JPS5875751A - イオンポンプ - Google Patents
イオンポンプInfo
- Publication number
- JPS5875751A JPS5875751A JP17515481A JP17515481A JPS5875751A JP S5875751 A JPS5875751 A JP S5875751A JP 17515481 A JP17515481 A JP 17515481A JP 17515481 A JP17515481 A JP 17515481A JP S5875751 A JPS5875751 A JP S5875751A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cathode
- anode
- ion pump
- discharge control
- control electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J41/00—Discharge tubes for measuring pressure of introduced gas or for detecting presence of gas; Discharge tubes for evacuation by diffusion of ions
- H01J41/12—Discharge tubes for evacuating by diffusion of ions, e.g. ion pumps, getter ion pumps
Landscapes
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈発明の技術分野〉
本発明はイオンポンプに係り、４ＩＫ複数極な設けて排
気速度を増大させるに好適なイオンポンプに関する。
気速度を増大させるに好適なイオンポンプに関する。
〈従来技術〉
一般にイオンポンプは磁場中和於ける冷陰極放電を利用
してオイルフリーな真空を作り出量ために用いられ、高
温あるいは極低温部分や機械的な運動を必要としないと
いう特徴があり、真空の質を問題にする分野では４１に
有用表ものである。そして轟初欠点とされていた希ガス
、例えばヘリクムヤアルゴンに対する排気速度の不安定
性勢は、３ｆｉ形イオンポンプの開発により鱗決され、
操作性のよいイオンポンプが製作される様になって来て
いる。
してオイルフリーな真空を作り出量ために用いられ、高
温あるいは極低温部分や機械的な運動を必要としないと
いう特徴があり、真空の質を問題にする分野では４１に
有用表ものである。そして轟初欠点とされていた希ガス
、例えばヘリクムヤアルゴンに対する排気速度の不安定
性勢は、３ｆｉ形イオンポンプの開発により鱗決され、
操作性のよいイオンポンプが製作される様になって来て
いる。
第１図は従来の３極形イオンポンプの断面図であり、同
図中１は貫通した中空部２を有する陽極、３は陽極ｌの
両開口端に離間且つ近接して配設され、この開口を覆う
如き形状を有する陰極、４は陰極３のｊ！に外側に配さ
れる収集電極１．６は陽極１と陰極３関に放電を行なわ
せるべく電圧を印加する電源、５は図示しない碑場発生
装置から印加される磁場、４′は収集電極４上に捕見ら
れた気体分子、７は陽極１の中空部２に放電の結果、生
成する気体イオンである。
図中１は貫通した中空部２を有する陽極、３は陽極ｌの
両開口端に離間且つ近接して配設され、この開口を覆う
如き形状を有する陰極、４は陰極３のｊ！に外側に配さ
れる収集電極１．６は陽極１と陰極３関に放電を行なわ
せるべく電圧を印加する電源、５は図示しない碑場発生
装置から印加される磁場、４′は収集電極４上に捕見ら
れた気体分子、７は陽極１の中空部２に放電の結果、生
成する気体イオンである。
かかる構成に於いて、陽極１の中空部２の軸心に実質的
に平行に図示し危い磁場発生装置よｐ磁場５が与えられ
、同時に陽極１と陰極３の関には電ｆｓ６より電圧−１
が印加される０ちなみに、第１図の例では陽極１並びに
収集電極４が接地されるため、陰極３の電位は−Ｖａと
なる。その結果、陽極１の中空部２には直交する電磁場
に工９高エネルギー高密度の電子群が形成され、中空部
、２に飛来した分子はイオン化されて気体イオン７とな
り、陰極３の表面に高速で入射して通常チタンで形成さ
れる陰極３０表面の原子をスパッタする。
に平行に図示し危い磁場発生装置よｐ磁場５が与えられ
、同時に陽極１と陰極３の関には電ｆｓ６より電圧−１
が印加される０ちなみに、第１図の例では陽極１並びに
収集電極４が接地されるため、陰極３の電位は−Ｖａと
なる。その結果、陽極１の中空部２には直交する電磁場
に工９高エネルギー高密度の電子群が形成され、中空部
、２に飛来した分子はイオン化されて気体イオン７とな
り、陰極３の表面に高速で入射して通常チタンで形成さ
れる陰極３０表面の原子をスパッタする。
スパッタされた陰極３０ａｍ物質は収集電極４の表面に
付着し、付着したｌ！１ｉｌｉ３の表面物軍は気体分子
を吸着し、そζに更にスパッタされた陰極３の表面物質
が付着して吸着された気体分子は収集電４１４の表面に
捕えられた気体分子４′として纏め込まれる。
付着し、付着したｌ！１ｉｌｉ３の表面物軍は気体分子
を吸着し、そζに更にスパッタされた陰極３の表面物質
が付着して吸着された気体分子は収集電４１４の表面に
捕えられた気体分子４′として纏め込まれる。
上に述べた様な、気相の分子の固相内への填め込みが３
極形イオンポン７プの排気作用である。そして、この排
気速度を大きくするためには放電で形成される気体イオ
ン７０量に対して陰極３からスパッタされる表面物質の
量を多くしなければならない。
極形イオンポン７プの排気作用である。そして、この排
気速度を大きくするためには放電で形成される気体イオ
ン７０量に対して陰極３からスパッタされる表面物質の
量を多くしなければならない。
第２図は第１図に示したイオンポンプに於ける陽極表面
物質のスパッタリング量を説明するための特性図で、同
図−）は陰４ｉｉ３の表面に入射するイオンのエネルギ
ー菖に対して入射イオ７ｌ個尚９のスパッタされる陰極
物質の原子数で表わされるＸＡ’ｌＩ比８を、同図伽）
は入射するイオンのエネルギーＵに対して、入射するイ
オンのエネルギーがＵ以上で且つＵ＋ａＵ未満であるも
のが単位時間に陰極３の表面に入射する数はｆｄｔｌで
あると定義したイオンエネルギー分布関数ｆを、同図（
ａ）は共に相対値で示されるスパッタ比８とエネルギー
分布関数ｆの積ｆａｖそれぞれ示すものである。
物質のスパッタリング量を説明するための特性図で、同
図−）は陰４ｉｉ３の表面に入射するイオンのエネルギ
ー菖に対して入射イオ７ｌ個尚９のスパッタされる陰極
物質の原子数で表わされるＸＡ’ｌＩ比８を、同図伽）
は入射するイオンのエネルギーＵに対して、入射するイ
オンのエネルギーがＵ以上で且つＵ＋ａＵ未満であるも
のが単位時間に陰極３の表面に入射する数はｆｄｔｌで
あると定義したイオンエネルギー分布関数ｆを、同図（
ａ）は共に相対値で示されるスパッタ比８とエネルギー
分布関数ｆの積ｆａｖそれぞれ示すものである。
第２図伽）ｋ於いて、エネルギー分布関数ｆは０以下、
・・Ｖａ （・：単位電荷）以上で０でアリ、更に陰
極降下Ｖｏによる加速エネルギー働・Ｖｏ以下及び陽極
降下の範囲でエネルギー分布関数ｆはほとんどＯＫ等し
い０そして、第２図０１）からも明らかな如く、エネル
ギー分布関数ｆは ＠”ＶＯ≦ｕ ＜ｅ Ａ’ａ ・・
・（１）でのみＯでない値をとる０ここで、エネルギー
分布関数ｆはエネルギーＵが・・ｖｏを越え且つ小さな
値であるとき大きな値をと９、エネルギー１が大きいと
エネルギー分布関数ｆは小さくなる。スパッタされる陰
極物質の単位時間当りの数Ｑはで与えられ、この被積分
関数ｆ・８が第２図（ａ）に示されている０図面がら明
らかな様にスパッタ比Ｓが大きい値をとるためのエネル
ギーＵと、エネルギー分布関数ｆが大きい値ｔとるとこ
ろのエネルギーｕ−大きく異なるため、基本的にスパッ
タされるｗＩｋＩｉ物質の量は多く出来ない。２まり、
従来′の３砺形イオンポンプに於いては、排気速度に限
界があった。
・・Ｖａ （・：単位電荷）以上で０でアリ、更に陰
極降下Ｖｏによる加速エネルギー働・Ｖｏ以下及び陽極
降下の範囲でエネルギー分布関数ｆはほとんどＯＫ等し
い０そして、第２図０１）からも明らかな如く、エネル
ギー分布関数ｆは ＠”ＶＯ≦ｕ ＜ｅ Ａ’ａ ・・
・（１）でのみＯでない値をとる０ここで、エネルギー
分布関数ｆはエネルギーＵが・・ｖｏを越え且つ小さな
値であるとき大きな値をと９、エネルギー１が大きいと
エネルギー分布関数ｆは小さくなる。スパッタされる陰
極物質の単位時間当りの数Ｑはで与えられ、この被積分
関数ｆ・８が第２図（ａ）に示されている０図面がら明
らかな様にスパッタ比Ｓが大きい値をとるためのエネル
ギーＵと、エネルギー分布関数ｆが大きい値ｔとるとこ
ろのエネルギーｕ−大きく異なるため、基本的にスパッ
タされるｗＩｋＩｉ物質の量は多く出来ない。２まり、
従来′の３砺形イオンポンプに於いては、排気速度に限
界があった。
〈発明の目的〉
従って、本発明の目的は上記従来技術の欠点をなくし、
放電制御電極を用いて陰極からスパッタされる物質の量
を多くシ、更にスパッタされた陰極物質を収集電極な設
け、これらＫより排気速度を増大させたイオンポンプを
提供するＶＣＴｏる０更に詳細Ｋａ１本発明は周知の３
極形の構造に於ける放電空間に、陰極の一方から陽極の
中空部に延在する放電制御電極を付加して４極形構造と
なし、この放電制御電ＩＩＫより放電空間の電位を制御
することにより陰ＩｉＫ入射するイオンの運動エネルギ
ーなスパツー夕此の大きい領域に分布させ、排気適度の
向上を可能ならしめたイオンポンプを提供するものであ
る。
放電制御電極を用いて陰極からスパッタされる物質の量
を多くシ、更にスパッタされた陰極物質を収集電極な設
け、これらＫより排気速度を増大させたイオンポンプを
提供するＶＣＴｏる０更に詳細Ｋａ１本発明は周知の３
極形の構造に於ける放電空間に、陰極の一方から陽極の
中空部に延在する放電制御電極を付加して４極形構造と
なし、この放電制御電ＩＩＫより放電空間の電位を制御
することにより陰ＩｉＫ入射するイオンの運動エネルギ
ーなスパツー夕此の大きい領域に分布させ、排気適度の
向上を可能ならしめたイオンポンプを提供するものであ
る。
〈発明の実施例〉
以下、図面に従って本発明を更に詳細に説明するＯ
第３図は本発明の一実施例に係るイオンポンプの縦断面
図で、各図［に共通する部分には同一番号を符し、説明
の重複をしない。同図中８は外部の−ｓＫ絶縁を施され
、給電部組立体１４と共に陽極１及び２個１組の収集電
極４を支持し電気的にこれらを接地する導体柱、９は外
部の一部に絶縁を施され、接続金具１０に工９給電部組
立体１４の一部である給電端子１１に固定され、また絶
縁支８１２と共に２個１組の陰極３を支持し、これに給
電する導体柱、１３は陽極１の中空部２の内部に、その
貫通方向に磁場を発生する磁石、１５は収集電極４の貫
量孔４ａ及び陰極３の一方に穿設された第２種の貫通孔
３ｍ＞を収集電極４及び陰極３と絶縁された状態で貫通
し、陽極１の中空部２Ｋｇ在する放電制御電極、１６は
放電制御電極１５Ｖ陽極１、陰極３、収集電極４、イオ
ンポンプを収容する真空容器から絶縁して支持すると共
に放電制御電極１５への給電経絡の一部！兼ねる支持体
、１８は給電部組立体１４の一部をなし、図示しない放
電制御電源に接続されると共に導電ｌ１１１７を介して
支持体１６から放電制御電極１５に対して給電するため
の給電端子をそれぞれ示すものである。ちなみに、２個
の陰極３！／ｃはそれぞれ第１種の貫通孔３ａが多数穿
設される。また、第２種の貫通孔３ｂは一方の陰極３に
穿設されるものであり、Ｉ￥ＩＫ本実施例に於いては陽
極１の中空部２の軸心上に穿設されるものである。更に
、２個１組の収集電極４はそれぞれ２個１組の陰１ｉ３
と平行に離間して、陽極１とは反対側に配設されている
が、陰極３の第２種の貫通孔３ｂＫｉｉ接する一方の電
極に、第２種の貫通孔３ｂと同軸に貫通孔４ａが穿設さ
れるものである。と仁ろで、放電制御電極１５はスパッ
タ比の小さな導電体、例えばタングステンで形成される
が、この電極には陰極３より４高く、陽極ｌの電位、つ
ｔ９接地電位エリも低い負の電位が与えられる。
図で、各図［に共通する部分には同一番号を符し、説明
の重複をしない。同図中８は外部の−ｓＫ絶縁を施され
、給電部組立体１４と共に陽極１及び２個１組の収集電
極４を支持し電気的にこれらを接地する導体柱、９は外
部の一部に絶縁を施され、接続金具１０に工９給電部組
立体１４の一部である給電端子１１に固定され、また絶
縁支８１２と共に２個１組の陰極３を支持し、これに給
電する導体柱、１３は陽極１の中空部２の内部に、その
貫通方向に磁場を発生する磁石、１５は収集電極４の貫
量孔４ａ及び陰極３の一方に穿設された第２種の貫通孔
３ｍ＞を収集電極４及び陰極３と絶縁された状態で貫通
し、陽極１の中空部２Ｋｇ在する放電制御電極、１６は
放電制御電極１５Ｖ陽極１、陰極３、収集電極４、イオ
ンポンプを収容する真空容器から絶縁して支持すると共
に放電制御電極１５への給電経絡の一部！兼ねる支持体
、１８は給電部組立体１４の一部をなし、図示しない放
電制御電源に接続されると共に導電ｌ１１１７を介して
支持体１６から放電制御電極１５に対して給電するため
の給電端子をそれぞれ示すものである。ちなみに、２個
の陰極３！／ｃはそれぞれ第１種の貫通孔３ａが多数穿
設される。また、第２種の貫通孔３ｂは一方の陰極３に
穿設されるものであり、Ｉ￥ＩＫ本実施例に於いては陽
極１の中空部２の軸心上に穿設されるものである。更に
、２個１組の収集電極４はそれぞれ２個１組の陰１ｉ３
と平行に離間して、陽極１とは反対側に配設されている
が、陰極３の第２種の貫通孔３ｂＫｉｉ接する一方の電
極に、第２種の貫通孔３ｂと同軸に貫通孔４ａが穿設さ
れるものである。と仁ろで、放電制御電極１５はスパッ
タ比の小さな導電体、例えばタングステンで形成される
が、この電極には陰極３より４高く、陽極ｌの電位、つ
ｔ９接地電位エリも低い負の電位が与えられる。
以上述べた如き構成に於いて、次に第４図の特性図に従
ってその作用を説明する。ちなみに、第４図（ａ） ｅ
（ｂ） ＊ （ｅ）はそれぞれ第２図仏Ｌ （ｂ）
−（ｃ）の特性図に対比させて、第３図の構成に於ける
陰極表面物質のスバタリング量を説明するものである。
ってその作用を説明する。ちなみに、第４図（ａ） ｅ
（ｂ） ＊ （ｅ）はそれぞれ第２図仏Ｌ （ｂ）
−（ｃ）の特性図に対比させて、第３図の構成に於ける
陰極表面物質のスバタリング量を説明するものである。
さて、第３図の構成に１にいて、磁石１３の磁場及び陽
Ｉｉ１及び陰極３間の電位差に基く直交電磁場により陽
極１の中空部２に電子群が形成されるが、この電子群に
より気体分子から生成されたイオンの大部分は放電制御
電極１５に衝突せずに＠極３に衝突し、ゲッタ物質で形
成される陰１１ｆ！！面物質をスパッタする。この場合
、イオンの入射エネルギーｕＫ対するスパッタ比Ｓは第
４図（ａ） Ｋ示される通り、従来の場合と変ら表い。
Ｉｉ１及び陰極３間の電位差に基く直交電磁場により陽
極１の中空部２に電子群が形成されるが、この電子群に
より気体分子から生成されたイオンの大部分は放電制御
電極１５に衝突せずに＠極３に衝突し、ゲッタ物質で形
成される陰１１ｆ！！面物質をスパッタする。この場合
、イオンの入射エネルギーｕＫ対するスパッタ比Ｓは第
４図（ａ） Ｋ示される通り、従来の場合と変ら表い。
ここで、陽極１が接地され、放電制御電極１５に電位−
■息が与えられ、陰極３には放電制御電極１５よりも更
に低い電位−（Ｖａ＋Ｖｇ）が与えられているものとす
ると、ＶＫが十分に大きく、例えば６００ Ｖ以上であ
る場合、放電の状態はＶ−影響をほとんど受けず、陽１
ｉｉ１の中空部２に形成される放電空間の電位は、放電
が放電制御電極１５０制御な受けるため、各点で−ｖａ
＋ ＶＯより大きく、０より小さい値をとる。
■息が与えられ、陰極３には放電制御電極１５よりも更
に低い電位−（Ｖａ＋Ｖｇ）が与えられているものとす
ると、ＶＫが十分に大きく、例えば６００ Ｖ以上であ
る場合、放電の状態はＶ−影響をほとんど受けず、陽１
ｉｉ１の中空部２に形成される放電空間の電位は、放電
が放電制御電極１５０制御な受けるため、各点で−ｖａ
＋ ＶＯより大きく、０より小さい値をとる。
ここで、正の電圧Ｖｏは第２図に於ける陰極降下電圧に
和尚するものであり、ＴｏはＶａＫ較べて非常に小さな
値となる。イオンの陰極３への入射エネルギー分布関数
ｆは第４図伽）Ｋ示す如く、・・（Ｖｇ＋Ｖｏ） くｕ
く・（Ｖｇ＋Ｖａ） ・・・（３）だけで零
でない値をとり、第２図０１）の特性に較べて放電状態
がほとんど同一で且つイオンのエネルギー分布関数ｆが
高エネルギー側へ移動した形となる０その結果、陰極３
でスパッタされる陰極表面物質の原子の単位時間蟲９の
数Ｑは、となり、被積分関数ｆ８は第４図（ｏ）に示さ
れる−如く、第２図（・）Ｋ示される従来の三極形イオ
ンポンプに於けるもの工り大きな値をとり、スパッタさ
れるゲッタ物質の量が増加してイオンポンプの排気速度
を増加させるという効果を生む０また、本発明のイオン
ポンプでは収集電極４を用いているため、希ガスに対し
ても安定した排気速度を実現出来るものである。
和尚するものであり、ＴｏはＶａＫ較べて非常に小さな
値となる。イオンの陰極３への入射エネルギー分布関数
ｆは第４図伽）Ｋ示す如く、・・（Ｖｇ＋Ｖｏ） くｕ
く・（Ｖｇ＋Ｖａ） ・・・（３）だけで零
でない値をとり、第２図０１）の特性に較べて放電状態
がほとんど同一で且つイオンのエネルギー分布関数ｆが
高エネルギー側へ移動した形となる０その結果、陰極３
でスパッタされる陰極表面物質の原子の単位時間蟲９の
数Ｑは、となり、被積分関数ｆ８は第４図（ｏ）に示さ
れる−如く、第２図（・）Ｋ示される従来の三極形イオ
ンポンプに於けるもの工り大きな値をとり、スパッタさ
れるゲッタ物質の量が増加してイオンポンプの排気速度
を増加させるという効果を生む０また、本発明のイオン
ポンプでは収集電極４を用いているため、希ガスに対し
ても安定した排気速度を実現出来るものである。
なお、上記実施例に於いては、放電制御電極１の中空部
２０軸心に配置する如き構成を例示したが、本発明の実
施はこれに限定されるものではなく、軸心からずれた位
置に配してもよく、同様効果を得ることが出来るもので
ある。
２０軸心に配置する如き構成を例示したが、本発明の実
施はこれに限定されるものではなく、軸心からずれた位
置に配してもよく、同様効果を得ることが出来るもので
ある。
く発明の効果〉
以上述べた如く、本発明に工れば従来の３極形イオンポ
ンプに対して放電制御用の電極を付加するのみて、排気
速度ｌ増大させると共に希ガスに対しても安定した排気
速度Ｖ実現し得るイオンポンプを得ることが出来るもの
である。
ンプに対して放電制御用の電極を付加するのみて、排気
速度ｌ増大させると共に希ガスに対しても安定した排気
速度Ｖ実現し得るイオンポンプを得ることが出来るもの
である。
第１図は従来のイオンポンプの断面図、菖２図は第１図
構成の動作を説明する特性図、１１３図は本発明の一実
施例に係るイオンポンプの断面図、第４図は第２図構成
の動作を説明する特性図であるＯ １・・・陽極、２・・・中空部、３・・・陰極、４・・
・収集電極、１３・・・磁石、１５・・・放電制御電極
。 出願人代理人 猪 股 清１Ｎ開昭５８
−７５７５１（４） １４図
構成の動作を説明する特性図、１１３図は本発明の一実
施例に係るイオンポンプの断面図、第４図は第２図構成
の動作を説明する特性図であるＯ １・・・陽極、２・・・中空部、３・・・陰極、４・・
・収集電極、１３・・・磁石、１５・・・放電制御電極
。 出願人代理人 猪 股 清１Ｎ開昭５８
−７５７５１（４） １４図
Claims (1)
- 貫通した中空部を有する陽極と、中空部の両開口端に近
接して配され、第１糧、第２種の貫通孔な有する陰極と
、陽極の中空部内にその貫通方向く磁場を発生する手段
と、陽極と陰極間に電圧を印加する手段と、陰極と平行
に離間して陽極とは反対側に配された収集電極と、スパ
ッタ比の小さな導電体で形成され、陰極の第２種の貫通
孔な陰極と絶縁された状態で貫通し、陽極の中空部に′
ｆｇ在すると共に陽極と陰極の中間の電圧を印加される
放電制御電極とを具えることを４１鎗とするイオンポン
プ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17515481A JPS5875751A (ja) | 1981-10-31 | 1981-10-31 | イオンポンプ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17515481A JPS5875751A (ja) | 1981-10-31 | 1981-10-31 | イオンポンプ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5875751A true JPS5875751A (ja) | 1983-05-07 |
Family
ID=15991208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17515481A Pending JPS5875751A (ja) | 1981-10-31 | 1981-10-31 | イオンポンプ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5875751A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100674204B1 (ko) | 2005-03-16 | 2007-01-24 | 주식회사 브이엠티 | 스퍼터 이온펌프의 배기 방법 및 그에 대한 구조 |
| CN109707612A (zh) * | 2018-11-28 | 2019-05-03 | 中国科学院近代物理研究所 | 一种离子泵性能测试和优化装置及其测试和优化方法 |
-
1981
- 1981-10-31 JP JP17515481A patent/JPS5875751A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100674204B1 (ko) | 2005-03-16 | 2007-01-24 | 주식회사 브이엠티 | 스퍼터 이온펌프의 배기 방법 및 그에 대한 구조 |
| CN109707612A (zh) * | 2018-11-28 | 2019-05-03 | 中国科学院近代物理研究所 | 一种离子泵性能测试和优化装置及其测试和优化方法 |
| CN109707612B (zh) * | 2018-11-28 | 2020-01-17 | 中国科学院近代物理研究所 | 一种离子泵性能测试和优化装置及其测试和优化方法 |
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