JPS587361U - 光結合半導体装置 - Google Patents

光結合半導体装置

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JPS587361U
JPS587361U JP10106781U JP10106781U JPS587361U JP S587361 U JPS587361 U JP S587361U JP 10106781 U JP10106781 U JP 10106781U JP 10106781 U JP10106781 U JP 10106781U JP S587361 U JPS587361 U JP S587361U
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JP
Japan
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semiconductor device
optical coupling
coupling semiconductor
abstract
resistor
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Application number
JP10106781U
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English (en)
Inventor
俊文 吉川
仲倉　幸典
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
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Publication of JPS587361U publication Critical patent/JPS587361U/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図はホトサイリスタカプラを示す図、第２図はホト
サイリスタカプラの動作特性を改良した回路図、第３図
は最小トリガ電流の温度特性図、第４図は本考案の一実
施例を示す要部回路図、第、５図は同実施の回路による
最小トリガ電流温度特性図である。 ＰＤ、発光ダイオード、ＰＳ：ホトサイリスク、Ｒ１Ｒ
２：抵抗、Ｃ：コンデンサ。゛

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 光源からの入射光が与えられるホトサイリスタのゲート
    に、最小トリガ電流の温度特性を補正する温度係数をも
    つ抵抗体を接続してなる光結合半導体装置。
JP10106781U 1981-07-06 1981-07-06 光結合半導体装置 Pending JPS587361U (ja)

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