JPS5882548A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPS5882548A JPS5882548A JP56180377A JP18037781A JPS5882548A JP S5882548 A JPS5882548 A JP S5882548A JP 56180377 A JP56180377 A JP 56180377A JP 18037781 A JP18037781 A JP 18037781A JP S5882548 A JPS5882548 A JP S5882548A
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- Japan
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- resin
- epoxy resin
- epoxy
- semiconductor device
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/40—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials
- H10W74/47—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials comprising organic materials, e.g. plastics or resins
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はエポキシ樹脂組成物の硬化物６；よって封止さ
れた高信頼性の樹脂封止蓋半導体装置に関する。
れた高信頼性の樹脂封止蓋半導体装置に関する。
エポキシ樹脂は電気特性１機械特性、耐薬品性などが優
れている丸め信頼性の高い電気絶縁材料として半導体装
置の財止−二広く用いられている。
れている丸め信頼性の高い電気絶縁材料として半導体装
置の財止−二広く用いられている。
最近では従来のセフでックスを用い九ハーメチック対止
櫨二かわって、はとんどの半導体装置たとえば集積回路
、大規模集積回路！ トランジスタ置 ダイオードなど
が低圧成形用のエポキシ樹脂組成物を用いて封止されて
いる・ 半導体封止用エポキシ樹脂組成物としては、信頼性、成
形性などの点を考慮してエポキシ樹脂。
櫨二かわって、はとんどの半導体装置たとえば集積回路
、大規模集積回路！ トランジスタ置 ダイオードなど
が低圧成形用のエポキシ樹脂組成物を用いて封止されて
いる・ 半導体封止用エポキシ樹脂組成物としては、信頼性、成
形性などの点を考慮してエポキシ樹脂。
ノボラック蓋フェノール樹脂硬化剤、イイダゾール硬化
促進剤から成るエポキシ樹脂組成物が広く用いられてい
る。
促進剤から成るエポキシ樹脂組成物が広く用いられてい
る。
しかし従来のエポキシ封止樹脂を用い、トランスファ成
形して得られる樹脂封止蓋半導体装置は次のような欠点
があつ九。
形して得られる樹脂封止蓋半導体装置は次のような欠点
があつ九。
（１） 樹脂封止型半導体装置（：要求される信頼性
のレベルの高さ４二較べ耐湿性が劣ること（２） 樹
脂封止蓋半導体装置６＝要求される信頼性のレベ１ルの
高さ１；較べ高温時の電気特性が劣ること 上記耐湿性櫨二ついて説明すると、樹脂封止型半導体装
置は高温高湿雰Ｈ気下で使用または保存することがある
ので、そのような条件（：おいても信頼性を保証しなけ
ればならない。耐湿性の品質保証のための評価試験とし
ては、８５℃または１２０℃の飽和水蒸気中Ｃ二暴露す
る加速評価法が行なわれており、最近では電圧を印加し
て更−二加速性を高めたバイアス印加型の評価試験も実
施されている。
のレベルの高さ４二較べ耐湿性が劣ること（２） 樹
脂封止蓋半導体装置６＝要求される信頼性のレベ１ルの
高さ１；較べ高温時の電気特性が劣ること 上記耐湿性櫨二ついて説明すると、樹脂封止型半導体装
置は高温高湿雰Ｈ気下で使用または保存することがある
ので、そのような条件（：おいても信頼性を保証しなけ
ればならない。耐湿性の品質保証のための評価試験とし
ては、８５℃または１２０℃の飽和水蒸気中Ｃ二暴露す
る加速評価法が行なわれており、最近では電圧を印加し
て更−二加速性を高めたバイアス印加型の評価試験も実
施されている。
しかし封止したエポキシ樹脂組成物の硬化物は吸湿性が
あるため、このような高温高温状態下では外部から水分
が封止樹脂硬化物層を通って内部Ｃ二浸透し、または封
止樹脂とリードフレームとの界面を通って内部Ｃ二人９
、半導体素子の表面にまで到達する。この水分と封止樹
脂中Ｃ二存在している不純物イオンなどの作用の結果と
して、樹脂封止型半導体装置は絶縁性の低下、リーク電
流の増加、アルミニウム電極、配線などの腐食を主体と
した不良を発生する。またバイアス電圧を印加した場合
（二はその電気化学的作用（：よってアル電ニウム電極
、配線の腐食Ｃ；よる不良が％Ｃ；著しく多発する。
あるため、このような高温高温状態下では外部から水分
が封止樹脂硬化物層を通って内部Ｃ二浸透し、または封
止樹脂とリードフレームとの界面を通って内部Ｃ二人９
、半導体素子の表面にまで到達する。この水分と封止樹
脂中Ｃ二存在している不純物イオンなどの作用の結果と
して、樹脂封止型半導体装置は絶縁性の低下、リーク電
流の増加、アルミニウム電極、配線などの腐食を主体と
した不良を発生する。またバイアス電圧を印加した場合
（二はその電気化学的作用（：よってアル電ニウム電極
、配線の腐食Ｃ；よる不良が％Ｃ；著しく多発する。
従来の樹脂封止−半導体装置は上記耐湿性に関し充分舊
：満足できるものではなく、耐湿性の向上が求められて
いた。
：満足できるものではなく、耐湿性の向上が求められて
いた。
次１：高温時の電気特性（＝ついて説明すると、樹脂封
止型半導体装置は高温条件下で使用することがあるので
、そのような条件１二おいても信頼性を保証しなければ
ならない。そのための評価試験としては８０℃〜１５０
℃でバイアス電圧を印加して信頼性を評価する加速試験
が一般的である。
止型半導体装置は高温条件下で使用することがあるので
、そのような条件１二おいても信頼性を保証しなければ
ならない。そのための評価試験としては８０℃〜１５０
℃でバイアス電圧を印加して信頼性を評価する加速試験
が一般的である。
このような試験において表面が鋭敏なＭＯ８構造をもつ
素子中道バイアスが印加され九ＰＮ接合をもつ素子ａ；
特（二著しく多弗する不良として、チャンネリング（；
よるリーク電流の増加する現象があることはよく知られ
ている・この現象は電圧が印加され九素子の表面−二接
している樹脂層（＝電界が作用することＣ二よって発生
すると考えられている。
素子中道バイアスが印加され九ＰＮ接合をもつ素子ａ；
特（二著しく多弗する不良として、チャンネリング（；
よるリーク電流の増加する現象があることはよく知られ
ている・この現象は電圧が印加され九素子の表面−二接
している樹脂層（＝電界が作用することＣ二よって発生
すると考えられている。
従来の樹脂封止蓋半導体装置は上記高温時の電気特性感
−関し充分６二満足できるものではなく改良が求められ
ていえ。
−関し充分６二満足できるものではなく改良が求められ
ていえ。
本発明の目的はこのような従来の樹脂封止蓋半導体装置
の欠点を改良し、優れた耐湿性と高温電気特性を有する
エポキシ樹脂組成物６二よって封止され九信頼性の高い
樹脂封止型半導体装置を提供することにある。
の欠点を改良し、優れた耐湿性と高温電気特性を有する
エポキシ樹脂組成物６二よって封止され九信頼性の高い
樹脂封止型半導体装置を提供することにある。
上記目的を達成すべく、本発明者らが鋭意研究を重ねた
結果、硬化促進剤などが上記難点を形成する主要因であ
ることを解明し、更−二次１；示すエポキシ樹脂組成物
が、半導体封止用樹脂として従来のもの（二較べ、優れ
た耐湿性と高温電気特性有することを見出し、これを用
いること１＝よって従来のものに較べ、耐湿性や高温電
気特性などの信頼性に優れた樹脂封止型半導体装置が得
られることを見出し九〇 すなわち本発明は （ａ） エポキシ当量１７０〜３００のノボラック型
エポキシ樹脂 伽） ノボラック型フェノール樹脂 （Ｃ）有機ホスフィン化合物 および （ｄ） 無機リン酸化合物 を必須成分とするエポキシ樹脂組成物の硬化物（二上っ
て半導体装置が封止されて成ることを特徴とする樹脂封
止蓋半導体装置であるＬ 本発明Ｃ；おいて用いられるエポキシ樹脂は、エポキシ
当量１７Ｇ−１００の）ｌ′ラック蓋エポキシ樹脂であ
って、たとえばフェノールノボラック型エポキシ樹脂、
タレゾールノボラック型エポキシ樹脂。
結果、硬化促進剤などが上記難点を形成する主要因であ
ることを解明し、更−二次１；示すエポキシ樹脂組成物
が、半導体封止用樹脂として従来のもの（二較べ、優れ
た耐湿性と高温電気特性有することを見出し、これを用
いること１＝よって従来のものに較べ、耐湿性や高温電
気特性などの信頼性に優れた樹脂封止型半導体装置が得
られることを見出し九〇 すなわち本発明は （ａ） エポキシ当量１７０〜３００のノボラック型
エポキシ樹脂 伽） ノボラック型フェノール樹脂 （Ｃ）有機ホスフィン化合物 および （ｄ） 無機リン酸化合物 を必須成分とするエポキシ樹脂組成物の硬化物（二上っ
て半導体装置が封止されて成ることを特徴とする樹脂封
止蓋半導体装置であるＬ 本発明Ｃ；おいて用いられるエポキシ樹脂は、エポキシ
当量１７Ｇ−１００の）ｌ′ラック蓋エポキシ樹脂であ
って、たとえばフェノールノボラック型エポキシ樹脂、
タレゾールノボラック型エポキシ樹脂。
ハｐゲン化フェノールノボラック型エポキシ樹脂などで
ある。これらエポキシ樹脂は１ｍもしくは２種以上の混
合系で用いてもよい。上記以外のエポキシ樹脂層とえば
ビスフェノール人型エポキシ樹脂など一般のグリシジル
エーテル型エポキシｌ／Ｍ脂、グリシジルエステル型エ
ポキシ樹脂、グリシシルア電ン型エポキシ樹脂書線状脂
肪族エポキシ樹脂、脂環式エボ命シ樹脂、複素環型エポ
キシ樹脂、ハａゲン化エポ中シ樹脂などは、上記エポキ
シ蟲１１７←３００のノボラック型エポキシ樹脂に併用
し丸場合（二値用することができる０配合量はノボラツ
ク蓋エポキシ樹脂−一対し５０重量−以下が好ましい・
ま九これらエポキシ樹脂は塩素イオンの含有量が１０ｐ
ｐｍ以下、加水分解性塩素の含有量が０．１重量−以下
のものが望ましい。
ある。これらエポキシ樹脂は１ｍもしくは２種以上の混
合系で用いてもよい。上記以外のエポキシ樹脂層とえば
ビスフェノール人型エポキシ樹脂など一般のグリシジル
エーテル型エポキシｌ／Ｍ脂、グリシジルエステル型エ
ポキシ樹脂、グリシシルア電ン型エポキシ樹脂書線状脂
肪族エポキシ樹脂、脂環式エボ命シ樹脂、複素環型エポ
キシ樹脂、ハａゲン化エポ中シ樹脂などは、上記エポキ
シ蟲１１７←３００のノボラック型エポキシ樹脂に併用
し丸場合（二値用することができる０配合量はノボラツ
ク蓋エポキシ樹脂−一対し５０重量−以下が好ましい・
ま九これらエポキシ樹脂は塩素イオンの含有量が１０ｐ
ｐｍ以下、加水分解性塩素の含有量が０．１重量−以下
のものが望ましい。
本発明において用いられるノボラック臘フェノール樹脂
硬化剤としてはフェノールノボラック樹脂、クレゾール
ノボラック樹脂、 ｔａｒｔ−ブチルフェノールノボ
ラック樹脂、ノニルフェノールノボが好ましく、更嘔＝
常温６二おける水（：可溶性のフェノール樹脂成分が３
−以下であることが好ましい・しかしてこれらの硬化剤
は１種もしくは２種以上の混合系で使用することができ
る・ エポキシ樹脂と硬化剤の配合比６；ついては、）ｌラッ
ク型フェノール樹脂のフェノール性水酸基の数とエポキ
シ樹脂のエポキシ基の数の比がαｂ〜１．５の範囲内Ｃ
二あるように配合することが好ましい。その理由は０．
６未満あるいは１ｓを超えると反応が充分弧二おｌ）ｌ
：、＜＜な）、硬化物の特性が劣化しやすいためである
０ 本発明１二おいて硬化促進剤として４１１仁用いられる
有機ホスフイソ化合物としては、式：において４〜＆Ｓ
がすべて有機基である第３ホスフィ／化合物、凰、のみ
水素ｔある第２ホスフィン化合物、”Ｍ＊−がともＩ：
水素である＄１ホスフィン化合物がある。具体的にはト
リフェニルホスフィンｔ トリブチルホスフィン−トリ
シクロへキシルホスフィン、メチルジフェニルホスフィ
ン、ブチルフェニルホスフィン、ジフェニルホスフィン
。
硬化剤としてはフェノールノボラック樹脂、クレゾール
ノボラック樹脂、 ｔａｒｔ−ブチルフェノールノボ
ラック樹脂、ノニルフェノールノボが好ましく、更嘔＝
常温６二おける水（：可溶性のフェノール樹脂成分が３
−以下であることが好ましい・しかしてこれらの硬化剤
は１種もしくは２種以上の混合系で使用することができ
る・ エポキシ樹脂と硬化剤の配合比６；ついては、）ｌラッ
ク型フェノール樹脂のフェノール性水酸基の数とエポキ
シ樹脂のエポキシ基の数の比がαｂ〜１．５の範囲内Ｃ
二あるように配合することが好ましい。その理由は０．
６未満あるいは１ｓを超えると反応が充分弧二おｌ）ｌ
：、＜＜な）、硬化物の特性が劣化しやすいためである
０ 本発明１二おいて硬化促進剤として４１１仁用いられる
有機ホスフイソ化合物としては、式：において４〜＆Ｓ
がすべて有機基である第３ホスフィ／化合物、凰、のみ
水素ｔある第２ホスフィン化合物、”Ｍ＊−がともＩ：
水素である＄１ホスフィン化合物がある。具体的にはト
リフェニルホスフィンｔ トリブチルホスフィン−トリ
シクロへキシルホスフィン、メチルジフェニルホスフィ
ン、ブチルフェニルホスフィン、ジフェニルホスフィン
。
フェニルホスフィン、オクチルホスフィンなどｔある・
を九−が有機本スフィンを含む有機基であってもよい。
を九−が有機本スフィンを含む有機基であってもよい。
九とえば１，２−ビｘ （ジフェニルホスフィノ）エタ
ン、ビス（ジフェニルホスフィノ）メタンなどである。
ン、ビス（ジフェニルホスフィノ）メタンなどである。
これらの中で４７リ一ルホスフイン化合物が好ましく、
特にトリフェニルホスフィンなどのトリアリールホスフ
ィンが最も好會しい・またこれらの有機ホスフィン化合
物は１種もしくは２種以上の混合係で用いてもよい。し
かしてこの有機ホスフィン化合物の組成比は一般に樹脂
分（エポキシ樹脂と硬化剤）の０．０１〜２０重量−の
範囲内でよいが特に好ましい特性はａ０１〜６重量％の
範囲内で得られる。
特にトリフェニルホスフィンなどのトリアリールホスフ
ィンが最も好會しい・またこれらの有機ホスフィン化合
物は１種もしくは２種以上の混合係で用いてもよい。し
かしてこの有機ホスフィン化合物の組成比は一般に樹脂
分（エポキシ樹脂と硬化剤）の０．０１〜２０重量−の
範囲内でよいが特に好ましい特性はａ０１〜６重量％の
範囲内で得られる。
本発明（＝おいて用いられる無機リン酸化合物としては
、オルトリン酸、亜すン酸２次亜リン酸。
、オルトリン酸、亜すン酸２次亜リン酸。
１分子中（＝２個以上のリン原子を有するポリリン酸、
メタリン酸及びこれらの無機リン酸の金属塩。
メタリン酸及びこれらの無機リン酸の金属塩。
アンモニウム塩などの塩類、を九五酸化リン等の酸化リ
ンを挙げることができる。
ンを挙げることができる。
無機リン酸の塩、類としては、オルトリン酸（ＨａＰＯ
，）、亜リン酸（Ｈ，ＰＯ，） 、一般式Ｈｎ＋ｘ Ｐ
ｎＯｓｎ＋ｓ（ｎ≧２）で示されるポリリン酸を一般式
（ＨＰＯＪｎ（ｎ≧３）で示されるメタリン酸等の無機
リン酸の水素の一部または全部、が亜鉛、マンガン、鉄
、スズ、鉛、アルミニウム、クロム、アルカリ土類金属
、アルカリ金属などの金属によって置換され友金属塩、
アンモニウム（二よって置換されたアンモニウム塩など
を用いることができる。
，）、亜リン酸（Ｈ，ＰＯ，） 、一般式Ｈｎ＋ｘ Ｐ
ｎＯｓｎ＋ｓ（ｎ≧２）で示されるポリリン酸を一般式
（ＨＰＯＪｎ（ｎ≧３）で示されるメタリン酸等の無機
リン酸の水素の一部または全部、が亜鉛、マンガン、鉄
、スズ、鉛、アルミニウム、クロム、アルカリ土類金属
、アルカリ金属などの金属によって置換され友金属塩、
アンモニウム（二よって置換されたアンモニウム塩など
を用いることができる。
具体的ｉ二例示すると、リン酸塩として捻例えばリン酸
亜鈴−リン酸マンガン管 リン酸鉄−リン酸スズ書 リ
ン酸鉛、すｙ酸アル建ニウム、リン酸クロム、 １７
ン酸マダネシウム、リン酸カルシウム。
亜鈴−リン酸マンガン管 リン酸鉄−リン酸スズ書 リ
ン酸鉛、すｙ酸アル建ニウム、リン酸クロム、 １７
ン酸マダネシウム、リン酸カルシウム。
リン酸バリウム、リン酸ナトリウム、リン酸カリウム−
リン酸アン毫ニウムなどの第一リン酸塩。
リン酸アン毫ニウムなどの第一リン酸塩。
第二リン酸塩、第＝リン酸塩、およびボＩＪ ＩＪン酸
ＩＬＩＩＩ＃ポリリン駿カルシウム？ポリリン酸鉄ｐ
ポリリン酸スズ、ポリリン酸水素ナトリウム、ポリリン
酸水素カリウム、メタリン酸水素亜鉛、メタリン酸鉄、
メタンリン酸スズ、メタリン酸カルシウム９メタリン酸
アル電ニウム、メタリン酸カリウム、ポリリン酸アン４
ニウム、メタリン酸アンモニウムなどが挙げられる・こ
れらの無機リン酸化合物は樹脂成分４二対し、０００１
〜１０重量憂の範囲内で用いることが好ましい・ 不発ｌ！ｌＨ＝おいて必要（一応じて用いられる無機質
充てん剤としては、石英ガラス肴末、結晶性シリカ粉末
、ガラス繊維、タルク、アルζす粉末、ケイ酸カルシウ
ム粉末、炭酸カルシウム粉末、硫酸バリウム粉末、マグ
ネシア粉末などであるが、これらの中で石英ガラス粉末
や、結晶性シリカ粉末が、高純度と低熱膨張係数の点で
最も好ましい。
ＩＬＩＩＩ＃ポリリン駿カルシウム？ポリリン酸鉄ｐ
ポリリン酸スズ、ポリリン酸水素ナトリウム、ポリリン
酸水素カリウム、メタリン酸水素亜鉛、メタリン酸鉄、
メタンリン酸スズ、メタリン酸カルシウム９メタリン酸
アル電ニウム、メタリン酸カリウム、ポリリン酸アン４
ニウム、メタリン酸アンモニウムなどが挙げられる・こ
れらの無機リン酸化合物は樹脂成分４二対し、０００１
〜１０重量憂の範囲内で用いることが好ましい・ 不発ｌ！ｌＨ＝おいて必要（一応じて用いられる無機質
充てん剤としては、石英ガラス肴末、結晶性シリカ粉末
、ガラス繊維、タルク、アルζす粉末、ケイ酸カルシウ
ム粉末、炭酸カルシウム粉末、硫酸バリウム粉末、マグ
ネシア粉末などであるが、これらの中で石英ガラス粉末
や、結晶性シリカ粉末が、高純度と低熱膨張係数の点で
最も好ましい。
しかしてこれら無機質充てん剤の配合量はエポキシ樹脂
、フェノール樹脂硬化剤および無機質充てん剤の種類に
よっても異るが、たとえばトランスファ成形に用いる場
合Ｃ二はエポキシ樹脂とフェノール樹脂硬化剤の総量龜
ユ対し重量比で１．５倍〜４倍程度でよい。無機質充て
ん剤の粒度分゛布については、粗い粒子と細い粒子を組
み合せて分布を均−Ｉ：することによって成形性を改轡
することができる。
、フェノール樹脂硬化剤および無機質充てん剤の種類に
よっても異るが、たとえばトランスファ成形に用いる場
合Ｃ二はエポキシ樹脂とフェノール樹脂硬化剤の総量龜
ユ対し重量比で１．５倍〜４倍程度でよい。無機質充て
ん剤の粒度分゛布については、粗い粒子と細い粒子を組
み合せて分布を均−Ｉ：することによって成形性を改轡
することができる。
本発明Ｃ；係るエポキシ樹脂組成物は必要Ｃ：応じて、
例えば天然ワックス類、合成ワックス類、直鎖脂肪酸の
金属塩、酸アミド類、エステル類本しくけパラフィン類
などの離型剤、塩素化パラフィン、ブロムトルエン、ヘ
−キサブロムベンゼン、三酸化アンチモンなどの離燃剤
、カーボンブラックなどの着色剤、シランカップリング
剤などを適宜添加配合しても差しつかえない。
例えば天然ワックス類、合成ワックス類、直鎖脂肪酸の
金属塩、酸アミド類、エステル類本しくけパラフィン類
などの離型剤、塩素化パラフィン、ブロムトルエン、ヘ
−キサブロムベンゼン、三酸化アンチモンなどの離燃剤
、カーボンブラックなどの着色剤、シランカップリング
剤などを適宜添加配合しても差しつかえない。
本発明礁；係るエポキシ樹脂組成物を成形材料として調
製する場合の一般的な方法としては、所定の組成比に選
んだ原料組成分−を例えば電キサ−６＝よって充分混合
後、さｂ（：熱ロールによる溶融混合処理、を九はニー
ダ−など（：よる混合処理を加えることによ）容易（；
エポキシ樹脂成形材料を得ることができる。
製する場合の一般的な方法としては、所定の組成比に選
んだ原料組成分−を例えば電キサ−６＝よって充分混合
後、さｂ（：熱ロールによる溶融混合処理、を九はニー
ダ−など（：よる混合処理を加えることによ）容易（；
エポキシ樹脂成形材料を得ることができる。
本発明の樹脂封止蓋半導体装置は上記エポキシ樹脂組成
物または成形材料を用いて半導体装置を封止すること６
二より容易（二製造することができる。
物または成形材料を用いて半導体装置を封止すること６
二より容易（二製造することができる。
封止の最も一般的な方法としては低圧トランスファ成形
法があるが、イ／ジエクシｌン成形、圧縮成形注ｌｌな
ど４：よる両正も可能である。特殊な封止法としては溶
剤型あるいは非溶剤量の組成物を用いて牛導体表面を被
覆する封止法や、いわゆるジャンタシ冒ンコーティング
としての局部的な封止の用途にも用いることができる。
法があるが、イ／ジエクシｌン成形、圧縮成形注ｌｌな
ど４：よる両正も可能である。特殊な封止法としては溶
剤型あるいは非溶剤量の組成物を用いて牛導体表面を被
覆する封止法や、いわゆるジャンタシ冒ンコーティング
としての局部的な封止の用途にも用いることができる。
エポキシ樹脂組成物を九は成形材料は封止の際６二加熱
して硬化させ、最終的にはこの組成物ま九は成１１＃料
の硬化物ｉ二よって封止された樹脂封止型半導体装置を
得条ことができる。硬化−一際しては１５０℃以上Ｃ：
加熱することが望ましい０本発明でいう半導体装置とは
集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ
、ダイオードなどであって特Ｃ；限定されるものではな
い。
して硬化させ、最終的にはこの組成物ま九は成１１＃料
の硬化物ｉ二よって封止された樹脂封止型半導体装置を
得条ことができる。硬化−一際しては１５０℃以上Ｃ：
加熱することが望ましい０本発明でいう半導体装置とは
集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ
、ダイオードなどであって特Ｃ；限定されるものではな
い。
次１：本発明の詳細な説明する。
実施例１〜４
エポキシ当量２２０のクレゾールノボラック蓋エポキシ
樹脂（エポキシ樹脂ム）、エポキシ当量２９０の臭素化
エポキシノボラック樹脂（エポキシ樹脂Ｂ）、分子量８
００のフェノールノボラック樹脂硬化剤、 ）リフェ
ニルホスフィン、Ｉｓ−リン酸亜鉛、第三リン酸ア／モ
ニウム、メタリン酸、ポリリン酸カルシウム、２−ヘプ
タデシルイ建メゾール１石英ガラス粉末、三酸化アンチ
モンク カルナバワックス、カーボンブラック、シラン
カップリング剤（ｒ−グリシドキシプロビルトリメトキ
シシラン）をｓ１表１：示す組成比（重量部）Ｃ二速び
、各組成物をζ中葉−Ｃ；よる混合、加熱ロールＣ＝よ
る混線を行うとと（二よって、比較例を含め８種のトラ
ンスファ成形材料を調製した。
樹脂（エポキシ樹脂ム）、エポキシ当量２９０の臭素化
エポキシノボラック樹脂（エポキシ樹脂Ｂ）、分子量８
００のフェノールノボラック樹脂硬化剤、 ）リフェ
ニルホスフィン、Ｉｓ−リン酸亜鉛、第三リン酸ア／モ
ニウム、メタリン酸、ポリリン酸カルシウム、２−ヘプ
タデシルイ建メゾール１石英ガラス粉末、三酸化アンチ
モンク カルナバワックス、カーボンブラック、シラン
カップリング剤（ｒ−グリシドキシプロビルトリメトキ
シシラン）をｓ１表１：示す組成比（重量部）Ｃ二速び
、各組成物をζ中葉−Ｃ；よる混合、加熱ロールＣ＝よ
る混線を行うとと（二よって、比較例を含め８種のトラ
ンスファ成形材料を調製した。
このようにして、得え成形材料を用いてトランスファ成
形すること舊；よ）、Ｍｏａ蓋集積回路を樹脂封止し九
＠封止は＾周波予熱器で９０’Ｃ４二加熱し九成形材料
を１７！Ｓ℃で２分間モールドし、更（：、１８０℃で
３時間アフタ命エアすることＣ二よ）行った〇比較例４
は硬化速度が遅くて成形できなかつ九。
形すること舊；よ）、Ｍｏａ蓋集積回路を樹脂封止し九
＠封止は＾周波予熱器で９０’Ｃ４二加熱し九成形材料
を１７！Ｓ℃で２分間モールドし、更（：、１８０℃で
３時間アフタ命エアすることＣ二よ）行った〇比較例４
は硬化速度が遅くて成形できなかつ九。
上記樹脂封止蓋半導体装置台１００ ＠ （二ついて次
の試験を行つ九・ （１） １２０℃、２気圧の水蒸気中でＩＯＶ印加し
てアル１−ラム配線の腐食による断線不良を調べる耐湿
試験（バイアスＰＣ？ ）を行い、その結果を第３表６
；示し九。
の試験を行つ九・ （１） １２０℃、２気圧の水蒸気中でＩＯＶ印加し
てアル１−ラム配線の腐食による断線不良を調べる耐湿
試験（バイアスＰＣ？ ）を行い、その結果を第３表６
；示し九。
（２） １００℃のオープン中でオフ竜ットグートＭ
０８ＦＭ？回路にドレイン電圧ｓｖ、オフセットグーＦ
電圧Ｂｙを印加して電気特性の劣化（＝よるリーク電流
不良を調べる試験（Ｍｏ１−ＢＴ試験）を行い、リーク
電流が初期値の１００倍以上Ｃ二増加し九場合を不良と
判定してその結果を第３表６＝示し丸。
０８ＦＭ？回路にドレイン電圧ｓｖ、オフセットグーＦ
電圧Ｂｙを印加して電気特性の劣化（＝よるリーク電流
不良を調べる試験（Ｍｏ１−ＢＴ試験）を行い、リーク
電流が初期値の１００倍以上Ｃ二増加し九場合を不良と
判定してその結果を第３表６＝示し丸。
第１表
第２表
以上の結果から明らかなよう（一本発明（＝よって高信
頼性の樹脂封止型半導体装置が得られる。
頼性の樹脂封止型半導体装置が得られる。
代理人弁理士 則近憲佑（はが１名）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １（ａ） エポキシ当量１７０〜３０Ｇのノボラック
型エポキシ樹脂 （ｂ） ノボラック型フェノール樹脂（Ｃ） 有機
ホスフィン化合物 および（ｄ） 無機リン酸化合
物 を必須成分とするエポキシ樹脂組成物の硬化物によって
半導体装置が封止されて成ることを特徴とする樹脂封止
型半導体装置。 ２ エポキシ樹脂組成物がさらＣ二無機質充てん剤を含
有することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の樹
脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56180377A JPS5882548A (ja) | 1981-11-12 | 1981-11-12 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56180377A JPS5882548A (ja) | 1981-11-12 | 1981-11-12 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5882548A true JPS5882548A (ja) | 1983-05-18 |
Family
ID=16082170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56180377A Pending JPS5882548A (ja) | 1981-11-12 | 1981-11-12 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5882548A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5331080A (en) * | 1992-04-02 | 1994-07-19 | Ppg Industries, Inc. | Epoxide-phosphorous acid-containing reaction products and their use in coating compositions |
| JP2007191649A (ja) * | 2006-01-20 | 2007-08-02 | Matsushita Electric Works Ltd | 難燃性樹脂組成物とその製造方法並びに成形硬化体、封止体 |
-
1981
- 1981-11-12 JP JP56180377A patent/JPS5882548A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5331080A (en) * | 1992-04-02 | 1994-07-19 | Ppg Industries, Inc. | Epoxide-phosphorous acid-containing reaction products and their use in coating compositions |
| JP2007191649A (ja) * | 2006-01-20 | 2007-08-02 | Matsushita Electric Works Ltd | 難燃性樹脂組成物とその製造方法並びに成形硬化体、封止体 |
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