JPS5873642U - 押釦同調器におけるメモリ−スライドの支持機構 - Google Patents

押釦同調器におけるメモリ−スライドの支持機構

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Publication number
JPS5873642U
JPS5873642U JP16838881U JP16838881U JPS5873642U JP S5873642 U JPS5873642 U JP S5873642U JP 16838881 U JP16838881 U JP 16838881U JP 16838881 U JP16838881 U JP 16838881U JP S5873642 U JPS5873642 U JP S5873642U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
support mechanism
guide pin
memory
push
memory slide
Prior art date
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Pending
Application number
JP16838881U
Other languages
English (en)
Inventor
茶木　隆夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Faurecia Clarion Electronics Co Ltd
Original Assignee
Clarion Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Clarion Co Ltd filed Critical Clarion Co Ltd
Priority to JP16838881U priority Critical patent/JPS5873642U/ja
Publication of JPS5873642U publication Critical patent/JPS5873642U/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来型の押釦同調器におけるメモリースライド
の支持−構を示す平面図、第２図同上、ガイドピンの拡
大断面図、第３図は本考案の押釦同調器におけるメモリ
ースライドの支持機構を示す平面図、第４図は同上ガイ
ドピンの拡大断面図である。 １１・・・・・・基板、１２・・・・・・押釦、１３・
・・・・・腕金、１４ａ、１４ｂ・・・・・・ガイドピ
ン、１５・・・・・・メモリースライド、１６・・・・
・・ガイドＬ　　１６−−−−−−ガイド一孔、１７・
・・・：・ガイドピン、１８・・・・・・受部、１９・
・・・・・ブツシュ、２０・・・・・・フランジ、Ｄ・
・・・・・段部、Ｋ・・・・・・係止部。 １２　１５　　　　　Ｌ５　　−一 第４図

Claims (3)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. （１）押釦同調器におけるメモリースライドの支持機構
    の基板上には、筒形をしたガイドピンが取付けられてお
    り、このガイドピン上部には受部が設けられ、この受部
    上でメモリースライドに穿設されたガイド孔の縁部が支
    承されており、ガイドピン頂部の孔内には、メモリース
    ライドをガイドピンに取付ける為のフランジを持つブツ
    シュが嵌め込まれ、このガイドピンとブツシュの少くと
    も一方が合成樹脂成型品から成ることを特徴とする押釦
    同調器におけるメモリースライドの支持機構。
  2. （２）ガイドピンが金属加工により筒形に形成された実
    用新案登録請求の範囲第１項記載の押釦同調器における
    メモリースライドの支持機構。
  3. （３）プツシｄが金属加工により形成された実用新案登
    録請求の範囲第１項記載の押釦同調器におけるメモリー
    スライドの支持機構。
JP16838881U 1981-11-13 1981-11-13 押釦同調器におけるメモリ−スライドの支持機構 Pending JPS5873642U (ja)

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JP16838881U JPS5873642U (ja) 1981-11-13 1981-11-13 押釦同調器におけるメモリ−スライドの支持機構

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JPS5873642U true JPS5873642U (ja) 1983-05-18

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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4942839A (ja) * 1972-07-31 1974-04-22
JPS4979783A (ja) * 1972-12-08 1974-08-01
JPS52124483A (en) * 1976-04-14 1977-10-19 Hitachi Ltd Gas phase growth regulation apparatus
JPS55148419A (en) * 1979-05-09 1980-11-19 Kishenev G Yuniberushitetsuto Method and device for vacuum evaporating semiconductor layer

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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