JPS5880183A - 磁気バブルメモリデバイス - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は特定の磁界強度分布をもつ駆動コイルを使用す
ることにエリ動作マージンを拡大した磁気バブルメモリ
デバイスに関「る。

磁気バブルメモリ（以下〕（プルメモリ）デノ（イスの
ｔａＣにはシングルループ積属とメジャ・マイナループ
構成とがあり、それぞれ磁気）（プル（以下バブル）の
発生器、検出器、消去器などのノ（フル制＠回路を備え
ている。そして、これはガドＩＪニウム・ガリウム番ガ
ーネット（Ｇｄ、　Ｇａ、　０．宮）単結晶基板上に成
長させた磁性ガーネット結晶層上にパターン形成されて
いる。

第１図はオツド（奇数）・イーブン（偶数）構成をと、
るメジャ・マイナループ構成回路の説明図である０図に
おいて、発生器１でバブル信号に変換されたパル２情報
はチップ而に沿って回転する駆動磁界によって書き込み
メジャライ／２に転送され、゛各マイナルー１３の対向
位置にまできたとき図示してないトランス７アゲートの
作用にＬり奇数列のバブル情報はオツドのマイナループ
群へ１また偶数列のバブル情報はイーブンのマイナルー
プ群へ一斉に転送されて格納される。

次に読み出す場合はバブル情報が絖み出しメジャライン
４の対向位置にまで転送されてきた時図示してないトラ
ンス７７ゲートの作用にＬり一斉にメジャライン４に転
送され、検出６５にエリ検出されて電気信号に戻る。

か〜る構成のバブルメモリデバイスはバブルメモリチッ
プを装着した印刷配＃基板の上下にフェライト等からな
る永久磁石板が備えてあり、か＼る２枚の永久磁石板に
１ってバブルメモリチップに喬直にバイアス磁界Ｈ１ｌ
が加えられており、また印刷配線基板の中央に接着した
バブルメモリチ正弦波電流、を流すことにエリバブルメ
モリチップに対して水平に回転磁界が作られてバブルの
駆動磁界ＨＤが形成されている。

られている。

さて実際のバブルメモリデバイスにおいては、上記の１
うにバイアス磁界ＨＢおよび駆動磁界ＨＤの値はそれぞ
れ一定値に設定しであるが、発明者はこの値ｌＥ−変化
さぜで各構成回路について＃ｊ足した結果、バブルが安
定に存在するパイ・アス磁界領域（動作マージン）につ
いては検出ミロｗ！Ｉが他の回路に較べて狭いことを見
出した。

第３図はこの状態を示すもので、横軸φこは躯蚊める。

図において、バブルの発生器、メジャループ。

マイナーループなどの回路におけるバブルの動作マージ
ン７は＃１ソ等しく図に示す工うに広いにも拘わらず、
検出器の動作マージン８＃−ｆ、狭く、駆動磁界ＨＩ５
が増すに従って両者の動作マージンは等しくなる傾向を
ｔつ・ こ〜で点線で示した駆動ａ界値Ｃは現在バブルメモリデ
バイスにおいて設定されている駆動磁界値であって、こ
れにエリバブルメモリチップスの動作マージンは菫小−
の動作マージンを示す回路すなわち、検出回路に１って
決められていることが判る。

さて第３図から駆動磁界ｆ（Ｄを増すに従って動作マー
ジンは改良される筈であるが、そのためには駆動コイル
の電流値を増加する会費があり、コイル発熱との爺ね合
いから電流値は自ら制限され充分に広い動作マージン領
域で動作さゼることはできない。

次に第４図はＸコイルおよびＹコイルについて検出器の
みの動作マージンの駆動磁界依存性を調べたものである
。

と＼でＸコイルの駆動磁界依存性を調べるにはＹコイル
に規定の大きさの三角波電流を加えている状態でＸ、コ
イルの電流値を増加或は減少さゼることにより駆動磁界
ＨＤを変化さセたものである。

第４図の結果からＸコイルについての動作マージン９は
第３図に示した発生器、メジャライン。

マイナループなどについての動作マージン７と殆んで軍
っておらず、一方Ｙコイルの動作マージン１０は低駆動
磁界領域で大きく減少することが明らかとなった。

それ故にＹコイルについて駆動磁界依存性を改良すれば
磁気バブルメモリデバイスの動作マージンは拡大される
筈である。

本発明の目的はこの動作マージンを拡大するにあり、そ
の方法としてＹコイルの磁界強度分布を従来の均一分布
１つ４Ｉ殊分布をｔつものに改めるものである。

以下図面にぶり本発明ｉｆｒ説明する。

第１図に示したオツド・イーブン構成の実施例の場合、
検出器５はチップの上方に設けられている。こΩことか
ら検出器の動作マージンを拡大するにはチップ上方にお
ける駆動磁界分布を高めればよい。

第６図はメモリチップに加えるべき駆動磁界分布１１を
示したもので、点線はチップの断面１２お工び検出器５
の相対位置関係を示しており、この工うに検出６に対す
る研界強屓を局部的に強くする特殊な磁界分布をチップ
に与えることに工り磁気バブルメモリの動作マージンが
拡大できる。

ｍ６〜第８図は本発明に係る）ｌ？、にびＹコイルの形
状実施例である。麻６図寂工び第７図は基板１３のバブ
ルメモリチップの上下に亘って巻回されているＸコイル
１４の断面構造で、第６図はチップの検出器対応位置部
分のコイルが特にターンＩＩ！ｉが多く作られている場
合、また第７図はこの部分のみ密にＩＩｌｇＩされてい
る構造を示している。

また第８図はＹ：ｌイル１５の形状でチップの上部検出
−位置で磁界分布が大となるようにコイルを集束した状
態に作られている。

なお、ＸおよびＹコイルは基板に対し装着されているも
のであり、特殊の磁界分布はバブルメモリチップ面での
み形成されておればＬ（、そのためＸおＬび、Ｙコイ°
ルは第６〜＃Ｉ８図に示す工うに形成してもよく、また
基板上のチップ装着位置の上下でおいてのみ特殊な巻回
状ｍを示し他の部分では従来通りの均一な磁界分布を示
すように形成してもよい。

オた、このように部分的に特殊な磁界分布をｔつコイル
はＸコイル或はＹコイルの何れかについて用いて％１い
が、両省に変形コイルを使用すれば更に効果的である。

以上本発明は従来のバブルメモリデバイスの動作マージ
ンを拡大するためになされたもので、動作マージンの狭
いチップ部分例えば検出器部分にのみ磁界強度か大きな
駆動コイルを使用することにＬす、コイル電流値を従来
と変えることなく、バブルメモリデバイスの動作マージ
ンを大輪に拡大−することができた。

【図面の簡単な説明】

第１図は磁気バブルメモリ回路の説明図、第２図は従来
の駆動コイルの磁界強度分布、第３図は磁気バブルメモ
リの谷回路番こついての動作マージンの説明図、第４図
は検出器回路についてＸコイルとＹコイにの駆動磁界分
布図、第５図は本発明を実施するに必要な駆動磁界分布
図、第表第８〜図は本発明の実施に必要なコイルの構成
図である。 図において７は検出器回路を除く回路の動作マージン、
８ｔ′Ｘ検出器の動作マージン、９は検出器動作マージ
ンのＸコイル依存性、ｌＯは動作マージンのＹコイル依
存性、１１は必要な駆動磁界分布。 ＃勧Ａ！ｌＨ。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 磁気バブルメモリチップに対しＸコイルお工ひＹ：１イ
   ルからなる駆動コイルを装着してなる磁気バブルメモリ
   デバイスにおいて、前記チップに対し局部的に磁界Ｉｉ
   ！１ＩＩＬが大なる磁界Ｉｉ！１１ＩＩＬ分布を与える
   コイルにＬり駆動コイルが形成されていることを！ｌｋ
   とする磁気バブルメモリデノ（イス。