JPS588170B2 - Hakeiseikei Cairo - Google Patents

Hakeiseikei Cairo

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JPS588170B2
JPS588170B2 JP48120261A JP12026173A JPS588170B2 JP S588170 B2 JPS588170 B2 JP S588170B2 JP 48120261 A JP48120261 A JP 48120261A JP 12026173 A JP12026173 A JP 12026173A JP S588170 B2 JPS588170 B2 JP S588170B2
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Japan
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transistor
circuit
collector
resistor
level
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JP48120261A
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小林恒量
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Denki Onkyo Co Ltd
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Denki Onkyo Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、論理回路に用いられる波形整形回路に関する
ものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a waveform shaping circuit used in logic circuits.

以下本発明回路を図面に従って説明する。The circuit of the present invention will be explained below with reference to the drawings.

第1図には本発明に依る波形整形回路1と、該波形整形
回路に入力されるスイッチ信号を発生する信号源として
の磁気抵抗効果素子M,M’、及び上記波形整形回路か
らの出力によってTTL回路等の論理回路を駆動する為
のスイッチング回路2が示されている。
FIG. 1 shows a waveform shaping circuit 1 according to the present invention, magnetoresistive elements M and M' as signal sources that generate switch signals input to the waveform shaping circuit, and an output from the waveform shaping circuit. A switching circuit 2 for driving a logic circuit such as a TTL circuit is shown.

波形整形回路1は、信号源からの信号が入力される入力
端子11にベースが接続されたNPN型の第1トランジ
スタT1と、該第1トランジスタの動作に従って動作す
る一対のNPN型トランジスタ、即ち第2トランジスタ
T2及び第3トランジスタT3とを有する構成となって
いる。
The waveform shaping circuit 1 includes a first NPN transistor T1 whose base is connected to an input terminal 11 into which a signal from a signal source is input, and a pair of NPN transistors that operate according to the operation of the first transistor. The configuration includes two transistors T2 and a third transistor T3.

上記第1トランジスタT1は、エミツタが接地されると
共に、コレクタが固定抵抗R1を介して電源供給線12
、即ち所謂Vccラインに接続されている。
The emitter of the first transistor T1 is grounded, and the collector is connected to the power supply line 1 through the fixed resistor R1.
, that is, connected to the so-called Vcc line.

更に第1トランジスタT1のコレクタは上記第2トラン
ジスタT2のベースに接続されている。
Further, the collector of the first transistor T1 is connected to the base of the second transistor T2.

従って第2トランジスタT2のベースには、上記直列な
固定抵抗R1と第1トランジスタのコレクタエミツタ間
によって分けられる電圧がバイアス電圧として加えられ
る事になる。
Therefore, a voltage divided between the series fixed resistor R1 and the collector-emitter of the first transistor is applied as a bias voltage to the base of the second transistor T2.

上記第2トランジスタT2のコレクタは結合抵抗R2を
介して上記第3トランジスタT3のベースに接続され、
一方上記第3トランジスタT3のコレクタは結合抵抗R
3を介して上記第2トランジスタT2のベースに接続さ
れている。
The collector of the second transistor T2 is connected to the base of the third transistor T3 via a coupling resistor R2,
On the other hand, the collector of the third transistor T3 has a coupling resistance R
3 to the base of the second transistor T2.

尚上記第2及び第3トランジスタT2,T3のエミツタ
は各々接地され、そして又コレクタは各々コレクタ抵抗
R4,R5を介して電源供給線12に接続されている。
The emitters of the second and third transistors T2 and T3 are each grounded, and the collectors are connected to the power supply line 12 via collector resistors R4 and R5, respectively.

磁気抵抗効果素子M,M’は、電源供給線12と接地間
に直列に接続されると共に、中間接続点が上記波形整形
回路1の入力端子11に接続されている。
The magnetoresistive elements M and M' are connected in series between the power supply line 12 and the ground, and their intermediate connection points are connected to the input terminal 11 of the waveform shaping circuit 1.

此等磁気抵抗効果素子M,M’は、例えばキーボードの
押釦スイッチに設けて、押釦の操作によって交番的に磁
束が加えられる様構成し、平常時即ち押釦を操作しない
時には素子Mに磁束が加えられ、これに対し押釦を操作
した時には素子M′に磁束が加えられる様構成する。
These magnetoresistive elements M and M' are installed, for example, in a pushbutton switch of a keyboard, and configured so that magnetic flux is applied alternately when the pushbutton is operated. In contrast, when the push button is operated, magnetic flux is applied to element M'.

斯くすれば平常時には素子Mの抵抗値が高い一方素子M
′の抵抗値が低く、押釦の操作時には素子Mの抵抗値が
低くなる一方素子M’の抵抗値が高くなるから、イ常時
には入力端子11に低電圧、即ち“0”レベルの信号が
加わっており、操作時には高電圧、即ち”1”レベル信
号が加わる。
In this way, while the resistance value of element M is high under normal conditions,
' has a low resistance value, and when the push button is operated, the resistance value of element M decreases while the resistance value of element M' increases. Therefore, under normal conditions, a low voltage, that is, a "0" level signal is applied to input terminal 11. During operation, a high voltage, that is, a "1" level signal is applied.

勿論波形整形回路1へは、“0”“1”レベルのスイッ
チ信号が入力されれば良いから、直列な上記磁気抵抗効
果素子M,M’の内、一方を固定抵抗に置換しても良く
、そして又圧電素子や光電素子等の他の無接点型抵抗変
化素子を用いる事も出来、更には接点型のスイッチを信
号源として用いても良い。
Of course, since it is sufficient to input a switch signal of "0" or "1" level to the waveform shaping circuit 1, one of the magnetoresistive elements M and M' connected in series may be replaced with a fixed resistor. It is also possible to use other non-contact type resistance change elements such as piezoelectric elements and photoelectric elements, and furthermore, a contact type switch may be used as the signal source.

次に波形整形回路1の動作について説明する。Next, the operation of the waveform shaping circuit 1 will be explained.

入力端子11が”0″レベルにある場合には、第1トラ
ンジスタT1はオフ状態となっており、そのコレククは
゛1゛レベルである。
When the input terminal 11 is at the "0" level, the first transistor T1 is in an off state, and its collector is at the "1" level.

この第1トランジスタの″1”レベルは第2トランジス
タT2をオン状態にせしめているから、第2トランジス
タT2のコレクタは”0″レベルであるが、この゛0″
レベルは結合抵抗R2を介して第3トランジスタT3の
ベースに加わるから第3トランジスタT3をオフ状態に
せしめている。
Since the "1" level of the first transistor turns on the second transistor T2, the collector of the second transistor T2 is at the "0"level;
Since the level is applied to the base of the third transistor T3 via the coupling resistor R2, the third transistor T3 is turned off.

従ってこの場合第3トランジスタT3のコレクタは“1
″レベルである。
Therefore, in this case, the collector of the third transistor T3 is "1".
” level.

次に入力端子11が“1”レベルになった時には第1ト
ランジスタT1がオン状態になってそのコレクタは“0
”レベルになろうこれにより第2トランジスタT2はオ
フになってそのコレクタは”1”レベルになり、この”
1″レベルは結合抵抗R2を介して第3トランジスタT
3のベースに加えられて第3トランジスタT3はオン状
態になる。
Next, when the input terminal 11 becomes "1" level, the first transistor T1 turns on and its collector becomes "0".
``level'' This turns off the second transistor T2 and its collector goes to level ``1''.
1'' level is connected to the third transistor T via the coupling resistor R2.
3 and the third transistor T3 is turned on.

従って第3トランジスタT3のコレククは゛0”レベル
となる。
Therefore, the collector of the third transistor T3 becomes the "0" level.

論理回路を駆動する為のスイッチング回路2は、上記第
3トランジスタのコレククにベースが接続されたNPN
型の第4トランジスタT4と、該第4トランジスタT4
のエミツタベース間にベースへ向って順方向となる様接
続されたダイオードD1とにより構成され、第4トラン
ジスタT4のエミツタに端子Xが設けられると共にコレ
クタに端子Yが設けられている。
The switching circuit 2 for driving the logic circuit is an NPN whose base is connected to the collector of the third transistor.
a fourth transistor T4 of type T4;
A diode D1 is connected between the emitter and base of the fourth transistor T4 in a forward direction toward the base, and a terminal X is provided at the emitter of the fourth transistor T4, and a terminal Y is provided at the collector.

従って波形整形回路1の第3トランジスタT3のコレク
タが”1″レベルの場合には第4トランジスタT4がオ
ン状態となっているから端子Xのレベルが端子Yに伝達
される。
Therefore, when the collector of the third transistor T3 of the waveform shaping circuit 1 is at the "1" level, the level of the terminal X is transmitted to the terminal Y because the fourth transistor T4 is in the on state.

例えば端子Xが゛1”レベルならば端子Yは゛1゛レベ
ルになり、端子Xが゛0″レベルになるならば端子Yは
″0′レベルになる。
For example, if the terminal X is at the "1" level, the terminal Y will be at the "1" level, and if the terminal X is at the "0" level, the terminal Y will be at the "0" level.

一方、上記第3トランジスタT3のコレクタが゛0′レ
ベルの場合には、第4トランジスタT4がオフ状態とな
るから端子Xのレベルが端子Yに伝達されなくなり、且
つ端子XのレベルはダイオードD1を介して゛0″レベ
ルに維持される。
On the other hand, when the collector of the third transistor T3 is at the '0' level, the fourth transistor T4 is turned off, so the level of the terminal X is not transmitted to the terminal Y, and the level of the terminal is maintained at the ``0'' level through the

以上の如き回路に於で、論理回路としてTTL回路3を
駆動する場合には第2図或いは第3図の如く接続すれば
良い。
In the above circuit, if the TTL circuit 3 is to be driven as a logic circuit, the connections may be made as shown in FIG. 2 or 3.

尚第2図、第3図において31はTTL回路のゲートト
ランジスタとして用いられるマルチエミツタトランジス
タを示し、32は位相反転用トランジスタを示す。
In FIGS. 2 and 3, numeral 31 indicates a multi-emitter transistor used as a gate transistor of a TTL circuit, and numeral 32 indicates a phase inversion transistor.

第2図は正論理として動作する場合であり、第1図に示
した端子Xがマルチエミツタトランジスタ31の一つの
エミツタに接続される。
FIG. 2 shows a case where the circuit operates as a positive logic, and the terminal X shown in FIG. 1 is connected to one emitter of the multi-emitter transistor 31.

この回路では、波形整形回路1の第3トランジスタT3
のコレクタが“0”レベルになった時端子Xが”0″レ
ベルになる事前述の通りである。
In this circuit, the third transistor T3 of the waveform shaping circuit 1
As mentioned above, when the collector of the terminal becomes "0" level, the terminal X becomes "0" level.

第3図は負論理として動作する場合で、第1図の回路と
異り、第4トランジスタT4のコレクタが端子Xとなり
、この端子Xにマルチエミツタトランジスタ31の一つ
のエミツタが接続される。
FIG. 3 shows a case where the circuit operates as a negative logic, and unlike the circuit shown in FIG. 1, the collector of the fourth transistor T4 becomes a terminal X, and one emitter of a multi-emitter transistor 31 is connected to this terminal X.

一方第4トランジスタT4のエミツタが端子Yとなり、
この端子は抵抗R6を介して接地される。
On the other hand, the emitter of the fourth transistor T4 becomes the terminal Y,
This terminal is grounded via resistor R6.

この場合の動作は、第1図の端子X,Yを置き換えて考
えれば良く、トランジスタT3のコレクタが“0”レベ
ルになった時に端子Xが“1″レベルとなる。
The operation in this case can be considered by replacing the terminals X and Y in FIG. 1, and when the collector of the transistor T3 goes to the "0" level, the terminal X goes to the "1" level.

この様に正論理、負論理いずれの回路を構成する事も出
来る。
In this way, either positive logic or negative logic circuits can be constructed.

更に論理回路として第4図に示す如<MOSFETトラ
ンジスタ等を集積化したLSI回路を駆動する事も出来
る。
Furthermore, it is also possible to drive an LSI circuit in which MOSFET transistors and the like are integrated as shown in FIG. 4 as a logic circuit.

第4図の回路は、この場合の使用例を示す図で、各々一
対のMOSFETトランジスタFA,FB及び抵抗RA
、ダイオードDAにより構成されたn個の入力回路F1
,F2,・・・・・・,Fnのリード端子X1,X2,
−”・,Xnと、各々3個のMOS−FETl−ランジ
スタFC,FD,FEと接地抵抗RBにより構成された
m個の出力回路G1,G2,・・・・・・,Gmのリー
ド端子Y1,Y2,・・・・・・,Ymとの間を択一的
にスイッチング回路2,2,・・・・・・が開閉する様
構成される。
The circuit in FIG. 4 is a diagram showing an example of use in this case, and includes a pair of MOSFET transistors FA and FB and a resistor RA.
, n input circuits F1 composed of diodes DA.
, F2,..., Fn lead terminals X1, X2,
Lead terminal Y1 of m output circuits G1, G2, ......, Gm each consisting of three MOS-FET transistors FC, FD, FE, and grounding resistor RB. , Y2, . . . , Ym, the switching circuits 2, 2, .

第5図は、本発明回路のファンアウトを大きくする場合
の使用例回路を示すものであり、第2トランジスタT2
及び第3トランジスタT3の両方のコレクタにスイッチ
ング回路2,2′が接続される。
FIG. 5 shows an example circuit for increasing the fan-out of the circuit of the present invention, in which the second transistor T2
The switching circuits 2 and 2' are connected to the collectors of both the third transistor T3 and the third transistor T3.

勿論この場合には、第5トランジスタT3′、及びダイ
オードD1’により構成されるスイッチング回路2′は
他方のスイッチング回路2と逆論理で動作する。
Of course, in this case, the switching circuit 2' constituted by the fifth transistor T3' and the diode D1' operates in the opposite logic to the other switching circuit 2.

従って正負両論理の出力を同時に得る事が出来る。Therefore, both positive and negative logic outputs can be obtained simultaneously.

第6図は、本発明の回路を多数並置し、各第1トランジ
スタT1,T1,・・・・・・と各第2トランジスタT
2,T2,・・・・・・の間にコード変換のマトリック
ス回路5を接続した構成を示す。
FIG. 6 shows a large number of circuits of the present invention arranged side by side, each first transistor T1, T1, . . . and each second transistor T.
2, T2, . . . , a code conversion matrix circuit 5 is connected between them.

コード変換マトリツクス回路5は、例えば第7図に示す
如く10進符号で入力される入力信号を2進符号に変換
する10進2進化コード変換マトリックス回路を構成す
るものである。
The code conversion matrix circuit 5 constitutes a decimal binary code conversion matrix circuit that converts an input signal input in decimal code into a binary code, as shown in FIG. 7, for example.

第7図において交点の黒丸は接続関係を示す。In FIG. 7, black circles at intersections indicate connection relationships.

更に又、波形整形回路1へ入力される信号が大きな温度
係数を持っている場合、例えば前述の実施例の如く、信
号源として、磁気抵抗効果素子等温度係数の大きい素子
により構成されたスイッチを用いる場合には、第8図に
示す如く第1トランジスタT1のエミツタと接地間に温
度依存性が大きく且つ比抵抗の大きいPN接合素子、例
えばショットキーダイオードD4を接続し、且つ上記第
1トランジスタT1のエミツタと電源供給線12との間
に調整抵抗R7を接続して構成すれば良い。
Furthermore, if the signal input to the waveform shaping circuit 1 has a large temperature coefficient, a switch constituted by an element with a large temperature coefficient, such as a magnetoresistive element, may be used as the signal source, for example, as in the above embodiment. When used, as shown in FIG. 8, a PN junction element having a large temperature dependence and a large specific resistance, such as a Schottky diode D4, is connected between the emitter of the first transistor T1 and the ground, and the first transistor T1 is An adjustment resistor R7 may be connected between the emitter and the power supply line 12.

尚第8図において第1トランジスタT1のコレクタと固
定抵抗R1との中間接続点は、ダイオードD5を介して
第2トランジスタT2のベースに接続されているが必ず
しもこのダイオードは必要ではない。
In FIG. 8, the intermediate connection point between the collector of the first transistor T1 and the fixed resistor R1 is connected to the base of the second transistor T2 via a diode D5, but this diode is not necessarily necessary.

而してショットキーダイオードは、温度依存性が大きく
、且つその温度係数は第9図に示す如くダイオードに流
れる電流値が小さい程大きいから、調整抵抗R7の値を
設定してショットキーダイオードD4を流れる電流値を
適宜設定すれはショットキーダイオードD4は適宜の温
度特性を示す。
The Schottky diode has a large temperature dependence, and its temperature coefficient increases as the current value flowing through the diode decreases as shown in FIG. If the flowing current value is set appropriately, the Schottky diode D4 exhibits appropriate temperature characteristics.

従って第1トランジスタT1の動作点電圧の温度特性は
、第1トランジスタT1のベースエミツタ間の温度特性
にショットキーダイオードD4の温度特性が加えられる
から、入力信号電圧の温度特性、即ち磁気抵抗効果素子
を用いた場合には温度上昇に伴う入力信号電圧の下降を
、この温度特性と同等の温度特性を第1トランジスタT
1の動作点電圧に持たせることによって温度補償する事
が出来る。
Therefore, the temperature characteristic of the operating point voltage of the first transistor T1 is determined by adding the temperature characteristic of the Schottky diode D4 to the temperature characteristic between the base and emitter of the first transistor T1. In this case, the input signal voltage decreases as the temperature rises, and the temperature characteristic equivalent to this temperature characteristic is determined by the first transistor T.
Temperature compensation can be achieved by setting the operating point voltage to 1.

尚、ショットキーダイオードの温度係数は前述の如く電
流が少ない程大きいから、ショットキーダイオードD4
に直列接続される調整抵抗R7の抵抗値は大きい事が望
ましいが、回路を集積化する場合には抵抗値を大きくす
る事はスペースの関係上困難である。
Incidentally, as mentioned above, the temperature coefficient of the Schottky diode increases as the current decreases, so the Schottky diode D4
Although it is desirable that the resistance value of the adjustment resistor R7 connected in series to the resistor R7 be large, it is difficult to increase the resistance value when integrating the circuit due to space constraints.

そこで第10図に示す如く、調整抵抗R7は第1トラン
ジスタT1のコレクタエミツタ間に接続して第2トラン
ジスタT2のベース電位からショットキーダイオードD
2へ流す電流を設定する事が望ましい。
Therefore, as shown in FIG. 10, the adjustment resistor R7 is connected between the collector and emitter of the first transistor T1 to connect the base potential of the second transistor T2 to the Schottky diode D.
It is desirable to set the current flowing to 2.

斯くすれば調整抵抗R7の抵抗値を小さくする事が出来
るから回路を集積化する事が容易であると共に、入力信
号電圧の温度依存性が大きい場合にも調整抵抗R7の抵
抗値をそれほど大きくせずに第1トランジスタT1の動
作点電圧の温度係数を入力信号電圧の温度特性と同一化
する事が出来る。
In this way, the resistance value of the adjustment resistor R7 can be made small, making it easy to integrate the circuit, and even when the temperature dependence of the input signal voltage is large, the resistance value of the adjustment resistor R7 can be made small. Therefore, the temperature coefficient of the operating point voltage of the first transistor T1 can be made the same as the temperature characteristic of the input signal voltage.

以上の処において、第2トランジスタT2と第3トラン
ジスタT3は通常接合が同種のトランジスタを用いるが
、第1トランジスタT1と第2トランジスタT2は接合
が異種のトランジスタを用いる事が出来る。
In the above, the second transistor T2 and the third transistor T3 normally use transistors with the same type of junction, but the first transistor T1 and the second transistor T2 can use transistors with different types of junctions.

例えば第2トランジスタT2としてNPN接合のトラン
ジスタを用いる場合に第11図或いは第12図に示す如
く第1トランジスタT1としてPNP接合のトランジス
タを用いる事が出来る。
For example, when an NPN junction transistor is used as the second transistor T2, a PNP junction transistor can be used as the first transistor T1 as shown in FIG. 11 or 12.

本発明回路は以上の如きものであるから、次の様な効果
がある。
Since the circuit of the present invention is as described above, it has the following effects.

結合抵抗R3が第2トランジスタT2のベースに対して
は固定抵抗R1と並列に接続され、又第3トランジスタ
T3のコレクタに対してはコレクタ抵抗R5と分圧した
電圧を印加する様接続されているから、第2トランジス
タT2のOFF、即ち第1トランジスタT1がONの時
における第3トランジスタの動作補償がコレクク抵抗R
5と結合抵抗R3の分圧によって確実になると共に、第
2トランジスタT2がOFFからONに反転する時には
、第2トランジスタT2のベースへの電流量が固定抵抗
R1と結合抵抗R3とによる抵抗減小作用によって急激
に増大するから、第2トランジスタT2の動作が早くな
り、これによってスイッチ信号の立上りが良くなると云
う効果がある。
A coupling resistor R3 is connected to the base of the second transistor T2 in parallel with the fixed resistor R1, and is connected to the collector of the third transistor T3 so as to apply a voltage divided from the collector resistor R5. Therefore, the operation compensation of the third transistor when the second transistor T2 is OFF, that is, when the first transistor T1 is ON, is the collector resistance R.
5 and the combined resistor R3, and when the second transistor T2 is inverted from OFF to ON, the amount of current flowing to the base of the second transistor T2 is reduced by the fixed resistor R1 and the combined resistor R3. Since it increases rapidly due to the action, the second transistor T2 operates faster, which has the effect of improving the rise of the switch signal.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明回路を磁気抵抗効果素子で駆動する場合
の使用例を示す回路図、第2図及び第3図は夫々本発明
回路によってTTL回路を駆動する場合の使用例を示す
部分的回路図、第4図は、本発明回路を用いてLSI回
路を駆動する場合の使用例を示す回路図、第5図は本発
明回路の他の使用例を示す回路図、第6図は本発明回路
を多数並置しコード変換マトリックス回路を構成した場
合の実施例を示す回路図、第7図は上記コード変換マト
リツクス回路を示す図、第8図及び第10図は本発明回
路にショットキーダイオードを用いた実施例を示す回路
図、第9図は上記ショットキーダイオードの特性を示す
グラフ、第11図及び第12図は本発明回路の他の実施
例を示す部分回路図である。 図中T1は第1トランジスタ、T2は第2トランジスタ
、T3は第3トランジスタを示す。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an example of use when the circuit of the present invention is driven by a magnetoresistive element, and FIGS. 2 and 3 are partial circuit diagrams showing examples of use when a TTL circuit is driven by the circuit of the present invention, respectively. The circuit diagram, FIG. 4 is a circuit diagram showing an example of use when driving an LSI circuit using the circuit of the present invention, FIG. 5 is a circuit diagram showing another example of use of the circuit of the present invention, and FIG. A circuit diagram showing an embodiment in which a code conversion matrix circuit is constructed by arranging a large number of inventive circuits in parallel. FIG. 7 is a diagram showing the code conversion matrix circuit described above. FIGS. FIG. 9 is a graph showing the characteristics of the Schottky diode, and FIGS. 11 and 12 are partial circuit diagrams showing other embodiments of the circuit of the present invention. In the figure, T1 indicates the first transistor, T2 the second transistor, and T3 the third transistor.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 スイッチ信号によって開閉される第1トランジスタ
と、該第1トランジスタの開閉動作によって反転動作す
る第2トランジスタと、該第2トランジスタの動作に応
答して該トランジスタに対し反転動作する第3トランジ
スタとを有し、上記第1トランジスタの開閉動作に応じ
た上記第2及び第3トランジスタの動作により上記第2
及び第3トランジスタの少くとも一方から出力信号を取
出す波形整形回路において、上記第2トランジスタのベ
ースに電源に対し並列となる様に固定抵抗R1と結合抵
抗R3とを接続すると共に此等両抵抗を第1トランジス
タのコレクタに接続して、これにより上記第1トランジ
スタのオフ状態の時第2トランジスタがオン状態となる
様に設定し、更に上記結合抵抗R3はその1端を上記第
3トランジスタのコレクタとコレクタ抵抗との中間に接
続すると共にこの第3トランジスタのベースを上記第2
トランジスタのコレクタに結合抵抗R2を介して接続し
、これによって上記第2トランジスタがオン状態の時上
記第3トランジスタがオフ状態となる様設定し、上記第
3トランジスタのコレクタと第2トランジスタのベース
間にある結合抵抗R3によって第3トランジスタの動作
補償を行うと共に第2トランジスタのオン状態への反転
動作を迅速ならしめる様に構成した事を特徴とする波形
整形回路。
1. A first transistor that is opened and closed by a switch signal, a second transistor that performs an inversion operation in response to the opening and closing operation of the first transistor, and a third transistor that performs an inversion operation with respect to the transistor in response to the operation of the second transistor. and the second and third transistors operate in accordance with the opening and closing operations of the first transistor.
and a waveform shaping circuit that takes out an output signal from at least one of the third transistors, a fixed resistor R1 and a coupling resistor R3 are connected to the base of the second transistor in parallel with the power supply, and both resistors are connected to the base of the second transistor in parallel with the power supply. The coupling resistor R3 is connected to the collector of the first transistor so that the second transistor is turned on when the first transistor is off, and the coupling resistor R3 has one end connected to the collector of the third transistor. and the collector resistor, and connect the base of this third transistor to the above-mentioned second transistor.
is connected to the collector of the transistor via a coupling resistor R2, thereby setting the third transistor to be in the off state when the second transistor is in the on state, and between the collector of the third transistor and the base of the second transistor. A waveform shaping circuit characterized in that the coupling resistor R3 in the waveform shaping circuit is configured to compensate for the operation of the third transistor and quickly invert the second transistor to the on state.
JP48120261A 1973-10-25 1973-10-25 Hakeiseikei Cairo Expired JPS588170B2 (en)

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