JPS5872477A - 感熱記録ヘツド - Google Patents
感熱記録ヘツドInfo
- Publication number
- JPS5872477A JPS5872477A JP56171409A JP17140981A JPS5872477A JP S5872477 A JPS5872477 A JP S5872477A JP 56171409 A JP56171409 A JP 56171409A JP 17140981 A JP17140981 A JP 17140981A JP S5872477 A JPS5872477 A JP S5872477A
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- resistor
- heat
- film
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N97/00—Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、薄膜形感熱記録ヘッドに関するものであプ、
さらには発熱抵抗体の保護層１を平坦に形成した構造を
有する発熱抵抗体に関するものである。
さらには発熱抵抗体の保護層１を平坦に形成した構造を
有する発熱抵抗体に関するものである。
薄膜形感熱記録ヘッドの抵抗体は、通常第１図の断面構
造を有する。１ｇ１図において、１はアルミナ等の基板
、２は蓄熱グレーズガラス層、３は［抗体の耐エッチン
ト用アンダーコート層、４Ｆｉ発熱抵抗体層、５は発熱
抵抗体と配線導体層との接着層、６は配線導体層、７．
８は抵抗体保護層で通常７は抵抗体の耐酸化層、８は抵
抗体の耐摩耗層である。
造を有する。１ｇ１図において、１はアルミナ等の基板
、２は蓄熱グレーズガラス層、３は［抗体の耐エッチン
ト用アンダーコート層、４Ｆｉ発熱抵抗体層、５は発熱
抵抗体と配線導体層との接着層、６は配線導体層、７．
８は抵抗体保護層で通常７は抵抗体の耐酸化層、８は抵
抗体の耐摩耗層である。
第１図の構造で、発熱抵抗体部となる１０は配線導体厚
さと接着層の厚さの合計厚さ分だけ配線部１１よシ低く
、凹となった形状となっている。
さと接着層の厚さの合計厚さ分だけ配線部１１よシ低く
、凹となった形状となっている。
この凹部には、印画時の発熱抵抗体が発熱した時に印画
−紙の溶融成分がたまシ、これが非印画時冷却されてこ
の凹部に付着する。付着した紙かすは次回からの発熱で
は溶融せず、付着厚さが順次増大する。紙かすの付着量
が増大すると発熱抵抗体と印画紙の接触状態が悪くなり
、かつ発熱の印画紙への伝達も悪化し、画素の印画濃度
のばらつき。
−紙の溶融成分がたまシ、これが非印画時冷却されてこ
の凹部に付着する。付着した紙かすは次回からの発熱で
は溶融せず、付着厚さが順次増大する。紙かすの付着量
が増大すると発熱抵抗体と印画紙の接触状態が悪くなり
、かつ発熱の印画紙への伝達も悪化し、画素の印画濃度
のばらつき。
印画濃度の低下につながる。
これらの問題に対処するため、現状では発熱抵抗体への
投入電力を大きく設定する必要があシ、ひいてはこれが
発熱抵抗体の寿命を小さくする原因となっている。
投入電力を大きく設定する必要があシ、ひいてはこれが
発熱抵抗体の寿命を小さくする原因となっている。
また、第１図において、抵抗体保護層は凹凸のある基板
上に形成されるため、９部は大きな膜歪な有している。
上に形成されるため、９部は大きな膜歪な有している。
このため、発熱冷却のサイクルな受けることＫよ９９部
に微小クラックが発生し、このクラック部から印画時に
溶融した印画紙の成分がしみこみ配線導体を腐食して、
発熱抵抗体の寿命を低下させている。
に微小クラックが発生し、このクラック部から印画時に
溶融した印画紙の成分がしみこみ配線導体を腐食して、
発熱抵抗体の寿命を低下させている。
本発明の目的は、上記従来技術の欠点をなくし、印画品
質の向上、寿命の延長をはかる発熱抵抗体の構造、を提
供することＫＴｏる。
質の向上、寿命の延長をはかる発熱抵抗体の構造、を提
供することＫＴｏる。
本発明は、発熱抗体のフォトエツチング工程までは従来
法と同一で、−抵抗体保護層形成条件を選択するだけで
発熱抵抗体部の凹部ななくし、発熱抵抗体と配線部が平
坦化された感熱記録ヘッドができる。
法と同一で、−抵抗体保護層形成条件を選択するだけで
発熱抵抗体部の凹部ななくし、発熱抵抗体と配線部が平
坦化された感熱記録ヘッドができる。
即ち、発熱抵抗体部の凹部防止法として、抵抗体保護層
の形成方法を考慮するうち、バイアススパッタ法て抵抗
体保護層を形成するととＫよシ、凹凸のある基板上に平
坦化した抵抗体保護層を形成した第２図の構造を有する
発熱抵抗体を形成するに至った。
の形成方法を考慮するうち、バイアススパッタ法て抵抗
体保護層を形成するととＫよシ、凹凸のある基板上に平
坦化した抵抗体保護層を形成した第２図の構造を有する
発熱抵抗体を形成するに至った。
すなわち、バイアススパッタ法とは、ターゲット電極に
電力を印加する他に基板にもバイアス電圧を印加するこ
とＫよシ、基板上の凸部のスパッタエッチを行ないなが
らターゲット物質をスパッタ成膜する方法である。この
場合、ターゲット電力と基板へのバイアス電圧の比を変
化することＫよシ、成膜速度、成膜後の平坦度が相違す
る。
電力を印加する他に基板にもバイアス電圧を印加するこ
とＫよシ、基板上の凸部のスパッタエッチを行ないなが
らターゲット物質をスパッタ成膜する方法である。この
場合、ターゲット電力と基板へのバイアス電圧の比を変
化することＫよシ、成膜速度、成膜後の平坦度が相違す
る。
第２図では抵抗体の耐酸化層としてバイアススパッタ法
で形成した酸化ケイ素（Ｓ１０２）を厚さ３μｍ、耐摩
耗層として高周波スパッタ法で形成し九五酸化タンタル
（Ｔａ２０５）を厚さ４μｍ形成した構造を示した。
で形成した酸化ケイ素（Ｓ１０２）を厚さ３μｍ、耐摩
耗層として高周波スパッタ法で形成し九五酸化タンタル
（Ｔａ２０５）を厚さ４μｍ形成した構造を示した。
このときのバイアススパッタ条件はターゲット印加電力
４．０ＫＷ、基板への印加電力４００Ｖ 、スパッタガ
スはアルゴンで圧力は５ｍ Ｔｏｒｒであった。
４．０ＫＷ、基板への印加電力４００Ｖ 、スパッタガ
スはアルゴンで圧力は５ｍ Ｔｏｒｒであった。
このようＫして形成した発熱抵抗体は、抵抗体上への紙
かすの付着量は従来構造のものに比較して１イ。以下と
なシ、発熱抵抗体の寿命は、発熱通電パルス幅α９ｍ５
ｉｅｃ、パルス周期１ｏｍｓｅｃ、発熱抵抗体への印加
電力α７０Ｗの条件で１億パルス以上の寿命があつた。
かすの付着量は従来構造のものに比較して１イ。以下と
なシ、発熱抵抗体の寿命は、発熱通電パルス幅α９ｍ５
ｉｅｃ、パルス周期１ｏｍｓｅｃ、発熱抵抗体への印加
電力α７０Ｗの条件で１億パルス以上の寿命があつた。
また印画濃度は上記条件で初期濃度平均１．３０に対し
１億パルス印加後でも濃度変化は・約４チと小さく、各
画素間の印画濃度ばらつき初期状態から・の変化は認め
られなかった。
１億パルス印加後でも濃度変化は・約４チと小さく、各
画素間の印画濃度ばらつき初期状態から・の変化は認め
られなかった。
ここで、抵抗体部の凹部な形成するバイアススパッタ条
件と成膜速度、成膜後の平坦化度について説明する。上
記のとうシ、゛バイアス電力を大きくすると平坦化度は
上昇するがスペッタエッチ率が大きくなルその結果成膜
速度が減少し生産効率が低下した巾下地基板側にスパッ
タダメージを与えることになシ、バイアス電力が小さい
とスパッタエッチ率が小さくなり目的とする平坦化度が
低下する。
件と成膜速度、成膜後の平坦化度について説明する。上
記のとうシ、゛バイアス電力を大きくすると平坦化度は
上昇するがスペッタエッチ率が大きくなルその結果成膜
速度が減少し生産効率が低下した巾下地基板側にスパッ
タダメージを与えることになシ、バイアス電力が小さい
とスパッタエッチ率が小さくなり目的とする平坦化度が
低下する。
発明者が８１０２に：ついて実験検討した範囲では、第
２図の接着層と配線導体層の合計厚さが１．１μｍで、
ターゲットへの印加電力を４．０ＫＮとした場合、基板
への印加バイアス電圧４００ｖ以上では成膜後の５１０
２は凹凸５００Ｘ以下に平坦になシ、バイアス電圧２０
０ｖ条件ではその凹凸が５ｏａｏＸであった。
２図の接着層と配線導体層の合計厚さが１．１μｍで、
ターゲットへの印加電力を４．０ＫＮとした場合、基板
への印加バイアス電圧４００ｖ以上では成膜後の５１０
２は凹凸５００Ｘ以下に平坦になシ、バイアス電圧２０
０ｖ条件ではその凹凸が５ｏａｏＸであった。
以上の結果から、基板へのバイアス電圧は、コンベンシ
ョナル高周波スパッタでは２００〜１ｏｎｏｖが適当で
ある。
ョナル高周波スパッタでは２００〜１ｏｎｏｖが適当で
ある。
以下、本発明を実施例によシ説明する。
実施例１
グレーズ層を具備し・たアルミナ基板上に、アンダーコ
ート層としてＴａ２０５膜を約１２５ＯＡ 、発熱抵抗
体層としてＣｒＳｉ合金薄膜１２００＾、抵抗体と配線
層の接着層としてＣｒ膜１ｏｏｏＸ、 配線導体層と
してＡ１膜１μｍを形成した後、フォトエツチング法に
よシ幅９０μｍ長さ２５０μｍの発熱抵抗体を形成した
。
ート層としてＴａ２０５膜を約１２５ＯＡ 、発熱抵抗
体層としてＣｒＳｉ合金薄膜１２００＾、抵抗体と配線
層の接着層としてＣｒ膜１ｏｏｏＸ、 配線導体層と
してＡ１膜１μｍを形成した後、フォトエツチング法に
よシ幅９０μｍ長さ２５０μｍの発熱抵抗体を形成した
。
この上層に耐酸化層として５ｉ０２膜を３μｍ形成した
。この５ｉｎ２は基板と８１０２タ一ゲツト距離ｄＯｍ
、ＩＡ５ＭＨｚの高周波電力４．０ Ｋ Ｗ基板側への
バイアス電圧４００Ｖ 、スパッタ時アルゴシ圧力Ｓ、
Ｑｌ！Ｉ’ｊＯ１”ｒ条件で９時間スパッタして形成し
た。
。この５ｉｎ２は基板と８１０２タ一ゲツト距離ｄＯｍ
、ＩＡ５ＭＨｚの高周波電力４．０ Ｋ Ｗ基板側への
バイアス電圧４００Ｖ 、スパッタ時アルゴシ圧力Ｓ、
Ｑｌ！Ｉ’ｊＯ１”ｒ条件で９時間スパッタして形成し
た。
さちＫこの上層に耐摩耗層としてＴａ２０５ 膜を４μ
ｍ形成した。この’ｒａ２ｏ５は５１０２形成装置と同
−製電で高周波電力４．０ＫＷ、基板側へのバイアス電
圧は印加せず、１２時間スパッタして形成し艷 このようにして形成した抵抗体部の形状は第２図に示す
とう夛であシ、５ｉＯ２Ｊ［厚３μｍおよびＴａ２０５
膜厚４μｍはそれぞれ第２図の１２および１３の寸法で
あシ、耐摩耗層上では発熱抵抗体部と配線部の段差は検
出できなかった。
ｍ形成した。この’ｒａ２ｏ５は５１０２形成装置と同
−製電で高周波電力４．０ＫＷ、基板側へのバイアス電
圧は印加せず、１２時間スパッタして形成し艷 このようにして形成した抵抗体部の形状は第２図に示す
とう夛であシ、５ｉＯ２Ｊ［厚３μｍおよびＴａ２０５
膜厚４μｍはそれぞれ第２図の１２および１３の寸法で
あシ、耐摩耗層上では発熱抵抗体部と配線部の段差は検
出できなかった。
このような構造を有する薄膜感熱記録ヘッドで、通電パ
ルス幅α９ｍ８１ｉ１０．パルス間隔１０ｆｆ１８ｅＱ
、発熱抵抗体への印加電力［１７０Ｗ条件で寿命試験
を行なった。このとき、初期濃度は平均１．２８．発熱
素子数１７２８本における濃度ばらつきは±［Ｌ０６で
あシ、１億パルス印加後においても平均濃度は１、２４
、濃度ばらつき±ＣＬ（３８，抵抗値変化率平均４、
８ ％最大４５％ 、最小＆７％−ｔ’あシ、実用上１
億パルス以上の寿命を確認した。
ルス幅α９ｍ８１ｉ１０．パルス間隔１０ｆｆ１８ｅＱ
、発熱抵抗体への印加電力［１７０Ｗ条件で寿命試験
を行なった。このとき、初期濃度は平均１．２８．発熱
素子数１７２８本における濃度ばらつきは±［Ｌ０６で
あシ、１億パルス印加後においても平均濃度は１、２４
、濃度ばらつき±ＣＬ（３８，抵抗値変化率平均４、
８ ％最大４５％ 、最小＆７％−ｔ’あシ、実用上１
億パルス以上の寿命を確認した。
実施例２
グレーズを具備したアルミナ基板上にアンダーコート層
として７ａ２Ｑ、膜を約１２５０＾１発熱抵抗層として
Ｃｒ−８ｉ合金薄膜１２ｏｏ；、抵抗体と配線層の接着
層としてＣｌ−１００ＯＡ、配線導体層としてＡ ｌ
ｊ［１μｍを形成した後、フォトエツチング法によ）幅
９０μｍ、長さ２５０μｍの発熱抵抗体を形成した。こ
の上層に耐酸化層として５１０２膜を３μｍ形成した。
として７ａ２Ｑ、膜を約１２５０＾１発熱抵抗層として
Ｃｒ−８ｉ合金薄膜１２ｏｏ；、抵抗体と配線層の接着
層としてＣｌ−１００ＯＡ、配線導体層としてＡ ｌ
ｊ［１μｍを形成した後、フォトエツチング法によ）幅
９０μｍ、長さ２５０μｍの発熱抵抗体を形成した。こ
の上層に耐酸化層として５１０２膜を３μｍ形成した。
この５１０２は基板とターゲットの距離６０■、ターゲ
ットへの投入電力４．０ＫＷ。
ットへの投入電力４．０ＫＷ。
基板へのバイアス電圧２００Ｖ、スパッタ時のアルゴン
圧力！Ｌ ＯｍＴｏｒｒ条件で７時間スパッタして形成
した。
圧力！Ｌ ＯｍＴｏｒｒ条件で７時間スパッタして形成
した。
さらＫこの上層に耐摩耗層として’ｒａ２ｏ、膜を４μ
ｍ形成した。このＴａ２Ｏ，は５１０２形成装置と同一
装置で高周波電力４．０ＫＷ、基板側へのバイアス電圧
は印加せず、１２時間スパッタして形成した。
ｍ形成した。このＴａ２Ｏ，は５１０２形成装置と同一
装置で高周波電力４．０ＫＷ、基板側へのバイアス電圧
は印加せず、１２時間スパッタして形成した。
このようにして形成した抵抗体の形状は第３図に示すと
うシであシ、この場合８１０２膜厚３μｍおよび？ａ２
０．膜厚４μｍは第３図の１２および１３の方法であっ
た。
うシであシ、この場合８１０２膜厚３μｍおよび？ａ２
０．膜厚４μｍは第３図の１２および１３の方法であっ
た。
第３図のとと＜ ｌ１ｌａ２Ｑ５上層の′発熱抵抗体部
と配線部の段差は約５ｏｏｏＸであシ、従来の高周波ス
パッタで形成したときの段差１μｍよ）大幅に小さい。
と配線部の段差は約５ｏｏｏＸであシ、従来の高周波ス
パッタで形成したときの段差１μｍよ）大幅に小さい。
またステ、プヵパレージ性は、第３図の１４の形状とな
シ、従来法の第１図の９の形状に比較して、抵抗体と配
線部接点近辺の凹部は大幅に改善された。
シ、従来法の第１図の９の形状に比較して、抵抗体と配
線部接点近辺の凹部は大幅に改善された。
本方法で形成した薄膜感熱記録ヘッドで、通電パルス幅
ｎ９ｍａｅｏ 、パルス周期１ｏｍｅｇａ 、発熱抵抗
体への印加電力α６ＯＷ条件で寿命試験を行なった。こ
のとき、初期濃度は平均１．０８ 、発熱素子数１７２
８本における濃度ばらつきは士α０８であシ、１億パル
ス印加後においても平均濃、［１，０５、濃度ばらつき
±１０９．抵抗値平均変化率２．１％。
ｎ９ｍａｅｏ 、パルス周期１ｏｍｅｇａ 、発熱抵抗
体への印加電力α６ＯＷ条件で寿命試験を行なった。こ
のとき、初期濃度は平均１．０８ 、発熱素子数１７２
８本における濃度ばらつきは士α０８であシ、１億パル
ス印加後においても平均濃、［１，０５、濃度ばらつき
±１０９．抵抗値平均変化率２．１％。
最大＆５９ｇ、最小１．７％でＴｏ＃）、また１億パル
ス印加後でも第３図の１５の部分に微小なりラックも発
生しなかった。
ス印加後でも第３図の１５の部分に微小なりラックも発
生しなかった。
以上説明したごとく、抵抗体保膜層上面において、発熱
抵抗体部と配線導体部の段差を５０００Ａ以下とした。
抵抗体部と配線導体部の段差を５０００Ａ以下とした。
本発明法によれば、発熱抵抗体の寿命は１億パルス以上
となシ、この値は従来法の５０００万パルスに比較し、
５倍以上の寿命となった。また、印加濃度ばらつきも１
億パルス印加後で±７慢以内と大幅に改善された。
となシ、この値は従来法の５０００万パルスに比較し、
５倍以上の寿命となった。また、印加濃度ばらつきも１
億パルス印加後で±７慢以内と大幅に改善された。
なお、本発明では抵抗体保護層として５１０２゜Ｔａ２
ｅｓ Ｋついて説明したが、他の材料、たとえば窒化シ
リコン、シリコンカーパイ等においても、抵抗体保膜層
上面で発熱抵抗体部と配線部に段差５０００Ａ以内の構
造であれば、同様の効果は期待されるものである。
ｅｓ Ｋついて説明したが、他の材料、たとえば窒化シ
リコン、シリコンカーパイ等においても、抵抗体保膜層
上面で発熱抵抗体部と配線部に段差５０００Ａ以内の構
造であれば、同様の効果は期待されるものである。
第１図は従来法における発熱抵抗体部の平面図、第２図
、第３図は本発明の、バイアススパッタ法で抵抗体保護
層を形成した場合の発熱抵抗体部の平面図である。 １・・・・・・アルミナ基板 ２・・・・・・グレーズ層 ３・・・・・・アンダーコート層 、４・・・・・・抵抗体層 ５・・・・・・接着層 。 ６・・・・・・配線導体層 ７・・・・・・耐酸化保膜層 ８・・・・・・耐摩耗保護層 ９・・・・・・ステップカバレージ部 １０・・・・・・発熱抵抗体部 １１・・・・・・配線部 １２・・・・・・耐酸化層の膜厚測定位置１３・・・・
・・耐摩耗層の膜厚測定位置才 ／ 因 才２ 図 ）Ｘ３
、第３図は本発明の、バイアススパッタ法で抵抗体保護
層を形成した場合の発熱抵抗体部の平面図である。 １・・・・・・アルミナ基板 ２・・・・・・グレーズ層 ３・・・・・・アンダーコート層 、４・・・・・・抵抗体層 ５・・・・・・接着層 。 ６・・・・・・配線導体層 ７・・・・・・耐酸化保膜層 ８・・・・・・耐摩耗保護層 ９・・・・・・ステップカバレージ部 １０・・・・・・発熱抵抗体部 １１・・・・・・配線部 １２・・・・・・耐酸化層の膜厚測定位置１３・・・・
・・耐摩耗層の膜厚測定位置才 ／ 因 才２ 図 ）Ｘ３
Claims (1)
- 基板と、この基板上に形成された抵抗体層、導体層、こ
の抵抗体層とこの導体層が被覆されるように形成された
保護層からな）、かつ、抵抗体層上に位置する保護層と
導体層上に位置する保護層の段差が５０００′Ａ以下で
あることを特徴とする感熱記録ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56171409A JPS5872477A (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | 感熱記録ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56171409A JPS5872477A (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | 感熱記録ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5872477A true JPS5872477A (ja) | 1983-04-30 |
Family
ID=15922605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56171409A Pending JPS5872477A (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | 感熱記録ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5872477A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103946028A (zh) * | 2011-11-28 | 2014-07-23 | 京瓷株式会社 | 热敏头以及具备该热敏头的热敏打印机 |
| JP2015006791A (ja) * | 2013-05-27 | 2015-01-15 | 京セラ株式会社 | サーマルヘッドおよびこれを備えるサーマルプリンタ |
-
1981
- 1981-10-28 JP JP56171409A patent/JPS5872477A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103946028A (zh) * | 2011-11-28 | 2014-07-23 | 京瓷株式会社 | 热敏头以及具备该热敏头的热敏打印机 |
| US9238376B2 (en) | 2011-11-28 | 2016-01-19 | Kyocera Corporation | Thermal head and thermal printer equipped with the same |
| CN103946028B (zh) * | 2011-11-28 | 2016-01-20 | 京瓷株式会社 | 热敏头以及具备该热敏头的热敏打印机 |
| JP2015006791A (ja) * | 2013-05-27 | 2015-01-15 | 京セラ株式会社 | サーマルヘッドおよびこれを備えるサーマルプリンタ |
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