミウムを用いる理由は前述したように、高抵抗層が容
易に得られる、半導体層との密着性が良いことの他、絶
縁破壊電圧が大きい、従って動作−圧を上げても電流阻
止層として十分な機能を持つ、熱膨張率が半導体発光素
子となる材料に近い値であり、従りて素子温麓が上昇し
ても素子に虫が入ることがなく、素子の特性、寿命を悪
化させることがないことによる。
なお、前記実施ガにおける導電型を全て反対の導電型に
変えても良いことは当然である。
変えても良いことは当然である。
また、前記実施例はＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰヘテロ接合
半導体レーザについての例であるが、これ以外の（ＡＩ
Ｇａ）λＳヘテロ接合をはじめとするＩ−Ｖ族、厘−■
族材料による半導体レーザ、発光ダイオード等の素子に
本発明を適用することは勿論可能である。
半導体レーザについての例であるが、これ以外の（ＡＩ
Ｇａ）λＳヘテロ接合をはじめとするＩ−Ｖ族、厘−■
族材料による半導体レーザ、発光ダイオード等の素子に
本発明を適用することは勿論可能である。
また、上記実施例において高比抵抗硫化カドミウムの代
りに１前述した硫化カドミウムと同様な性質を有する他
の亜鉛、カドンウムのｌ族元素、及びセレン、テルル、
硫黄のｌ族元素から成る高比抵抗のセレン化亜鉛、テル
ル化亜鉛、硫化岨鉛、セレン化カドミウム、テルル化カ
ドミウムの如き２元混晶、あるいは３元混晶を用いても
同等な効果が得られる。
りに１前述した硫化カドミウムと同様な性質を有する他
の亜鉛、カドンウムのｌ族元素、及びセレン、テルル、
硫黄のｌ族元素から成る高比抵抗のセレン化亜鉛、テル
ル化亜鉛、硫化岨鉛、セレン化カドミウム、テルル化カ
ドミウムの如き２元混晶、あるいは３元混晶を用いても
同等な効果が得られる。
以上の説明で判るように本発明によればメサストライプ
状に竪型カΩ工した二ムへテロ接合ノーの活性層の一面
を屈折率が活性ノーと硫化カドミウムの間にあり、県制
帝間隔が活性層よりも大きく、かつ導電型が基板と反対
の薄い半導体！−で蝋い、さらに該半導体層を高比抵抗
硫化カドミウムで覆うことにより、活性層外への電流の
漏洩を阻止し、同時に横方向にぐ〈９っけの屈折率差を
設けた半導体レーザ等の発光素子を得ることができる。
状に竪型カΩ工した二ムへテロ接合ノーの活性層の一面
を屈折率が活性ノーと硫化カドミウムの間にあり、県制
帝間隔が活性層よりも大きく、かつ導電型が基板と反対
の薄い半導体！−で蝋い、さらに該半導体層を高比抵抗
硫化カドミウムで覆うことにより、活性層外への電流の
漏洩を阻止し、同時に横方向にぐ〈９っけの屈折率差を
設けた半導体レーザ等の発光素子を得ることができる。
かくして得られた素子においてはしきい値電流も低く、
横方向の発振姿態も安定に単一化され、電流対光出力特
性が飽和することもない、等のすぐれた特性を持つ。
横方向の発振姿態も安定に単一化され、電流対光出力特
性が飽和することもない、等のすぐれた特性を持つ。
第１図は従来の埋め込み型半導体レーザ、の構造を示す
要部断面図、第２図、及び第３図は本発明の実施例を示
す要部断面図である。 図において１−ｎ型半導体基板、２−ｎ型半導体層、３
−活性層、４−Ｐ型半導体層、５−Ｐ型埋め込み層、７
−ｎ型ＩｎＰＪＩＳ板、 ｓ−ｎ型ＩｎＰ層、９−Ｉｎ
ＧａＡｓＰ活性層、１０−Ｐ型ＩｎＰ層、１１−Ｐ型Ｉ
ｎＰ埋め込み層、１２−高抵抗硫化カドミウム層、１３
−Ｐ型電極、１４−ｎ型電極１５− ｎ ｆ！Ｉ！ｌ
ｎＧａＡｓＰ層である。 Ｍ１図 −３９５−
要部断面図、第２図、及び第３図は本発明の実施例を示
す要部断面図である。 図において１−ｎ型半導体基板、２−ｎ型半導体層、３
−活性層、４−Ｐ型半導体層、５−Ｐ型埋め込み層、７
−ｎ型ＩｎＰＪＩＳ板、 ｓ−ｎ型ＩｎＰ層、９−Ｉｎ
ＧａＡｓＰ活性層、１０−Ｐ型ＩｎＰ層、１１−Ｐ型Ｉ
ｎＰ埋め込み層、１２−高抵抗硫化カドミウム層、１３
−Ｐ型電極、１４−ｎ型電極１５− ｎ ｆ！Ｉ！ｌ
ｎＧａＡｓＰ層である。 Ｍ１図 −３９５−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体基板上に局所的に設けた活性層となる半導体
層を含むヘテロ接合層と該へテロ接合層の側面を覆う埋
め込み半導体１−とからなる半導体レーザにおいて、前
記埋め込み層を前記基板と反対の導電型を有し、かつ前
記活性層よ抄も屈折率の小さい半導体層及び該半導体層
上に璽族元素であるカドミウム又は亜鉛と回線元素であ
るセレン、テルル、硫黄のいずれかの組合せから成る高
比抵抗を有する混晶を積層した構成とし、前記活性層の
側面ｔ”該半導体層で覆っ九ことｔ−特徴とする半導体
レー鳴 ２、特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザにおムて
高比抵抗混晶として硫化カドミウムを用いることを特徴
とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16949981A JPS5871680A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16949981A JPS5871680A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5871680A true JPS5871680A (ja) | 1983-04-28 |
Family
ID=15887650
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16949981A Pending JPS5871680A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5871680A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63110785A (ja) * | 1986-10-29 | 1988-05-16 | Seiko Epson Corp | 半導体レ−ザ |
-
1981
- 1981-10-23 JP JP16949981A patent/JPS5871680A/ja active Pending
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| TECHNICAL DISCLOSURE BULLETIN=1979 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63110785A (ja) * | 1986-10-29 | 1988-05-16 | Seiko Epson Corp | 半導体レ−ザ |
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