JPS5877025A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は垂直記録方式に逸した磁気記録媒体の製造方法
に関する。

短波長記録特性の優れた磁気記録方式として′、垂直記
録方式がある。この方式においては媒体の膜面に垂直方
向が磁化容易軸である垂直記録媒体が必要となる。この
ような媒体に信号を記録すると、残留磁化は媒体の膜面
に垂直な方向を向き、したがって信号が短波長になるほ
ど、媒体内反磁界が減少し、優れた再生出力が得゛られ
る。

現在用い訴ている垂直記録媒体は、非磁性基板上に直接
に、あるいはバーマロ゛イ等の軟磁性薄膜を介して、ｃ
ｏとｃｒを主成分として垂直方向に磁化容易軸を有する
磁性層をスパッタリング法によ多形成したものである。

ＣＯとＯｒを主成分としたスパッタ膜は、Ｃｒの量が３
０重量％以下め範囲では結晶系が稠密六方構造であシ、
そのＣ軸を膜面に対して垂直方向に配向させることがで
き、かつ垂直方向の異方性磁界が反磁界よシも大きくな
るまで飽和磁化を低下させることが可能となるので、垂
直磁化膜を実現できる。

しかし、スパッタリング法によれば、磁性薄膜の形成速
度が遅いので、低コストで垂直磁化膜を生産することが
困難である。スパッタリング法に対し、真空蒸着法（イ
オンブレーティング法のように蒸発原子の一部をイオン
化する方法も含む）によれば、数１００，０λ／秒とい
う速い形成速度でＣｏ−０ｒ垂直磁化膜が得られること
が発明者ら。

にょシ見い出された。真空蒸着法においては基板を円筒
状キャンの周側面に沿って移動させつつ、薄膜の形成を
行なうとテープ状の垂直記録媒体が非常に生産性よく得
られる。　　　　　　　　′図にこのよう表頁空蒸着装
置の内部構造の概略を示す。高分子材料よシなる基板１
が円筒状キャン２に沿って矢印ムの方向へ走行する。蒸
発源６と円筒状キャン２との間にはマスク５が配置され
ておシ、蒸発原子はスリット７を通って基板１に付着す
る。３，４はそれぞれ基板１の供給ロールおよび巻取り
ロールである。。

Ｃｏ−Ｃｒ蒸着膜が垂直磁化膜になるためには、稠密六
方構造のＣ軸が腋面に垂直方向に配向し、垂直方向の異
方性磁界が反磁界よりも大きくなること、すなわち膜の
垂直異方性ｉ数Ｋｎ：が正になることが必要である。そ
のた椋には、蒸着時の残留ガスを少なくしなければなら
ないことが実験の結果間らかになった。ところが、高分
子材料よシなる基板を使用すると、残留ガスを少なくし
ても蒸着時の基板からの脱ガスのために、特性の良いＧ
ｏ−Ｃｒ垂直磁化膜が得らだず、Ｋｎが負になってしま
うことさえある。高分子材料よシなる基板は一般に高温
低湿雰囲気中に長時間放置することにより脱ガスされる
が、図に示すように基板を巻いた状態では高温低湿雰囲
気中に長時間放置しておいても、脱ガスされるのは巻い
た状態の表層だけであり内部はほとんど脱ガスされない
。

本発明は高分子材料よりなる基板上にＴｉを蒸着した後
にＣｏ−０ｒを蒸着することにょシ、ｃｏ−Ｏｒの蒸着
時に脱ガスをなくシ、その結果優れた特性を有するＣｏ
−０ｒ垂直磁化膜を形成する方法を提供するものである
。

図の装置においてキャンの温度を２００°Ｃにして耐熱
性のある高分子材料よシなる基板上に、Ｏｒが２２重量
％のＧｏ−Ｃｒ膜を形成すると、この膜のＫｎは一４Ｘ
　１０５ｅｒｇ／ｃｃであシ垂直磁化膜になっていなか
った。これに対し、下地としてムｅ。

Ｃｕ、Ｏｒ、Ｓｉ、Ｔｉを同質の基板上に蒸着した後に
、同じ条件でＣｏ−０ｒ膜を蒸着すると、表に示すより
なＫｎを有する膜が得られた。

各種下地に対するＧｏ−Ｏｒ蒸着膜の Ｋｎの４ｙ１　（ｘ１ｏ５ｅｒｇ／ｃｃ　）この表から
明らかなように、下地材料がＴｉ以外の場合にはＫｎ≦
０であり、垂直磁膜になでいない。Ｔｉの場合には膜厚
がｓ’ｏｏｉの場合にも１ｓｏｏｎの場合にもＣｏ−０
ｒ垂直硬化膜が得られ、Ｔｉの膜厚に関係なく　ｓ　ｘ
　１５５６ｒｇ／ｃｃというＫｎの１１１１が得られた
。また、ム（１、Ｏｕ、’、　Ｏｒ　、　Ｓｉの、蒸着
時に基板から脱ガスのあることが真空計によシ確かめら
れた。これに対して、Ｔｉ膜の上にＣｏｏ−Ｃｒを蒸着
した場合には、蒸着時に基板からの脱ガスはほとんど認
められなかった。以上のように高１分子材料よりなる基
板上にＴｉを蒸着し、その上にＣｏ−０ｒを蒸着すると
、Ｔｉの膜厚が　。

６００ム程度と薄くても、優れた特性を有するＧｏ−Ｃ
ｒ垂直磁化膜が得られる。

以上述べた本発明の膜では、金属ＴｉとＣｏ−０ｒとが
接触しているために、両者間に電位差を生じ、金属Ｔｉ
のないＧｏ−ｃｒ単層膜の場合に比べて耐食性が悪い。

これを改善するためには、Ｔｉの蒸着時に酸素を導入す
る反応性蒸着法によシ酸化チタンを形成すればよい。酸
化Ｔｉを蒸着した上にＧＯ−Ｏｒを蒸着しても、金属Ｔ
ｉ上にＣｏ−０ｒ　　を蒸着した場合と同様の優れた特
性を有１するＣｏ−０ｒ垂直磁化膜が得られる。

以上は磁性層がＣｏ−０ｒ膜のみの単層膜の場合、であ
るが、これに対してＧｏ−Ｃｒ膜の下にパーマ７ が改善されることが報告されている。このようなに直接
にパーマロイ膜を蒸着し、さらにその上にＧｏ−Ｏｒ膜
を蒸着したのでは、パーマロイ膜の膜厚が１６００Ｘ以
下の場合にはｃ　ｏ　−ｃ　ｒ膜（７）Ｋ、ｎは負であ
シ、垂直磁化膜にならないが、前記基板上にまずＴｉあ
るいは酸化チタンを蒸着した後にパーマロイ膜を蒸着し
、さらにその上にＧｏ−Ｏｒ膜を蒸着すると、膜厚が１
６ｏｏＸ以下のパーマロイ膜の場合にもＫｎが正になシ
、垂直磁化膜になった。

一般に蒸着膜の膜厚が厚くなるとクラックが入りゃすく
なシ、このクラックは記録再生時にノイズを発生する。

特にＴｉは膜厚を厚くするとクラックが入りやすい。５
ｏｏＸ以下であればクランクのない膜ができる。　　　
゛ 以上の説明から明らかなように、本発明の方法上にあら
かじめＴｉを蒸着しているの！、その上、ｔ、′に蒸着
法によりＧｏ−Ｏｒ垂直磁化膜を形成する゛こ８パ−”

【図面の簡単な説明】

図は高“分子材料よりなる基板の真空蒸着装置の一般的
な一内部構造の概要を示すものである。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名□ 手続補正書 昭和６７年　４月２８日 特許庁長官殿 ｌ事件の表示 昭和５６年特許願第１７４２８２　’ｉ２発明の名称 磁気記録媒体の製造方法 ３補正をする者　゛ 名　Ｊ’１ｔ（５８２）松下電器産業株式会ＫＬ代表者
　　　　山　　下　　俊　　彦 松下電器産業株式会社内 （１）明細書の特許請求の範囲の欄を別紙のとお（閾　
明細書第３ページ第１９行、同第４ページ第６行、同第
４ページ第２０行、同第６ページ第４行、同第５ページ
第６行、同第６ページ第１５行、同第７ページ第６行、
同第７ページ第１′０行のそれぞれのｒ’Ｋｎ」をｒＫ
ｕ」に補正します。 （３）同書第４ページ第５行の「得らたず」を「得られ
ず」に補正します。 （４）　　同書第５ページ第１６行の「垂直磁膜になで
」を「垂直磁化膜になるて」に補正します。 、（６）同書第５ページ第１７行の「垂直硬化膜」を「
垂直磁化膜」に補正します。 （６）同書第５ページ第１゛８行の「３×１６５」を「
３×１０」に補正します。　。 の１以上述６た本発明０°°°°°°垂美磁ｆヒ膜力”
１尋られる。」を削除し１す。　　　　　　　　−（８
）同書第７ページ第４行〜同ページ第５行の［バーχロ
イ膜の膜厚が１６００八以下の場合には」門削除します
。 （９）同書第７ページ第７行の［あるいは酸化チタン」
を削除します。 （１ｏ）同書第７ページ第９行の「膜厚が１６００Å以
下のパーマロイ膜の場合にも」を削除します。 ２、特許請求の範囲 （１）磁化容易軸が膜面に竺直方向にあるＣｏとＣｒを
主成分とする磁性層を、移動しつつある高分子′材料よ
りなる基板上に蒸着法により形成する際に、前記基板上
に１ずＴ４を蒸着し１、その上に前記磁性層を形成する
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。　　　　　
　、 一謄１１」夕」色感ｊ−ることを特徴とする特許請求の
範囲第１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。 （３）　　Ｔｉ　の蒸着膜の膜厚をＳＯＯ八以へとする
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項に
記載の磁気記録媒体の製造方法。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）磁化容易軸。が膜面に垂直方向にあるＣＯとｃｒ
   を主成分とする磁性層を、移動しつつある高分子材料よ
   りなる基板上に蒸着法によ多形成する際に、前記基板上
   にまずＴｉを蒸着し、その上に前記磁性層を形成するこ
   とを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
2. （２））　　Ｔｉを蒸着する際に蒸着装置内部に酸素を
   導入することを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載
   の磁気記録媒体の製造方法。 とを特徴とする特許請求？範囲第１項まだは第２項に記
   載の磁気記録媒体の製造方法。