JPS5880375A - 螢光体の表面被覆方法 - Google Patents
螢光体の表面被覆方法Info
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- JPS5880375A JPS5880375A JP17832881A JP17832881A JPS5880375A JP S5880375 A JPS5880375 A JP S5880375A JP 17832881 A JP17832881 A JP 17832881A JP 17832881 A JP17832881 A JP 17832881A JP S5880375 A JPS5880375 A JP S5880375A
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- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発−は螢光体Ｏ＊ｍ被覆方法に係わ）、特にアルカリ
土類金属硫化物螢光体Ｏような加水公簿中水に＃鱗し中
すい螢光体０表面を水ｊラスで被覆するに好適な１１極
線管用螢光体Ｏ１１面被覆方法Ｋｌｌする４のである。
土類金属硫化物螢光体Ｏような加水公簿中水に＃鱗し中
すい螢光体０表面を水ｊラスで被覆するに好適な１１極
線管用螢光体Ｏ１１面被覆方法Ｋｌｌする４のである。
通常、１極線管用螢光体にお−て、従来から種々〇−的
でその１１面を処理し７ｔＪ）、被覆することが提案、
ｌＩ用化されている。それらの公知例にお−で、本発１
ｊ！ｔｃ関連★九は類似するものとして線、次の二つの
一点から挙げることができる。七〇 一つは、その母体
となる螢光体に関するものである。
でその１１面を処理し７ｔＪ）、被覆することが提案、
ｌＩ用化されている。それらの公知例にお−で、本発１
ｊ！ｔｃ関連★九は類似するものとして線、次の二つの
一点から挙げることができる。七〇 一つは、その母体
となる螢光体に関するものである。
すなわち、本発＠Ｏ対象は加水分解中水に鋳解し中すい
、例えばアルカリ土類金属硫化物螢光体Ｏような螢光体
である。このような螢光体の表面処理と被覆法で従来提
案もしくは実用化されて−る特許８支献などを調査する
と、耐湿性の高分子化合物で表面被覆するいわゆるマイ
クロカプセル法、弗化アンモニウムなどによりｌＩ面処
理をしてその表面層を化学的に改質する方法、螢光体の
合成も１１において母体の螢光体＊＊を他の元素１分子
で置換ｔ＊、は反応させて安定な表面層を形成する方法
などがある。これらの方法のうちで、前者の高分子化合
物で表面被覆する方法（マイクロカプセル法）は実ＷＡ
の螢光体塗布工程にｓＰｉて用ｉられる水中他の薬品と
の相性が問題とな勤、良質１ｋｌＫが得にくいとｉう欠
点があり九。１＊＊看Ｏ二つｏｙｉ法においては、その
被覆工種が複雑でかつ―かしく多量の牛車には不遣蟲で
あるなど、それぞれ実用性に社乏しいという欠点が６つ
良、まえ、他の一つＯ一点は、螢光体１１面を被覆する
水ガラスに関するものである。一般的に陰極線管けい光
面Ｏ形成に螢光体を使用する場合、水ガテメは種々の工
程で使用されて−る。４１に螢光体０分散性を喪（し九
ヤ、成膜する場合ＯＩＩ着力着力−首たは膜質の肉上な
どの目的では、最４良好な螢光体表面処履、＊ｖｉｓｏ
一つである。し九がってこれらＯ＠的ＯＩＩ面処理、被
覆で拡母体を完全に被覆しなくて亀、そＯ０的を十分達
せられるし、母体の性質が比較的安定な螢光体を対象と
しているために貴書上もほとんど問題がな−。
、例えばアルカリ土類金属硫化物螢光体Ｏような螢光体
である。このような螢光体の表面処理と被覆法で従来提
案もしくは実用化されて−る特許８支献などを調査する
と、耐湿性の高分子化合物で表面被覆するいわゆるマイ
クロカプセル法、弗化アンモニウムなどによりｌＩ面処
理をしてその表面層を化学的に改質する方法、螢光体の
合成も１１において母体の螢光体＊＊を他の元素１分子
で置換ｔ＊、は反応させて安定な表面層を形成する方法
などがある。これらの方法のうちで、前者の高分子化合
物で表面被覆する方法（マイクロカプセル法）は実ＷＡ
の螢光体塗布工程にｓＰｉて用ｉられる水中他の薬品と
の相性が問題とな勤、良質１ｋｌＫが得にくいとｉう欠
点があり九。１＊＊看Ｏ二つｏｙｉ法においては、その
被覆工種が複雑でかつ―かしく多量の牛車には不遣蟲で
あるなど、それぞれ実用性に社乏しいという欠点が６つ
良、まえ、他の一つＯ一点は、螢光体１１面を被覆する
水ガラスに関するものである。一般的に陰極線管けい光
面Ｏ形成に螢光体を使用する場合、水ガテメは種々の工
程で使用されて−る。４１に螢光体０分散性を喪（し九
ヤ、成膜する場合ＯＩＩ着力着力−首たは膜質の肉上な
どの目的では、最４良好な螢光体表面処履、＊ｖｉｓｏ
一つである。し九がってこれらＯ＠的ＯＩＩ面処理、被
覆で拡母体を完全に被覆しなくて亀、そＯ０的を十分達
せられるし、母体の性質が比較的安定な螢光体を対象と
しているために貴書上もほとんど問題がな−。
しかし傘から、螢光体が加水分簿ヤ水Ｋｌｌ解し中すい
ものである場合、ξれらＯ条件で杜、散会的な問題が生
じることが夾験り結果、明らかとなつ良、すなわち、第
一に杜、過電加水分解中水に嬉解しｅｖｈ螢光体Ｏ場合
、表面ＩＩ６層、被覆を行なう水ガラ１０１１度に関し
てその発光輝度低下に特性■で示すように七〇Ｓ覆量に
対応する１ＩＩＩｌｊとともに単調に減少する。しかし
ながら、加水分密ヤ水に１１１ＦＬ島い螢光体の場合、
図に特性■で示すようにそＯａＺとと−に単調に減少し
なｉで低濃縦で大幅に減少する。したがって螢光体の表
面を被覆する場合、この輝度が低下することは、重大な
欠点であった。一方、第二には、従来の条件、例えば水
ガラス濃度０．１ｗｔ＄Ｏ水溶液中で１〜１０時間のボ
ールイーリングで加水分解し中すい螢光体を表面処理す
ると、分散性、膜質が悪く、量産上実用化できないとい
う欠点があった。
ものである場合、ξれらＯ条件で杜、散会的な問題が生
じることが夾験り結果、明らかとなつ良、すなわち、第
一に杜、過電加水分解中水に嬉解しｅｖｈ螢光体Ｏ場合
、表面ＩＩ６層、被覆を行なう水ガラ１０１１度に関し
てその発光輝度低下に特性■で示すように七〇Ｓ覆量に
対応する１ＩＩＩｌｊとともに単調に減少する。しかし
ながら、加水分密ヤ水に１１１ＦＬ島い螢光体の場合、
図に特性■で示すようにそＯａＺとと−に単調に減少し
なｉで低濃縦で大幅に減少する。したがって螢光体の表
面を被覆する場合、この輝度が低下することは、重大な
欠点であった。一方、第二には、従来の条件、例えば水
ガラス濃度０．１ｗｔ＄Ｏ水溶液中で１〜１０時間のボ
ールイーリングで加水分解し中すい螢光体を表面処理す
ると、分散性、膜質が悪く、量産上実用化できないとい
う欠点があった。
し九がって本発明は、アルカリ土類金属硫化物螢光体な
どのような吸湿性があり、加水分解中水Ｋ１１解しやす
い螢光体ｏｗｎを水ガラスで被覆する場合、発光輝Ｉｊ
の低下が少なく、安定にしてしかもｍ＊性の良好な螢光
体ｌ！面被覆方法を提供することを目的としてｉる。
どのような吸湿性があり、加水分解中水Ｋ１１解しやす
い螢光体ｏｗｎを水ガラスで被覆する場合、発光輝Ｉｊ
の低下が少なく、安定にしてしかもｍ＊性の良好な螢光
体ｌ！面被覆方法を提供することを目的としてｉる。
このような目的を達成する丸めに本発明は、アルカリ土
類金１ｇ１ｉ化物螢光体などの螢光体表面を水ガラスで
被覆すゐ場合、水ガラスとＰＨ９，０〜１４．００アル
カリ性水溶液とを混合しえアルカリ性水ガラスを用いて
螢光体表面に水ガラスを被覆し良もＯである。
類金１ｇ１ｉ化物螢光体などの螢光体表面を水ガラスで
被覆すゐ場合、水ガラスとＰＨ９，０〜１４．００アル
カリ性水溶液とを混合しえアルカリ性水ガラスを用いて
螢光体表面に水ガラスを被覆し良もＯである。
以丁本発明の詳細な説明する。
まず、本発判による螢光体の表面被膜方法を説明す為曽
に本見明Ｏ理甥を容Ｔｏにするためにアルカリ土類金属
硫化物螢光体を水ガラスで被覆する現象にクーてさらに
詳細Ｋｌ！明する。
に本見明Ｏ理甥を容Ｔｏにするためにアルカリ土類金属
硫化物螢光体を水ガラスで被覆する現象にクーてさらに
詳細Ｋｌ！明する。
すなわち、アルカリ土類金属硫化物螢光体などのように
吸温性があシ、加水公簿や水に溶幣し中す一螢光体を実
用に供する良めＫＦｉ、七〇１１面を耐水性もしく鉱化
学的に安定な物質で被覆するか、そｏ＊ｉｗ層を改質し
て化学的に安定することが考えられ為、ζ〇九めに従来
から知られている水ガラスで製画な被覆する仁とを意図
し良。しかしながら、実験Ｏ結果、前述し良ように水ガ
ラスＯ低１１［Ｋか−で螢光体の発光輝［が大幅に低下
する現象が偶−し丸、を九、高装置において蝶、螢光体
の分散性が悪い仁と鳴わかり良。さもに前者の現象は、
例えば硫化カルシウム螢光体などＯアルカリ土類金属硫
化物螢光体などＯように加水分解し易い螢光体における
特有Ｏ現象であることもわかり九、したがって、水ガ９
メを用いて螢光体表両を被覆する丸めには、こＯ水ガラ
スの低＃１度における発光輝度低下を防止ないしは抑制
することが必要と危る。そして、本発明者が種々実馳を
行なつ九結果、この現象を抑制するには、水ガラスを希
釈する場合、通常の市販の水ガラスは約２０〜３０ ｖ
ｔ一種′度の濃度であｐ実際に使用する場合には約１０
倚以上に希釈するのが一般的であることから、単なる純
水ではな（、ＰＲが９．０〜１４．０のアルカリ性水＃
ｌ筐に水ガラスを注入して希釈すると、下記表１に示す
ように低−ｆＫおける輝度低下を抑制できることを見い
出した。
吸温性があシ、加水公簿や水に溶幣し中す一螢光体を実
用に供する良めＫＦｉ、七〇１１面を耐水性もしく鉱化
学的に安定な物質で被覆するか、そｏ＊ｉｗ層を改質し
て化学的に安定することが考えられ為、ζ〇九めに従来
から知られている水ガラスで製画な被覆する仁とを意図
し良。しかしながら、実験Ｏ結果、前述し良ように水ガ
ラスＯ低１１［Ｋか−で螢光体の発光輝［が大幅に低下
する現象が偶−し丸、を九、高装置において蝶、螢光体
の分散性が悪い仁と鳴わかり良。さもに前者の現象は、
例えば硫化カルシウム螢光体などＯアルカリ土類金属硫
化物螢光体などＯように加水分解し易い螢光体における
特有Ｏ現象であることもわかり九、したがって、水ガ９
メを用いて螢光体表両を被覆する丸めには、こＯ水ガラ
スの低＃１度における発光輝度低下を防止ないしは抑制
することが必要と危る。そして、本発明者が種々実馳を
行なつ九結果、この現象を抑制するには、水ガラスを希
釈する場合、通常の市販の水ガラスは約２０〜３０ ｖ
ｔ一種′度の濃度であｐ実際に使用する場合には約１０
倚以上に希釈するのが一般的であることから、単なる純
水ではな（、ＰＲが９．０〜１４．０のアルカリ性水＃
ｌ筐に水ガラスを注入して希釈すると、下記表１に示す
ように低−ｆＫおける輝度低下を抑制できることを見い
出した。
！！１
この場合、ＰＨの範囲を規制し九理由は、ＰＭが９，０
以下においては、螢光体Ｏ水ガラスによる凝集が激しく
なｐ、表面被覆が東経に形成できないことと、アルカリ
性水Ｓ＊を使用するという本来の機能が失なわれてしオ
うことになる。まえ、ＰＭが１４，０以上となると、水
ガツヌの螢光体に対する付着量が増大し、ｉ［ｌ濃ｆＯ
水ガラスと同ｍに螢光体の分散性が悪＜ｔＣ，塗布する
場合に良質の膜が得Ｋ（くなる。したがって、水ガラス
を希釈す為アルカリ性水溶液はＰＲが９，０〜１４．０
の範囲のものを用いなければならない。
以下においては、螢光体Ｏ水ガラスによる凝集が激しく
なｐ、表面被覆が東経に形成できないことと、アルカリ
性水Ｓ＊を使用するという本来の機能が失なわれてしオ
うことになる。まえ、ＰＭが１４，０以上となると、水
ガツヌの螢光体に対する付着量が増大し、ｉ［ｌ濃ｆＯ
水ガラスと同ｍに螢光体の分散性が悪＜ｔＣ，塗布する
場合に良質の膜が得Ｋ（くなる。したがって、水ガラス
を希釈す為アルカリ性水溶液はＰＲが９，０〜１４．０
の範囲のものを用いなければならない。
以下本発明の実施例を詳細にＩＩ２明する。
実施例１
アルカリ土類金属硫化物螢光体として、例えばセリウム
付活硫化カルシウム（緑色発光）螢光体の１１画を水ガ
ラスで砿覆す石場合、 Ｃａ１ｌ：Ｃ・螢光体・・・・・曲・・・−−５０ｆｒ
アルカリ性水溶液（０，１５ｖｔ９ＧｉＣＯＨ水溶液：
ｐＨ麿１３） ・・・・・・・・・・・−・・・−・・ １４水ガラス
（２８ｖｔ＊Ｋｍ０１８１０ｍ水ガラス）・・−・・・
・・・・・・・・・・・１８ｍｊを準備し、次のような
手順で螢光体表面を被覆する。オす、アルカリ性水溶液
中に水ガラスを静かに注入し、約３０秒間攪拌温合する
。次に螢光体を加えて１〜Ｓ分間攪袢墨合し静置する。
付活硫化カルシウム（緑色発光）螢光体の１１画を水ガ
ラスで砿覆す石場合、 Ｃａ１ｌ：Ｃ・螢光体・・・・・曲・・・−−５０ｆｒ
アルカリ性水溶液（０，１５ｖｔ９ＧｉＣＯＨ水溶液：
ｐＨ麿１３） ・・・・・・・・・・・−・・・−・・ １４水ガラス
（２８ｖｔ＊Ｋｍ０１８１０ｍ水ガラス）・・−・・・
・・・・・・・・・・・１８ｍｊを準備し、次のような
手順で螢光体表面を被覆する。オす、アルカリ性水溶液
中に水ガラスを静かに注入し、約３０秒間攪拌温合する
。次に螢光体を加えて１〜Ｓ分間攪袢墨合し静置する。
この場合、約５分以上静置すると、螢光体が容ｓＯ底に
沈降する。そして、上澄み筐を排除し、乾燥する。
沈降する。そして、上澄み筐を排除し、乾燥する。
このようにして祷られた螢光体の発光輝度はＩＩ＆層前
の螢光体単体と比較して約５−以内の低下であや、分散
性も良好で実用上全〈問題がなかった。
の螢光体単体と比較して約５−以内の低下であや、分散
性も良好で実用上全〈問題がなかった。
実施例２
アルカリ土類金属硫化物螢光体として、例えばユーロピ
ウム付活硫化ストロンチウム（赤色発光螢光体の表面を
水ガラスで被覆する場合、Ｂｒ１ｌ：Ｅ＊螢光体 −−
−−−・−・−・−−−−５０ｆｒアルカリ性氷水溶液
１１ｖｔｌｌＮａＯＫ水ａｔ：ＰＩＩ＝１３） ・
−・・・・・−・・・・・・・・・ １４水ガラス（２
１１ｗｔチに雪Ｏ−亀８１０雪水ガラス）・−・・・・
・・−一・ １ｌｌａａｊを準備し、実施例１と同様Ｏ
手職で螢光体表面を被覆する。このようにして得られ九
螢光体の発光輝ｊ１′は処理前と比較し、約Ｓ−以内Ｏ
低下であ）、分散性も良好で実用上全く問題がなかつ良
。
ウム付活硫化ストロンチウム（赤色発光螢光体の表面を
水ガラスで被覆する場合、Ｂｒ１ｌ：Ｅ＊螢光体 −−
−−−・−・−・−−−−５０ｆｒアルカリ性氷水溶液
１１ｖｔｌｌＮａＯＫ水ａｔ：ＰＩＩ＝１３） ・
−・・・・・−・・・・・・・・・ １４水ガラス（２
１１ｗｔチに雪Ｏ−亀８１０雪水ガラス）・−・・・・
・・−一・ １ｌｌａａｊを準備し、実施例１と同様Ｏ
手職で螢光体表面を被覆する。このようにして得られ九
螢光体の発光輝ｊ１′は処理前と比較し、約Ｓ−以内Ｏ
低下であ）、分散性も良好で実用上全く問題がなかつ良
。
以上説明しえように本発明は、アルカリ性水溶液に水ガ
ラスを希釈するという方法を用いることによって、アル
カリ土類金属硫化物螢光体などのような従来加水分解中
水に濤解し晶いという理由で実用に供されない螢光体を
、輝度低下も極めて少なく、１九分散性も良好な状態で
表面被覆することが可能となった。したがって、従来発
光効率中発光特性が優れているが、加水分解ヤ水ＫＩ１
１１Ｆし島いために実用的でなかり九螢光体が十分く実
用できるようになシ、各種陰極線管の性能向上に寄与す
る仁とができる。例えば、緑色に発光する投写形ブラウ
ン管の場合ＫＦｉ、従来Ｇｄｍ０ｍ１ｉ ：Ｔｂオ友は
ＺｍｍｉｌｉＯｍけい光などが使用されてｉるが、Ｃａ
ｌ：Ｃ・螢光体を用いると、その明るさを約Ｉｓ〇−以
上も向上させることが可能となる。オ九、赤色発光螢光
体については、従来希土類元素を母体としえＹｍＯｓｌ
：Ｅｍ ｌ Ｙ雪Ｏ１：鳶聰など０１光体が主流でＴｏ
ｓ、コストが極めて高いが、８ｒ８：Ｋｍ壷光体が使用
できることによって、コストが約５０嗟以上安価とな〕
、製品のコストダウンが可能となるなどの極めて優れ九
効釆が得られる。
ラスを希釈するという方法を用いることによって、アル
カリ土類金属硫化物螢光体などのような従来加水分解中
水に濤解し晶いという理由で実用に供されない螢光体を
、輝度低下も極めて少なく、１九分散性も良好な状態で
表面被覆することが可能となった。したがって、従来発
光効率中発光特性が優れているが、加水分解ヤ水ＫＩ１
１１Ｆし島いために実用的でなかり九螢光体が十分く実
用できるようになシ、各種陰極線管の性能向上に寄与す
る仁とができる。例えば、緑色に発光する投写形ブラウ
ン管の場合ＫＦｉ、従来Ｇｄｍ０ｍ１ｉ ：Ｔｂオ友は
ＺｍｍｉｌｉＯｍけい光などが使用されてｉるが、Ｃａ
ｌ：Ｃ・螢光体を用いると、その明るさを約Ｉｓ〇−以
上も向上させることが可能となる。オ九、赤色発光螢光
体については、従来希土類元素を母体としえＹｍＯｓｌ
：Ｅｍ ｌ Ｙ雪Ｏ１：鳶聰など０１光体が主流でＴｏ
ｓ、コストが極めて高いが、８ｒ８：Ｋｍ壷光体が使用
できることによって、コストが約５０嗟以上安価とな〕
、製品のコストダウンが可能となるなどの極めて優れ九
効釆が得られる。
図面の簡単なｉ１！判
図は水ガラスｌｌ［Ｋ対す為輝度依存性を示す善゛性図
である。
である。
５
木ｄラス濃度（ｗ ｔ ”１０ ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ！、アルｔＩｖ士鋼金ｌ１Ｉｉｌ化物螢光体Ｏ表藺を水
ガラスで被覆する際、該水ガラスをアルカリ性水溶液に
希釈して被覆することを特徴としえ螢光体の表面被覆方
法。 ２、前記アルカリ軽水＊＊Ｆｉｐｍ東Ｏ〜１本００範囲
としえことを特徴とする特許請求ｏｓｉｓ第１項記載の
螢光体の表面被覆方法。 ３、前記水ガツヌＯ＃１度を１５ｖｔｌｌ以下とし九こ
とを特徴とする特許請求０＊ｍ第１項記載Ｏ螢光体Ｏ＊
Ｖｍ被覆方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17832881A JPS5880375A (ja) | 1981-11-09 | 1981-11-09 | 螢光体の表面被覆方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17832881A JPS5880375A (ja) | 1981-11-09 | 1981-11-09 | 螢光体の表面被覆方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5880375A true JPS5880375A (ja) | 1983-05-14 |
Family
ID=16046562
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17832881A Pending JPS5880375A (ja) | 1981-11-09 | 1981-11-09 | 螢光体の表面被覆方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5880375A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02113085A (ja) * | 1988-10-21 | 1990-04-25 | Nichia Chem Ind Ltd | Ｅｌパネル用蛍光体 |
| WO2004007636A1 (ja) * | 2002-07-16 | 2004-01-22 | Futaba Corporation | 複合ナノ粒子及びその製造方法 |
| US8187498B2 (en) * | 2006-06-28 | 2012-05-29 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Phosphor, method for manufacturing the same, and light emitting diode |
| JP2020189776A (ja) * | 2019-05-24 | 2020-11-26 | 日本プロロング株式会社 | 珪酸塩系コンクリート含浸材および施工方法 |
-
1981
- 1981-11-09 JP JP17832881A patent/JPS5880375A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02113085A (ja) * | 1988-10-21 | 1990-04-25 | Nichia Chem Ind Ltd | Ｅｌパネル用蛍光体 |
| WO2004007636A1 (ja) * | 2002-07-16 | 2004-01-22 | Futaba Corporation | 複合ナノ粒子及びその製造方法 |
| US7394091B2 (en) | 2002-07-16 | 2008-07-01 | Keio University Faculty Of Science And Technology | Composite nano-particle and method for preparing the same |
| US8187498B2 (en) * | 2006-06-28 | 2012-05-29 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Phosphor, method for manufacturing the same, and light emitting diode |
| US8262936B2 (en) | 2006-06-28 | 2012-09-11 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Phosphor, method for manufacturing the same, and light emitting diode |
| JP2020189776A (ja) * | 2019-05-24 | 2020-11-26 | 日本プロロング株式会社 | 珪酸塩系コンクリート含浸材および施工方法 |
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