JPS58785A - 放射線測定装置 - Google Patents
放射線測定装置Info
- Publication number
- JPS58785A JPS58785A JP9927781A JP9927781A JPS58785A JP S58785 A JPS58785 A JP S58785A JP 9927781 A JP9927781 A JP 9927781A JP 9927781 A JP9927781 A JP 9927781A JP S58785 A JPS58785 A JP S58785A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiation
- light
- resistance
- measuring device
- fluorescent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2006—Measuring radiation intensity with scintillation detectors using a combination of a scintillator and photodetector which measures the means radiation intensity
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
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- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光フアイバケーブルと放射線により発光する螢
光物質を用いて々る放射線測定装置に関する０ 従来、放射線の測定は放射線エネルギが物質に照射され
ることにより、イオン化及び励起現象の過程を利用して
行われていた０ 放射７ｓ測定装省の王なものとして、例えば気体分子の
イオン化を利用した電離箱、ガイガ計数管、また原子励
起後に発生する光を光電子増倍管によって光電子に変換
し増幅してパルス信号として取）出すシンチレーシ雪ン
計数管郷がある０以上の測定装稙による測定は放射線の
放射される近辺で行われるため、人体に直接故躬緘を与
える結果、放射線障害を起す粕釆になる。また遠−測定
を行なおうとすれば雑音の彰＃ｗを・蔓はＱｉｌｌ定困
難である。
光物質を用いて々る放射線測定装置に関する０ 従来、放射線の測定は放射線エネルギが物質に照射され
ることにより、イオン化及び励起現象の過程を利用して
行われていた０ 放射７ｓ測定装省の王なものとして、例えば気体分子の
イオン化を利用した電離箱、ガイガ計数管、また原子励
起後に発生する光を光電子増倍管によって光電子に変換
し増幅してパルス信号として取）出すシンチレーシ雪ン
計数管郷がある０以上の測定装稙による測定は放射線の
放射される近辺で行われるため、人体に直接故躬緘を与
える結果、放射線障害を起す粕釆になる。また遠−測定
を行なおうとすれば雑音の彰＃ｗを・蔓はＱｉｌｌ定困
難である。
本発明は以上の欠点を解決し、螢九〇−と光フアイバケ
ーブルを用いて銅Ｉａｆ性、ｋｔ誌を柱にすぐれ遠隔測
定により放射線を検出゛することが可能麿新頬１な放射
線測定装置を提供すること全目的とし、放射線の照射に
よシ発光する螢７Ｙ：ｍ貞と該螢光物質の光を集光レン
ズを介して光ンアイパケーブルの一端に集光する手段を
胸し、該元ファイバケーブルの他端よシの出力光を観測
することを特徴とするものである・ 以下に本発明の詳細な説明する０ 放射線による発光現象は放射−によって物質に吸収され
たエネルギーが、その物質１１１ｍ原子（ま喪は分子）
の電離とｋもに励起に杖ＪＨされ、励起され九原子が元
の基底状ｍにもどったシ、電離の結果生じた電子・イオ
ン対何らかの過程を妊て再結合した場合に光量子が放出
されることにより生じる。
ーブルを用いて銅Ｉａｆ性、ｋｔ誌を柱にすぐれ遠隔測
定により放射線を検出゛することが可能麿新頬１な放射
線測定装置を提供すること全目的とし、放射線の照射に
よシ発光する螢７Ｙ：ｍ貞と該螢光物質の光を集光レン
ズを介して光ンアイパケーブルの一端に集光する手段を
胸し、該元ファイバケーブルの他端よシの出力光を観測
することを特徴とするものである・ 以下に本発明の詳細な説明する０ 放射線による発光現象は放射−によって物質に吸収され
たエネルギーが、その物質１１１ｍ原子（ま喪は分子）
の電離とｋもに励起に杖ＪＨされ、励起され九原子が元
の基底状ｍにもどったシ、電離の結果生じた電子・イオ
ン対何らかの過程を妊て再結合した場合に光量子が放出
されることにより生じる。
放射線による発光の際に放出される光量子の数は時間と
共に減衰するが、その総数は同時に生成される電子・イ
オン対（つい）数と同程度である・本発明にかかる放射
線測定装置に用いられる螢光物質の放射１１Ｖｃよる相
対的発光量を次表に示す。
共に減衰するが、その総数は同時に生成される電子・イ
オン対（つい）数と同程度である・本発明にかかる放射
線測定装置に用いられる螢光物質の放射１１Ｖｃよる相
対的発光量を次表に示す。
また上記の螢光物質の他ＫＣａＦ−（螢石）、ｃａＰＪ
ＯａＭｇｓ Ｂ１０ａやリン酸二水嵩アンモニクム等が
ある。
ＯａＭｇｓ Ｂ１０ａやリン酸二水嵩アンモニクム等が
ある。
Ｊ：記の１１ｆ物質の放射線に対する発光出方は数Ｋｅ
Ｖのエネルギに対し、１００μＷ ／ Ｃｍ”以上の発
光パワーを出力する。
Ｖのエネルギに対し、１００μＷ ／ Ｃｍ”以上の発
光パワーを出力する。
１００ ｆｉｗ７ｃｍｍ の出力は光ファイバを介して
アバランシェホトダイオード或いはＰＩＮり゛イオード
で十分検出出来る光量である＠ 本発明は以上のような螢光物質の特性に基づき放射線に
よる螢光物質からの光を光フアイバケーブルによつて検
知し放射線強度を３Ｍ！測定を行う。
アバランシェホトダイオード或いはＰＩＮり゛イオード
で十分検出出来る光量である＠ 本発明は以上のような螢光物質の特性に基づき放射線に
よる螢光物質からの光を光フアイバケーブルによつて検
知し放射線強度を３Ｍ！測定を行う。
以下に図に基づき本発明を更に詳細に説明する０図は本
発明の集施例を示す０放射能１ｆｌｌよりの開封される
放射線２はシールド箱５の窓口３より入射され、前記の
螢石婢の螢光物質で作られ放射線センナ４に入射される
・この入射によシ故射騨センサ４よシ螢光が発せられ、
その螢光を光フアイバケーブルの集光レンズの端面６′
で受光し、その光が光７アイパケーブル６を伝搬して受
光素子７で電気信号に変換され、増幅器８で増幅さ・れ
１更に差動増幅器９で基準電圧Ｖｌと比較され一レベル
メータ１０で読みとらねる。ここで■Ｓは放射線の強度
に対応して設定されるＯなお螢光物質の発光量［［線性
は、電気信号に変換恢、Ａ／Ｄ変換を行ない、これをＲ
ＯＭを用いた変換テーブルに入力することで容易に補正
可能である◎以上本発明によれば、耐雑音性耐誘導性に
すぐれた遠隔測定可能な放射線測定装置を提供出来るの
で放射線による直接の被爆障害を防ぐことが出来る９
発明の集施例を示す０放射能１ｆｌｌよりの開封される
放射線２はシールド箱５の窓口３より入射され、前記の
螢石婢の螢光物質で作られ放射線センナ４に入射される
・この入射によシ故射騨センサ４よシ螢光が発せられ、
その螢光を光フアイバケーブルの集光レンズの端面６′
で受光し、その光が光７アイパケーブル６を伝搬して受
光素子７で電気信号に変換され、増幅器８で増幅さ・れ
１更に差動増幅器９で基準電圧Ｖｌと比較され一レベル
メータ１０で読みとらねる。ここで■Ｓは放射線の強度
に対応して設定されるＯなお螢光物質の発光量［［線性
は、電気信号に変換恢、Ａ／Ｄ変換を行ない、これをＲ
ＯＭを用いた変換テーブルに入力することで容易に補正
可能である◎以上本発明によれば、耐雑音性耐誘導性に
すぐれた遠隔測定可能な放射線測定装置を提供出来るの
で放射線による直接の被爆障害を防ぐことが出来る９
第１図は本発明の実施例を示す。図中、ｌは放射能源、
２は放射線、３は放射線の窓口、４は放射線センナ、５
はシールド箱、６は光フアイバケーブル、６’Ｆｉ集光
レンズに加工された光７アイパケーブル端面、７は受光
素子、８は増幅、９は差動増幅器、１０はレベルメータ
を示す〇第 ｌ し １゜ ）
２は放射線、３は放射線の窓口、４は放射線センナ、５
はシールド箱、６は光フアイバケーブル、６’Ｆｉ集光
レンズに加工された光７アイパケーブル端面、７は受光
素子、８は増幅、９は差動増幅器、１０はレベルメータ
を示す〇第 ｌ し １゜ ）
Claims (1)
- 放射線の照射により発光する螢光物質と核螢光物質の光
を集光レンズを介して光フアイバケーブルの一端１（集
光する手段を有し・該光フアイバケーブルの他端よりの
出力光を観測することを特徴とする放射線測定装置◎
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9927781A JPS58785A (ja) | 1981-06-26 | 1981-06-26 | 放射線測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9927781A JPS58785A (ja) | 1981-06-26 | 1981-06-26 | 放射線測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58785A true JPS58785A (ja) | 1983-01-05 |
Family
ID=14243171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9927781A Pending JPS58785A (ja) | 1981-06-26 | 1981-06-26 | 放射線測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58785A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63307382A (ja) * | 1987-06-08 | 1988-12-15 | Japan Atom Energy Res Inst | 放射線計測方法 |
| US4890798A (en) * | 1989-03-21 | 1990-01-02 | Sangojuuki Co., Ltd. | Structure crushing equipment |
| CN1297437C (zh) * | 2001-10-19 | 2007-01-31 | 雅马哈发动机株式会社 | 骑鞍型车辆的车身结构 |
| CN114026752A (zh) * | 2019-07-02 | 2022-02-08 | 三菱电机株式会社 | 半导体激光装置 |
-
1981
- 1981-06-26 JP JP9927781A patent/JPS58785A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63307382A (ja) * | 1987-06-08 | 1988-12-15 | Japan Atom Energy Res Inst | 放射線計測方法 |
| US4890798A (en) * | 1989-03-21 | 1990-01-02 | Sangojuuki Co., Ltd. | Structure crushing equipment |
| CN1297437C (zh) * | 2001-10-19 | 2007-01-31 | 雅马哈发动机株式会社 | 骑鞍型车辆的车身结构 |
| CN114026752A (zh) * | 2019-07-02 | 2022-02-08 | 三菱电机株式会社 | 半导体激光装置 |
| CN114026752B (zh) * | 2019-07-02 | 2024-06-07 | 三菱电机株式会社 | 半导体激光装置 |
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