JPS5881972U - 積層母線 - Google Patents
積層母線Info
- Publication number
- JPS5881972U JPS5881972U JP1981177299U JP17729981U JPS5881972U JP S5881972 U JPS5881972 U JP S5881972U JP 1981177299 U JP1981177299 U JP 1981177299U JP 17729981 U JP17729981 U JP 17729981U JP S5881972 U JPS5881972 U JP S5881972U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laminated busbar
- conductive
- ceramic dielectric
- conductive layer
- conductive adhesive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims 1
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Insulated Conductors (AREA)
- Connection Or Junction Boxes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図は従来の高静電容量積層母線の一例を示す側面図
、第２図はその分解斜視図、第３図は本考案高静電容量
積層母線の一実施例を示す分解斜視図、第４図はセラミ
ック誘電体と導電層との沿面距離と板状導体間の導通の
発生の関係を示した特性曲線である。 １．２：板状導体、３，４：端子、５：セラミック誘電
体、６，７：導電層、８，９：導電性接着剤。
、第２図はその分解斜視図、第３図は本考案高静電容量
積層母線の一実施例を示す分解斜視図、第４図はセラミ
ック誘電体と導電層との沿面距離と板状導体間の導通の
発生の関係を示した特性曲線である。 １．２：板状導体、３，４：端子、５：セラミック誘電
体、６，７：導電層、８，９：導電性接着剤。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 少なくとも２枚が互いに離間されて配置された板状導体
と、その間に設けられた両表面に導電層がコーティング
されたセラミック誘電体との両者を、導電性接着剤で接
着一体化して成り、該導電層はセラミック誘電体の幅及
び長さよりも少くとも０．４ｍ狭く施されていると共に
、導電性接着剤は導電層の中央部に帯状に塗布されて構
成され。 ていることを特徴とする積層母線。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1981177299U JPS5881972U (ja) | 1981-11-28 | 1981-11-28 | 積層母線 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1981177299U JPS5881972U (ja) | 1981-11-28 | 1981-11-28 | 積層母線 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5881972U true JPS5881972U (ja) | 1983-06-03 |
Family
ID=29971051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1981177299U Pending JPS5881972U (ja) | 1981-11-28 | 1981-11-28 | 積層母線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5881972U (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6943764B1 (en) | 1994-04-22 | 2005-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driver circuit for an active matrix display device |
| US7145173B2 (en) | 1994-04-22 | 2006-12-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor integrated circuit |
| US7223996B2 (en) | 1992-05-29 | 2007-05-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electric device, matrix device, electro-optical display device, and semiconductor memory having thin-film transistors |
| US7489367B1 (en) | 1991-03-26 | 2009-02-10 | Semiconductor Energy Laboratory, Co., Ltd. | Electro-optical device and method for driving the same |
| US7569408B1 (en) | 1991-03-06 | 2009-08-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for forming the same |
-
1981
- 1981-11-28 JP JP1981177299U patent/JPS5881972U/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7569408B1 (en) | 1991-03-06 | 2009-08-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for forming the same |
| US7489367B1 (en) | 1991-03-26 | 2009-02-10 | Semiconductor Energy Laboratory, Co., Ltd. | Electro-optical device and method for driving the same |
| US7223996B2 (en) | 1992-05-29 | 2007-05-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electric device, matrix device, electro-optical display device, and semiconductor memory having thin-film transistors |
| US6943764B1 (en) | 1994-04-22 | 2005-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driver circuit for an active matrix display device |
| US7145173B2 (en) | 1994-04-22 | 2006-12-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor integrated circuit |
| US7166862B2 (en) | 1994-04-22 | 2007-01-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor integrated circuit |
| US7477222B2 (en) | 1994-04-22 | 2009-01-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Redundancy shift register circuit for driver circuit in active matrix type liquid crystal display device |
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