JPS5882409A - ろう付け可能の積層系の製造方法 - Google Patents
ろう付け可能の積層系の製造方法Info
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- JPS5882409A JPS5882409A JP57160760A JP16076082A JPS5882409A JP S5882409 A JPS5882409 A JP S5882409A JP 57160760 A JP57160760 A JP 57160760A JP 16076082 A JP16076082 A JP 16076082A JP S5882409 A JPS5882409 A JP S5882409A
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- Japan
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- layer
- brazing
- corrosion protection
- thickness
- tin
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/001—Interlayers, transition pieces for metallurgical bonding of workpieces
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing of the conductive pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/032—Materials
- H05K2201/0326—Inorganic, non-metallic conductor, e.g. indium-tin oxide [ITO]
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はインジウム又は錫をペースとし全部酸化式九
た材料の導電層とろう付は可能の層（ろう付は層）を含
む積層系の製造法としてまず真空中で導電層を少くとも
部分的に酸化された状態語 発券板上に形成させ、次に同じく真空中でろう付は層と
導電層の士に形成させる製造方法に関するものである。
た材料の導電層とろう付は可能の層（ろう付は層）を含
む積層系の製造法としてまず真空中で導電層を少くとも
部分的に酸化された状態語 発券板上に形成させ、次に同じく真空中でろう付は層と
導電層の士に形成させる製造方法に関するものである。
従来の透明薄膜電極は通常の組成のろう材によって濡ら
されなり材料から成る。従ってこの電極に使用に耐える
ろう付は接触を作るためには特殊な準備をしなければな
らない。その際発生する技術的の問題は基本的には解決
されている。例えば導電層に接着仲介層を設けた後ろう
付は層を接着しそれを保護層で覆う方法は効果的である
ことが確められている。接着仲介層を介してはんだ層の
強固な接着が可能となシ、保護層によって接着材料の腐
食が阻止される。典型的な層材料系列はＣｒＣｕＡｕで
ある。
されなり材料から成る。従ってこの電極に使用に耐える
ろう付は接触を作るためには特殊な準備をしなければな
らない。その際発生する技術的の問題は基本的には解決
されている。例えば導電層に接着仲介層を設けた後ろう
付は層を接着しそれを保護層で覆う方法は効果的である
ことが確められている。接着仲介層を介してはんだ層の
強固な接着が可能となシ、保護層によって接着材料の腐
食が阻止される。典型的な層材料系列はＣｒＣｕＡｕで
ある。
このような積層構造によって強固な低抵抗ろうｆ＝ｊけ
結合が可能となるがその製作は手がかかり高側となる。
結合が可能となるがその製作は手がかかり高側となる。
この欠点は例えば液晶表示装置のように経済性が中心の
問題になっているものでは特に重大である。
問題になっているものでは特に重大である。
部分的に酸化された電極を基板内に作り、その土に銅ま
たは鉄をかぶせ、これをシリコン、錫、インジウム等の
腐蝕性の金属で被覆した後４００ｒす、土の温度で電極
部分全体を酸化して充分透明で？、ｌ）電性の電極とし
た簡単な積層構成も既に提案されている。この場合高温
処理にょシ腐蝕性金属の”Ｉｋ４３ｉ層が同時に完全に
酸化され、捷だろう付は層、６；４Ｉｌ、故過程によっ
て電極と固く結合する。この方法によれば接着仲介剤と
貴金属を使用することなく良好な結果が得られるが導電
層は銅又は鉄が多輪に拡散してくる場合簡単には処理さ
れないエツチング特性を示すようになる。更に充分な厚
さをｉつ特殊な保護膜が必要となるが、この保護膜はろ
う例けに際してろうがその下にある層１で到達すること
を許さないからろう付けに先立って除去しなければなら
ない。
たは鉄をかぶせ、これをシリコン、錫、インジウム等の
腐蝕性の金属で被覆した後４００ｒす、土の温度で電極
部分全体を酸化して充分透明で？、ｌ）電性の電極とし
た簡単な積層構成も既に提案されている。この場合高温
処理にょシ腐蝕性金属の”Ｉｋ４３ｉ層が同時に完全に
酸化され、捷だろう付は層、６；４Ｉｌ、故過程によっ
て電極と固く結合する。この方法によれば接着仲介剤と
貴金属を使用することなく良好な結果が得られるが導電
層は銅又は鉄が多輪に拡散してくる場合簡単には処理さ
れないエツチング特性を示すようになる。更に充分な厚
さをｉつ特殊な保護膜が必要となるが、この保護膜はろ
う例けに際してろうがその下にある層１で到達すること
を許さないからろう付けに先立って除去しなければなら
ない。
積層構造の製作は次のようにして更に合理化することが
できる：始めから腐食性の金属を含むろう層によって電
極を覆った後導電層をその酸化物に変える。その際必要
な温度処理によってろう層の表面で腐食性の金属が酸化
して保護膜を形成する。この方法は積層構造の製造を著
しく簡略にするがその実施には問題がある。即ち酸化物
の多いろう層外表面部分が弱い障壁作用を示す外酸化物
の多いろう層部分を除去しておいてもはんだ結合が機械
的に脆弱である場合がある。これらの点を無視しても導
電層の確定的なエツチングが不可能であるという欠点が
ある。
できる：始めから腐食性の金属を含むろう層によって電
極を覆った後導電層をその酸化物に変える。その際必要
な温度処理によってろう層の表面で腐食性の金属が酸化
して保護膜を形成する。この方法は積層構造の製造を著
しく簡略にするがその実施には問題がある。即ち酸化物
の多いろう層外表面部分が弱い障壁作用を示す外酸化物
の多いろう層部分を除去しておいてもはんだ結合が機械
的に脆弱である場合がある。これらの点を無視しても導
電層の確定的なエツチングが不可能であるという欠点が
ある。
この発明の目的は冒頭に挙げた製造方法を改良して導電
層が再現性の良いエツチング性を示し、ろう付は層が簡
単に保護されるようにすることである。
層が再現性の良いエツチング性を示し、ろう付は層が簡
単に保護されるようにすることである。
この目的は特許請求の範囲第１項に特徴として挙げた工
程によって達成される。
程によって達成される。
この発明の方法によればろう付は層は既に必要な程度に
酸化されている導電層上に設けられるから高い温度にさ
らされることはない。従ってろう層に対する腐蝕保護層
は基本的に不必要となる。
酸化されている導電層上に設けられるから高い温度にさ
らされることはない。従ってろう層に対する腐蝕保護層
は基本的に不必要となる。
層が銅である場合充分な厚さがあればある程度の熱負荷
に耐える。種々の理由からユニット全体がｃｔう温にな
り積層構造も不可避的に加熱されることが多いからこの
ことは特に有利である。例えば最近の液晶表示装置は１
２０Ｃから１７０Ｃの間の温度で硬化する合成樹脂の接
着枠を備えている。この条件ではろう付は性の良い銅層
は少くとも２μｍの厚さが必要である。
に耐える。種々の理由からユニット全体がｃｔう温にな
り積層構造も不可避的に加熱されることが多いからこの
ことは特に有利である。例えば最近の液晶表示装置は１
２０Ｃから１７０Ｃの間の温度で硬化する合成樹脂の接
着枠を備えている。この条件ではろう付は性の良い銅層
は少くとも２μｍの厚さが必要である。
ろう付は可能の材料は常にある程度加熱されるが実際上
電極材料と合金を作ることはできない。
電極材料と合金を作ることはできない。
従って誤エツチングを恐れる必要はない。この場合ろう
付は層と導電層の間の結合が充分強固であることは注目
に値する。このことから電極が予めつγ気に接触した時
に限って前に述べた接着時の問題が起ることが確められ
た。この発明の方法のように空気との接触が避けられて
いると補助の強化処理は必要としない。
付は層と導電層の間の結合が充分強固であることは注目
に値する。このことから電極が予めつγ気に接触した時
に限って前に述べた接着時の問題が起ることが確められ
た。この発明の方法のように空気との接触が避けられて
いると補助の強化処理は必要としない。
この外にもこの発明による方法はろう付は層が強い加熱
作用を受けるかあるいは厚さが薄いときにも認め得る程
度の腐食作用を受けないようにするため簡単な保護手段
を講することを可能にする。
作用を受けるかあるいは厚さが薄いときにも認め得る程
度の腐食作用を受けないようにするため簡単な保護手段
を講することを可能にする。
そのためには保護層を厚さ１０乃至１１００ｎのニッケ
ル層とするか６乃至１１００ｎの銀を含む錫層とするか
１０乃至１１００ｎのインジウム・錫層又は錫アンチモ
ン層とする。更に保護層に白金属特にパラジウム又は金
を使用してもよい。又５０乃至３００ｎｍのＷＯ３層を
使用すると感光樹脂除去剤に浴解し、感光樹脂除去剤に
は耐性があるから電極構造が写真蝕刻によって作られ配
向層がアルカリ液で処理される液晶表示装置に特に適し
ている。
ル層とするか６乃至１１００ｎの銀を含む錫層とするか
１０乃至１１００ｎのインジウム・錫層又は錫アンチモ
ン層とする。更に保護層に白金属特にパラジウム又は金
を使用してもよい。又５０乃至３００ｎｍのＷＯ３層を
使用すると感光樹脂除去剤に浴解し、感光樹脂除去剤に
は耐性があるから電極構造が写真蝕刻によって作られ配
向層がアルカリ液で処理される液晶表示装置に特に適し
ている。
Ｂ２０．保護層は容易に水で洗い去ることができるから
多くの場合に有利である。白金属および金の層を除く上
記の保護層は蒸着、スパッタリング又は電解によって作
ることができる。白金属と金の保護層は電解によって形
成させる。ＷＯ４保護層とＢ２Ｏ３保護層は蒸着、遠心
法、浸漬法によって設けることができる。
多くの場合に有利である。白金属および金の層を除く上
記の保護層は蒸着、スパッタリング又は電解によって作
ることができる。白金属と金の保護層は電解によって形
成させる。ＷＯ４保護層とＢ２Ｏ３保護層は蒸着、遠心
法、浸漬法によって設けることができる。
図面を参照し、実施例についてこの発明を更に詳細に説
明する。
明する。
図に示した液晶表示装着は回転セル形式のもので前面面
線偏光子１、前面支持板２、背面支持体３、背面直線偏
光子４および反射板６から構成さｉする。直線偏光子１
と４は互に交叉して置かれる。
線偏光子１、前面支持板２、背面支持体３、背面直線偏
光子４および反射板６から構成さｉする。直線偏光子１
と４は互に交叉して置かれる。
両支持板は枠７によって規定の間隔を保って気密（・こ
結合されている。枠と両支持板によって囲１れ／こ空間
は液晶層８で満たされている。両支持板の対向面にはそ
九ぞれ電極が設けられ、その一方は導線１１が連結され
た連続電極９であり、他方は別々に制御可能のセグメン
ト電極］２である。これらの電極の上には配向層１３
、１４が設けられている。
結合されている。枠と両支持板によって囲１れ／こ空間
は液晶層８で満たされている。両支持板の対向面にはそ
九ぞれ電極が設けられ、その一方は導線１１が連結され
た連続電極９であり、他方は別々に制御可能のセグメン
ト電極］２である。これらの電極の上には配向層１３
、１４が設けられている。
前面支持板３は前面支持板２よりも側方にはみ出し、こ
のはみ出した部分に一連の電子素子を含む制御ユニット
１６が設けられている。電子素子は倒木ばマイクロ゛パ
ッケージのドライバーＩＣであり電気接触と取りつけ用
のろう付端１７上に置かれている。
のはみ出した部分に一連の電子素子を含む制御ユニット
１６が設けられている。電子素子は倒木ばマイクロ゛パ
ッケージのドライバーＩＣであり電気接触と取りつけ用
のろう付端１７上に置かれている。
はんだ結合は次のようにして作られる。１ず誘導性の高
周波スパッタリングによって支持板表面にインジウム錫
酸化物層を設ける。この層はこの場合厚さ２５ ｎｍ
、 Ｉｎ２Ｏ３含有量９０重１％とする。
周波スパッタリングによって支持板表面にインジウム錫
酸化物層を設ける。この層はこの場合厚さ２５ ｎｍ
、 Ｉｎ２Ｏ３含有量９０重１％とする。
同じスパッタリング装置内において真空を破ることなく
その上に厚さが最小Ｉμｍの銅層１８をスパッタする。
その上に厚さが最小Ｉμｍの銅層１８をスパッタする。
続いて厚さ０３μｍのニッケル層１９を必要に応じて選
択的に設ける。これによって完成した支持板に別の支持
板を接着する。その際枠７を約２０分間約１８０Ｃの温
度に保持する。これが終ると三層構造に例えばろう浴に
漬けることによってろう付けをする。ろうとしては錫ベ
ースの合金を使用する。
択的に設ける。これによって完成した支持板に別の支持
板を接着する。その際枠７を約２０分間約１８０Ｃの温
度に保持する。これが終ると三層構造に例えばろう浴に
漬けることによってろう付けをする。ろうとしては錫ベ
ースの合金を使用する。
銅層は少くとも３回のろう付けに耐える厚さとする。こ
れによって故障した場合素子の交換が可能となる。ニッ
ケル層は硬化処理に際して侵されることがなくそれ自体
でろう付は可能であり銅基板上にとどまる。更にニッケ
ル被覆は層構造の錫めっきされない部分の腐蝕防止作用
がある。
れによって故障した場合素子の交換が可能となる。ニッ
ケル層は硬化処理に際して侵されることがなくそれ自体
でろう付は可能であり銅基板上にとどまる。更にニッケ
ル被覆は層構造の錫めっきされない部分の腐蝕防止作用
がある。
電極ができるだけ簡単に構成されるようにするためには
ろう付は層を最初真空中で１１００ｎから４００ｎｍの
間の厚さにつけ、この層に所望の構造を作った後電解法
によるか化学的に補強する。
ろう付は層を最初真空中で１１００ｎから４００ｎｍの
間の厚さにつけ、この層に所望の構造を作った後電解法
によるか化学的に補強する。
この発明は図示の実施例に限定されるものではなく１種
々の変更が可能である。例えば導電層とろう付は層の材
料の組合せは個々の場合に応じて最も適当なものを選定
することができる。即ち銅の代りに鉄を使用し、あるい
はインジウム錫酸化物の代りにドープされた酸化インジ
ウム又は酸化錫を使用することができる。この場合層の
形成はスパッタリングと蒸着のいずれによってもよい。
々の変更が可能である。例えば導電層とろう付は層の材
料の組合せは個々の場合に応じて最も適当なものを選定
することができる。即ち銅の代りに鉄を使用し、あるい
はインジウム錫酸化物の代りにドープされた酸化インジ
ウム又は酸化錫を使用することができる。この場合層の
形成はスパッタリングと蒸着のいずれによってもよい。
図面はこの発明の積層構造を使用した液晶表示パネルの
断面を示すもので１は前面直線偏光子、２は前面支持体
、３は背面支持板、４は背面直線偏光子、６は反射板、
８は液晶層である。 第１頁の続き ０発 明 者 ウオルフガング・ウェルシュドイツ連邦
共和国パルダム・フ クスベーク２５ｂ ＠ｌ！ 間者 アンドレ・ペーターマンスドイッ連
邦共和国ポイング・オ スターフェルト・ベーク１５ ＠発明者 ハンス・ヨアヒム・レルケドイツ連邦共和
国ミュンヘン８３ ツコルスキー・シュトラーセ１８ ０発 明 者 ベーター・シャック ドイツ連邦共和国ニュルンベル クーシユニークリンガー・シュ トラーセ３３
断面を示すもので１は前面直線偏光子、２は前面支持体
、３は背面支持板、４は背面直線偏光子、６は反射板、
８は液晶層である。 第１頁の続き ０発 明 者 ウオルフガング・ウェルシュドイツ連邦
共和国パルダム・フ クスベーク２５ｂ ＠ｌ！ 間者 アンドレ・ペーターマンスドイッ連
邦共和国ポイング・オ スターフェルト・ベーク１５ ＠発明者 ハンス・ヨアヒム・レルケドイツ連邦共和
国ミュンヘン８３ ツコルスキー・シュトラーセ１８ ０発 明 者 ベーター・シャック ドイツ連邦共和国ニュルンベル クーシユニークリンガー・シュ トラーセ３３
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）最初に導電層が真空中で少くとも部分的に酸化され
た状態で基板上に設けられ、次に同じく真空中でろう付
は層が導電層上に設けられるインジュウム又は錫をベー
スとし全部酸化された材料の導電層とろう付は可能の層
を含む積層系の製造方法において、導電層が全部酸化さ
れた状態で基板上に設けられ、導電層の形成過程とろう
付は層の形成過程の間において処理室の真空状態が保持
されることを特徴とするろう付は可能の積層系の製造方
法。 ２） Ｉｎ、Ｏ，ＳｎＯ□の導電層がスパッタリング
によって設けられることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の方法。 ３）銅のろう付は層がスパッタリングによって設けられ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項記
載の方法。 ４）真空中で形成されたろう付は層が電解又は化学処理
によって補強されることを特徴とする特許請求の範囲第
１項乃至第３項の一つに記載の方法。 ５）ろう付は層の厚さが最小で１μｍ１特に２μｍから
３μｍの間であることを特徴とする特許請求の範囲第１
項乃至第４項の一つ（で記載の方法。 ６）ろう付は層が永久的の腐食保護層で覆われ。 この腐食保護層を備えた積層系にろう付けが行なわれる
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第５項の一
つに記載の方法。 ７）腐食保護層が厚さ１０ｎｍがら１１００ｎまで、特
に２５ｎｍから３５ｎｍまでのニッケル層であることを
特徴とする特許請求の範囲第６項記載の方法。 ８）腐食保護層が４重Ｉ／に％の銀を添加され厚さ６ｎ
ｍから１１００ｎまで、特にＳｎｍがら２０ｎｍ−まで
の錫層であることを特徴とする特許請求の範囲第６項記
載の方法。 ９）腐食保護層が厚さ１０ｎｍから１１００ｎまでのイ
ンジウム・錫層であることを特徴とする特許請求の範囲
第６項記載の方法。 １０）腐食保護層が厚さｌＯｎｍから１ＯＱｎｒｎ捷で
の錫・アンチモン層であることを特徴とする特許請求の
範囲第６項記載の方法。 １１）腐食保護層が白金属特にパラジウムの層であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第６項記載の方法。 １２）腐食保護層が金層であることを特徴とする特許請
求の範囲第６項記載の方法。 １３）ろう付は層がその腐食を防止する一時的の保護層
で覆われ、この保護層がろう付けの前に除去されること
を特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第５項の一つに
記載の方法。 】４）ろう付は層が厚さ５０ｎｍ乃至３００ｎｍのＷＯ
３保護層で覆われ、この保護層が後丁アルカリ性のエツ
チング剤を使用して除去されることを特徴とする特許請
求の範囲第１３項記載の方法。 １５）ろう付は層が厚さ５０ｎｍ乃至２５０ｎｒｎのＢ
２Ｏ３保護層で覆われ、この保護層が後で水を使用して
除去されることを特徴とする特許請求の範囲第１３項記
載の方法。 １（））エレクトロオプティック表示装置、特に互に接
着された支持板を備える液晶表示装置に使用されること
を特徴とする特許請求の範囲；北１項乃至第６項および
第１３項の一つに記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE31367941 | 1981-09-16 | ||
| DE3136794A DE3136794C2 (de) | 1981-09-16 | 1981-09-16 | Lötfähiges Schichtensystem, seine Verwendung und Verfahren zu seiner Herstellung |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5882409A true JPS5882409A (ja) | 1983-05-18 |
Family
ID=6141835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57160760A Pending JPS5882409A (ja) | 1981-09-16 | 1982-09-14 | ろう付け可能の積層系の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4385976A (ja) |
| JP (1) | JPS5882409A (ja) |
| DE (1) | DE3136794C2 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57161882A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-05 | Hitachi Ltd | Display body panel |
| DE3227898C2 (de) * | 1982-07-26 | 1986-11-20 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Schichtsystem für optoelektronische Anzeigen |
| DE3306154A1 (de) * | 1983-02-22 | 1984-08-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Loetfaehiges schichtensystem, verfahren zu seiner herstellung und seine verwendung |
| JPS63160352A (ja) * | 1986-12-24 | 1988-07-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の実装方法 |
| DE3710189C2 (de) * | 1987-03-27 | 1995-08-31 | Licentia Gmbh | Verfahren zum Aufbringen einer lötfähigen Leitschicht und deren Verwendung zum Herstellen einer Lötverbindung zwischen dieser Leitschicht und einem metallischen Leiterbändchen |
| DE3710190A1 (de) * | 1987-03-27 | 1988-10-13 | Licentia Gmbh | Verfahren zum aufbringen eines loetfaehigen leiterbahnenmusters |
| US4859036A (en) * | 1987-05-15 | 1989-08-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Device plate having conductive films selected to prevent pin-holes |
| DE4033430A1 (de) * | 1990-10-20 | 1992-04-23 | Licentia Gmbh | Verfahren zum herstellen eines lotmittelauftrags |
| DE4035362A1 (de) * | 1990-11-07 | 1992-05-14 | Licentia Gmbh | Verfahren zum herstellen einer fluessigkristall-anzeigevorrichtung |
| WO2001028726A1 (en) * | 1998-04-20 | 2001-04-26 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Solder coating material and production method therefor |
| US6347175B1 (en) | 1999-07-14 | 2002-02-12 | Corning Incorporated | Solderable thin film |
| US8163205B2 (en) * | 2008-08-12 | 2012-04-24 | The Boeing Company | Durable transparent conductors on polymeric substrates |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3749658A (en) * | 1970-01-02 | 1973-07-31 | Rca Corp | Method of fabricating transparent conductors |
| AT323249B (de) | 1972-07-03 | 1975-06-25 | Electrovac | Flüssigkristallzelle |
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