JPS5884130A - ガラス溶融炉およびその作動方法 - Google Patents
ガラス溶融炉およびその作動方法Info
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- C03B5/16—Special features of the melting process; Auxiliary means specially adapted for glass-melting furnaces
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この兄明は、ガラス溶融炉に関する。より詳しくは、こ
の発明は、縦型のガラス溶融炉のバッチ中の所定位置に
電極他の装置を挿入しようとするものである。
の発明は、縦型のガラス溶融炉のバッチ中の所定位置に
電極他の装置を挿入しようとするものである。
電気的なガラス溶融炉においては、電極は、電力源と組
合されて、溶融ガラス槽中に配置される。電気エネルギ
ーが、電極間を流れ、エネルギーは溶融ガラス中でジュ
ール熱となって槽に沈澱し浮遊しているガラスを形成す
るバッチ物質を溶融する。この電極は、従来の炉では壁
部に設けた開孔がら挿入されるが、刊−ルトリラウン電
気溶融炉におけるように浮遊しているバッチの上方から
がこれを貫通して溶−ガラスと接触するように直接配置
されるかする。
合されて、溶融ガラス槽中に配置される。電気エネルギ
ーが、電極間を流れ、エネルギーは溶融ガラス中でジュ
ール熱となって槽に沈澱し浮遊しているガラスを形成す
るバッチ物質を溶融する。この電極は、従来の炉では壁
部に設けた開孔がら挿入されるが、刊−ルトリラウン電
気溶融炉におけるように浮遊しているバッチの上方から
がこれを貫通して溶−ガラスと接触するように直接配置
されるかする。
コールドクラウン縦型炉の大きな特徴は、例えば10〜
15ftという比較的大きな深さにある。この深さは、
特定の対流パターンの形成に必要である。対流パターン
の例とじては、炉の上方2/3を移動する、以下に活動
鎖酸と呼ぶ部分と、以下に不活動領破と呼ぶ炉の下方1
/3の部分とがある。このような構成により、炉に高溶
融速度の高品質ガラスを製造する能力が与えられる。こ
の発明は比較的浅い炉の使用を可能にするものである。
15ftという比較的大きな深さにある。この深さは、
特定の対流パターンの形成に必要である。対流パターン
の例とじては、炉の上方2/3を移動する、以下に活動
鎖酸と呼ぶ部分と、以下に不活動領破と呼ぶ炉の下方1
/3の部分とがある。このような構成により、炉に高溶
融速度の高品質ガラスを製造する能力が与えられる。こ
の発明は比較的浅い炉の使用を可能にするものである。
通常の縦型炉においては、電極は、バッチブランケット
付近の壁の上方に配置される。
付近の壁の上方に配置される。
壁付近への電力供給は、炉の壁部分に最も高熱のスポッ
トを生ぜしめる。その結果、炉の腐食が早くなり耐久性
が縮まる。
トを生ぜしめる。その結果、炉の腐食が早くなり耐久性
が縮まる。
従来の縦型炉における他の問題は、電極の受ける島度の
腐食と耐久性の短かさである。
腐食と耐久性の短かさである。
電極は、炉の側壁から水平に突出し、電流の流れに直角
な側面を持つ3本の棒からなる。
な側面を持つ3本の棒からなる。
従って腐食は、電極のチップに集中する。
従来の炉では、炉の深さは、直径が大きくなるとさらに
太きくしなければならない。これは、壁に近い部分で消
費される電力のためであり、炉の中心はより低温となり
、不活動埴域の厚さを減じさせる強い下方への対流が生
じるためである。
太きくしなければならない。これは、壁に近い部分で消
費される電力のためであり、炉の中心はより低温となり
、不活動埴域の厚さを減じさせる強い下方への対流が生
じるためである。
一般にバッチ内に配置される’li1極は、炉の上面の
バッチブランケット内で半径方向および垂直方向に調節
可能であるという利点を廟している。この調節可能性は
、特定の出力に対する炉の性能を最適なものとすること
が出来る。
バッチブランケット内で半径方向および垂直方向に調節
可能であるという利点を廟している。この調節可能性は
、特定の出力に対する炉の性能を最適なものとすること
が出来る。
バッチ電極は、炉の側壁の開孔から突出する電極よりも
より容易に交換が可能である。
より容易に交換が可能である。
結果として、炉はより信頼性の尚いものとなる。またバ
ッチ電極棒は、現在炉内に垂直に配置されている。電流
が棒の側方に均一に配分されることにより、電極の腐食
は最小となり、耐久性も増加する。
ッチ電極棒は、現在炉内に垂直に配置されている。電流
が棒の側方に均一に配分されることにより、電極の腐食
は最小となり、耐久性も増加する。
バッチ電極の位置は、多種多様に選択出来る。一般にこ
れらの位置は、電極からの電流の対称性が維持出来る電
気的な位相により定まる。電気的な配置と放電の対称性
は、1賛なことであり、浴融効率に都合良く作用し炉の
耐久性を延ばすものであることがわがっている。
れらの位置は、電極からの電流の対称性が維持出来る電
気的な位相により定まる。電気的な配置と放電の対称性
は、1賛なことであり、浴融効率に都合良く作用し炉の
耐久性を延ばすものであることがわがっている。
多くのガラス溶融炉では、モリブデンが好ましい′f!
Lm物質として用いられている。しかしなからモリブデ
ンは、約50’ O’C,という比較的低い酸化温度を
有しているので、ガラス形成バッチ中の酸素および(あ
るいは)他の腐食物質との接触から生ずる劣化防止のた
めに複雑な保護装置が必要となる。このような装置とし
ては、電極を包囲する水冷のステンレス筒や特別製のガ
ラス接触の耐熱筒がある。
Lm物質として用いられている。しかしなからモリブデ
ンは、約50’ O’C,という比較的低い酸化温度を
有しているので、ガラス形成バッチ中の酸素および(あ
るいは)他の腐食物質との接触から生ずる劣化防止のた
めに複雑な保護装置が必要となる。このような装置とし
ては、電極を包囲する水冷のステンレス筒や特別製のガ
ラス接触の耐熱筒がある。
これらの装置は高価であり耐久性に幾分か欠けるところ
がある。例えば、水による冷却はガラス浴融のために必
要なエネルギーを吸収し、浴−効率とガラスの品質に対
して有害である。保護装置は、重くなりがちであり邪魔
であり、′RLmの機能を損うものである。ガラスの品
質はまた、保護装置を形成する物質とガラスの混合の影
響を受け、前記物質はいつかは腐食し、炉中でガラスと
混合されることになる。
がある。例えば、水による冷却はガラス浴融のために必
要なエネルギーを吸収し、浴−効率とガラスの品質に対
して有害である。保護装置は、重くなりがちであり邪魔
であり、′RLmの機能を損うものである。ガラスの品
質はまた、保護装置を形成する物質とガラスの混合の影
響を受け、前記物質はいつかは腐食し、炉中でガラスと
混合されることになる。
この発明の好ましい実施例は、熱可塑性物質の浴中にモ
リブデン電極棒を直接浸漬する比較的安価で耐久性のあ
るシステムを示すものである。モリブデン電極棒は、複
雑な周縁物質を使用することなく酸化から保護される。
リブデン電極棒を直接浸漬する比較的安価で耐久性のあ
るシステムを示すものである。モリブデン電極棒は、複
雑な周縁物質を使用することなく酸化から保護される。
開示されるシステムは、冷却の必要が無く、エネルギー
の利用効率が高い。さらにモリブデン電極棒は、比較的
簡単なボルダ−に支持されるので、調節と交換が容易で
ある。
の利用効率が高い。さらにモリブデン電極棒は、比較的
簡単なボルダ−に支持されるので、調節と交換が容易で
ある。
この発明はまた、例えば攪拌装置、酸素センサーおよび
サーモカップルの如き溶融ガラス槽中に直接浸漬される
他の装置にも適用可能である。また他の酸化性のある物
質(タングステン、レニウム、コロンビウム等)モ、そ
の酸化可能性のある部分が、この発明において設定され
るのと同様に保護されるのであれば、使用を考えること
が出来る。しがしながら説明を簡単にするために、その
対象は、主としてモリブデン電極棒極に関してのこの発
明の効果についてのものとなる。しかしながら、上述し
た他の変形例もこの発明の対にの一部となる。
サーモカップルの如き溶融ガラス槽中に直接浸漬される
他の装置にも適用可能である。また他の酸化性のある物
質(タングステン、レニウム、コロンビウム等)モ、そ
の酸化可能性のある部分が、この発明において設定され
るのと同様に保護されるのであれば、使用を考えること
が出来る。しがしながら説明を簡単にするために、その
対象は、主としてモリブデン電極棒極に関してのこの発
明の効果についてのものとなる。しかしながら、上述し
た他の変形例もこの発明の対にの一部となる。
この発明による方法および装置は、溶融ガラス浴を収容
する比較的浅い容器を形成する側壁部とに壁部を備えた
ガラス溶融炉を作動させるもので、炉は、浴中に直接挿
入される酸化性電極の少な(共一つのグループにより直
線、放電作用を受ける。この発明による方法は、電極の
各グループを幾何学的中心をもつ対称な周縁パターンと
なるように炉の所定位置に配置し、配置された電極の各
グループを前記中心から比較的均等な位置であって炉の
側壁から所定の最小間隔を少な(共保っように前記中心
に対して半径方向に調節する段階を有する。一つのグル
ープ中の各電極は、そのグループ中の各電極および他の
電極グループに対して対称的な電気的パターンをもって
放電し、炉中の電気エネルギーは、炉の側壁から離れて
集中子る。電極の数および炉の寸法は、ガラスの浴融お
よび精製か浴の土面より下方の比較的狭い帯域で行なわ
れるように選ばれる。
する比較的浅い容器を形成する側壁部とに壁部を備えた
ガラス溶融炉を作動させるもので、炉は、浴中に直接挿
入される酸化性電極の少な(共一つのグループにより直
線、放電作用を受ける。この発明による方法は、電極の
各グループを幾何学的中心をもつ対称な周縁パターンと
なるように炉の所定位置に配置し、配置された電極の各
グループを前記中心から比較的均等な位置であって炉の
側壁から所定の最小間隔を少な(共保っように前記中心
に対して半径方向に調節する段階を有する。一つのグル
ープ中の各電極は、そのグループ中の各電極および他の
電極グループに対して対称的な電気的パターンをもって
放電し、炉中の電気エネルギーは、炉の側壁から離れて
集中子る。電極の数および炉の寸法は、ガラスの浴融お
よび精製か浴の土面より下方の比較的狭い帯域で行なわ
れるように選ばれる。
また溶融ガラスの浴中に保護あるいはシールド装置を直
接挿入するようにする方法が説明される。この方法は、
所定の軸方向長さだけ浸漬レベルまで前記装置を溶融ガ
ラス浴中に浸漬し、前記長さ部分への溶融ガラスの付着
を許容し、下方の浸漬レベルより上方の所定の動作レベ
ルまで前記装置と付着ガラスを浴から引き上げ、酸化温
度を越えた電極の経験温度部分が、粘性の高い、部分的
に固体化したガラス層で被接されるようにする。
接挿入するようにする方法が説明される。この方法は、
所定の軸方向長さだけ浸漬レベルまで前記装置を溶融ガ
ラス浴中に浸漬し、前記長さ部分への溶融ガラスの付着
を許容し、下方の浸漬レベルより上方の所定の動作レベ
ルまで前記装置と付着ガラスを浴から引き上げ、酸化温
度を越えた電極の経験温度部分が、粘性の高い、部分的
に固体化したガラス層で被接されるようにする。
以下、添付の図面に示す実施例に従ってこの発明の方法
および装置を説明する。
および装置を説明する。
第1図は、簡単のため断面を示す斜線を省いたこの発明
による縦型ガラス溶融炉10の一実施例を示す側面構成
図である。炉10は好ましくは、幾何学的な中心Cと半
径R(第2図錠前)を有する多角形あるいは円形をなし
ている。炉10は、起立している側壁14と中心Cに排
出孔15を備える底壁1′Cと有する。炉10は、ガラ
ス12の如き浴融熱願塑性物質の浴を収容する。溶融ガ
ラス12の浴は、上面18を有し、その上に多量のガラ
ス形成バッチ(原材料)あるいはバッチ20か堆積させ
られている。このバッチ20は、バッチ12の上面18
を隔離する浮遊ブランケットの形をとり1.炉10内の
温度を維持する。溶融ガラス12は、まずガスバーナー
(図示せず)の如き通常の手段で溶融される。
による縦型ガラス溶融炉10の一実施例を示す側面構成
図である。炉10は好ましくは、幾何学的な中心Cと半
径R(第2図錠前)を有する多角形あるいは円形をなし
ている。炉10は、起立している側壁14と中心Cに排
出孔15を備える底壁1′Cと有する。炉10は、ガラ
ス12の如き浴融熱願塑性物質の浴を収容する。溶融ガ
ラス12の浴は、上面18を有し、その上に多量のガラ
ス形成バッチ(原材料)あるいはバッチ20か堆積させ
られている。このバッチ20は、バッチ12の上面18
を隔離する浮遊ブランケットの形をとり1.炉10内の
温度を維持する。溶融ガラス12は、まずガスバーナー
(図示せず)の如き通常の手段で溶融される。
その後、連続的な溶融が、浴12中に挿入される一つあ
るいはグループの電極30(記号はしはしは省略される
)によって行なわれる。
るいはグループの電極30(記号はしはしは省略される
)によって行なわれる。
側壁14に近い電極30は、外側に記号Oを付して示さ
れ、中心Cに近い電極30は、内側にあって■で示され
る。
れ、中心Cに近い電極30は、内側にあって■で示され
る。
電極30は、図示・せぬ適当な手段によって保持されて
いる。電極30は、垂直に、半径方向に、円周方向にお
よび角度的に自由に移−1出来る。1[憔30の半径方
向の位置決めは、適正な熱分布の維持のために特に電装
である。
いる。電極30は、垂直に、半径方向に、円周方向にお
よび角度的に自由に移−1出来る。1[憔30の半径方
向の位置決めは、適正な熱分布の維持のために特に電装
である。
外側の電極30−Oは、所定の最小間隔Sよりも911
1壁14に近付けられることはない。外側の電極30−
Oによる熱エネルギーは、従来の炉に比して同じように
冷たい側壁14から隔てられるっ ガラス溶融炉中の温度傾斜は、ガラスに対流うねりを生
じせしめる。この発明の一実施例においては、を極30
は、バッチブランケット20の直下で熱を発生すること
が好ましい。外側の′tlL極30−0は、炉10の周
縁で大きな熱を発生するように大きなパワーで放電させ
られる。炉中のガラス12は、炉の半径方向P′3it
i+に動こうとし、比較的低温の中心付近で下方に動こ
うとする。ガラス12は、以下に述べるような対流パタ
ーンで移動する4、対fi5ねりCv(矢印参照)は、
上面18付近の炉の上部を横切って半径方向内側に中心
Cに向かい、中心から下方へ動き、活動領域Aと不活M
I21饋域Qを分離するインターフェース21へと向か
う。ガラス12は、インターフェース21と対面し、中
心Cから側壁14へと半径方向外方へ動く。その後、ガ
ラス12は、側壁14に沿って中心Cへと下方に動き、
−さらに排出孔15へと動(。
1壁14に近付けられることはない。外側の電極30−
Oによる熱エネルギーは、従来の炉に比して同じように
冷たい側壁14から隔てられるっ ガラス溶融炉中の温度傾斜は、ガラスに対流うねりを生
じせしめる。この発明の一実施例においては、を極30
は、バッチブランケット20の直下で熱を発生すること
が好ましい。外側の′tlL極30−0は、炉10の周
縁で大きな熱を発生するように大きなパワーで放電させ
られる。炉中のガラス12は、炉の半径方向P′3it
i+に動こうとし、比較的低温の中心付近で下方に動こ
うとする。ガラス12は、以下に述べるような対流パタ
ーンで移動する4、対fi5ねりCv(矢印参照)は、
上面18付近の炉の上部を横切って半径方向内側に中心
Cに向かい、中心から下方へ動き、活動領域Aと不活M
I21饋域Qを分離するインターフェース21へと向か
う。ガラス12は、インターフェース21と対面し、中
心Cから側壁14へと半径方向外方へ動く。その後、ガ
ラス12は、側壁14に沿って中心Cへと下方に動き、
−さらに排出孔15へと動(。
図示の対流うねりCVは、良質の製品を生成するのに心
安な新たに溶融されたガラス12のとる最小滞留時間の
通路を示している。ガラス12のある部分は、炉中を再
循環し、従ってより長い滞留時間を要するものであるこ
とは明らかである。また他のパターンをとることも可能
である。例えば、耐熱性の金楓ライナーを備えた炉では
、外側の電極30−0は、胆」対流パターンを生じるよ
うに内側の電極30−1よりも低温で動作することが出
来る。この場合ガラスは、炉の上部に清い中心Cから1
111壁14へ向かい、次いで底部16へ同って下降し
、内方の中心排出孔15へと回かう。EC」パターンに
より滞留時間は、さらに短かくなる。しかしながらライ
ナー付きの炉では、これは、炉をより高温で動作させる
ことにより補正され、これによって高品質のカラスが生
成されることとなる。
安な新たに溶融されたガラス12のとる最小滞留時間の
通路を示している。ガラス12のある部分は、炉中を再
循環し、従ってより長い滞留時間を要するものであるこ
とは明らかである。また他のパターンをとることも可能
である。例えば、耐熱性の金楓ライナーを備えた炉では
、外側の電極30−0は、胆」対流パターンを生じるよ
うに内側の電極30−1よりも低温で動作することが出
来る。この場合ガラスは、炉の上部に清い中心Cから1
111壁14へ向かい、次いで底部16へ同って下降し
、内方の中心排出孔15へと回かう。EC」パターンに
より滞留時間は、さらに短かくなる。しかしながらライ
ナー付きの炉では、これは、炉をより高温で動作させる
ことにより補正され、これによって高品質のカラスが生
成されることとなる。
電極30−0に印加される電圧およびこの電極と側壁1
4間の最小間隔は、対流うねりCVの速度と方向の制御
にとって軍費である。
4間の最小間隔は、対流うねりCVの速度と方向の制御
にとって軍費である。
高温のガラス12は、炉10中でその温度を維持しよう
とし、低温のガラス12は、さらに低下しようとする。
とし、低温のガラス12は、さらに低下しようとする。
従ってガラス温度の相対的な、差は、ガラス12の炉1
0中での温度の上下速度を支配する。外側の′に極30
−0への印加電圧が過剰であったり、電極が側壁14に
近過ぎたりした場合には、電極3〇−〇に束中する熱エ
ネルギーは、オーバーと一トを生じたり、側壁14の迅
速な腐食を生ぜしめたりする。さらに、対流うねりCV
の流れが、分裂したりもする。従って、排出孔15へ向
かう通路を流れるガラスは、高品質のものとなるだけに
充分な滞留時間を与えられないことになる。外側の電極
3o−0が、側壁14から遠くにある場合には、高速σ
下方への流れが側壁14付近で生じ、滞留時間を短(す
ると共に炉を消耗させる。外側の電極3゜−0の適切な
配置によって側壁140オーバーヒートの生じないよう
な対流うねりCvの速度制御が可能となる。
0中での温度の上下速度を支配する。外側の′に極30
−0への印加電圧が過剰であったり、電極が側壁14に
近過ぎたりした場合には、電極3〇−〇に束中する熱エ
ネルギーは、オーバーと一トを生じたり、側壁14の迅
速な腐食を生ぜしめたりする。さらに、対流うねりCV
の流れが、分裂したりもする。従って、排出孔15へ向
かう通路を流れるガラスは、高品質のものとなるだけに
充分な滞留時間を与えられないことになる。外側の電極
3o−0が、側壁14から遠くにある場合には、高速σ
下方への流れが側壁14付近で生じ、滞留時間を短(す
ると共に炉を消耗させる。外側の電極3゜−0の適切な
配置によって側壁140オーバーヒートの生じないよう
な対流うねりCvの速度制御が可能となる。
炉10は、二つの主要な領域を縦方向に有している。バ
ッチ20の最初の溶融は、以後活動領域Aと呼ぶ炉の上
部で行なわれる。清澄は、以後不活動領域Qと呼ぶ炉の
下部で行なわれる。活動領域Aおよび不活動領域Qは、
第1図において破線21により分割されて示されている
。
ッチ20の最初の溶融は、以後活動領域Aと呼ぶ炉の上
部で行なわれる。清澄は、以後不活動領域Qと呼ぶ炉の
下部で行なわれる。活動領域Aおよび不活動領域Qは、
第1図において破線21により分割されて示されている
。
第1図において、側壁14は、ガラス12の上面18よ
り上方に延びているように図示されている。しかしなが
ら説明のため、炉は活動領域Aおよび不活動領域Qと同
じ高さ、深さあるいは縦方向の寸法Hを有するものとす
る。この寸法には、幾つかの炉には存在する溜めは含ま
れていない。
り上方に延びているように図示されている。しかしなが
ら説明のため、炉は活動領域Aおよび不活動領域Qと同
じ高さ、深さあるいは縦方向の寸法Hを有するものとす
る。この寸法には、幾つかの炉には存在する溜めは含ま
れていない。
炉は、種々の形状および大きさを持つことか出来ようが
、説明と分析を単純化するために、炉10は、中心がら
側壁14の内面27までの横方向の寸法で半径Rを有す
るような円形であるとする。円形近似の形状に対しては
、この横方向の寸法は、中心線から側壁までの最短距離
で考えられるべきである(例えは、正多角形のときは、
側壁への短かい垂直―)。非円形の構成では、長い方の
寸法を調節すべきである(例えば長方形の幅の1/2あ
るいは楕円の焦点)。以下の説明では、円形類似の形状
が最も有効であるので、これが強調される。
、説明と分析を単純化するために、炉10は、中心がら
側壁14の内面27までの横方向の寸法で半径Rを有す
るような円形であるとする。円形近似の形状に対しては
、この横方向の寸法は、中心線から側壁までの最短距離
で考えられるべきである(例えは、正多角形のときは、
側壁への短かい垂直―)。非円形の構成では、長い方の
寸法を調節すべきである(例えば長方形の幅の1/2あ
るいは楕円の焦点)。以下の説明では、円形類似の形状
が最も有効であるので、これが強調される。
第3図は、深さを非常に小さくした、バッチ電極を有す
る炉1oを説明するものである。
る炉1oを説明するものである。
曲線Aは、壁電極を備えた縦型耐熱炉の深さ対表面面積
の比を示すものである。曲線Bは、バッチ電極を備えた
同タイプの炉における比を示す。二つの曲線は、小さな
炉においては比較的接近している( 25 ft2以下
)。しかしながら炉が大きくなると、曲線は同様の形状
をとるが、分離してくる。例えば、約100ft2およ
び約300 ft20間の溶融面積を有する炉において
は、バッチ電極を備えた炉は、約2 ftだけ深さが浅
(なる。これは、大きな深さの減少であり、建設費が安
くなる。このような炉の作動コストも側壁面積が小さい
ので熱損失も小さくてすむ。比較的小さな炉を除いて、
炉の深さは全体で少な(共4ftを越えなければならな
い。100ft2〜300 ft2以上の範囲では、バ
ッチ電極を有しない炉の深さは、3ftの不活動領域を
含めて約10ftを越える。同じ範囲で、バッチ電極を
備えた炉は約8ftの深さを有し、同じ深さの不活動領
域Qを有する。ガラスの清澄のために同じ不活動領域が
必要であるが、バッチ電極の改良された効率のために溶
融のためにはもっと浅い活動領域でよい。
の比を示すものである。曲線Bは、バッチ電極を備えた
同タイプの炉における比を示す。二つの曲線は、小さな
炉においては比較的接近している( 25 ft2以下
)。しかしながら炉が大きくなると、曲線は同様の形状
をとるが、分離してくる。例えば、約100ft2およ
び約300 ft20間の溶融面積を有する炉において
は、バッチ電極を備えた炉は、約2 ftだけ深さが浅
(なる。これは、大きな深さの減少であり、建設費が安
くなる。このような炉の作動コストも側壁面積が小さい
ので熱損失も小さくてすむ。比較的小さな炉を除いて、
炉の深さは全体で少な(共4ftを越えなければならな
い。100ft2〜300 ft2以上の範囲では、バ
ッチ電極を有しない炉の深さは、3ftの不活動領域を
含めて約10ftを越える。同じ範囲で、バッチ電極を
備えた炉は約8ftの深さを有し、同じ深さの不活動領
域Qを有する。ガラスの清澄のために同じ不活動領域が
必要であるが、バッチ電極の改良された効率のために溶
融のためにはもっと浅い活動領域でよい。
この発明により構成され作動される炉においては、その
アスペクト比は、縦方向の寸法[(と直径りあるいは半
径Hの2倍に等しい横方向の寸法との比で定義される。
アスペクト比は、縦方向の寸法[(と直径りあるいは半
径Hの2倍に等しい横方向の寸法との比で定義される。
値りが約5ft以下の小さな炉では、−このアスペクト
比は、約1.0を下廻ってはならない。直径りが大きく
なると、アスペクト比は、第3図の曲1113!Bに従
い約0.3とならねばならない。しかしながら、最も浅
い炉では特別の横方向の寸法を選択することが好ましい
ことは認識されねばならない。さらに、これらの寸法は
、出来るだけ熱損失を小さくするように選択されねばな
らない。
比は、約1.0を下廻ってはならない。直径りが大きく
なると、アスペクト比は、第3図の曲1113!Bに従
い約0.3とならねばならない。しかしながら、最も浅
い炉では特別の横方向の寸法を選択することが好ましい
ことは認識されねばならない。さらに、これらの寸法は
、出来るだけ熱損失を小さくするように選択されねばな
らない。
第2図に、第1図の炉10の典型的な電極配置の上面図
を示す。ここで説明するタイプの炉では、二組の電極が
配置される。第一組あるいは第一グループである六個の
メイン電+M30Mは、炉10の中心Cの周りに600
の半径方向の線に沿って配置される(IM−6M)。メ
イン電極30Mは、炉10の中心Cから半径方向に成る
距離RMを置いて配置される。メイン電極30M(第2
図において黒用で示される)は、図示せぬ電源にょ′り
電気的に励起されて交錯放電しベクトルPMを形成する
。第二組の六個の対の内側および外側にずらせて配置し
た電極308−Iと308−〇は、日田で示され、メイ
ン電極30M間の円周上の中間に散在させられる。また
内側および外側の電極308−Iおよび30S−Oはそ
れぞれ、半径方向の位置1(、S−IおよびttS−Q
を有する。電極30S−Iおよび30S−0は、励起さ
れると、一対の連接するベクトルPSを形成し、これは
メインのベクトルPMと同様である。他に可能な構成配
置tとしては、内側の電極30S−Iをメイン電極30
Mと贅列させて交叉放電させるようにすることも考えら
れる。また内側の電極30S−Iをメイン電極30Mと
外側の電極305−00中間に配置して、独立に放電さ
せるようにすることも出来る。
を示す。ここで説明するタイプの炉では、二組の電極が
配置される。第一組あるいは第一グループである六個の
メイン電+M30Mは、炉10の中心Cの周りに600
の半径方向の線に沿って配置される(IM−6M)。メ
イン電極30Mは、炉10の中心Cから半径方向に成る
距離RMを置いて配置される。メイン電極30M(第2
図において黒用で示される)は、図示せぬ電源にょ′り
電気的に励起されて交錯放電しベクトルPMを形成する
。第二組の六個の対の内側および外側にずらせて配置し
た電極308−Iと308−〇は、日田で示され、メイ
ン電極30M間の円周上の中間に散在させられる。また
内側および外側の電極308−Iおよび30S−Oはそ
れぞれ、半径方向の位置1(、S−IおよびttS−Q
を有する。電極30S−Iおよび30S−0は、励起さ
れると、一対の連接するベクトルPSを形成し、これは
メインのベクトルPMと同様である。他に可能な構成配
置tとしては、内側の電極30S−Iをメイン電極30
Mと贅列させて交叉放電させるようにすることも考えら
れる。また内側の電極30S−Iをメイン電極30Mと
外側の電極305−00中間に配置して、独立に放電さ
せるようにすることも出来る。
第1図および第2図において、半径比と深さ)Iのほぼ
円形の炉1oを考えたとき、撞々の公称サイズの炉に対
して電極の配置が以下の如〈実施例として考えられる。
円形の炉1oを考えたとき、撞々の公称サイズの炉に対
して電極の配置が以下の如〈実施例として考えられる。
実施例I
炉半径ルー10ft、 炉深さH=7.5ft電価数
=15〜18 6・・・・・・・・・メイン電極 30M6・・・・・
・・・・外 側電極 30 S −03〜6・・・内
側電極 308−I 位 置 半 径 電極間角度 位 置30
M ルM=9ft 60’ IM
−6M側壁14からの間隔S=全ての電極について最小
1ft実施例■ 炉半径L(=5ft 、炉深さH=5ft電極数=9 6・・・・・・メイン電極30M 3・・・・・・内側電極 位置 半 径 ′#IL極間角度 位 置30M
i−tM=4 ft 60’ IM
−6M30S−11′tM =1.5〜2ft 1
20’ 28,48.68側壁14からの間隔2全て
の電極について最小1ft実施例III 炉半径1(=2.5ft、炉深さH=3ft電極数 =
3,4あるいは6 位置ltM = R8= 1.5〜2.0 ft角 度
= 120’、90’あるいは60’側壁14がらの
間隔S=全ての電極について最小1ftこの発明におけ
るバッチ電極30(記号省略)は、実施例■に示す如く
側壁14から離して配置され、半径に関して30’間隔
を置いて位置せしめられる。各バッチ電極の半径方向の
位置は、大きく変化可能である。バッチ電極30は、中
心近くにも側壁近くにも配置出来、如何なる半径方向の
線上にも一個以上のバッチ電極30を配してよい。また
二つの篭慣か同じ半径方向の線上に配置されないよ5K
して対称的な配列を行なうことも出来る。
=15〜18 6・・・・・・・・・メイン電極 30M6・・・・・
・・・・外 側電極 30 S −03〜6・・・内
側電極 308−I 位 置 半 径 電極間角度 位 置30
M ルM=9ft 60’ IM
−6M側壁14からの間隔S=全ての電極について最小
1ft実施例■ 炉半径L(=5ft 、炉深さH=5ft電極数=9 6・・・・・・メイン電極30M 3・・・・・・内側電極 位置 半 径 ′#IL極間角度 位 置30M
i−tM=4 ft 60’ IM
−6M30S−11′tM =1.5〜2ft 1
20’ 28,48.68側壁14からの間隔2全て
の電極について最小1ft実施例III 炉半径1(=2.5ft、炉深さH=3ft電極数 =
3,4あるいは6 位置ltM = R8= 1.5〜2.0 ft角 度
= 120’、90’あるいは60’側壁14がらの
間隔S=全ての電極について最小1ftこの発明におけ
るバッチ電極30(記号省略)は、実施例■に示す如く
側壁14から離して配置され、半径に関して30’間隔
を置いて位置せしめられる。各バッチ電極の半径方向の
位置は、大きく変化可能である。バッチ電極30は、中
心近くにも側壁近くにも配置出来、如何なる半径方向の
線上にも一個以上のバッチ電極30を配してよい。また
二つの篭慣か同じ半径方向の線上に配置されないよ5K
して対称的な配列を行なうことも出来る。
これらの位置に電極を配置することによって電流の電気
的な対称性が維持される。
的な対称性が維持される。
炉10の中心付近(例えばル8−If/2以下)に位置
させられる内側の電極308−Iは、二つの利点を有す
る。まず、炉の中心Cにパワーを与えることによって、
中心における溶融速度が増加される。従来の炉では、炉
の中心は通常、壁電極から最も遠いので、溶融速度は最
も遅い。電極308−Iを中心付近に配置することによ
って、炉の出力が増大し、壁温度が低下する。
させられる内側の電極308−Iは、二つの利点を有す
る。まず、炉の中心Cにパワーを与えることによって、
中心における溶融速度が増加される。従来の炉では、炉
の中心は通常、壁電極から最も遠いので、溶融速度は最
も遅い。電極308−Iを中心付近に配置することによ
って、炉の出力が増大し、壁温度が低下する。
炉10の中心C付近に内側の電極30S−■を配するこ
とのもう一つの利点は、炉が深くなくとも良いというこ
とである。パワーは、溶融が必要なバジチブランケット
20の下面201(第1図参照、活動領域A)付近に集
中する。バッチブランケット20付近に集中したパワー
は、炉10下方1/3〜1/2の位置に比較的安定した
不活動領域Qを形成しようとする。理想的には、不活動
領域Q中のガラス12は、ゆっくりと排出孔工5方向へ
移動しようとし、清澄に必要な滞留時間をガラス12に
与える。
とのもう一つの利点は、炉が深くなくとも良いというこ
とである。パワーは、溶融が必要なバジチブランケット
20の下面201(第1図参照、活動領域A)付近に集
中する。バッチブランケット20付近に集中したパワー
は、炉10下方1/3〜1/2の位置に比較的安定した
不活動領域Qを形成しようとする。理想的には、不活動
領域Q中のガラス12は、ゆっくりと排出孔工5方向へ
移動しようとし、清澄に必要な滞留時間をガラス12に
与える。
メイン電極30Mと外側の電極30 S −0とを、離
れてはいるが、近くに配置することによって、炉IOの
側壁14は、上述の利点の他にさらに利益を受ける。電
極の数は、電憧衣面槓の不動利用が行なわれるので非常
に少なくすることが出来る。すなわち、大きな電流が、
チップ31からよりも電極30の側面30から流れる。
れてはいるが、近くに配置することによって、炉IOの
側壁14は、上述の利点の他にさらに利益を受ける。電
極の数は、電憧衣面槓の不動利用が行なわれるので非常
に少なくすることが出来る。すなわち、大きな電流が、
チップ31からよりも電極30の側面30から流れる。
例えば、半径Loftの従来の炉においては、48個の
電極が用いられている。この発明では、利用される電極
は、12〜18個に減らすことが出来る。
電極が用いられている。この発明では、利用される電極
は、12〜18個に減らすことが出来る。
約5ft以上の直径の大きな炉では、バッチ電極30は
、側壁I4からも中心Cからも約1〜2ft@されて炉
の周辺に配置される。従来の壁電極を止め、電極30M
および308−0を壁から1〜2ft離すことによって
、側壁14の温度、従って耐熱物質の腐食は、非常に小
さくなる。小さな炉10においては、電極30は、必要
な蓋」対流を形成させるため側壁に1 ft以上近付け
るべきである。「C」パターンが必要な場合には、電極
は、はぼR/2の位置に配置される。
、側壁I4からも中心Cからも約1〜2ft@されて炉
の周辺に配置される。従来の壁電極を止め、電極30M
および308−0を壁から1〜2ft離すことによって
、側壁14の温度、従って耐熱物質の腐食は、非常に小
さくなる。小さな炉10においては、電極30は、必要
な蓋」対流を形成させるため側壁に1 ft以上近付け
るべきである。「C」パターンが必要な場合には、電極
は、はぼR/2の位置に配置される。
この発明は、以下の如く動作する。電極30の少なく共
一つのグループが、炉10の嫂何学的中心Cに関して各
々所定の位置のパターンとなるように配列される。この
パターンは、中心Cに関して半径方向および円周方向に
対称である。小さな炉の場合を除いて、電極300位置
は、側壁に対してl ftより近付かないように制限さ
れる。電極30あるいはそのグループは、支持アーム等
の適当な装置により個々に支持されている。また電極3
0の種々のグループの異なるものが、共通の支持体に保
持されてもよい。電極30は、バツ′チブランケット2
0を通って炉10内に降下せしめられ、励起される。各
電極の励起は、一つのグループ中の各電極に対して対称
であり、そのグループ中の他の電極とほぼ同じエネルギ
ーを発散する。
一つのグループが、炉10の嫂何学的中心Cに関して各
々所定の位置のパターンとなるように配列される。この
パターンは、中心Cに関して半径方向および円周方向に
対称である。小さな炉の場合を除いて、電極300位置
は、側壁に対してl ftより近付かないように制限さ
れる。電極30あるいはそのグループは、支持アーム等
の適当な装置により個々に支持されている。また電極3
0の種々のグループの異なるものが、共通の支持体に保
持されてもよい。電極30は、バツ′チブランケット2
0を通って炉10内に降下せしめられ、励起される。各
電極の励起は、一つのグループ中の各電極に対して対称
であり、そのグループ中の他の電極とほぼ同じエネルギ
ーを発散する。
実施例では、比較的高熱で炉中での均一な浴融を行なう
か、側壁14から(ま離れた位置で行ない、中心Cに余
り熱が集中しないようにすることを意図する。もちろん
、電気的放電の他の構成も可能であり、炉の特異性に合
せて変形させられ、全体的に均一でなくとも熱分布を形
成せしめて高品質のガラスを形成するようにされる。
か、側壁14から(ま離れた位置で行ない、中心Cに余
り熱が集中しないようにすることを意図する。もちろん
、電気的放電の他の構成も可能であり、炉の特異性に合
せて変形させられ、全体的に均一でなくとも熱分布を形
成せしめて高品質のガラスを形成するようにされる。
電Q30は、ガラスの上面の下方の所定の動作深さI)
Pにおいてそのチップ31により動作する。さらに例
えば第2図におけるメイン電極30Mの如き電極の一つ
のグループの深さは、交錯する電極308−Iおよび3
08−〇の深さとは異なる。また必要あれば個々の電極
の深さを変化させるような調節も可能である。しかしな
がら説明のため、全ての電極30の動作深さDPは、同
一であるとし、一度決定したときはほぼ一定であるとす
る。
Pにおいてそのチップ31により動作する。さらに例
えば第2図におけるメイン電極30Mの如き電極の一つ
のグループの深さは、交錯する電極308−Iおよび3
08−〇の深さとは異なる。また必要あれば個々の電極
の深さを変化させるような調節も可能である。しかしな
がら説明のため、全ての電極30の動作深さDPは、同
一であるとし、一度決定したときはほぼ一定であるとす
る。
第3図は、比較的透明なガラスの曲線を示している。こ
のようなガラスは、比較的厚い活動領域Aを必要とする
傾向にあり、明瞭な不活動領域Bを形成する熱的な層形
成を妨げ。
のようなガラスは、比較的厚い活動領域Aを必要とする
傾向にあり、明瞭な不活動領域Bを形成する熱的な層形
成を妨げ。
るようにエネルギーが底部16に向けて発散されるから
である。ガラス12の上面18と炉底16との間の温度
差は、25℃程度である。炉は、活動領域と不活動領域
を比較的はっきりとさせるために充分な深さがなければ
ならない。他のいわゆるダークガラスは、発散を抑制す
る傾向にある。活動領域と不活動領域は、多分もつとは
っきりとしたものとなり、両者は透明ガラスを浴融する
炉に比して幾分か狭い。第3図は、活動領域および不活
動領域か最も広い場合を示している。小さな炉の場合を
除いて、この発明により作動する炉の全体的な高さは、
約2ft低くなトウ。
である。ガラス12の上面18と炉底16との間の温度
差は、25℃程度である。炉は、活動領域と不活動領域
を比較的はっきりとさせるために充分な深さがなければ
ならない。他のいわゆるダークガラスは、発散を抑制す
る傾向にある。活動領域と不活動領域は、多分もつとは
っきりとしたものとなり、両者は透明ガラスを浴融する
炉に比して幾分か狭い。第3図は、活動領域および不活
動領域か最も広い場合を示している。小さな炉の場合を
除いて、この発明により作動する炉の全体的な高さは、
約2ft低くなトウ。
透明なガラスのためには、電極30のチップ31は、電
流密度制限を越えることなくかつブランケットに熱いス
ポットを生じることなくバッチ20の下側201に近づ
けて置かねばならない。各電極30の動作深さDPは、
変化させられるが、ここでは詳述しない。動作深さI)
Pの調節は容易に行なうことが出来るので、炉の動作
特性の調節は容易である。
流密度制限を越えることなくかつブランケットに熱いス
ポットを生じることなくバッチ20の下側201に近づ
けて置かねばならない。各電極30の動作深さDPは、
変化させられるが、ここでは詳述しない。動作深さI)
Pの調節は容易に行なうことが出来るので、炉の動作
特性の調節は容易である。
各電極30のチップ端31の位置が、溶融しようとする
特定のガラスの最適の溶融特性に合致するように調節出
来るので、より効率的な浴融か可能となる。
特定のガラスの最適の溶融特性に合致するように調節出
来るので、より効率的な浴融か可能となる。
第4図は、縦型のガラス溶融電気炉110を11111
1i面で示すこの発明の他の実施例を示している。炉1
10は、ガラス112の如き溶融された熱願塑性物質の
浴を収容している。
1i面で示すこの発明の他の実施例を示している。炉1
10は、ガラス112の如き溶融された熱願塑性物質の
浴を収容している。
炉110は、起立した側壁114と底壁116を有する
。#融ガラス112の浴は、ガラス形成バッチ材料ある
いはバッチ120を多量に付着させた上面の自由面11
8を備える。
。#融ガラス112の浴は、ガラス形成バッチ材料ある
いはバッチ120を多量に付着させた上面の自由面11
8を備える。
バッチ120は、浮遊ブランケットの形をとり、浴11
2の自由面118を絶縁し、炉110内の温度を維持す
る。溶融ガラス112はまず最初に、図示せぬガスバー
ナーを含む通常の手段によって溶融される。その後、浴
112に挿入される電流伝達電極130によって連続的
な溶融が行なわれる。図示を簡単にするために一つの電
極130のみが、示されている。
2の自由面118を絶縁し、炉110内の温度を維持す
る。溶融ガラス112はまず最初に、図示せぬガスバー
ナーを含む通常の手段によって溶融される。その後、浴
112に挿入される電流伝達電極130によって連続的
な溶融が行なわれる。図示を簡単にするために一つの電
極130のみが、示されている。
各電極130は、支持アーム構造体132に取付けられ
たカラー134に保持されている。カラー134は、調
節リング136を有し、開孔138内での電極130の
上下摺動を可能にする。支持アーム132は、部分的に
示され、図示せぬフレーム構造により炉110の外部で
適当に支持され、支持アーム132の第4図における矢
印Aの方向への上下動が可能となっている。支持アーム
i32は、電4130の個々の位置決め(矢印B参照)
をb]能にするようにスリーブ13′5によりカラー1
34に接続されている。また支持アーム132は、図示
せぬ手段によりそのフレーム構造に関して円周方向に移
動可能である(図面を出入する方向に矢印C方向)。
たカラー134に保持されている。カラー134は、調
節リング136を有し、開孔138内での電極130の
上下摺動を可能にする。支持アーム132は、部分的に
示され、図示せぬフレーム構造により炉110の外部で
適当に支持され、支持アーム132の第4図における矢
印Aの方向への上下動が可能となっている。支持アーム
i32は、電4130の個々の位置決め(矢印B参照)
をb]能にするようにスリーブ13′5によりカラー1
34に接続されている。また支持アーム132は、図示
せぬ手段によりそのフレーム構造に関して円周方向に移
動可能である(図面を出入する方向に矢印C方向)。
他の状態および実施例がこの明細書で述べられるが、こ
の発明は、チップ131からカラー134直下の部分1
33までの保護を主眼点とするものである。電極130
は、通常はチップ131か、自由面118から測定して
以下に動作レベルと称する深さDlまで浴112中に浸
漬される。仮想図、第4図において実線とM複している
、において、電極130は、ガラス112の浴の自由面
118から測定して第二の浸漬レベルD2まで浸漬され
るように示されている。
の発明は、チップ131からカラー134直下の部分1
33までの保護を主眼点とするものである。電極130
は、通常はチップ131か、自由面118から測定して
以下に動作レベルと称する深さDlまで浴112中に浸
漬される。仮想図、第4図において実線とM複している
、において、電極130は、ガラス112の浴の自由面
118から測定して第二の浸漬レベルD2まで浸漬され
るように示されている。
この発明は、以下の如く動作する。チップ131から点
133付近までの電極1300部分は、浴112中に沈
められる。電極130は、光分加熱されるまで数分間チ
ップ131を深さDPまで沈められて、ガラスが、自由
面118の下側に沈められた部分(チップ131から点
133付近まで)に少なく共付層するようにされる。充
分な時間が溶融ガラス112の電極130への付着を可
能にするだけ柱過した後、電極は、動作レベルD1まで
炉から少しだけ引き抜かれる。付着したガラス140は
、上下端40A、40Bを備えるコーティング140と
なる。コーティング140は、比較的薄い厚さtの薄膜
として電極1300所定長りをカバーし、酸素の侵入を
阻止して電極を有害な酸化から保護する。
133付近までの電極1300部分は、浴112中に沈
められる。電極130は、光分加熱されるまで数分間チ
ップ131を深さDPまで沈められて、ガラスが、自由
面118の下側に沈められた部分(チップ131から点
133付近まで)に少なく共付層するようにされる。充
分な時間が溶融ガラス112の電極130への付着を可
能にするだけ柱過した後、電極は、動作レベルD1まで
炉から少しだけ引き抜かれる。付着したガラス140は
、上下端40A、40Bを備えるコーティング140と
なる。コーティング140は、比較的薄い厚さtの薄膜
として電極1300所定長りをカバーし、酸素の侵入を
阻止して電極を有害な酸化から保護する。
コーティング140の厚さtは、ガラス112の温度と
粘度特性に依存する。付着したガラスコーティング1′
40は、電極130の温度がガラスのチップ131から
の移動に際しての凝固温度付近まで低下するということ
から、部分的に凝固し、高粘度になる。またi1極13
0を取囲むバッチ120は、比較的低温であり、炉11
0の高熱からコーティング140を絶縁する。
粘度特性に依存する。付着したガラスコーティング1′
40は、電極130の温度がガラスのチップ131から
の移動に際しての凝固温度付近まで低下するということ
から、部分的に凝固し、高粘度になる。またi1極13
0を取囲むバッチ120は、比較的低温であり、炉11
0の高熱からコーティング140を絶縁する。
電極130か動作する深さは、深さDlに関して変化さ
せることが出来るが、説明のため、電極130の動作レ
ベルD1は、一旦決められたときIヨは一定のままであ
るとする。
せることが出来るが、説明のため、電極130の動作レ
ベルD1は、一旦決められたときIヨは一定のままであ
るとする。
電極130の外部冷却は、周囲の酸素に曝される上端1
40Aより上の部分が、モリブデンの酸化温度以下に自
然の対流により冷却されるために、通常は必要ではない
。コーティング140の下端140B以下の電極部分は
、浴融ガラス112中に浸漬されるため酸化から保護さ
れる。
40Aより上の部分が、モリブデンの酸化温度以下に自
然の対流により冷却されるために、通常は必要ではない
。コーティング140の下端140B以下の電極部分は
、浴融ガラス112中に浸漬されるため酸化から保護さ
れる。
この発明は、コールドクラウン縦型溶融炉におけるバッ
チブランケット内に挿入されるバッチ電極に対して最も
大きく適用出来る。
チブランケット内に挿入されるバッチ電極に対して最も
大きく適用出来る。
しかしながら原理的には、炉の漏洩を防ぐ何んらかの保
護手段が用意されそいる限りにおいて、現在用いられて
いる如何なる電極(側壁114あるいは底壁116から
挿入される)にもこの電極が使用出来ないという理由は
な(ゝ。
護手段が用意されそいる限りにおいて、現在用いられて
いる如何なる電極(側壁114あるいは底壁116から
挿入される)にもこの電極が使用出来ないという理由は
な(ゝ。
この発明によれば、従来の保障装置以上の節約か可能と
なる。さらに、従来の装置は水冷タイプか典型的である
ので、高い溶融効率を生じるエネルギーの節約が可能と
なる。
なる。さらに、従来の装置は水冷タイプか典型的である
ので、高い溶融効率を生じるエネルギーの節約が可能と
なる。
幾つかのガラスに対しては、i[極130のチップ13
1は、自由面118付近のバッチ120の下面120′
に出来るだけ接近して配置しなければならない。他のガ
ラスに対しては、電極130のチップ131が溶融ガラ
ス112のさらに下方に配置されたとき、より効率的な
溶融が行なわれる。これらの調節は、ここで述べる様の
電極棒の概念を用いることによってより容易に行なうこ
とが出来るものであることは明らかである。円筒形のモ
リブデン棒によって形成される電極構造は、従来の炉に
おけるステンレス鋼の水冷ジャケットを用いることなく
非常に軽いので、電極130の動作レベルD1の調節は
複雑ではない。かくして、電極130のチップ端131
の位置は、浴融すべき特定のガラスの最適の箒融特性に
合せることが出来るので、より効率のよい浴融か実行さ
れる。電極130の動作レベルl)1は、単に炉110
の外から支持アーム132を上下動することにより、ま
た、電極130を支持カラー134内で移動することに
より変えることが出来る。さらに、電極130は、コー
ティング140を周期的に補償してやるためにレベルD
1とD20間を往復動される。
1は、自由面118付近のバッチ120の下面120′
に出来るだけ接近して配置しなければならない。他のガ
ラスに対しては、電極130のチップ131が溶融ガラ
ス112のさらに下方に配置されたとき、より効率的な
溶融が行なわれる。これらの調節は、ここで述べる様の
電極棒の概念を用いることによってより容易に行なうこ
とが出来るものであることは明らかである。円筒形のモ
リブデン棒によって形成される電極構造は、従来の炉に
おけるステンレス鋼の水冷ジャケットを用いることなく
非常に軽いので、電極130の動作レベルD1の調節は
複雑ではない。かくして、電極130のチップ端131
の位置は、浴融すべき特定のガラスの最適の箒融特性に
合せることが出来るので、より効率のよい浴融か実行さ
れる。電極130の動作レベルl)1は、単に炉110
の外から支持アーム132を上下動することにより、ま
た、電極130を支持カラー134内で移動することに
より変えることが出来る。さらに、電極130は、コー
ティング140を周期的に補償してやるためにレベルD
1とD20間を往復動される。
電極130の外面は、モリブデンを保護するために浴1
12中への浸漬に先立って処理され、ガラス層140の
電極130への付着を適切なものとする。商標ROKI
DEとして版元されているフレームスプレーの酸化アル
ミニウムの如き耐熱物質が、酸素汚染を減少させると思
われ、ガラス層140の電極130への付着効果を高め
る。電極130の表面への酸化クロムのコーティングも
ガラスコーチインク140の付着を効果あらしめる。電
極130それ自身の僅かな酸化かガラスの付着に■効で
あることがわかっている。ニケイ素化モリブデン(mo
lybdenum disilicide )のコーテ
ィングも電極130を酸化から防ぐために有効である。
12中への浸漬に先立って処理され、ガラス層140の
電極130への付着を適切なものとする。商標ROKI
DEとして版元されているフレームスプレーの酸化アル
ミニウムの如き耐熱物質が、酸素汚染を減少させると思
われ、ガラス層140の電極130への付着効果を高め
る。電極130の表面への酸化クロムのコーティングも
ガラスコーチインク140の付着を効果あらしめる。電
極130それ自身の僅かな酸化かガラスの付着に■効で
あることがわかっている。ニケイ素化モリブデン(mo
lybdenum disilicide )のコーテ
ィングも電極130を酸化から防ぐために有効である。
時々ガスが、ガラス溶融処理中に発生する(第4A図参
照)。これらのガスが、電極130と接触すると、その
酸化あるいは腐食が生じる。酸化予防のため、電極13
0は、スリーブ135によって縦方向に関して傾けられ
る(矢印C参照)。発生したガスの泡は、垂直上方に浮
上し、電極130から離れる。
照)。これらのガスが、電極130と接触すると、その
酸化あるいは腐食が生じる。酸化予防のため、電極13
0は、スリーブ135によって縦方向に関して傾けられ
る(矢印C参照)。発生したガスの泡は、垂直上方に浮
上し、電極130から離れる。
第5図において、電極1301が保護ガラスコーティン
グ1401で予めシールドされているこの発明の他の実
施例が示されている。電極130’は、チップ端131
付近にモリブデンのカラー135を有する。カラー13
5は、電極1301にねじ込み、焼ばめあるいはボルト
止めにより取付けられる。層状でないカレソト、固体カ
ラスのリングあるいは円筒137A−137Eの形をし
た複数個の棟々′のガラス形成物質か、保護コーティン
グ140’を変化させるために所定長L1だけ電極13
01の軸方向に配列されている。ガラスカレットがリン
グ137A−137Eとして用いられるときは、光分な
長さのアルミナ管139が、上述の物質を収容するため
に下端141においてカラー135に接続されている。
グ1401で予めシールドされているこの発明の他の実
施例が示されている。電極130’は、チップ端131
付近にモリブデンのカラー135を有する。カラー13
5は、電極1301にねじ込み、焼ばめあるいはボルト
止めにより取付けられる。層状でないカレソト、固体カ
ラスのリングあるいは円筒137A−137Eの形をし
た複数個の棟々′のガラス形成物質か、保護コーティン
グ140’を変化させるために所定長L1だけ電極13
01の軸方向に配列されている。ガラスカレットがリン
グ137A−137Eとして用いられるときは、光分な
長さのアルミナ管139が、上述の物質を収容するため
に下端141においてカラー135に接続されている。
商標VYCO)Lの名称で販売されている溶融石英が、
管139として用いられる。管139の上端143には
、環状の耐熱キャップあるいはプラグ145が、電極1
30’に嵌合させられ、管139内に配ltすれて保護
コーティング1401の空間を埋めている。プラグ14
5は、FIBg)IFRAX(商[)ROPEの如きバ
ッキング材でもよい。
管139として用いられる。管139の上端143には
、環状の耐熱キャップあるいはプラグ145が、電極1
30’に嵌合させられ、管139内に配ltすれて保護
コーティング1401の空間を埋めている。プラグ14
5は、FIBg)IFRAX(商[)ROPEの如きバ
ッキング材でもよい。
さらに、ダウ・コーニングのRTV 732 (7)如
き容易に入手できる押出可能なシリコーンシーラント1
47か、耐熱キャップ145上に配置出来よう。清浄ラ
イン148が、開孔149からプラグ145とシール1
47に挿入され、管139内に清浄ガスPを導入する。
き容易に入手できる押出可能なシリコーンシーラント1
47か、耐熱キャップ145上に配置出来よう。清浄ラ
イン148が、開孔149からプラグ145とシール1
47に挿入され、管139内に清浄ガスPを導入する。
清浄ガスPは、カレットリング137A−137Eか融
解される前の始動中にモリブデン電極を保護する。その
後、浴融した物質が、!極を酸素汚染から保護する。
解される前の始動中にモリブデン電極を保護する。その
後、浴融した物質が、!極を酸素汚染から保護する。
第5図の電極1301は、支持カラー134に適宜クラ
ンプされ、バッチ120を通って溶融ガラス112内に
ゆっくりと下降させられる。このとき、保護物質137
A−137Eの各層は、溶融されるか軟化されて電極1
301に付着する。第4図の実施例と同様に、保護層1
40は、動作するように配置されたとき温度傾斜を経験
することになる。電極130′の温度は、チップ131
からカラー134に支持されている点133付近まで軸
方向に移動されるとき降下する。種々のガラス組成が、
保護層140′を形成するリング137A−137Eと
して用いられる。このリングの各々は、異なる軟化点お
よびアニール点を有する。リングの各々は、種々の温度
においていくつかの粘性のある流れに敏、感である。リ
ング137A−137Eの組成を、チップ131付近の
最下端保護7m137Aに対しては比較的堅いガラスに
、上端付近に対しては比較的柔かいガラスによって構成
すると、各リングは、その予期される動作温度において
適切な特性を示す。上述の如くガラスを等縁付けするこ
とによって、熱傾斜が生じても保護層が熱ショックを受
ける危険性は少ない。さらにバッチ層120が、浴融ガ
ラス112の浴内で生じた篩熱を絶縁するので、保護コ
ーティング140’は、軟化しても比較的に無傷のまま
でいる。
ンプされ、バッチ120を通って溶融ガラス112内に
ゆっくりと下降させられる。このとき、保護物質137
A−137Eの各層は、溶融されるか軟化されて電極1
301に付着する。第4図の実施例と同様に、保護層1
40は、動作するように配置されたとき温度傾斜を経験
することになる。電極130′の温度は、チップ131
からカラー134に支持されている点133付近まで軸
方向に移動されるとき降下する。種々のガラス組成が、
保護層140′を形成するリング137A−137Eと
して用いられる。このリングの各々は、異なる軟化点お
よびアニール点を有する。リングの各々は、種々の温度
においていくつかの粘性のある流れに敏、感である。リ
ング137A−137Eの組成を、チップ131付近の
最下端保護7m137Aに対しては比較的堅いガラスに
、上端付近に対しては比較的柔かいガラスによって構成
すると、各リングは、その予期される動作温度において
適切な特性を示す。上述の如くガラスを等縁付けするこ
とによって、熱傾斜が生じても保護層が熱ショックを受
ける危険性は少ない。さらにバッチ層120が、浴融ガ
ラス112の浴内で生じた篩熱を絶縁するので、保護コ
ーティング140’は、軟化しても比較的に無傷のまま
でいる。
以下の実施例は、比較的柔かいガラスの下方リング13
7Aから始まって比較的堅い最上端リング137Eに至
るような段階付けされた保護コーティング1401の適
切な一例を示すものである。
7Aから始まって比較的堅い最上端リング137Eに至
るような段階付けされた保護コーティング1401の適
切な一例を示すものである。
137A・・・・・・ホウケイ酸ガラス(コーテング、
コード7740、長さ8インチ) 137B・・・・・・アルカリバリウムホウケイ酸ガラ
ス(コーニング、コード7052、 長さフインチ) 137C・・・・・・米国特許第2.106.744号
に開示されているホウ酸を含むホウケ イ酸ガラス 137D〜137E・・・・・・20〜40%までそれ
ぞれ増量される無水ホウ酸と137 Cを混合したホウケイ酸ガラス (各々長さフインチ) リンク137A−137E・・・・・・100メツシユ
カレツト ’11139・・・・・・VYCORブランドの管コー
ティングの全長・・・・・・はぼ36インチこの発明は
また、モリブデンに匹敵する膨張係数のコーニングコー
ド7o52の如きポウケイ酸ガラス管139の使用を意
図するものである。ガラス管139は、カレント充填1
37A−137Eを用いるコトなく電極13o1を直接
シールする。電極1301は、熱ショックを防ぐために
予熱されねばならない。
コード7740、長さ8インチ) 137B・・・・・・アルカリバリウムホウケイ酸ガラ
ス(コーニング、コード7052、 長さフインチ) 137C・・・・・・米国特許第2.106.744号
に開示されているホウ酸を含むホウケ イ酸ガラス 137D〜137E・・・・・・20〜40%までそれ
ぞれ増量される無水ホウ酸と137 Cを混合したホウケイ酸ガラス (各々長さフインチ) リンク137A−137E・・・・・・100メツシユ
カレツト ’11139・・・・・・VYCORブランドの管コー
ティングの全長・・・・・・はぼ36インチこの発明は
また、モリブデンに匹敵する膨張係数のコーニングコー
ド7o52の如きポウケイ酸ガラス管139の使用を意
図するものである。ガラス管139は、カレント充填1
37A−137Eを用いるコトなく電極13o1を直接
シールする。電極1301は、熱ショックを防ぐために
予熱されねばならない。
第5図に示される構成の特徴は、を極130′が、他の
準備をすることなく炉110中へ迅速に挿入するために
予め組立てられていることにある。管139は、保護層
1401をその中に収容している(粒状形の場合)だけ
でなく、少なく共炉の動作中に強化されるまで保護層1
401を成る程度保護する。モリブデンカラー135は
、通常は、第4図に示す如く浴112の自由面118の
レベル下に位置させられているので、カラー135は、
溶融ガラス112中への浸漬によって酸化から保護され
る。
準備をすることなく炉110中へ迅速に挿入するために
予め組立てられていることにある。管139は、保護層
1401をその中に収容している(粒状形の場合)だけ
でなく、少なく共炉の動作中に強化されるまで保護層1
401を成る程度保護する。モリブデンカラー135は
、通常は、第4図に示す如く浴112の自由面118の
レベル下に位置させられているので、カラー135は、
溶融ガラス112中への浸漬によって酸化から保護され
る。
第6図には、この発明の他の実施例を示すものである。
4 惨13 心11は、7孔などにより形成された軸方
向の孔150を有している。
向の孔150を有している。
孔150は、その長手方向に開放された上端からチップ
152付近に至っている。清浄ライン153が、開放端
151に位置させられ、清浄流体Pが導入される。温度
−上昇時に、モリブデンに対して不活性の水素等のガス
が、破Mpdの如く拡散する。この実施例においても電
極は、既に述べた如く酸化から保護されており、不必要
なエネルギーや材料費を用いることかない。
152付近に至っている。清浄ライン153が、開放端
151に位置させられ、清浄流体Pが導入される。温度
−上昇時に、モリブデンに対して不活性の水素等のガス
が、破Mpdの如く拡散する。この実施例においても電
極は、既に述べた如く酸化から保護されており、不必要
なエネルギーや材料費を用いることかない。
第1図は、この発明によるバッチ電極の一装置を示す上
面図、 第3図は、バッチ電極の有無によって区別した炉の高さ
対溶融面積の比のグラフ、第4図は、この発明により動
作するガラス溶融炉に浸漬される電極(仮想図を含む)
の部分的な側面図、 第4A図は、′tL極を傾斜させた場合の説明図、 第5図は、段階的に配置されたシールド装置を用いるこ
の発明による電極の他の実施例の説明図および第6図は
、!極が清浄流体を尋人する軸方向の開孔を備えている
この発明の他の実施例をそれぞれ示すものである。 10、110・・・溶融炉 14.114・・・側 、
壁15 ・・・・・・・・・排出孔 16.116・・
・底 壁20、120・・・バッチ 12.112・
・・溶融ガラス30、130.130’・・・・・・電
極A・・・・・・・・・活動領域 Q・・・・・・・
・・不活動領域CV・・・・・・対流うねり 31.1
31・・・チ ツ プ132 ・・・皮付アーム 13
4・・・・・・・・・カ ラ 一137A−137E・
・・・・・カレット(ガラス)139・・・ガラス管 140・・・・・・保護層 (コーティング)FIG、
1 りq S FIG 2
面図、 第3図は、バッチ電極の有無によって区別した炉の高さ
対溶融面積の比のグラフ、第4図は、この発明により動
作するガラス溶融炉に浸漬される電極(仮想図を含む)
の部分的な側面図、 第4A図は、′tL極を傾斜させた場合の説明図、 第5図は、段階的に配置されたシールド装置を用いるこ
の発明による電極の他の実施例の説明図および第6図は
、!極が清浄流体を尋人する軸方向の開孔を備えている
この発明の他の実施例をそれぞれ示すものである。 10、110・・・溶融炉 14.114・・・側 、
壁15 ・・・・・・・・・排出孔 16.116・・
・底 壁20、120・・・バッチ 12.112・
・・溶融ガラス30、130.130’・・・・・・電
極A・・・・・・・・・活動領域 Q・・・・・・・
・・不活動領域CV・・・・・・対流うねり 31.1
31・・・チ ツ プ132 ・・・皮付アーム 13
4・・・・・・・・・カ ラ 一137A−137E・
・・・・・カレット(ガラス)139・・・ガラス管 140・・・・・・保護層 (コーティング)FIG、
1 りq S FIG 2
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)溶融ガラスの浴を収容する槽を形成するような中
央開口を構成する側壁と底壁および電気エネルギー源か
ら浴中に放電を行なうための少なく共−グループの電極
とを有するガラス溶融炉の作動方法において、各グルー
プの各電極の個々の配置を選択し、その際前記個々の配
置が炉の幾何学的中心に関して半径方向および円周方向
に対称であるようにし、前記選択された電極の配置を炉
の側壁から最小間隔を保つように離し、各グループの各
電極を選択された個々の配置に位置決めし、電極の各々
を各々の位置に選択されたレベルを占めるように浸漬し
、電極の各グループをグループ中の各電極および他のグ
ループ電極に対して対称的な電気的パターンを描くよう
に放電させ、使われるエネルギーが、炉の側壁から離れ
て集中するようにし、炉のそれぞれの縦方向および横方
向の寸法を選んで溶融と清澄が浴の上面より下方にある
比較的狭い活動領域および不活動領域において生じるよ
うにする方法。 (2)溶融可能なガラス形成バッチ材料のバッチブラン
ケットを溶融ガラスの上部に付着させ、前記電極により
前記バッチブランケットを穿孔するようにした特許請求
の範囲第1項記載の方法。 (3)溶融ガラス浴中に電流を導入するために電極を放
電させ、消費されるエネルギーをバッチブランケット付
近に集中させるようにした特許請求の範囲第2項記載の
方法。 (4)溶融ガラス浴中に対流を生ぜしめるようにした特
許請求の範囲第2項記載の方法。 (5)前記対流の速度を選択し、その際側壁付近の電極
の最小間隔を選択し、ガラス浴中の電気エネルギーの消
費速度を定めて選択された前記対流を制御するようにし
た特許請求の範囲第4項記載の方法。 (6)炉でのガラスの最小滞留時間を定め、その際ガラ
スの運動を対流パターンの正規の方向に維持し、これに
よって定められた前記最小滞留時間だけ炉中にガラスを
滞留させるようにした特許請求の範囲第4項記載の方法
。 (力 前記対流パターンが、バッチブランケット下の活
動領域中で半径方向内側に、次いで中心に沿って下方に
、さらに不活動領域の直ぐ上方で半径方向外方に、さら
に側壁に沿って下方に、さらにまた不活動領域中で半径
方向内側に炉の中央排出孔に向って流れるような「S」
パターンであるようにした特許請求の範囲第4項記載の
方法。 (8) 前記対流パターンが、活動領域中を半径方向
外側に、次いで側壁に治って下方に、さらに不活動領域
中を炉の中央排出孔に向って半径方向内側に流れるよう
なrCJノくターンであるようにした特許請求の範囲第
4項記載の方法。 (9)活動領域と不活動領域を縦断して測定した炉の縦
方向の寸法と、側壁の一つから中心を通って他の側壁へ
至る横方向の寸法との最大アスペクト比を選択し、各々
の縦方向と横方向の寸法によるこのアスペクト比が1.
0を越えないようにした特許請求の範囲第1項記載の方
法。 叫 前記アスペクト比が1.0と0.4、の間にあるよ
うにした特許請求の範囲第9項記載の方法。 (11) 電極の各々を所定の長さの浸漬レベルに保
持して、酸化温度を越えた温度に反応して溶融ガラスが
前記所定長の電極に付着コートされるのに充分な時間だ
け維持するようにし、各電極とこれに付着コートされた
溶融ガラスとを浸漬レベルより上方の所定の動作レベル
まで浴から引き上げて、各電極が所定長だけ酸化物質か
ら保護されるようにした特許請求の範囲第1項記載の方
法。 (12各電極に浴への浸漬に先立って比較的薄い保護耐
熱コートを予めコートするようにした特許請求の範囲第
11項記載の方法。 (至)電極を酸化アルミニウム、酸化クロム、ニケイ素
化モリブデンおよび酸化モリブデンからなるグループか
ら選択された比較的薄い耐熱コートで表面コートするよ
うにした特許請求の範囲第1項記載の方法。 (ロ)各電極を浴への浸漬に先立って比較的薄いガラス
物質で予めコートするようにした特許請求の範囲第1項
記載の方法。 09 溶融ガラスを収容したガラス溶融炉内で、酸化
温度以上の温度で保持される装置を酸化から保護あるい
はシールドする方法において、酸化温度を越えた温度に
反応するように所定長だけ所定の浸漬レベルに溶融ガラ
ス中に前記装置を浸漬し、この浸漬レベルに前記装置を
、溶融アラスカ1前記所定長部分に付着コートされるの
に充分な時間保持し、前記浸漬レベル上方の所定の動作
レベルまで浴から前記装置とこれに付着コートされた溶
融ガラスとを引き上げて、前記装置が前記所定長につい
て酸化物質からシールドされるようにした方法。 (至)前記装置が、少なくとも一つの電極、サーモカッ
プル、酸素センサーおよび攪拌装置からなる特許請求の
範囲第15項記載の方法。 面 電極を電気的に励起して溶融ガラス浴中に電流を導
入するようにした特許請求の範囲第15項記載の方法。 (ト)電極を縦方向に関して傾けて、励起された電極に
隣接して発生するガスと電極の接触を最小にするように
した特許請求の範囲第17項記載の方法。 叫 前記装置を少なくとも所定長にわたって環状のガラ
スで予めコートするようにした特許請求の範囲第15項
記載の方法。 Φ 予めコートを行なう過程にお(・て、前言己所定長
にわたって前記装置を包囲するように少なくとも一つの
ガラス物質を選′択するようにした特許請求の範囲第1
9項記載の方法。 (21)ガラス物質を選択する際に、比較的硬いガラス
から比較的柔かいガラスまで種々の粘度特性を有する複
数のガラス物質を選び、比較的高温に曝される前記装置
の部分から始めて比較的硬いガラスから比較的柔かいガ
ラスとなるように軸方向に環状帯として前記装置の周囲
に前記ガラス物質を配置し、熱ショックを避け、ガラス
物質が前記装置から剥離することを防止するようにした
特許請求の範囲第20項記載の方法。 (22当初は粒状性物質であるガラス物質を軟化して前
記装置に粘性をもって付着するまで前記装置周囲に保持
するようにした特許請求の範囲第20項記載の方法。 (23)収容された粒状物質を周囲の雰囲気からシー)
しするようにした特許請求の範囲第22項記載の方法。 c2(1)前記装置の外部に隣接する粒状物質を介して
清浄ガスを導入するようにした特許請求の範囲第22項
記載の方法。 c2ツ 清浄ガスを装置を介してその内部から外部へ
拡散させるようにした特許請求の範囲第15項記載の方
法。 (20上面を有する溶融ガラス浴を収容する上端を開放
した槽を形成する起立側壁および底壁を有し、その際前
記槽の縦方向と横方向の寸法は、溶融と清澄が前記上面
の下方にある上部帯と下部帯とで行なわれて前記上部帯
は前記下部帯とほぼ同じ厚さとなるような比率にされ、
さらに前記槽の開放上端から炉中に挿入され、溶融ガラ
スの自由な前記上面から溶融ガラスと接触する少なくと
も−グループの電極を有し、その際前記電極は前記槽の
幾何学的中心に関して円周方向および半径方向に対称な
位置を選択して配置され、炉の側壁から所定長の最小間
隔を置いて配置されるようにしたガラス溶融炉。 (2つ前記縦方向および前記横方向の寸法が1.0〜0
.4の間のアスペクト比を有している特許請求の範囲第
26項記載のガラス溶融炉。 c28)電極の側壁からの最小間隔が約1ftと約2f
tの間にあるようにした特許請求の範囲第27項記載の
ガラス溶融炉。 (29)各グループの電極の各々が、炉の中心から半径
方向に距離を置いて配置され、各グループの前記電極は
、前記中心から均一な円周方向位置に配置されているよ
うにした特許請求の範囲第26項記載のガラス溶融炉。 (30)三個の電極の一グループを有し、その半径方向
の距離が、中心から側壁までの距離の約50〜80%に
あるようにした特許請求の範囲、第26項記載のガラス
溶融炉。 Oυ 六個の電極のグループをニゲループ設け、その半
径方向の距離が、中心から側壁までの距離の約70〜9
0%にあるようにした特許請求の範囲第26項記載のガ
ラス溶融炉。 (3の 六個の電極のグループをニゲループ設け、そ
の半径方向の距離が、中心から側壁までの距離の約70
〜90%にあるようにし、一つのグループ中の各電極が
他のグループの隣接する電極に対して30°だけずれて
配置され、同じグループの隣接する電極に対して60°
だけずれて配置されるようにした特許請求の範囲第26
項記載のガラス溶融炉。 0■ 少な(共三個の電極によって第三のグループを構
成し、各電極が炉の中心から側壁までの距離の約30〜
50%にあるようにし、互いに120°だけずれて配置
されるようにした特許請求の範囲第31項記載のガラス
溶融炉。 (3弔 第三グループの電極が少な(共六個の60゜
ずつずれて配置された電極であるようにした特許請求の
範囲第32項記載のガラス溶融炉。 0つ 槽の縦方向寸法が、活動領域と不活動領域を含み
、横方向の寸法が炉の中心から側壁の内面までであるよ
うにし、−縦方向および横方向の寸法が約5ft以下の
直径の比較的小さな炉についてはアスペクト比が約ID
を越えることなく、比較的大きな炉に対しては約0.4
であり、その際縦方向の寸法が、最小約4ftであり、
横方向の寸法が、比較的小さな炉に対しては約5ftで
あり、比較的大きな炉に対しては約22ftであるよう
にした特許請求の範囲第26項記載のガラス溶融炉。 00 縦方向の寸法が、比較的小さな炉に対しては約
1ftに縮小され、比較的大きな炉に対しては約2ft
であるようにした特許請求の範囲第34項記載のガラス
溶融炉。 0′7)チップ端を備え、そこから軸方向に少なく共支
持部分まで達している所定長の酸化性のある導電棒と、
該棒は酸素の存在下でガラス溶融に必要な温度において
酸化性があり、さらに前記棒は炉中に配置可能であって
チップ端から少なく共支持部分付近まで溶融ガラス中に
浸漬可能であり、さらにチップ端と支持部分間の前記棒
の所定部分に付着されるガラス質の比較的薄いコーティ
ングとを設け、前記ガラスコーティングは、前記棒の少
な(共酸化温度付近の温度で比較的高い粘性を有して前
記棒に付着残留し、さらに前記棒は、その温度が酸化温
度を越えた場合前記コーティングにより酸化から保護さ
れるようにした特許請求の範囲第26項記載のガラス溶
融炉。 C3e 各電極のコーティングが、少なく共ガラスの
自由な上面から電極の酸化温度よりも低い温度の電極部
分までの電極の周囲に粘性のフィルムを形成するガラス
の半固体化した塊であるようにした特許請求の範囲第3
7項記載のガラス溶融炉。 (391ガラス質のコーティングが、炉中に収容される
溶融ガラスにより形成されるようにした特許請求の範囲
第36項記載のガラス溶融炉。 (40)電極の各グループが、他のグループに対して対
称に電気的に励起されるようにした特許請求の範囲第2
6項記載のガラス溶融炉。 (41) 酸化温度を越えた温度で動作可能な、溶融
ガラス中に浸漬される装置において、チップ端を備え、
そこから軸方向に少なく共支持部分まで達している所定
長の酸化性のある棒と、該棒は酸素の存在下でガラス溶
融に必要な温度において酸化性があり、さらに前記棒は
炉中に配置可能であってチップ端から少なく共支持部分
付近まで溶融ガラス中に浸漬可能であり、さらにチップ
端と支持部分間の前記棒の所定部分に付着されるガラス
質の比較的薄いコーティングとを設け、前記ガラスコー
ティングは、前記棒の少なく共酸化温度付近の温度で比
較的高い粘性を有して前記棒に付着残留し、さらに前記
棒は、その温度が酸化温度を越えた場合前記コーティン
グにより酸化から保護されるようにした装置。 (421前記コーティングが、少なく共ガラスの自由な
上面から電極の酸化温度よりも低い温度の電極部分まで
の電極の周囲に粘性のフィルムを形成するガラスの半固
体化した塊であるようにした特許請求の範囲第41項記
載の装置。 (43)コーティングが、装置の所定長に沿って連続的
に装置を包囲する複数のガラス物質の環状体であり、前
記ガラス物質が電極のチップ付近では比較的高い粘性を
有し、チップから離れるに従って比較的低い粘性を有す
るように順次分布せしめられた粘度特性を有する物質に
よって構成されるようにした特許請求の範囲第40項記
載の装置。 (470チップ付近で装置に取付けられる下方の支持手
段を有し、該支持手段は、高粘度の環状体と係合してチ
ップの方向に粘・性のある流れに抗してコーティングを
支持するようにした特許請求の範囲第42項記載の装置
。 (4つ 装置を包囲する環状の拘束管を装置の所定長
にわたってコーティングし、肢管が、支持手段の一端に
取付けられるようにして前記コーティングが装置から離
れるように流れることを防止するようにした特許請求の
範囲第43項記載の装置。 (40環状の管が、原則として溶融シリカおよびアルミ
ナのグループから選択された物質である特許請求の範囲
第44項記載の装置。 (471装置内に清浄ガスを導入して装置を有害な雰囲
気からシールドするようにした特許請求の範囲第41項
記載の装置。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US317995 | 1981-11-04 | ||
| US06/317,994 US4413346A (en) | 1981-11-04 | 1981-11-04 | Glass-melting furnace with batch electrodes |
| US317996 | 1981-11-04 | ||
| US317994 | 1999-05-25 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5884130A true JPS5884130A (ja) | 1983-05-20 |
Family
ID=23236171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57193936A Pending JPS5884130A (ja) | 1981-11-04 | 1982-11-04 | ガラス溶融炉およびその作動方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4413346A (ja) |
| JP (1) | JPS5884130A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| WO2023228720A1 (ja) * | 2022-05-26 | 2023-11-30 | 日本電気硝子株式会社 | ガラス物品の製造方法 |
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| TWI764952B (zh) * | 2016-11-08 | 2022-05-21 | 美商康寧公司 | 用於形成玻璃製品之設備及方法 |
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-
1981
- 1981-11-04 US US06/317,994 patent/US4413346A/en not_active Expired - Lifetime
-
1982
- 1982-11-04 JP JP57193936A patent/JPS5884130A/ja active Pending
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|---|---|
| US4413346A (en) | 1983-11-01 |
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